进一步优选的是，上固定电极连接部31与第一斜面21之间也可设置绝缘层，该位置的绝缘层与上固定电极支撑部30、公共支撑部20之间的绝缘层5是一体的。
[0059]下固定电极结构层4、上固定电极结构层3相对于敏感结构层2上下对称，为了和敏感结构层2对应起来，所述下固定电极结构层4还包括呈倾斜状的下固定电极连接部41，所述下固定电极42通过下固定电极连接部41与下固定电极支撑部40连接。其中，下固定电极连接部41与第二斜面24具有角度相同的斜度，使得下固定电极连接部41与第一斜面21完全平行。选择整个下固定电极结构层4具有均一的厚度，也就是说，整个下固定电极结构层4的结构走向与敏感结构层2下表面的结构完全一致。其中，下固定电极支撑部40通过绝缘层5平行地连接在公共支撑部20的下方，所述下固定电极连接部41、下固定电极42通过下固定电极支撑部40分别平行地悬置在第二斜面24、公共敏感部22的下方。进一步优选的是，下固定电极连接部41与第二斜面24之间也可设置绝缘层，该位置的绝缘层与下固定电极支撑部40、公共支撑部20之间的绝缘层5是一体的。
[0060]本发明的MEMS压力传感器，需要将上固定电极32、公共敏感部22、下固定电极42的电信号引出，通过电路来获得第一检测电容、第二检测电容的数值。在此，可通过本领域技术人员所熟知的方式将上述三个极板的信号引出。在本发明一个具体的实施方式中，参考图1，所述下固定电极支撑部40上设置有导电部，该导电部的下端与下固定电极支撑部40连接，其上端贯穿绝缘层5、公共支撑部20，与上固定电极支撑部30连接在一起，并在上固定电极支撑部30上形成下固定电极42的第一导电触点80。
[0061]在所述公共支撑部20上也可设有导电部，该导电部贯穿绝缘层5与上固定电极支撑部30连接在一起，并在上固定电极支撑部30的相应位置上形成公共敏感部22的第二导电触点81 ;在所述上固定电极支撑部30上还设置有上固定电极32的第三导电触点82。三个导电触点均设置在上固定电极支撑部30上，为了彼此之间的绝缘，可在上固定电极支撑部30上进行图形化处理，形成隔离区9，从而将上固定电极支撑部30上三个导电触点的区域彼此隔离开。
[0062]上述的导电部起到电导通的作用，其可以是本领域技术人员所熟知的任意导电材料，其可以是金属材料，也可以是多晶硅材料。应用到本发明的技术方案中，公共支撑部20与上固定电极支撑部30之间的导电部也可以采用多晶硅材料，其与上固定电极支撑部30采用相同的材质，在此，可以理解为该导电部与上固定电极支撑部30是一体的。下固定电极支撑部40与上固定电极支撑部30之间的导电部，包括位于公共支撑部20中的金属部6，其中金属部6的上、下两端分别通过电连接部与上固定电极支撑部30、下固定电极支撑部40连接在一起；该电连接部可以为多晶硅材料，其与上固定电极支撑部30、下固定电极支撑部40上采用相同的材质，在此，可以理解为该两个导电部分别与上固定电极支撑部30、下固定电极支撑部40是一体的。
[0063]本发明还提供了一种上述MEMS压力传感器的制造方法，包括以下步骤:
[0064]a)在敏感结构层2的一端刻蚀贯通其上下两端的通孔，之后在通孔的孔壁上生长绝缘层5，并在通孔内填充多晶硅导电材料或金属部6，参考图2 ;敏感结构层2可以采用单晶硅材料，通过绝缘层5与通孔内的多晶硅导电材料或金属部6保持绝缘；
[0065]b)在敏感结构层2的上表面进行刻蚀或腐蚀，形成公共支撑部20的下表面、第二斜面24以及公共敏感部22的下表面，参考图3 ;可通过各向异性腐蚀的方法，在敏感结构层2的上表面形成呈等腰梯形的凹槽，该凹槽的底部为公共敏感部22的下表面，其侧壁为公共支撑部20的第二斜面24 ;
[0066]c)在整个敏感结构层2的上表面生长一层绝缘层5，使得该绝缘层5覆盖在敏感结构层2的整个上表面；对绝缘层5进行图形化刻蚀，将位于多晶硅导电材料或金属部6上方的绝缘层5刻蚀掉，形成刻蚀孔60，从而将多晶硅导电材料或金属部6的端面露出，参考图4 ；
[0067]d)在绝缘层5的上表面沉积下固定电极结构层4，该下固定电极结构层4可以是多晶硅材料，其具有均一的厚度，该下固定电极结构层4沉积在绝缘层5上之后，形成了下固定电极支撑部40、下固定电极连接部41、下固定电极42 ;且下固定电极支撑部40沉积至刻蚀孔60中，与多晶硅导电材料或金属部6连接在一起，参考图5 ;
[0068]e)在下固定电极42上刻蚀形成多个腐蚀孔43，参考图6 ；
[0069]f)通过腐蚀孔43将下固定电极42与公共敏感部22之间的绝缘层5腐蚀掉，从而将下固定电极42从公共敏感部22上释放开来，下固定电极42与公共敏感部22之间具有一定的空间23，使得下固定电极42与公共敏感部22可以构成用于检测的电容，参考图7 ;
[0070]g)将整个敏感结构层2、下固定电极结构层4翻转，键合在衬底I上，并形成了位于衬底I与公共敏感部22之间的真空腔7，参考图8 ;在该步骤中，可以将下固定电极支撑部40通过绝缘层键合在衬底I上，也可以通过改变结构，将公共支撑部20通过绝缘层键合在衬底I上；
[0071]h)在上述结构翻转后，对敏感结构层2的另一面进行处理，参考图9的方向，与步骤b)相似，在敏感结构层2上表面进行刻蚀或腐蚀，形成公共支撑部20的上表面、第一斜面21以及公共敏感部22的上表面；可通过各向异性腐蚀的方法，在敏感结构层2的上表面形成呈等腰梯形的凹槽，该凹槽的底部为公共敏感部22的上表面，其侧壁为公共支撑部20的第一斜面21 ;其中，在该步骤之前，根据需要，还包括将敏感结构层2减薄到预定厚度的步骤；
[0072]i)在整个敏感结构层2的上表面生长绝缘层5，使得该绝缘层5覆盖在敏感结构层2的整个上表面，并对绝缘层5进行图形化刻蚀，将位于多晶硅导电材料或金属部6上方的绝缘层5刻蚀掉，形成刻蚀孔800，将多晶硅导电材料或金属部6的端面露出；同时将位于公共支撑部20上方预定位置的绝缘层5刻蚀掉，形成刻蚀孔810，使部分公共支撑部20露出，参考图10 ；
[0073]j)在绝缘层5的上表面沉积上固定电极结构层3，与步骤d)相似，该上固定电极结构层3可以是多晶硅材料，其具有均一的厚度，该上固定电极结构层3沉积在绝缘层5上之后，形成了上固定电极支撑部30、上固定电极连接部31、上固定电极32 ;且上固定电极支撑部30沉积至刻蚀孔800、810中，分别与多晶硅导电材料或金属部6、公共支撑部20连接在一起，参考图11 ;
[0074]k)在上固定电极支撑部30的相应位置制作第一导电触点80、第二导电触点81、第三导电触点82，参考图12，具体地，第一导电触点80位于刻蚀孔800的正上方，第二导电触点81位于刻蚀孔810的正上方；
[0075]I)在上固定电极32上刻蚀形成腐蚀孔33 ;并在上固定电极支撑部30上进行刻蚀，形成隔离区9，将第一导电触点80、第二导电触点81、第三导电触点82相互隔离开，参考图13 ；
[0076]m)通过腐蚀孔33将上固定电极32与公共敏感部22之间的绝缘层5腐蚀掉，从而将上固定电极32从公共敏感部22上释放开来，上固定电极32与公共敏感部22之间具有一定的空间23，使得上固定电极32与公共敏感部22可以构成用于检测的电容，参考图1。
[0077]本发明的制造方法，敏感结构层的形成是通过在其上、下表面的腐蚀或刻蚀来完成的，降低了芯片的加工成本；同时，