专利名称：基准电压电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及基准电压电路，更具体涉及具有基准电压经过既定时间逐渐上升的软起动(soft start)功能的基准电压电路。
背景技术：
一般，具有软起动功能的基准电压电路中，将从恒流源对电容器进行充电的充电期间设定为软起动时间。当被充电的电压超过既定电压时，开关被切换，进行从软起动电压到既定的基准电压的变换(例如，参照专利文献1)。对传统的基准电压电路进行说明。图2是传统的基准电压电路的电路图。基准电压电路包括恒压源101和软起动电路。软起动电路包括比较器103、延迟电路104、恒流源 102、电容C、电阻R和开关Sffl Sff3ο恒流源102和电容C的接点，与基准电压电路的输出端子Vref连接。比较器103 的非反相输入端子与输出端子Vref连接，而反相输入端子经由偏置电压Vos而与恒压源 101的输出端子连接。比较器103的输出端子与开关SW2、恒流源102、和延迟电路104连接。延迟电路104的输出端子与开关SW3连接。电容C从恒流源102接受恒流Ic的电流而被充电。比较器103比较从恒压源101 的输出电压Vbgr减去既定的偏置电压Vos后的电压与恒流源102和电容C的接点的电压， 输出与其比较结果对应的输出电压。若恒流源102和电容C的接点的电压高于从恒压源 101的输出电压Vbgr减去期望的偏置电压Vos的电压，则开关SW2导通，且停止恒流源102 的电流供给，而延迟电路104开始动作。当开关SW2导通时，从恒压源101经由电阻R而与 RC的时间常数匹配地向电容C充电。延迟电路104的输出与开关SW3连接，自延迟电路104 开始动作起经过既定时间后使开关SW3导通。如果开关SW3导通，恒压源101的输出电压 Vbgr就直接与基准电压Vref连接。对传统的基准电压电路的动作进行说明。在开关SWl导通的状态下，基准电压电路停止动作，输出端子Vref的基准电压成为0V。当开关SWl截止时，基准电压电路就开始动作。从恒流源102接受恒流Ic的电流，开始对电容C的恒流充电。此时，基准电压Vref按照恒流Ic和电容C的电容值，直线上升。若被充电到电容C的电压超过Vbgr-Vos，则比较器103的输出信号反相，因此开关 SW2导通，恒流源102停止电流供给，延迟电路104开始动作。由于恒流源102停止电流供给，能够用恒流源101的输出电压Vbgr，经由电阻R而进行对电容C的充电。自延迟电路104开始动作起经过既定时间之后，开关SW3会导通，从而恒流源101 的输出电压Vbgr直接成为基准电压Vref。专利文献1 日本特开2000-56843号公报在传统的基准电压电路中，通过用开关进行切换，设定软起动期间和既定的Vref 电压。这时，开关的切换信号，需要用于比较内部的基准电压和软起动电压的比较器和延迟电路，因此电路规模会变大。而且，存在的问题是由于用开关切换软起动期间和基准电压输出期间，所以直线上升的基准电压不连续。
发明内容
本发明鉴于上述课题而成，提供具有在基准电压不产生不连续的软起动功能的基准电压电路。为了解决上述课题，本发明的基准电压电路为如下的构成。一种基准电压电路，具备基准电压部和软起动电路，该基准电压部包括耗尽型MOS 晶体管和第一增强型MOS晶体管，其特征在于，软起动电路包括第二增强型MOS晶体管， 其栅极与所述第一增强型MOS晶体管的栅极及漏极连接，而漏极与基准电压电路的输出端子连接；MOS开关，其一个端子与基准电压部的输出端子连接，另一端子与所述第二增强型 MOS晶体管的漏极连接；以及恒流源和电容，它们在电源与接地之间串联连接，通过用恒流源的电流对电容进行充电时的电压，使MOS开关逐渐导通，从而使基准电压逐渐上升。(发明效果)依据上述那样的本发明的基准电压电路，由于不需要用于生成开关SW的切换信号的比较器和延迟电路，能够削减电路规模。通过减小芯片尺寸，得到能够抑制制造成本而制作低价的制品的效果。而且，在从软起动动作到稳定动作为止的期间，得到基准电压的输出连续。再者，在基准电压电路的输出端子仅与MOS晶体管的栅极连接这样的情况下，软起动动作的基准电压的初始值也成为0V，因此能够进行稳定的软起动动作。
图1是第一实施例的具有软起动功能的基准电压电路的电路图。图2是传统的具有软起动功能的基准电压电路的电路图。图3是第一实施例的具有软起动功能的基准电压电路的动作说明图。图4是表示另一例第一实施例的具有软起动功能的基准电压电路的电路图。图5是第二实施例的具有软起动功能的基准电压电路的电路图。
具体实施例方式以下，参照附图，对第一实施例的基准电压电路进行说明。实施例1图1是本发明的具有软起动功能的基准电压电路的电路图。基准电压电路包括基准电压发生部和软起动电路。基准电压发生部具备耗尽型 MOS晶体管20和第一增强型MOS晶体管21。软起动电路具备恒流源10、电容11、M0S开关 12、和第二增强型MOS晶体管22。耗尽型MOS晶体管20，其漏极与电源连接，且栅极与源极连接。第一增强型MOS晶体管21，其栅极与漏极连接，且源极接地。耗尽型MOS晶体管20的栅极和源极，与第一增强型MOS晶体管21的栅极和漏极连接，该连接点成为基准电压发生部的输出端子。
第二增强型MOS晶体管22，其栅极与第一增强型MOS晶体管21的栅极和漏极连接，且源极接地，而漏极与基准电压Vref的输出端子连接。MOS开关12在基准电压发生部的输出端子与第二增强型MOS晶体管22的漏极之间连接，是由节点m的电压来控制导通 /截止的MOS开关。电容11将一侧连接到恒流源10，并将另一方接地。恒流源10和电容11的连接点，用于MOS开关12的控制信号。接着，对基准电压电路的动作进行说明。基准电压电路在被施加电源电压时，基准电压发生部和软起动电路如下进行动作。耗尽型MOS晶体管20中，电流从漏极流入源极。流入耗尽型MOS晶体管20的电流，从第一增强型MOS晶体管21的漏极流入接地。然后，在基准电压发生部的输出端子产生的电压Vrefl，由从第一增强型MOS晶体管21的漏极流入接地的电流来确定。恒流源10使恒流Ic流动，从而开始对电容11的充电。这时，节点m的电压，由于电容11没有被充分地充电而与接地电压相等。因而，MOS开关12截止。第二增强型MOS 晶体管22中，栅极上被施加电压Vrefl，但是，由于与漏极连接的MOS开关12截止，所以不会有漏极电流流过。因而，输出到基准电压电路的输出端子的基准电压Vref成为0V。其后，如果继续电容11借助恒流Ic的充电且节点m的电压上升，MOS开关12就会逐渐导通。因而，耗尽型MOS晶体管20的电流也开始在第二增强型MOS晶体管22中流过。由于在第二增强型MOS晶体管22中有电流开始逐渐流动，基准电压Vref逐渐上升，从而成为软起动动作。其后，当电容11用恒流Ic来被充分充电时，MOS开关12就会完全导通，导通电阻成为充分小的能忽略不计程度的值。在此，在使第一增强型MOS晶体管21和第二增强型MOS 晶体管22的尺寸相同的情况下，若MOS开关12完全导通，则在两个增强型MOS晶体管中有相同的电流流过，电压Vrefl和基准电压Vref就会大致相等。通过将在第一增强型MOS晶体管21及第二增强型MOS晶体管22中流过相同的电流时的电压设为基准电压Vref，基准电压能够从软起动期间起维持连续性的状态到达基准电压Vref。接着，参照图3所示的动作说明图，进行动作的说明。在时间TO的定时被施加电源电压。在耗尽型MOS晶体管20与第一增强型MOS晶体管21的连接点产生电压Vrefl。直到时间Tl，节点附的电压不会上升，因此MOS开关12 截止，从而电压Vrefl不会输出到基准电压电路的输出端子。然后，第二增强型MOS晶体管 22导通，因此基准电压Vref成为0V。从时间Tl的定时起MOS开关12逐渐导通，开始有电流流入第二增强型MOS晶体管 22，基准电压Vref逐渐上升。由于流入第一增强型MOS晶体管21的电流减少，电压Vrefl 下降。在时间T2的定时，流入第一增强型MOS晶体管21的电流和流入第二增强型MOS晶体管22的电流成为相同。但是，因为MOS开关12的导通电阻的影响而电压Vrefl成为比基准电压Vref大的电流值。然后，在时间T3的定时，MOS开关12的导通电阻成为充分小的能忽略不计程度的值，因此电压Vrefl和基准电压Vref会大致相等。经以上操作，节点m的电压逐渐上升而MOS开关12的导通电阻下降，并且电压 Vrefl逐渐下降，与之相反地，基准电压Vref逐渐上升，从而成为电压有连续性的软起动动作。 而且，在第二增强型MOS晶体管22的作用下，基准电压Vref的初始值成为0V，能够进行稳定的软起动动作。再者，通过改变电容11和恒流源10的设定，能够任意地设定软起动期间。此外，参照图1的电路，说明了本发明的基准电压电路的实施方式，但是如图4的电路那样，根据导通/截止(ONOFF)控制信号，也可以进行软起动动作。在图4的电路中， 开关SW13、开关SW14、开关SW15受导通/截止控制信号的控制。即，当导通/截止控制信号从导通变为截止时，与图1的电路同样地进行软起动动作。实施例2图5是本发明的具有软起动功能的基准电压电路的第二实施方式的电路图。与图 1不同之处是耗尽型MOS晶体管20和第一增强型MOS晶体管21被变更为耗尽型MOS晶体管501和增强型PMOS晶体管502、503和增强型MOS晶体管504这一点。耗尽型MOS晶体管501中，栅极及源极被接地，而漏极与增强型PMOS晶体管502 的漏极及栅极连接。增强型PMOS晶体管502中，源极与电源端子连接。增强型PMOS晶体管503中，栅极与增强型PMOS晶体管502的栅极连接，且漏极与增强型MOS晶体管504的漏极及栅极连接，而源极与电源端子连接。增强型MOS晶体管504中，栅极及漏极与MOS开关12及第二增强型MOS晶体管22的栅极连接，且源极被接地。接着，对第二实施方式的基准电压电路的动作进行说明。若被施加电源电压，则有电流流入耗尽型MOS晶体管501，经由增强型PMOS晶体管502、503的电流镜而有电流流入增强型MOS晶体管504。然后，由于有电流流入增强型MOS晶体管504，所以在栅极和源极间产生电压Vref 1，并且输入到MOS开关12及第二增强型MOS晶体管22的栅极。恒流源10使恒流Ic流过而开始对电容11进行充电。此时，由于电容11没有被充分充电，所以节点W的电压与接地电压相等。因而，MOS开关12截止。第二增强型MOS 晶体管22中，栅极上被施加电压Vrefl，但是，由于与漏极连接的MOS开关12截止，所以没有漏极电流流动。因而，输出到基准电压电路的输出端子的基准电压Vref成为0V。其后，如果继续电容11借助恒流Ic的充电且节点m的电压上升，则MOS开关12 就会逐渐导通。因而，增强型PMOS晶体管503的电流也开始在第二增强型MOS晶体管22 流动。由于在第二增强型MOS晶体管22中有电流开始逐渐流动，所以基准电压Vref逐渐上升，从而成为软起动动作。其后，当电容11借助恒流Ic而被充分充电时，MOS开关12就会完全导通，导通电阻成为充分小的能够忽略不计程度的值。在此，在使增强型MOS晶体管504和第二增强型 MOS晶体管22做成相同尺寸的情况下，若MOS开关12完全导通，则在两个增强型MOS晶体管中会流过相同的电流，电压Vrefl和基准电压Vref成为大致相等。通过将在增强型MOS 晶体管504及第二增加型MOS晶体管22中流过相同电流时的电压成为基准电压Vref，能够从软起动期间起基准电压维持连续性的状态达到基准电压Vref。经以上的操作，节点m的电压逐渐上升而MOS开关12的导通电阻下降，且电压 Vrefl逐渐下降，与之相反地，基准电压Vref逐渐上升，从而成为电压具有连续性的软起动动作。而且，在第二增强型MOS晶体管22的作用下，基准电压Vref的初始值成为0V，能够进行稳定的软起动动作。再者，通过改变电容11和恒流源10的设定，能够任意地设定软起动期间。附图标记说明10恒流源11电容12MOS 开关20、501 耗尽型MOS晶体管
21,22,504 增强型MOS晶体管101恒压源102恒流源103比较器104延迟电路502,503 增强型PMOS晶体管
权利要求
1.一种基准电压电路，具备基准电压部和软起动电路，该基准电压部包括耗尽型MOS 晶体管和第一增强型MOS晶体管，其特征在于，所述软起动电路包括第二增强型MOS晶体管，其栅极与所述第一增强型MOS晶体管的栅极及漏极连接，且漏极与所述基准电压电路的输出端子连接；MOS开关，其一个端子与所述基准电压部的输出端子连接，且另一端子与所述第二增强型MOS晶体管的漏极连接；以及恒流源和电容，它们在电源与接地间串联连接，利用由所述恒流源的电流来对所述电容进行充电时的电压，使所述MOS开关逐渐导通，从而使基准电压逐渐上升。
2.一种基准电压电路，具备基准电压部和软起动电路，该基准电压部包括耗尽型MOS 晶体管，其栅极及源极接地；第一增强型PMOS晶体管，其源极与电源端子连接，且栅极及漏极与所述耗尽型MOS晶体管的漏极连接；第二增强型PMOS晶体管，其栅极与所述第一增强型PMOS晶体管的栅极连接，且源极与电源端子连接；以及第一增强型NMOS晶体管，其栅极及漏极与所述第二增强型PMOS晶体管的漏极连接，其特征在于，所述软起动电路包括第二增强型NMOS晶体管，其栅极与所述第一增强型NMOS晶体管的栅极及漏极连接，且漏极与所述基准电压电路的输出端子连接；MOS开关，其一个端子与所述基准电压部的输出端子连接，且另一端子与所述第二增强型NMOS晶体管的漏极连接；以及恒流源和电容，它们在电源与接地间串联连接，利用由所述恒流源的电流来对所述电容进行充电时的电压，使所述MOS开关逐渐导通，从而使基准电压逐渐上升。
3.如权利要求1或2所述的基准电压电路，其特征在于，具备与所述恒流源和所述电容的连接部连接的第一起动开关。
4.如权利要求3所述的基准电压电路，其特征在于，具备与所述基准电压电路的输出端子连接的第二起动开关。
全文摘要
本发明提供电路规模小且具有电压有连续性的软起动功能的基准电压电路。一种基准电压电路，其中包括基准电压部和软起动电路，该基准电压部包括耗尽型MOS晶体管和第一增强型MOS晶体管，该软起动电路包括第二增强型MOS晶体管，其栅极与第一增强型MOS晶体管的栅极及漏极连接，且漏极与基准电压电路的输出端子连接；MOS开关，其一个端子与基准电压部的输出端子连接，且另一端子与第二增强型MOS晶体管的漏极连接；以及恒流源和电容，它们在电源与接地间串联连接。
文档编号G05F3/30GK102200797SQ20111008023
公开日2011年9月28日 申请日期2011年3月23日 优先权日2010年3月23日
发明者铃木照夫 申请人:精工电子有限公司