一种新型抗干扰超声试块的制作方法
【专利摘要】一种新型抗干扰超声试块。涉及其中超声试块的结构的改进。结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好，使用时可有效克服试块两端面的反射对人工缺陷回波识别。包括本体，所述本体上对称的开设有两圆弧槽，所述圆弧槽的槽底开设有若干短横孔，所述本体的同一侧端面上对称设有两对称设置的弧形凸块，所述弧形凸块呈四分之一圆弧状、且与本体连为一体，两所述弧形凸块相对设置且相接触。结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好。
【专利说明】
一种新型抗干扰超声试块
技术领域
[0001] 本发明涉及超声波检测领域，尤其涉及其中超声试块的结构的改进。
【背景技术】
[0002] 超声检测应用非常广泛，尤其是机械制造、电力行业、国防工业。对比试块(超声试 块)在超声检测中是不可缺少的。其中CSK-mA试块具有非常重要的地位。为了克服试块侧 面和端面反射的影响，CSK-mA试块在侧面短横孔处加工了两个R10圆弧槽，但是端面反射 的影响仍然很大，严重的情况下无法区分人工缺陷信号与端面反射信号。
[0003] 具体的说，CSK-mA试块是超声检测一种长240mm、宽150mm的基础标准试块，在中 华人民共和国行业标准JB/T4730-2005(NB/T47013)《承压设备无损检测》有详细介绍。具体 的结构如图1-2所示，其在使用时的干扰大多为以下两种情况：
[0004] 情况一、如图3所示，斜探头横波A1入射到端面产生变异纵波A2,变异纵波经A2底 面反射后产生反射纵波A3被探头接收从而产生干扰，下文把这种情况的干扰简称为纵波入 射纵波反射干扰；图中a表示A1与试块上表面所成夹角、b表示A2的反射角、c表示A2的入射 角、d表示A3的反射角、Xw表示探头入射点到端面的距离（即探头位置）、Hw表示A1在人工缺 陷的垂直轴线(假想线）上可探测的深程、Hx表示探头接收到反射波检测设备显示的深程。 根据声波反射规律及相应位置关系，可列出相应关系式：
[0011 ] 从而可根据K值计算出Xw、Hw、Hx，如表1所示，
[0012]表1
[0015]由于实际使用时，Hw与Hx之差越大，纵波入射纵波反射干扰就越小：10mm之内对检 测人员干扰非常大，检测人员无法区分;Hw与Hx;20mm之内对检测人员干扰很大，检测人员 区分Hw与Hx需要非常丰富的操作经验;30mm以上区分Hw与Hx非常容易。因此，根据上表1可 知除K = 1.0~1.7的探头外，其余探头均有各自干扰区，尤其是K值大于2.0的探头。K值为 2.2至3.0探头已很难区分试块上60mm、70mm、80mm的人工缺陷回波与干扰回波，K值为2.3或 2.4的探头已无法区分试块上70mm的人工缺陷回波与干扰回波。也就是说CSK-HIA不适合K 值大于2.2以上探头使用。
[0016]情况二、如图4所示，斜探头横波A1入射到端面产生变异纵波A2,变异纵波A2经底 面反射后产生的变异横波A4被探头接收从而产生干扰，下文把这种情况的干扰简称为纵波 入射横波反射干扰。图中a表示A1与试块上表面所成夹角、b表示A2的反射角、c表示A2的入 射角、d表示A4的反射角、Xw表示探头入射点到端面的距离（即探头位置）、Hw表示A1在人工 缺陷的垂直轴线(假想线）上可探测的深程、Hx表示探头接收到反射波检测设备显示的深 程。根据声波反射规律及相应位置关系，可列出相应关系式：
从而可根据K值计算出Xw、Hw、Hx，如表2所示，
[0024]表 2
[0026]
[0027] 从表(2)中可知，除K = 1.0~1.7的探头外，其余探头均有各自干扰区，尤其是K值 大于2.2的探头。因为Hx与Hw之差较小（<30mm)，所以对于K值为2.4至3.0探头区分这种干 扰回波与试块上40mm、50mm的人工缺陷回波有一定难度，准确区分需要操作者有丰富经验。
[0028] 综上所述，现有技术的超声试块存在着反射干扰过大的问题，尤其受纵波入射纵 波反射干扰以及纵波入射横波反射干扰严重，给超声实验的进行带来了极大的难度，成为 了本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0029]本发明针对以上问题，提出了一种结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好，使用时 可有效克服试块两端面的反射对人工缺陷回波识别的干扰的新型抗干扰超声试块。
[0030]本发明的技术方案为:包括本体，所述本体上对称的开设有两圆弧槽，所述圆弧槽 的槽底开设有若干短横孔，所述本体的同一侧端面上对称设有两对称设置的弧形凸块，所 述弧形凸块呈四分之一圆弧状、且与本体连为一体，两所述弧形凸块相对设置且相接触。 [0031 ]所述本体的两侧端面上分别设有两弧形凸块。
[0032]所述弧形凸块背向与其处在本体同一侧的弧形凸起的端面上开设有切槽，所述切 槽与弧形凸块的该端面相垂直。
[0033] 所述切槽的深度为10mm，宽度为0.5mm，所述切槽与本体的间距为60mm。
[0034] 所述弧形凸块远离本体的一侧顶角处开设有弧形沉台。
[0035] 所述弧形沉台的厚度为5_，所述弧形沉台与弧形凸块同轴心，所述弧形沉台呈圆 心角为52°、宽度为30mm的弧形。
[0036] 本案通过两四分之一圆弧面代替现有技术的平面状的侧端面，从而有效克服了现 有技术中试块两端面的反射对人工缺陷回波识别的干扰的问题，对纵波入射纵波反射干扰 以及纵波入射横波反射干扰的消除效果好，具有结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好的 特点。
【附图说明】
[0037] 图1是CSK-mA试块的结构示意图，
[0038] 图2是图1的俯视图，
[0039]图3是【背景技术】中情况一的示意图，
[0040] 图4是【背景技术】中情况二的示意图，
[0041] 图5是本案的结构示意图，
[0042]图6是图5的俯视图，
[0043] 图7是本案的优化实施方式示意图，
[0044] 图8是图7的俯视图，
[0045] 图9是本案的改进实施方式示意图，
[0046] 图10是【具体实施方式】中反射状态一的示意图一，
[0047] 图11是【具体实施方式】中反射状态一的示意图二，
[0048] 图12是【具体实施方式】中反射状态二的示意图，
[0049] 图13是【具体实施方式】中反射状态三的示意图，
[0050] 图14是【具体实施方式】中反射状态四的示意图一，
[0051] 图15是【具体实施方式】中反射状态四的示意图二，
[0052]图16是【具体实施方式】中反射状态四的示意图三，
[0053]图17是【具体实施方式】中反射状态四的示意图四，
[0054]图18是【具体实施方式】中反射状态五的示意图，
[0055]图19是【具体实施方式】中反射状态六的示意图，
[0056]图20是【具体实施方式】中反射状态四的示意图一，
[0057]图21是【具体实施方式】中反射状态四的示意图二，
[0058]图22是【具体实施方式】中反射状态四的示意图三，
[0059] 图23是【具体实施方式】中反射状态四的示意图四；
[0060] 图中1是本体，11是圆弧槽，12是短横孔，13是弧形沉台，2是弧形凸块，20是切槽。
【具体实施方式】
[0061] 本发明如图5-9所示，包括本体1，所述本体1上对称的开设有两个截面呈圆弧状的 圆弧槽11，所述圆弧槽11的槽底开设有若干短横孔12,所述本体1的同一侧端面上对称设有 两对称设置的弧形凸块2,所述弧形凸块2呈四分之一圆弧状、且与本体1连为一体，两所述 弧形凸块2相对设置且相接触。
[0062] 所述本体1的两侧端面上分别设有两弧形凸块2。
[0063] 本发明的优化实施方式如图7-8所示，所述弧形凸块2背向与其处在本体1同一侧 的弧形凸起的端面上开设有切槽20,所述切槽20与弧形凸块2的该端面相垂直。
[0064] 所述切槽的深度为10_，宽度为0.5_，所述切槽与本体的间距为60_。
[0065] 如图9所示，所述弧形凸块2远离本体的一侧顶角处开设有弧形沉台13。
[0066] 所述弧形沉台的厚度(深度)为5mm，所述弧形沉台与弧形凸块同轴心，所述弧形沉 台呈圆心角为52°、宽度为30mm的弧形。
[0067] 本案通过两四分之一圆弧面代替现有技术的平面状的侧端面，从而有效克服了现 有技术中试块两端面的反射对人工缺陷回波识别的干扰的问题，对纵波入射纵波反射干扰 以及纵波入射横波反射干扰的消除效果好，具有结构精巧、使用效果好且抗干扰效果好的 特点。
[0068] 操作人员在实际工作中还发现以下特点：由于每次界面反射后不但界面上有损 耗，而且伴随着变异波产生(垂直入射界面不产生变异波，除外），探头接收到的回波其波幅 会有明显降低，所以经过三次以上界面反射(垂直入射界面除外）后探头接收到的回波其波 幅与人工缺陷的反射波幅相差很大不易产生干扰，因此可不考虑三次及以上界面反射情况 (垂直入射界面除外）。
[0069] 下面针对不同的反射状态做具体分析(在此需解释的是，本案全文中记载的一次 反射波/声波/横波/纵波依次为一次反射后产生的波/声波/横波/纵波的简称，同理二次反 射波/声波/横波/纵波依次为二次反射后产生的波/声波/横波/纵波的简称，同时下述所有 的初始位置入射波/声波均为横波）：
[0070] -、一次反射声波斜入射到上表面，如图10-11所不：其中B1为入射声波，a为B1与 上表面的夹角，B2为一次反射声波，B3为二次反射声波，这样，当一次反射声波入射到上表 面时，二次反射声波无法被探头接收到，需三次以上才可；因此，此类情况下Hx和Hw易于区 分。
[0071]二、一次反射横波垂直入射到上表面，如图12所示:其中B1为入射声波，a为B1与上 表面的夹角，b为B1的入射角，B2为一次反射声波，B3为二次反射声波与B2重合，B4为三次反 射横波与B1重合，最后被探头接收;根据声波反射规律及相应位置关系，可列出相应关系 式：
[0076] 从而可根据K值计算出)(《、咖、版，如表3所示，
[0077] 表 3
[0080]实际该种情况下的干扰也经过了三次界面反射，会有明显损耗，其波幅较小;再结 合表3中可知此类情况下Hx和Hw之差都在30mm之上，易于区分。
[0081]三、一次反射纵波垂直入射到上表面，如图13所示:其中B1为入射声波，a为B1与上 表面的夹角，b为B1的入射角，B2为一次反射纵波，B3为二次反射纵波与B2重合，B4为三次反 射横波与B1重合，最后被探头接收;根据声波反射规律及相应位置关系，可列出相应关系 式：
[0087] 从而可根据K值计算出Xw、Hw、Hx，如表4所示，
[0091] 实际该种情况下的干扰也经过了三次界面反射，会有明显损耗，其波幅较小;再结 合表4中可知此类情况下Hx和Hw之差都在30mm之上，易于区分。
[0092] 四、一次反射波斜入射到下端面，一次反射波斜入射到底面有四种情况：
[0093] (4.1)、一次反射横波斜入射到下端面后再横波反射至上端面，如图14所示，其中 B1为入射声波，a为B1与上表面的夹角，b为B1的入射角，B2为一次反射横波，B3为二次反射 横波，为计算方便，图中还标示出了〇、A、B、C、D、E、F、GAfA:
[0094]图中a为AC(声波1)与试块上、下端面的夹角;b也为B1在试块下曲面的入射角;m为 0C(声波1在试块下曲面的法线）与0D的夹角；d为AD与0D的夹角；c为B2与试块下端面的夹 角;n为AD与AC的夹角；
[0095] B2、B3都为同类型横波，根据反射原理:B3与试块下端面的夹角也为c。当c恒大于d 时，则声波3永远不会被探头接收到。
[0096] A0DC的外接园的直径 D = 0C/sin(c)。因为 0C = 75mm、c = b+m>b = a+m>a，所以 75/ sin(a)>A0DC的外接园的直径D。
[0097] 在 AABG 中，AB=GB/sin(a)，因为 GB 恒大于 75mm，所以永远有 AB>75/sin(a)。
[0098] 因为CA = CB+AB>AB，所以总有CA>75/sin(a)>A0DC的外接园的直径D，因此A0DC 的外接园与AC(B1)在A、C两点之间（不含A、C) 一定存在交点。
[0099] F为A0DC的外接园与AC(B1)的交点，据几何4点共圆定理可知：ZC0D=ZDFC=m; 据几何定理有:m>n。
[0100] 因为d = a+n、c = b+m>b = a+m，又有m>n，所以总有c>d。另因 B3与试块下端面的夹角 为c，因此B3永远都不会被在A处的探头接收到，即一次反射横波斜入射到下端面后再横波 反射至上端面的干扰情况在本案的试块中不会出现。
[0101] (4.2)、一次反射纵波斜入射到下端面后再纵波反射至上端面，如图15所示，其中 B1为入射声波，a为B1与上表面的夹角，b为B1的入射角，B2为一次反射纵波，B3为二次反射 纵波：
[0102]探头发出的横波B1入射到下曲面，据超声波反射原理其反射纵波B2的反射角一定 大于入射角b，因此结合上述(4.1 )，一次反射纵波斜入射到底面后产生反射纵波也不可能 被探头接收到，即一次反射纵波斜入射到下端面后再纵波反射至上端面的干扰情况在本案 的试块中不会出现。
[0103] (4.3)、一次反射纵波斜入射到下端面后再横波反射至上端面，如图16所示，其中 B1为入射声波，a为B1与上表面的夹角，b为B1的入射角，B2为一次反射纵波，B3为二次反射 横波：
[0104] 反射纵波斜入射到底面后除反射纵波，还会反射变异横波，据超声波反射原理反 射横波的反射角要小于反射纵波的反射角，所以B3与下端面的夹角也一定大于其B2与下端 面的夹角。因此结合(4.1 )、（4.2)，一次反射纵波斜入射到下端面后产生反射横波不可能被 探头接收到，即一次反射纵波斜入射到下端面后再横波反射至上端面的干扰情况在本案的 试块中不会出现。
[0105] (4.4)、一次反射横波斜入射到下端面后再纵波反射至上端面，如图17所示，其中 B1为入射声波，a为B1与上表面的夹角，b为B1的入射角，B2为一次反射横波，c为B2与试块下 端面的夹角，B3为二次反射横波，d为B3与试块下端面的夹角；：
[0106] 当试块不开切槽时，B1为探头发出的横波;B2为在下曲面的一次反射横波，B3为声 波斜射到下端面的反射纵波并被探头接收。Hx为显示深程，根据反射定律及相关定理可知：
[0114] 根据探头的k值，可计算出Xw、Hw、Hx。计算结果见表5。
[0115]表5
[0118] 从表(5)可知：当K=1.6~3.0,显示深程(Hx)、位置深程(Hw)之差从30左右减小至 3左右，即此种情况下产生的干扰回波由可分辨逐渐变得无法分辨。为了避免此种情况产 生，可在试块上开4个深度为10mm、宽度为0.5mm、与本体间距60mm的切槽，具体分析如下：
[0119] 表5中，H60高表示声波在切槽所在位置上（即与本体间距60mm处B2与下端面的直 线距离)所截得的高。当H60高小于等于切槽高度，即10mm时，切槽会阻止B2斜射到下端面或 者B3射向探头，结合H60在表5的计算结果，表5中所有H60均小于10mm，因此由于开了切槽， 横波斜入射到下端面后再纵波反射至上端面产生的干扰就不存在了。即本案进一步的通过 增加切槽的方式使得一次反射横波斜入射到下端面后再纵波反射至上端面的干扰情况在 本案的试块中不会出现。
[0120]五、一次反射横波垂直入射到底面，如图18所示:其中B1为入射声波，a为B1与上表 面的夹角，b为B1的入射角，B2为一次反射声波，B3为二次反射声波与B2重合，B4为三次反射 横波与B1重合，最后被探头接收;根据声波反射规律及相应位置关系，可列出相应关系式：
[0126] 从而可根据K值计算出\￥、咖、1^，如表6所示，
[0127]表6
L〇13〇」实际该种情况下的干扰也经过了三次界面反射，会有明显损耗，其波幅较小；再结 合表5中可知此类情况下Hx和Hw之差都在30mm之上，易于区分。
[0131]六、一次反射纵波垂直入射到底面，如图19所示:其中B1为入射声波，a为B1与上表 面的夹角，b为B1的入射角，B2为一次反射纵波，B3为二次反射纵波与B2重合，B4位三次反射 横波与B1重合，最后被探头接收;根据声波反射规律及相应位置关系，可列出相应关系式：
[0137] 从而可根据K值计算出)(《、咖、版，如表7所示，
[0138] 表7
[0141]实际该种情况下的干扰也经过了三次界面反射，会有明显损耗，其波幅较小;再结 合表6中可知此类情况下Hx和Hw之差都在30mm之上，易于区分。
[0142]七、考虑到新增切槽后，切槽设置在弧形凸块的端面上的"端角"也将产生反射波， 因此对各情况作出以下分析：
[0143] 切槽底部端角反射，切槽底部端角反射可分为2大类:第一类，声波直射到切槽底 部端角;第二类，声波经曲面反射到切槽底部端角。
[0144] 在第一类中，在仪器上显示深程永远都等于试块的高（150mm)，超过了试块中人工 缺陷的最大深程(140_)，所以不会影响对人工缺陷的分辨，因此不予讨论这类情况。
[0145] 第二类又可分为以下四种情况：
[0146] (7.1)、一次反射横波入射到上端面(与探头同侧)切槽的端角，如图20所示：
[0147] B1为探头发出的横波，a为B1与上表面的夹角，b为B1的入射角，B2为在上曲面的一 次反射横波，B3为B2斜射到上端面切槽底部端角的反射横波，B4为B3斜射到上曲面的反射 横波并被探头接收。Hx为显示深程。根据反射定律及相关定理可知：
[0153 ] 根据探头的k值，可计算出Xw、Hw、Hx。计算结果见表8。
[0154]表8
[0157] 从表8可知:Hx与Hw之差都在30mm之上，因此该该种情况下的干扰对人工缺陷回波 识别不会产生影响。
[0158] (7.2)、一次反射纵波入射到上端面(与探头同侧)切槽的端角，如图21所示：
[0159] B1为探头发出的横波，a为B1与上表面的夹角，b为B1的入射角，B2为在上曲面的一 次反射纵波，c为B2的反射角，B3为B2斜射到上端面切槽底部端角的反射纵波，B4为B3斜射 到上曲面的反射横波并被探头接收;Hx为显示深程，根据反射定律及相关定理可知：
[0166] 根据探头的k值，可计算出Xw、Hw、Hx。计算结果见表9。
[0167]表9
[0169] 从表9可知:Hx与Hw之差都在30mm之上，因此该该种情况下的干扰对人工缺陷回波 识别不会产生影响。
[0170] (7.3)、一次反射横波入射到下端面(与探头不同侧)切槽的端角，如图22所示： [0171] B1为探头发出的横波，a为B1与上表面的夹角，b为B1的入射角，B2为B1在下曲面的 一次反射横波，B3为B2斜射到下端面切槽底部端角的反射横波，B4为B3斜射到下曲面的反 射横波并被探头接收。Hx为显示深程。根据反射定律及相关定理可知：
[0177] 根据探头的k值，可计算出乂￥、咖、1^。计算结果见表10(当1(<1.8时，上述方程组无 解)。
[0178]表1〇
[0180] 从表10可知:Hx与Hw之差都在30mm之上，因此该该种情况下的干扰对人工缺陷回 波识别不会产生影响。
[0181] (7.4)、一次反射纵波入射到上端面(与探头不同侧)切槽的端角，如图23所示：
[0182] 图中CH为切槽，0B为经过H点的线段;G为CH延长线与下曲面的交点;A为探头发出 的声波(横波)在下曲面上入射点；a为探头发出的声波与上、下端面的夹角；Z0BC = n;Z 0BF=m；Z0GC = t〇
[0183] 根据各线段长度（0G = 75;0C = 60;CH=10)可知：m = 9.4623° ;n = 31.9499° ;t = 53.1301°。根据《承压设备无损检测》(NB/T47013)推荐:焊缝检测时K最大为3.0,此时对应 的a最小值为18.4349°。
[0184] 当声波（横波）在下曲面上入射点A在弧DB段上时，最小的入射角为27.8972° (m+ a)，对应27.8972°的最小横波入射角，产生的纵波最小反射角为59.6172°，而整个圆弧DEI 点对0C的最大张角为t = 53.1301° (小于纵波最小反射角为59.6172° )，因此入射点A在弧DB 段时，产生反射纵波不可能扫到切槽端角C。
[0185] 当声波(横波)在下曲面上入射点A在弧BE段上时，最小的入射角为18.4349° (a)， 对应18.4349°的最小横波入射角，产生的纵波最小反射角为35.6649°，而弧BE上点对0C的 最大张角为n = 31.9499° (小于纵波最小反射角为35.6649° )，因此入射点A在弧BE段时，产 生反射纵波也不可能扫到切槽端角C。
[0186] 综上所述，探头发出横波声波在下曲面反射产生的纵波声波不可能扫到切槽端角 C，所以下曲面反射纵波切槽底部端角反射产生的干扰不存在。
[0187] 结合上述七种不同情况的具体分析可得，无论入射声波怎样入射，由两四分之一 圆弧构成的侧端面均不会干扰超声实验，可有效克服了因试块两端面的反射而对人工缺陷 回波识别造成干扰的问题。
[0188] 综上所述，本发明的新试块没有改变CSK-HIA试块人工缺陷的大小及其形状，也没 有改变CSK-HIA试块人工缺陷与上面、底面的位置关系，所以完全继承了CSK-mA试块的功 能，但改变CSK-mA试块两端面的形状，所以克服了上文描述的干扰，所有情况下Hw与Hx都 相差30mm以上，检测人员能清晰区分。
[0189] 此外，在中华人民共和国行业标准NB/T47013-2015《承压设备无损检测》中，CSK-mA试块在检测时主要用制作距离-波幅曲线，当要调节仪器扫描速度、测量探头前沿时则 需要使用另一试块CSK-IA。本发明的CSK-mAZ具备与CSK-IA相类似的两个不同弧面(R45、 R75)，因此也具备CSK-IA相类似的功能
[0190] a.前沿测量
[0191] 如图9所示，探头置于曲面圆心A处，前后移动探头获得最大回波时固定探头，测量 探头最前边缘至曲面边缘(L)。探头前沿L0 = 75-L。
[0192] b.横波扫描速度调节
[0193] 如图9所示，探头置于曲面圆心A处，前后移动探头获得075回波，左右移动探头同 时获得?45回波，移动探头使075回波、045同时达到最大，调节仪器相关旋钮回波将075 回波置于10处(或5处）、045回波置于6处(或3处）。仪器的扫描速度调节完毕。
[0194] 这样，基于现有技术的CSK-MA不能直接测量探头前沿、调节仪器的扫描速度，而 是需要借助另一试块CSK-IA对调节仪器扫描速度、探头前沿进行测量的问题。经本案的改 进后，使得本案中的CSK-MAZ试块完全继承了现有技术中CSK-MA功能，还具有现有技术中 CSK-IA功能，从而可大大方便检测人员，给检测人员的工作效率带来了极大的提升。
【主权项】
1. 一种新型抗干扰超声试块，包括本体，所述本体上对称的开设有两圆弧槽，所述圆弧 槽的槽底开设有若干短横孔，其特征在于，所述本体的同一侧端面上对称设有两对称设置 的弧形凸块，所述弧形凸块呈四分之一圆弧状、且与本体连为一体，两所述弧形凸块相对设 置且相接触。2. 根据权利要求1所述的一种新型抗干扰超声试块，其特征在于，所述本体的两侧端面 上分别设有两弧形凸块。3. 根据权利要求2所述的一种新型抗干扰超声试块，其特征在于，所述弧形凸块背向与 其处在本体同一侧的弧形凸起的端面上开设有切槽，所述切槽与弧形凸块的该端面相垂 直。4. 根据权利要求3所述的一种新型抗干扰超声试块，其特征在于，所述切槽的深度为 10mm，宽度为0.5mm，所述切槽与本体的间距为60mm。5. 根据权利要求1所述的一种新型抗干扰超声试块，其特征在于，所述弧形凸块远离本 体的一侧顶角处开设有弧形沉台。6. 根据权利要求5所述的一种新型抗干扰超声试块，其特征在于，所述弧形沉台的厚度 为5mm，所述弧形沉台与弧形凸块同轴心，所述弧形沉台呈圆心角为52°、宽度为30mm的弧 形。
【文档编号】G01N29/30GK105929028SQ201610514798
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年6月30日
【发明人】朱龙居
【申请人】朱龙居