值变化 量ARmr (ARmrl)。也就是说，横向无论是从右向左施加磁场H还是从左向右施加磁场H， 阻抗值变化量ARmr均相同。也就是说，磁阻效应相对于从横向施加的磁场H具有偶函数 的特性。
[0064] 但是，据此，磁传感器1无法检测关于磁场H的方向的信息。因此，参照图1(b)的 图表的右一半，横向施加一定程度的偏置磁场Hbias。将其称为横向偏置磁场Htb。横向偏 置磁场Htb使磁阻效应的动作点Hp沿偶函数的倾斜部分偏移，所以磁传感器1能够检测到 与偏置磁场Hbias相同方向（H2)或者相反方向（-H2)这样的所施加磁场H的方向的阻抗 值变化量的信息（ARmr2、-ARmr2)。
[0065] 在此，假设磁性膜12的温度上升。磁体一般在成为居里温度时失去磁性。而且， 随着磁体的温度上升至居里温度，饱和磁化强度、顽磁力之类的磁特性下降。考虑到磁性膜 12的磁化关系到磁阻效应，因此磁阻效应由于温度的上升而下降。
[0066] 图2(a)中表示磁阻效应的温度变化。仅示出表示磁阻效应的图表的右边一半。 横轴为来自横向的磁场H，纵轴为磁性膜12的纵向的阻抗值Rmr。随着从低温t0变向高温 t2,特性曲线由陡峭的山形变为宽阔的山形。假设横向偏置磁场Htb不变化，则磁传感器1 的动态范围S随着温度的上升而从SO减少为S2。即，灵敏度降低。
[0067] 另外，将向磁性膜12的纵向施加的偏置磁场Hbias称为纵向偏置磁场Hob。当向 磁性膜12施加纵向偏置磁场Hob时，随着纵向偏置磁场Hob变大，磁阻效应被抑制。
[0068] 图2 (b)表不改变纵向偏置磁场Hob时的磁阻效应。横轴为横向的磁场H，纵轴为 磁性膜12的纵向的阻抗值Rmr。当纵向偏置磁场Hob从HobO增大至Hob2时，磁阻效应由 陡峭的山形变为宽阔的山形。即，磁传感器1的灵敏度从SO降低至S2。
[0069] 可以认为磁阻效应依赖于磁性膜12的磁化的方向和电流的方向。纵向偏置磁场 Hob具有使磁性膜12的磁化束缚在纵向的作用。从而，磁化的方向难以根据从横向施加的 磁场H而变化，其结果被认为是磁阻效应受到抑制。
[0070] 当用具有温度特性的磁铁施加纵向偏置磁场Hob时，若周围的温度上升则纵向偏 置磁场Hob减少。这是因为产生纵向偏置磁场Hob的磁铁自身随着温度的上升而使磁特性 降低的缘故。即，磁阻效应的动态范围S变大。
[0071] 因此，通过将温度上升时灵敏度降低的磁性膜12与温度上升时能够提高灵敏度 的纵向偏置磁场Hob进行组合，能够进行磁传感器1的温度补偿。
[0072] 参照图3。图3仅表示磁阻效应的一半。对在温度tO时具有Cl的磁阻效应的磁 性膜12预先施加纵向偏置磁场Hob2,使磁阻效应成为宽阔的山形C1。当该磁传感器1的 温度上升为tl时，由于磁性膜12的特性，磁阻效应会进一步变宽阔（C2)。但是，因为此时 随着温度上升，纵向偏置磁场也从Hob2减少为Hobl，所以磁阻效应变回陡峭的山形（C3)。 即，即使温度变化，磁阻效应也不变化。
[0073] 此处，重要的是横向偏置磁场Htb (Hbias)相对于磁性膜12和纵向偏置磁场Hob 的变化必须为大致一定。即，纵向偏置磁场Hob具有比横向偏置磁场Htb更大的温度特性。
[0074](实施方式1)
[0075] 接着，参照图4,表示基于该原理的带温度补偿功能的磁传感器的结构。图4(a)表 示带温度补偿功能的磁传感器2的结构，图4(b)表示传感器元件13的组装图。带温度补 偿功能的磁传感器2包括：在基板10上形成的短条状的磁性膜12 ;在磁性膜12的两端设 置的电极14a、14b;在电极14a、14b之间流通电流的电流源16 ;施加横向偏置磁场的磁铁 18 ;施加纵向偏置磁场的磁铁20 ;和计测电极14a、14b之间的电压的电压计22。
[0076] 磁性膜12可以在玻璃或陶瓷这样的基板10上形成。材质只要是能发生磁阻效应 的材料则没有特别限定。大小能够根据设置作为磁传感器的部位来进行变更。例如，在电 路基板上使用的情况下，可以与电路图案一起制作在电路基板上或者电路基板内。
[0077] 形状优选为短条状。因为磁阻效应因流通电流的距离（阻抗值）而灵敏度变高， 所以优选在流通电流的方向（纵向）上具有一定程度的长度。另一方面，因为与流通电流 的方向成直角的方向（横向）可以较短。而且，如果在电流流通的方向上长，则也可以是将 短条状反复串联连接的羊肠小道状。
[0078] 电极14a、14b优选为比磁性膜12导电性高的材料。例如，能够优选利用铜、铝、银、 金等优良导电性物质或者它们的合金。而且，电极14a、14b也可以由磁性膜12而形成。
[0079] 电流源16为用于对磁性膜12流通电流的电源。因为关于磁阻效应，由于电阻值 变化，因此流通电流，由磁性膜12的两端电压来进行检测。电流源16可以为额定电压源， 也可以为额定电流源。电流源16与磁性膜12的两个电极14a、14b连接，沿磁性膜12的纵 向流通电流。
[0080] 施加横向偏置磁场的磁铁18为沿磁性膜12的横向（与流通电流的方向成直角方 向）施加横向偏置磁场Htb的磁铁。能够优选利用在磁性膜12的横向具有磁极18a、18b的 C字型的永久磁铁。永久磁铁的磁场强度预先被调节为与磁性膜12的磁阻效应的大小相应 的横向偏置磁场Htb的大小。更具体而言，改变永久磁铁的组成能够调节产生磁场。另外， 也能够通过使厚度变薄等减小体积的方法进行调节。当然，也可以并用这些方法。
[0081] 而且，施加横向偏置磁场的磁铁18只要能够改变磁性膜12的纵向的磁化以及在 磁性膜12中流通的电流的方向即可。因此，可以是永久磁铁，也可以是电磁铁。另外，也可 以是利用磁性膜12上的图案形成，实质上制造出施加了横向偏置磁场Htb的状况的构造。 即，施加横向偏置磁场的磁铁18包括磁场产生源以外的结构。但是，相比于后述的施加纵 向偏置磁场的磁铁20,必须温度特性较小。
[0082] 温度特性较小是指磁场强度不会因温度的变化而变化。例如，在使用的温度范围 中，可以是温度特性小的永久磁铁、与额定电流源连接的电磁铁、制造出施加了横向偏置磁 场Htb的状况的构造等。
[0083] 特别是制造出施加了横向偏置磁场Htb的状况的构造，温度特性为零，作为施加 横向偏置磁场的磁铁18的空间也可以较小，因此能够优选利用。具体的构造为在专利文献 1中介绍的螺旋条纹（barberpole)构造，详细内容将在后面另外叙述。
[0084] 施加纵向偏置磁场的磁铁20为沿磁性膜12的纵向施加磁场的磁铁。图4中，施 加纵向偏置磁场的磁铁20为在比电极14a、14b更靠外侧具有磁极20a、20b的C字型磁铁。 施加纵向偏置磁场的磁铁20需要与磁性膜12的温度特性一起变化。因此，优选为具有磁 性膜12程度或者其以上的温度特性的磁铁。
[0085] 通常块体的磁体的温度特性小，在居里温度附近急剧地丧失磁化的特性多。但是， 由于磁阻效应自身有百分之几程度的变化，所以需要补偿磁性膜12的磁特性的微小变化， 另外，纵向偏置磁场Hob自身需要使数十Oe程度的产生磁场改变数十Oe程度，所以与比较 小的输出磁场相比，优选具有较大的温度特性的永久磁铁等。
[0086] 例如，通过或者改变铁素体的组成比，或者加入添加物等，能够优选利用能够实现 数〇e/°C的变化的感温磁体。另外，感温磁体也可以使用多个种类。至少包括磁性膜12、施 加横向偏置磁场的磁铁18、施加纵向偏置磁场的磁铁20在内，称为传感器元件13。传感器 元件13中也可以包含基板10。
[0087] 电压计22为用于计测磁性膜12的两端的电压的装置。只要是电压计，则结构上 没有特别限定。也可以只是仅连接放大器电路。而且，因为磁阻效应是用电阻值的变化来 测定沿横向施加的被测定磁场的大小，所以优选具有用于保持无被测定磁场时的磁性膜12 的两端的电压值的单元。例如，优选与显示计测结果的显示部一起，还进一步附加有利用 MPU(MicroProcessorUnit:微处理单元）的控制部。
[0088]另外，计测磁性膜12的两端的电压也可以是指在串联或者并联连接多个磁性膜 12的情况下的两端电压。另外，也可以是介入了阻抗的两端。进一步，在磁性膜12被加入 在桥式电路的一部分中的情况下，也可以是桥式电路的平衡点（参照图12的符号53、54)。 这是因为桥式电路的平衡点可以说是介入有阻抗或者磁性膜12的两端。
[0089] 具有以上的结构的带温度补偿功能的磁传感器2,当在被测定磁场中加入作为感 应部的传感器元件13时，磁性膜12的电阻值Rmr对应于被测定磁场的磁性膜12的横向分 量的强度而变化，因此能够直接检测被测定磁场的大小。该被测定磁场不仅是来自永久磁 铁的磁场，还能够检测流通的电流产生的磁场，因此，带温度补偿功能的磁传感器2还能够 适合利用于电能测定装置中。
[0090] 另外，当周围的温度变化时，磁性膜12的磁阻效应也如图2(a)所示那样向宽阔的 山形方向变化。但是，同样地，施加纵向偏置磁场的磁铁20也根据温度的变化而导致产生 的磁场减少。由此，如图3所示，磁阻效应变回陡峭的山形形状，结果是即使温度改变，磁传 感器的灵敏度也大致能够维持相同的状态。
[0091] (实施方式2)
[0092]图5表示本实施方式涉及的带温度补偿功能的磁传感器3的结构。对于与实施方 式1所示的带温度补偿功能的磁传感器2相同的部分，附加相同的符号，说明省略。带温度 补偿功能的磁传感器3的施加横向偏置磁场的磁铁18由磁性膜12上的导电