体24的图案 而构成。
[0093] 在磁性膜12上，在电极14a、14b之间形成有条纹状的导电体24的图案。导电体 24与电极14a、14b相同，使用比磁性膜12导电性高的材料。由于在电极14a、14b之间流通 的电流在条纹状的导电体24之间以最短距离流通，所以在磁性膜12中流通的电流I的角 度从电极14a、14b之间（纵向）的轴偏移条纹的角度0。
[0094]换言之，因为利用纵向偏置磁场Hob，磁化M朝向纵向，所以电流I与磁化M的方向 不同。结果，产生与附加有横向偏置磁场Htb时同等的效果。即使是像这样利用在磁性膜 12上设置的导电体24的图案来变更磁性膜12的磁化M和流通的电流I的方向的构造，称 之为施加横向偏置磁场的磁铁18,也如已说明的一样。
[0095] 另外，条纹状的导电体24在磁性膜12上形成倾斜的方向不同的图案。在这些图 案的会合部形成共用电极24c。这与具有方向不同的施加横向偏置磁场的磁铁18的传感器 元件串联连接的情况相同。将共用电极24c接地，将传感器元件彼此的两端电极14a、14b 作为输出，则能够将两个传感器元件的输出合成，灵敏度翻倍。
[0096]另外，通过接地，抑制输出的漂移。像这样，实质上多个传感器元件作为一个图案 而一体地制作的器件也可以称之为传感器元件13。
[0097] 而且，由于电压计22与这样的传感器元件13相对应，所以示出由具有两个输入的 放大器22A构成的示例，这两个输入为用于合成两端电极14a、14b的介入有阻抗22rI、22r2 的输入和将共用电极24c接地作为输入的输入。
[0098] 另外，施加纵向偏置磁场的磁铁20为将感温磁体20d、20e连接于薄的永久磁铁 20c的磁铁。此处，薄的永久磁铁20c是指沿面方向形成有磁极的磁铁，是指磁极之间比构 成磁极面的纵横的至少任意一方的长度短的磁铁。感温磁体20d、20e使用导磁率高且温度 特性不同的多种感温磁体，设置为温度特性随着距离薄的永久磁铁20c由近至远而变大。
[0099] 图5中使用两种感温磁体20d、20e。靠近薄的永久磁铁20c的感温磁体20d的温 度特性比远的感温磁体20e的温度特性小。另外，薄的永久磁铁20c的温度特性在使用带 温度补偿功能的磁传感器3的温度区域可以较小。
[0100] 参照图6对以上的结构的带温度补偿功能的磁传感器3的动作进行说明。参照图 6(a)，薄的永久磁铁20c由于反磁场的影响，漏磁场小。用高导磁率的感温磁体20d、20e夹 持该薄的永久磁铁20c时，磁极N、S在感温磁体20e-侧（20a、20b)出现。
[0101] 参照图6 (b)，在此周围的温度上升时，磁性膜12的磁阻效应变宽。另一方面，温度 特性大的感温磁体20d、20e中离薄的永久磁铁20c远的感温磁体20e丧失导磁率。于是， 磁极N、S在下一感温磁体20d的端部20da、20db之间出现。此时的磁场从磁性膜12来看， 与在磁极20a、20b之间出现的纵向偏置磁场Hob变小的情况一样。
[0102] 另外，还能够看到在不再产生磁场的磁极20a、20b附近的磁性膜12a、12b上也不 再施加纵向偏置磁场Hob。结果，关于磁性膜12的磁阻效应，磁化M因纵向偏置磁场Hob而 受到的束缚变小，转变为陡峭的山形，作为磁传感器的灵敏度不发生变化（参照图4)。
[0103] 而且，参照图6 (c)，用以产生纵向偏置磁场Hob的部件也可以是在实施方式1中已 说明的感温磁体的磁铁。在这种情况下，虽然磁极没有移动，但磁铁产生的磁场本身减少。
[0104](实施方式3)
[0105] 在实施方式1和2中，对通过使施加纵向偏置磁场的磁铁20的温度特性比施加横 向偏置磁场的磁铁18的温度特性大从而使得传感器元件13整体的温度特性固定的结构进 行了说明。这是所谓将磁性膜12的温度特性与施加纵向偏置磁场的磁铁20的温度特性抵 消的技术思想。本发明涉及的传感器元件13并不仅仅限定于此，也可以构成为将磁性膜12 的温度特性与施加纵向偏置磁场的磁铁20和施加横向偏置磁场的磁铁18的温度特性相抵 消。
[0106] 图7表不其原理。图7中表不磁阻效应的图表。横轴为沿磁性膜12的横向施加 的磁场H，纵轴为磁性膜12的阻抗值Rmr。如已经叙述的那样，关于最初为曲线ClO的磁 阻效应，根据磁性膜12的温度特性，当温度上升时，则该磁阻效应向变得宽阔的方向变化 (Cll)。另一方面，纵向偏置磁场Hob若因温度上升而变小，则磁阻效应向变得陡峭的方向 变化。实施方式1和2将这些效果抵消。
[0107] 但是，如后述的实施例所示，当纵向偏置磁场Hob减少时，磁阻效应呈指数函数地 向陡峭的方向变化（C12)。也就是说，存在由纵向偏置磁场Hob减少引起的磁阻效应变得陡 峭的程度（C12)大于磁性膜12的磁阻效应由于温度上升而变得宽阔的程度（Cll)的情况。
[0108] 在这种情况下，动作点Hp变为表示磁阻效应的曲线C15的坡脚部分Hpl5,作为传 感器元件13的灵敏度显著减少。因此，使横向偏置磁场Htb也同时减少（Htbl6)，使动作点 Hp向更高灵敏度的部分Hpl6移动。而且，在图7中，将灵敏度作为表示磁阻效应的曲线的 切线进行表示。即，动作点Hp的斜率（用箭头表示。）是比动作点Hpl5的斜率更急剧的倾 斜，动作点Hpl6的斜率与动作点Hp的斜率大致相同。
[0109] 图8中表示具体的方法。参照图8(a)，施加相对于磁性膜12倾斜的方向的偏置磁 场（倾斜偏置磁场Hsb)。将对磁性膜12施加该倾斜偏置磁场Hsb的磁铁称为施加倾斜偏 置磁场的磁铁40。施加倾斜偏置磁场的磁铁40可以组合多个温度特性相同程度的磁铁，也 可以是电磁铁。
[0110] 即，也可以将在温度上升的同时磁特性降低的施加纵向偏置磁场的磁铁20与伴 随施加纵向偏置磁场的磁铁20的磁特性的变化，使横向偏置磁场降低，以使动作点Hp的灵 敏度不太发生变化的施加横向偏置磁场的磁铁18组合使用。另外，也可以使用被控制为使 输出磁场根据温度而变化的电磁铁。另外，也可以将这些永久磁铁和电磁铁组合而构成施 加倾斜偏置磁场的磁铁40。
[0111] 例如，如果在相对于磁性膜12的纵向倾斜的方向施加由一对磁极产生的磁场，则 结构单纯而优选。例如，将图2所示的C字型磁铁（施加纵向偏置磁场的磁铁20)相对于 磁性膜12倾斜配置等。
[0112] 因为磁场为向量，所以能够考虑将倾斜偏置磁场Hsb分成纵向偏置磁场分量和横 向偏置磁场分量。此处，将纵向偏置磁场分量称为等效纵向偏置磁场Hsbv，将横向偏置磁场 分量称为等效横向偏置磁场Hsbh。
[0113] 等效横向偏置磁场Hsbh是可以看做沿磁性膜12的横向（与纵向成直角的方向） 施加的磁场。即，具有使磁阻效应的动作点Hp移动的效果。也可以说是表示与图5所示的 螺旋条纹构造相同的效果。可以认为施加倾斜偏置磁场的磁铁40通过等效纵向偏置磁场 Hsbv和等效横向偏置磁场Hsbh，从而等同于具有提供纵向偏置磁场的磁铁20和提供横向 偏置磁场的磁铁18。从而，图8这样的结构也可以称为传感器元件13。
[0114] 图8 (b)中表示相对于倾斜偏置磁场Hsb纵向倾斜的磁性膜，即配置在相互以倾斜 偏置磁场Hsb的方向为直线对称轴而对称的位置上的第一磁性膜12和第二磁性膜42。在 各个磁性膜12、42中，考虑等效纵向偏置磁场Hsbv和等效横向偏置磁场Hsbh。第一磁性膜 12和第二磁性膜42与施加有倾斜偏置磁场Hsb的方向所成的角分别为（i>。
[0115]将磁性膜12的等效纵向偏置磁场Hsbv设为符号12 (Hsbv)，将等效横向偏置磁场 Hsbh设为符号12 (Hsbh)。另外，将磁性膜42的等效纵向偏置磁场Hsbv和等效横向偏置磁 场Hsbh分别设为符号42 (Hsbv)、42 (Hsbh)。
[0116] 可知第一磁性膜12和第二磁性膜42的等效纵向偏置磁场Hsbv以及等效横向偏 置磁场Hsbh处于以倾斜偏置磁场Hsb的方向为对称轴而线对称的关系。也就是说，相对于 第一磁性膜12和第二磁性膜42的纵向偏置磁场Hob，第一磁性膜12和第二磁性膜42的横 向偏置磁场Htb的方向彼此反向施加。
[0117]图8中第一磁性膜12的横向偏置磁场是指等效横向偏置磁场12 (Hsbh)，第二磁 性膜42的横向偏置磁场是指等效横向偏置磁场42 (Hsbh)。它们相对于各个纵向偏置磁场 (12 (Hsbv)和42 (Hsbv))分别为右侧和左侧。
[0118] 图9 (a)表示图8 (b)的第一磁性膜12和第二磁性膜42并联连接的结构。此时的 第一磁性膜12和第二磁性膜42的磁阻效应如图9(b)所示。在图9(b)中，横轴为从与倾 斜偏置磁场Hsb方向成直角的方向施加的磁场H，纵轴为电极14a、14b之间的阻抗值Rmr。
[0119] 第一磁性膜12的磁阻效应CMR12通过等效横向偏置磁场12 (Hsbh)沿负方向偏 置。另外，第二磁性膜42的磁阻效应CMR42通过等效横向偏置磁场42 (Hsbh)沿正方向偏 置。
[0120] 电极14a、14b之间的阻抗值Rmr作为它们的差分被观测到。即，当从外部沿与倾 斜偏置磁场Hsb方向成直角的方向施加外部磁场AH时，阻抗值的变化ARmr能够作为各 个磁阻效应的曲线的差分的值而得到。如果仅为磁性膜12,基于AH的阻抗变化只有从动 作点Hp到磁阻效应CMR12的点的变化ARmrl2。从而，输出的增益变高。
[0121] 作为这种结构的优点，除了输出的增益变高这一效果以外，还如螺旋条纹构造那