一种测温设备的制造方法

文档序号:9685470阅读:327来源:国知局
一种测温设备的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及测溫技术领域,尤其设及一种测溫设备。
【背景技术】
[0002] 针对工业企业对于高溫区域(1300°C~1900°C)连续测溫的问题一直没有得到有 效的解决,比如,钢厂的炼铁、炼钢、连铸工艺中均需要对钢水或铁水进行溫度检测,目前, 主要有直接接触的溫度传感器或者非接触式测溫元件如红外、激光等对高溫区域(1300°C ~1900°C)测溫。
[0003] 但是因为直接检测元件检测高溫区域的寿命较短,而非接触式测溫如红外激光等 又易被高溫副产品烟气等干扰无法长期使用,因此现有技术中对高溫区域的溫度检测只能 是间断性的,会导致对被测高溫区域的溫度测量不稳定,比如,在炼铁、炼钢、连铸工艺中对 被测高溫区域的溫度测量不稳定,会影响钢铁产品质量。

【发明内容】

[0004] 本发明实施例通过提供一种测溫设备,解决了现有技术中对被测高溫区域的溫度 测量不稳定的技术问题。
[0005] 本发明实施例提供了一种测溫设备,包括:第一绕组电磁铁,第二绕组电磁铁,半 导体板,电压检测单元,溫度转换单元,金属保护罩,第一直流电源;
[0006] 所述第一绕组电磁铁包括第一线圈绕组和第一铁忍,所述第二绕组电磁铁包括第 二线圈绕组和第二铁忍,其中,所述第一铁忍由第一绕线段、第一感溫段与第一磁极段一体 成型,所述第二铁忍由第二绕线段、第二感溫段与第二磁极段一体成型,所述第一磁极段的 磁极与所述第二磁极段的磁极相反;
[0007] 所述第一磁极段与所述第二磁极段间隔相对,所述半导体板位于所述第一磁极段 与所述第二磁极段之间的间隔位置,所述半导体板的第一相对侧对接所述第一直流电源, 所述半导体板的第二相对侧对接所述电压检测单元,其中,所述第一直流电源在所述半导 体板中的电流方向垂直于第一磁极段与所述第二磁极段之间的磁场方向,所述电压检测单 元的输出端与所述溫度转换单元的输入端连接,所述第一感溫段与所述第二感溫段均在所 述金属保护罩内。
[000引优选的,所述半导体板为娃基含嫁铜神錬复合材料。
[0009] 优选的,所述半导体板具体为娃含量89.7%、嫁含量5.4%、铜含量0.8%、神含量 3.5 %和錬含量0.6 %的所述娃基含嫁铜神錬复合材料。
[0010] 优选的,所述第一绕线段的端部、所述第一感溫段的端部与所述第一磁极段的端 部一体成型为T形的所述第一铁忍。
[0011] 优选的,所述第二绕线段的端部、第二感溫段的端部与第二磁极段的端部一体成 型为T形的所述第二铁忍。
[001。 优选的,所述第一磁极段与所述第二磁极段之间间隔30mm~100mm。
[0013] 优选的,所述第一线圈绕组的绕线方向与所述第二线圈绕组的绕线方向相反。
[0014] 优选的,所述第一线圈绕组与所述第二线圈绕组均为绕组数10000应~25000应。
[0015] 优选的,所述金属保护罩为烙点含1550°C的饥鹤儀儘铭合金制成。
[0016] 优选的,所述测溫设备还包括风冷保护箱;所述半导体板、所述电压检测单元、所 述溫度转换单元、所述金属保护罩和所述第一直流电源均内置于所述风冷保护箱中。
[0017] 本发明实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
[0018] 由于采用了第一绕组电磁铁与第二绕组电磁铁间隔相对,半导体板位于间隔位 置,半导体板的第一相对侧对接第一直流电源,半导体板的第二相对侧对接电压检测单元, 第一直流电源在半导体板中的电流方向垂直于第一磁极段与第二磁极段之间的磁场方向, 电压检测单元的输出端与溫度转换单元的输入端连接,第一感溫段与第二感溫段均在金属 保护罩内的技术方案,从而通过检测电动势变化来推导出被测物的热福射溫度,从而本发 明提供的测溫设备安装在高溫区域上方不会被高溫损坏,能够对被测物连续测溫,解决了 对被测高溫区域的溫度测量不稳定的技术问题,实现了对高溫区域的溫度连续测量,保证 钢铁产品质量稳定性。而且能够节约测溫成本,节约传感器使用量,简化生产控制流程。
【附图说明】
[0019] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本 发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可W根据 提供的附图获得其他的附图。
[0020] 图1为本发明实施例中测溫设备的结构示意图;
[0021 ]图2为本发明实施例中第一绕组电磁铁的细化结构示意图;
[0022] 图3为本发明实施例中第二绕组电磁铁的细化结构示意图。
【具体实施方式】
[0023] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例 中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是 本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0024] 本发明实施例提供的一种测溫设备应用过程中安装在距离1300°C~1900°C的高 溫区域的10~15米的上方,在具体实施过程中,高溫区域在测溫设备下方垂直面10~15米。 参考图1所示,本发明实施例提供的测溫设备包括:第一绕组电磁铁1、第二绕组电磁铁2、半 导体板3、电压检测单元4、溫度转换单元5、金属保护罩6、第一直流电源7。
[0025] 具体参考图2所示,第一绕组电磁铁1包括第一线圈绕组11和第一铁忍12。更具体 来讲,第一铁忍12由第一绕线段12-1、第一感溫段12-2与第一磁极段12-3-体成型。在具体 实施过程中,第一绕线段12-1、第一感溫段12-2与第一磁极段12-3-体成型为T形的第一铁 忍12。具体的,第一绕线段12-1的端部、第一感溫段12-2的端部与第一磁极段12-3的端部一 体成型为T形的第一铁忍12。具体的,第一绕线段12-1与第一感溫段12-2在同一直线上,第 一磁极段12-3垂直于第一绕线段12-1和第一感溫段12-2。更具体来讲,第一绕线段12-1的 长度大于第一感溫段12-2的长度。在具体实施过程中,第一线圈绕组11的绕组数为10000应 ~25000应,第一绕线段12-1的长度匹配第一线圈绕组11的绕组数。
[00%] 具体参考图3所示,第二绕组电磁铁2包括第二线圈绕组21和第二铁忍22,第二铁 忍22由第二绕线段22-1、第二感溫段22-2与第二磁极段22-3-体成型。在具体实施过程中, 第二绕线段22-1的端部、第二感溫段22-2的端部与第二磁极段22-3的端部一体成型为T形 的第二铁忍22。具体的,第二绕线段22-1与第二感溫段22-2在同一直线上,第二磁极段22-3 垂直于第二绕线段22-1和第二感溫段22-2。更具体来讲,第二绕线段22-1的长度大于第二 感溫段22-2的长度。在具体实施过程中,第二线圈绕组21的绕组数为10000应~25000应,第 二绕线段22-1的长度匹配第二线圈绕组21的绕组数。
[0027] 具体的,第一磁极段12-3的磁极与第二磁极段22-3的磁极相反。在具体实施过程 中,为了使得第一磁极段12-3的磁极与第二磁极段22-3的磁极相反,使得第二线圈绕组21 与第一线圈绕组11的绕线方向相反,从而使得第二线圈绕组21与第一线圈绕组11中的通电 电流相反,从而使得第一磁极段12-3的磁极与第二磁极段22-3产生的磁极相反。比如:第一 线圈绕组11的绕线方向为顺时针,第一线圈绕组11中通电电流为顺时针,第二线圈绕组21 的绕线方向为逆时针,第二线圈绕组21中通电电流为逆时针;又比如:第一线圈绕组11的绕 线方向为逆时针,第一线圈绕组11中通电电流为逆时针,第二线圈绕组21的绕线方向为逆 顺时针,第二线圈绕组21中通电电流为顺时针。
[0028] 具体的,第一线圈绕组11中通电通过第一线圈绕组11接入第二直流电源8,第一线 圈绕组11中通电通过第二线圈绕组21接入第Ξ直流电源9,第二直流电源8在第一线圈绕组 11中的电流方向与第Ξ直流电源9在第二线圈绕组21中的电流方向相反。比如,第二直流电 源8在第一线圈绕组11中的电流方向为顺时针,则第Ξ直流电源9在第二线圈绕组21中的电 流方向为逆时针;又比如,第二直流电源8在第一线圈绕组11中的电流方向为逆时针,则第 Ξ直流电源9在第二线圈绕组21中的电流方向为顺时针。
[0029] 具体的,结合图1~图3所示,第一磁极段12-3与第二磁极段22-3间隔相对,在具体 实施过程中,第一磁极段12-3与第二磁极段22-3之间间隔30mm~100mm。半导体板3位于第 一磁极段12-3与第二磁极段22-3之间的间隔位置,半导体板3的第一相对侧对接第一直流 电源7,半导体板3的第二相对侧对接电压检测单元4,其中,第一直流电源7在半导体板3中 的电流方向垂直于第一磁极段12-3与第二磁极段22-3之间的磁场方向,电压检测单元4的 输出端与溫度转换单元5的输入端连接,第一感溫段12-2与第二感溫段22-2均在金属保护 罩6内。
[0030] 具体的,半导体板3为娃基含嫁铜神錬复合材料制成。本实施例中,所使用的娃基 含嫁铜神錬复合材料根据测溫设备所配制的配比具体为:娃含量89.7%、嫁含量5.4%、铜 含量0.8 %、神含量3.5 %和錬含
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