本实用新型属于电网技术领域，具体涉及一种高端线性稳压电路。
背景技术：
电源供电电路中由于异常状态导致输入电压非常高，若按此高电压设计电路，成本比较高，也就是说没有必要按照此高压来设计电路。此时可以采用线性稳压电路将输入电压限制到一定值以内。但由于MOS管的开启电压的影响，当输入电压小于稳压值时，调整管存在3V-5V的压降，当电流比较大时，调整管损耗严重。为了减小此损耗，设计了一种高端线性稳压电路。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种高端线性稳压电路，通过增加滞回的功能防止电池及超级电容放电过程中欠压保护电路出现线性状态导致开关管损耗严重。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高端线性稳压电路，包括线性稳压电路、RCD钳位电路、第五电阻R5和第二稳压二极管VZ2，所述RCD钳位电路通过第五电阻R5和第二稳压二极管VZ2与线性稳压电路电性连接，所述RCD钳位电路与变压器T1的侧级电性连接，所述变压器T1与第二MOS管VT2的漏极连接，所述第五电阻R5与第三电容C3串联，所述线性稳压电路与第一稳压二极管VZ1电性连接，所述第一稳压二极管VZ1与电源地PGND电性连接。
优选的，所述线性稳压电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第三电阻R3、第一MOS管VT1和第三电容C3，所述第一电阻R1和第一电容C1并联，所述第二电阻R2和第二电容C2并联，所述第三电阻R3分别与第一电阻R1和第一电容C1以及第二电阻R2和第二电容C2的并联电路串联，所述第一MOS管VT1与第三电阻R3串联，所述第三电阻R3与第五电阻R5串联。
优选的，所述RCD钳位电路包括第四电阻R4、第四电容C4和二极管VD1，所述第四电阻R4和第四电容C4并联，所述二极管VD1分别与第四电阻R4、第四电容C4以及第二MOS管VT2的漏极连接。
本实用新型的技术效果和优点：该高端线性稳压电路，其线性稳压电路限制电压输出的同时，通过引入反激RCD钳位电路的电压减小稳压前调整管VT1的损耗，提高电能性能稳定，降低运营成本，具有很好的市场利用价值。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1线性稳压电路、2 RCD钳位电路。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1所示的一种高端线性稳压电路，包括线性稳压电路1、RCD钳位电路2、第五电阻R5和第二稳压二极管VZ2，所述RCD钳位电路2通过第五电阻R5和第二稳压二极管VZ2与线性稳压电路1电性连接，所述RCD钳位电路2与变压器T1的侧级电性连接，所述变压器T1与第二MOS管VT2的漏极连接，所述第五电阻R5与第三电容C3串联，所述线性稳压电路1与第一稳压二极管VZ1电性连接，所述第一稳压二极管VZ1与电源地PGND电性连接。
进一步地，所述线性稳压电路1包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第三电阻R3、第一MOS管VT1和第三电容C3，所述第一电阻R1和第一电容C1并联，所述第二电阻R2和第二电容C2并联，所述第三电阻R3分别与第一电阻R1和第一电容C1以及第二电阻R2和第二电容C2的并联电路串联，所述第一MOS管VT1与第三电阻R3串联，所述第三电阻R3与第五电阻R5串联。
进一步地，所述RCD钳位电路2包括第四电阻R4、第四电容C4和二极管VD1，所述第四电阻R4和第四电容C4并联，所述二极管VD1分别与第四电阻R4、第四电容C4以及第二MOS管VT2的漏极连接。
工作原理：第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第三电阻R3、第一MOS管VT1和第三电容C3组成线性稳压电路，实现限制输出电压DC-IN的目的。T1和VT2为反激电源的变压器及开关管，第四电阻R4、第四电容C4和二极管VD1组成RCD钳位电路。当输入电压小于稳压值时，通过第五电阻R5、第二稳压二极管VZ2将RCD电压引入到线性稳压电路中，消除MOS管因开启电压引起的压降，使第一MOS管完全导通，降低了第一MOS管VT1的损耗。
钳位电路不限于RCD电路，本方案也适用于其它方式的钳位电路。同时，本实用新型适用于反激电源产品。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。