样，由于在相对于磁性膜12的纵向倾斜的方向流通的电流并非局部，所以能够获得大的阻 抗（impedance)。获得大的阻抗，就能够获得大的输出电压。通过调节磁性膜12相对于倾 斜偏置磁场Hsb的方向的倾斜角度巾（参照图9 (a)、图8 (b))，能够调节作为传感器元件13 自身的灵敏度。
[0122] 另外，因为不需要形成导电体24,所以具有制造简单的效果。另外，如果施加倾斜 偏置磁场的磁铁40具有温度特性，则还能够补偿传感器元件13自身的温度特性。
[0123] 图10中表示将C型磁铁作为施加倾斜偏置磁场的磁铁40的传感器元件13的结 构。符号4a、40b为施加倾斜偏置磁场的磁铁40的磁极。而且，在此示出磁性膜12分别各 配置有多个的示例。这样，不排除磁性膜为多个。邻接的磁性膜（例如磁性膜12m和磁性 膜12n)的连接部位12j可以由导电体连接，也可以由短的磁性膜自身串联连接。
[0124] 通过使连接部位12j的磁性膜较短，则对传感器元件13整体基本上没有影响。电 极14a、14b基本上与图1、图4同样地设置。而且，在图10(a)中，将磁性膜12的长度设为 MrL，宽度设为MrW，磁性膜12彼此的间隙设为MeS，磁性膜与倾斜偏置磁场Hsb之间形成的 角度设为。
[0125] 磁性膜12相对于倾斜偏置磁场Hsb的方向，全部以相同角度倾斜。因此，施加倾 斜偏置磁场的磁铁40将传感器元件13的全部磁性膜12的磁化沿相同的方向倾斜。也就 是说，等于图10(a)的全部性膜12沿相同方向施加横向偏置磁场。
[0126] 图10 (b)中表示具有配置在相对于倾斜偏置磁场Hsb的方向对称的位置的第一磁 性膜12和第二磁性膜42的结构示例。可以说第一磁性膜12和第二磁性膜42以各个磁性 膜并联连接的方式共用电极14a、14b，。
[0127] 这样的传感器元件13优选配置成倾斜偏置磁场Hsb的朝向与作为测定对象的电 流成为相同的方向。这是因为在与倾斜偏置磁场Hsb成直角的方向从测定对象向传感器元 件13施加外部磁场的缘故。而且，如果考虑磁性膜12和磁性膜42分别为不同的传感器元 件，则在图10(b)中可以说形成有传感器元件13和传感器元件43。另外，图10(a)、（b)的 传感器元件也如图4所示，通过附加电流源16和电压计22,从而成为磁传感器。
[0128](实施方式4)
[0129] 实施方式1和2所示的磁传感器能够作为电能测定装置加以应用。首先，参照图11 对电能测定装置的测定原理进行说明。该电路结构为将来自电源91 (Vin)的电流分为电流 1:和I2的并联电路。来自电源91(Vin)的电流并联地流向：向测定消耗电能的负载92 (Rl) 流通电流I1的输送路径；和向传感器元件13和传感器阻抗34(R2)流通电流12的计测路 径。而且，此处使传感器阻抗34(R2)相比于磁性膜12的阻抗值Rmr足够大。传感器阻抗 34为用于向传感器元件13的磁性膜12流通额定电流的阻抗。
[0130] 在负载92中流通的电流1:使导线的周围产生磁场H。利用该磁场H，磁性膜12示 出磁阻效应，磁性膜12两端的电压Vmr也变化。该输出电压Vmr与负载92的消耗电能成 比例。从而，如果测定输出电压Vmr，则能够测定负载92的消耗电能。
[0131] 磁性膜12两端的电压Vmr表示负载92的消耗电能的情况，能够如以下这样进行 说明。首先，由负载92中流通的电流I1产生的磁场H，可由将比例常数作为a的⑴式那 样来表不。
[0132] H = a I1 ? ??⑴
[0133] 由于因磁阻效应而变化的阻抗值ARmr与该磁场H成比例，所以可由将比例常数 作为0的（2)式那样来表示。
[0134] A Rmr = P H = P ( a I1) ? ??⑵
[0135] 若将未施加有磁场H时的阻抗设为RmrO,则磁性膜12的全阻抗值Rmr可如（3)式 那样来表示。
[0136] Rmr = RmrO+ A Rmr = RmrO+ a 0 I1 ? ??⑶
[0137] 在磁性膜12中流通电流I2时的磁性膜12的两端电压Vmr可如（4)式那样来表 不。
[0138]Vmr=Rmr*I2=(RmrO+ A Rmr)*12
[0139] = (RmrO+a 0 I1) *12 ? ??⑷
[0140] 将电源91的交流输出设为Vin，振幅设为V1，各频率设为《，时间设为t，则电源91 的输出成为如（5)式所示。另外，在负载92中流通的电流I1和在传感器元件中流通的电 流I2可如（6)式、（7)式那样来表示。
[0141] [数学式1]
[0142] Vin= V pin ? t ? ? ? (5)
[0145] 在磁性膜12中流通电流I2时的磁性膜12的两端电压Vmr可根据⑶式所示那 样求出。
[0146] [数学式2]
[0148] (8)式为AC分量与DC分量之和。也就是说，在磁性膜12的纵向的输出电压Vmr 中，交流电压和直流电压重叠出现。从而，如果仅计测磁性膜12的纵向的直流电压分量，则 能够测定负载92相对于电源91的消耗电能（P=IfV1=V。而且，上述最终式中的 DC分量与（V1VR1)Cose成比例。也就是说，测定Vmr成为测定包含功率因素cos0的有功 功率。
[0149] 基于以上所述的测定原理，对电能测定装置4的结构进行说明。参照图11，包括： 包含磁性膜12的传感器元件13 ;传感器阻抗34 ;和计测传感器元件13的电压的电压计27。 电压计27由放大器25和滤波器26构成。通过滤波器26能够仅计测放大器25的输出的 直流分量。进一步，具有用于将这些结构与计测电能的输送电路连接的一对连接端子（30a、 30b)。而且，在被测定电路为直流的情况下，因为磁性膜12的两端只产生直流电压，所以也 可以没有滤波器26。
[0150] 传感器元件13为在实施方式1和2中说明的传感器元件13,具有施加横向偏置磁 场的磁铁18 (未图示）和施加纵向偏置磁场的磁铁20。图11的传感器元件13的施加横向 偏置磁场的磁铁18作为形成有一种条纹状的导电体24的构造而实现。施加纵向偏置磁场 的磁铁20为永久磁铁，如图4所示具有温度特性。
[0151] 电能测定装置4因为传感器元件13具有温度补偿功能，所以即使使用的部位的温 度变化，磁性膜12的磁阻效应也变化，仍然能够维持稳定的精度。
[0152] 图12中表示采用将传感器元件13、43加入在两个桥式电路中的结构的示例。电 压计27连接于传感器元件13、43与桥式阻抗51、52之间的连接点54、55 (平衡点）。通过 像这样将两个传感器元件并联地加入在桥式电路中，从平衡点获取输出，从而能够提高输 出的灵敏度。
[0153] 传感器元件43采用与传感器元件13相同的构造，并且相对于施加纵向偏置磁场 的磁铁20的纵向偏置磁场的方向（纵向）反向倾斜地形成有导电体27的传感器元件。如 果像这样构成，则如图9 (b)所示，传感器元件13和传感器元件43的磁阻效应反向偏置，输 出的增益变高。
[0154] 而且，传感器元件13、43的施加纵向偏置磁场的磁铁20使用具有相同温度特性的 磁铁。另外，即使这样连接，也可以说是电压计27测定传感器元件13的两端的电压。这是 因为电压计27隔着传感器元件43测定传感器元件13的两端电压的缘故。
[0155] (实施方式5)
[0156] 在实施方式4所示的电能测定装置5中能够搭载具有施加倾斜偏置磁场的磁铁40 的传感器元件13。图13中表示这种结构的电能测定装置5的结构示例。是采用图10(a) 所示的具有施加倾斜偏置磁场的磁铁40的传感器元件代替图11的具有螺旋条纹型构造的 传感器元件的示例。而且，符号40a、40b表示施加倾斜偏置磁场的磁铁40的磁极。
[0157] 另外，图14中例示了采用具有第一磁性膜12和第二磁性膜42的传感器元件13、 43的情况。而且，施加倾斜偏置磁场的磁铁40由传感器13、14共用。传感器元件13、43分 别隔着桥式阻抗51、52共用电极14a。而电极14b直接共用。另外，电压计27测定传感器 元件13、43与桥式阻抗51、52之间的连接点53、54的电压。如图12中所述的那样，该情况 下也可以说是电压计27计测传感器元件的两端电压。
[0158] 这些电能测定装置5也因为各个传感器元件13、43具有温度特性补偿功能，所以 即使使用的部位的温度变化，第1磁性膜12和第2磁性膜42的磁阻效应发生变化，也能够 维持稳定的精度。
[0159] [实施例]
[0160] 以下表示关于磁阻效应的温度补偿的实施例。图15中表示实验电路。磁性膜12 为在玻璃基板上成膜79透磁合金（permalloy)的派射膜。膜厚为0.3ym。将该膜通过光 刻法形成为长度1〇_、宽度Imm的短条状。在两端通过蒸镀厚度0.1ym的铜膜而形成电极 14a、14b〇
[0161] 玻璃基板上的磁性膜12配置在载置于珀尔帖元件上的导热板60上，放入真空腔 室62中。作为产生外部磁场用的磁铁65和施加纵向偏置磁场的磁铁20,将电磁铁配置在 真空腔室62的外侧。磁性膜12的端子电压14a、14b用数字万用表64测定阻抗值。
[0162] 导热板60的温度用数据记录器（datalogger)测定并记录。将导热板60的温度 作为磁性膜12的温度。关于测定，首先将真空腔室中减压至0 1气压，用珀尔帖元件使导热 板60的温度变化，使磁性膜12的