专利名称：能带隙参考电路及能带隙参考电流源的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种能带隙参考电路及能带隙参考电流源，尤指一种具有较小布局面积的能带隙参考电路及能带隙参考电流源。
背景技术：
模拟电路应用中常使用不受温度变化影响的稳定参考电压源或电流源，来提供一参考电压或参考电流，以利监督电源或是其它电路的操作正确性，而能带隙参考电路(Bandgap Reference Circuit)即为此类电路。简单来说，能带隙参考电流源是将一正温度系数(proportional to absolute temperature，PTAT)的电流与一负温度系数 (complementary to absolute temperature,CTAT)的电流以适当比例混合相力卩，将正温度系数与负温度系数相互抵销后，产生一零温度系数的电流。详细来说，请参考
图1，图1为公知技术中一能带隙参考电流源10的示意图。能带隙参考电流源10包含有一启动电路100及一能带隙参考电路102。启动电路100可于一系统电压VDD大于P型金氧半晶体管104、106的源闸极电压差时(即VDD > 2VSG)，启动能带隙参考电路102的运作。如图1所示，在能带隙参考电路102中，一功率放大器108的正负输入端输入电压VA与VB相等(VA = VB = VEB1)，通过双载子晶体管Ql及Q2的基射极电压差VEB1-VEB2及阻值为R的一电阻Rptat，可产生一正温度系数电流Iptat，如式(1)所示
权利要求
1.一种能带隙参考电路，具有较小布局面积，其特征在于，该能带隙参考电路包含有 一第一双载子晶体管，包含有一第一端及一第二端耦接于一地端；一第一电阻，用来产生一正温度系数电流；一第二双载子晶体管，包含有一第一端耦接于该第一电阻，及一第二端与一第三端耦接于一地端；一第二电阻，具有与该第一电阻的阻值呈一特定比例的阻值，用来产生一负温度系数电流；一第一运算放大器，包含有一第一输入端耦接于该第一双载子晶体管的一第三端，及一第二输入端耦接于该第一电阻；一第二运算放大器，包含有一第一输入端耦接于该第一双载子晶体管的该第三端，及一第二输入端耦接于该第二电阻；以及一零温度系数电流产生器，用来加总该正温度系数电流及该负温度系数电流，以产生一零温度系数电流。
2.如权利要求1所述的能带隙参考电路，其特征在于，该第一运算放大器及该第二运算放大器为具有P型金氧半输入对及折迭串接式架构的运算放大器。
3.如权利要求1所述的能带隙参考电路，其特征在于，该第一运算放大器的该第一输入端与该第二输入端的电压及该第二运算放大器的该第一输入端与该第二输入端的电压为该第一双载子晶体管的一集极与一射极间的跨压。
4.如权利要求1所述的能带隙参考电路，其特征在于，该零温度系数电流产生器包含有一第一电流镜，用来复制该负温度系数电流； 一第二电流镜，用来复制该正温度系数电流；以及一加总单元，耦接于该第一电流镜与该第二电流镜，用来产生该零温度系数电流。
5.如权利要求1所述的能带隙参考电路，其特征在于，该第一双载子晶体管与该第二双载子晶体管为PNP型双载子晶体管。
6.一种能带隙参考电流源，其特征在于，包含有一能带隙参考电路，具有较小布局面积，用来产生一零温度系数电流；以及一启动电路，用来启动该能带隙参考电路。
7.如权利要求6所述的能带隙参考电流源，其特征在于，该能带隙参考电路，包含有一第一双载子晶体管，包含有一第一端及一第二端耦接于一地端； 一第一电阻，用来产生一正温度系数电流；一第二双载子晶体管，包含有一第一端耦接于该第一电阻，及一第二端与一第三端耦接于一地端；一第二电阻，具有与该第一电阻的阻值呈一特定比例的阻值，用来产生一负温度系数电流；一第一运算放大器，包含有一第一输入端耦接于该第一双载子晶体管的一第三端，及一第二输入端耦接于该第一电阻；一第二运算放大器，包含有一第一输入端耦接于该第一双载子晶体管的该第三端，及一第二输入端耦接于该第二电阻；以及一零温度系数电流产生器，用来加总该正温度系数电流及该负温度系数电流，以产生一零温度系数电流。
8.如权利要求6所述的能带隙参考电流源，其特征在于，该第一运算放大器及该第二运算放大器为具有P型金氧半输入对及折迭串接式架构的运算放大器。
9.如权利要求6所述的能带隙参考电流源，其特征在于，该第一运算放大器的该第一输入端与该第二输入端的电压及该第二运算放大器的该第一输入端与该第二输入端的电压为该第一双载子晶体管的一集极与一射极间的跨压。
10.如权利要求6所述的能带隙参考电流源，其特征在于，该零温度系数电流产生器包含有一第一电流镜，用来复制该负温度系数电流；一第二电流镜，用来复制该正温度系数电流；以及一加总单元，耦接于该第一电流镜与该第二电流镜，用来产生该零温度系数电流。
11.如权利要求6所述的能带隙参考电流源，其特征在于，该第一双载子晶体管与该第二双载子晶体管为PNP型双载子晶体管。
12.如权利要求6所述的能带隙参考电流源，其特征在于，该启动电路另包含一开关， 用来于该能带隙参考电路达到一稳定状态后，逐渐关闭以避免直流耗电。
全文摘要
本发明公开了一种能带隙参考电路包含有一第一双载子晶体管；一第一电阻，用来产生一正温度系数电流；一第二双载子晶体管；一第二电阻，用来产生一负温度系数电流；一第一运算放大器，耦接于该第一双载子晶体管及该第一电阻；一第二运算放大器，耦接于该第一双载子晶体管及该第二电阻；以及一零温度系数电流产生器，用来加总该正温度系数电流及该负温度系数电流，以产生一零温度系数电流。
文档编号G05F3/16GK102375468SQ20101026222
公开日2012年3月14日 申请日期2010年8月23日 优先权日2010年8月23日
发明者丁振国, 吴振聪, 胡敏弘 申请人:联咏科技股份有限公司