判定有机发光二极管阴阳极短路的方法
【专利摘要】本申请公开一种判定有机发光二极管阴阳极短路的方法。该方法包括：检测所述有机发光二极管的一亚像素单元是否存在一异物；在检测到所述亚像素单元存在异物时，断开所述异物与所述亚像素单元之间的连接；以及判断所述亚像素单元的亮度状态变化以确定该异物是否造成在所述亚像素单元的阴极与阳极之间的短路。本申请能够提高效率、节约成本，并且操作简单、分析正确率/成功率高。
【专利说明】
判定有机发光二极管阴阳极短路的方法
技术领域
[0001]本申请涉及一种有机发光二极管晶片，尤其涉及一种判定有机发光二极管阴阳极短路的方法。
【背景技术】
[0002]0LED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de)，又称为有机电激光显示(Organic Electroluminesence Display, 0ELD)。OLED 具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且OLED显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，因为此OLED屏幕却具备了许多LCD不可比拟的优势。
[0003]通常，有机发光二极管的像素单元通常由作为最小图像单元的红、绿、蓝色(R-G-B)三个亚像素(sub-pixel)单元组成，而每个亚像素单元的结构一般包括基板1、在基板上依次层叠的阳极2、有机发光层3、以及金属阴极4，此外，整个OLED面板还包括上层覆盖玻璃5，如图1所不。
[0004]虽然，OLED显示面板具有上述优点，但是OLED的阴极与阳极之间的间距很小，通常为几百个纳米，而很容易被异物(particle)造成其阴阳极短路，从而使得该整个亚像素单元处于暗态，即，造成OLED面板上的暗点。现有技术对有机发光二极管(OLED)的这种暗点不良分析通常采用聚焦离子束FIB(FIB-focused 1n beam)剖面分析技术，即，如图2所示，首先通过紫外线显微镜(UV 0M)来检测OLED亚像素单元中是否存在异物，如果发现存在异物，则需要对OLED面板进行样品检测处理。而样品检测处理，需要拆除OLED表面的覆盖玻璃，之后在阴极表面蒸镀电子层，使用聚焦离子束技术对OLED面板在可能存在异物的位置进行切除以制作剖面，然后进行剖面分析以验证所切除位置处的异物是否造成亚像素单元中的金属层短路。
[0005]然而，上述暗点不良分析技术由于需要对覆盖玻璃进行拆除，过程复杂，并且由于造成短路的异物位置并不能确定，因而不能确保采用FIB剖面分析技术能够切除到该异物位置，从而使得检测效率非常低。
【发明内容】
[0006]鉴于上述问题，本申请提供一种判定OLED阴阳极短路的方法，其能够提高效率、节约成本，并且操作简单、分析正确率/成功率高。
[0007]根据本申请的实施例，本申请的判定OLED阴阳极短路的方法包括:检测所述有机发光二极管的一亚像素单元是否存在一异物；在检测到所述亚像素单元存在异物时，断开所述异物与所述亚像素单元之间的连接；以及判断所述亚像素单元的亮度状态变化以确定该异物是否造成在所述亚像素单元的阴极与阳极之间的短路。
[0008]尽管在不背离本申请的新颖性概念的精神和范围可实现其中的变型和修正，但从结合如下附图的如下优选实施例的描述中，本申请的这些和其它方案将变得显而易见。
【附图说明】
[0009]附图示出了本申请的一个或多个实施例，与书面描述一起，用来说明本申请的原理。如有可能的话，在附图中通篇使用相同的附图标记来指代实施例的相同或类似的元件，并且其中:
[0010]上述附图中的附图标记说明如下:
[0011 ] 图1为OLED的结构示意图；
[0012]图2为用于判定异物造成OLED阴阳极短路的传统方法的示意图；
[0013]图3为图2中所示的FIB分析法的概览图；
[0014]图4为根据本申请的一实施例的用于判定OLED阴阳极短路的方法的示意图；
[0015]图5为图4中所示的激光切割法的概览图；
[0016]图6为根据本申请的实施例经过激光切割之后的亚像素单元的一状态变化图；
[0017]图7为根据本申请的实施例经过激光切割之后的亚像素单元的另一状态变化图。
【具体实施方式】
[0018]下面将详细描述本申请的具体实施例。应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本申请。
[0019]现将参考附图(其中示出了本申请的示例实施例)在下文中更全面地描述本申请。然而，可以由多种不同形式来实施本申请，并且本申请不应被解释为限于本文所提出的实施例。更确切地说，提供这些实施例，从而本披露内容将是深入的和完整的，并且将向本领域普通技术人员全面地传达本申请的范围。
[0020]本申请的构思为采用激光来对存在于OLED晶片上的异物进行切片，进而可以根据切片后的异物所位于的亚像素单元的亮度状态变化来判定该异物是否是造成暗点的因素。相比于FIB剖面分析法，本申请能够提高工作效率，节约成本，并且操作简单，分析正确率/成功率高。
[0021]下面结合附图4-图7将详细描述本申请的构思。
[0022]通常，OLED晶片上的某个亚像素会由于存在于其上的异物而造成其中的阴阳极短路，从而使得整个亚像素单元都呈现为暗态。由于亚像素单元本身就很小，而存在于其上的异物通常需要借助于一定的工具来得以发现。例如，通过紫外线显微镜来发现存在于亚像素单元上的异物。
[0023]可以了解的是，存在于亚像素单元上的异物并不一定是一个，即使存在一个异物，该异物也未必是造成亚像素单元阴阳极短路的那个异物，因此，在发现亚像素单元上的异物时，需要对其进行判断分析，以确定所发现的异物是否是造成阴阳极短路的因素。
[0024]根据本申请的一个实施例，如图4和图5所示，在检测到OLED的亚像素单元内存在异物时，通过一激光器所发射出的激光切断该异物四周的金属层，以使该异物与该亚像素单元的金属层隔离开。换言之，采用激光对异物所在位置断开供电线路，而切断该异物之后的亚像素单元的其它部分不会受到影响。这里，被激光切断的金属层可以仅包括阴极或阳极的一种，也可包括阴极和阳极这二者，只要实现隔离异物的目的就可以。此外，对于本申请中所使用的激光器可以是各种能够发射激光的激光装置。
[0025]然后，根据该亚像素单元的亮度状态变化，来判定该异物是否造成该亚像素单元的阴阳极短路。通常而言，如图6所示，如果亚像素单元某部分的阴阳极短路，则会使得该亚像素单元在初始化检测时整体呈暗态，因此，如果经过激光切割之后的亚像素单元再次被点亮而整体从暗态变为亮态，这说明激光所切割的异物正是造成该亚像素单元阴阳极短路的那个异物。
[0026]而如果经过切割之后的亚像素单元再次被点亮之后其状态没有变化，即仍为暗态，如图7所示，这表明激光所切割的异物并不是造成该亚像素单元阴阳极短路的那个异物，而造成短路的异物并未被切割隔离开，需要通过检测发现在该亚像素单元上是否还存在其它的异物，然后再通过上述所描述的激光切割和判定继续进行分析判定。
[0027]根据本申请的激光切割法相比于现有技术的FIB剖面分析法，步骤少/时间周期短，从而能够提高工作效率，并且由于现有技术的FIB操作会产生一定的机台耗材成本，而激光切割法不需要耗材，从而节约成本。
[0028]另外，本申请的激光切割法机台操作简单，且相比于传统技术的FIB剖面分析易受到切片位置/样品拆片损坏状况影响，本申请的判定方法由于其按照电性原理进行判定分析，分析正确率/成功率高。
[0029]本申请的判定有机发光二极管阴阳极短路的方法不仅适用于对异物造成其短路的情况，也适用于其它因素造成其阴阳极短路的情况。
[0030]选择并描述这些实施例是为了说明本申请的原理和其实践性应用，从而激发本领域普通技术人员利用本申请和各种实施例，并利用适于期望的特殊使用的各种变型。对本申请所属的本领域普通技术人员而言，替代实施例将变得显而易见，而并未背离其精神和范围。因此，通过所附权利要求而不是上述说明书和其中所描述的示例实施例来限定本申请的范围。
【主权项】
1.一种判定有机发光二极管的阴阳极短路的方法，包括: S1:检测所述有机发光二极管的一亚像素单元是否存在一异物； 52:在检测到所述亚像素单元存在异物时，断开所述异物与所述亚像素单元之间的连接；以及 53:判断所述亚像素单元的亮度状态变化以确定该异物是否造成在所述亚像素单元的阴极与阳极之间的短路。2.根据权利要求1所述的判定有机发光二极管阴阳极短路的方法，所述异物与所述亚像素单元之间的连接是通过激光断开的。3.根据权利要求2所述的判定有机发光二极管阴阳极短路的方法，所述步骤S2包括:通过激光切断所述异物四周的金属层，以使存在所述异物的金属层与所述亚像素单元的其它部分的金属层隔离开。4.根据权利要求3所述的判定有机发光二极管阴阳极短路的方法，所述被切断的金属层包括所述亚像素单元的阴极金属层和阳极金属层之一或二者。5.根据权利要求1-4任一项所述的判定有机发光二极管阴阳极短路的方法，所述步骤S3包括:当所述亚像素单元从暗态转变为亮态时，则确定该异物造成了在所述亚像素单元的阴极与阳极之间的短路。6.根据权利要求1-5任一项所述的判定有机发光二极管阴阳极短路的方法，所述步骤S3包括:当该亚像素单元仍为暗态时，则确定该异物未造成了在所述亚像素单元的阴极与阳极之间的短路。7.根据权利要求6所述的判定有机发光二极管阴阳极短路的方法，所述方法还包括:检测该亚像素单元内是否存在一第二异物，然后继续进行步骤S2和S3。8.根据权利要求1-4任一项所述的判定有机发光二极管阴阳极短路的方法，所述检测所述有机发光二极管的所述亚像素单元是否存在所述异物是通过紫外线显微镜进行的。
【文档编号】G01R31/26GK105988070SQ201510058163
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月4日
【发明人】胡友元, 黄俊杰, 黄家琦, 颜圣佑
【申请人】上海和辉光电有限公司