技术总结
本实用新型公开了一种GaN‑HEMT功放管栅极漏极加电时序保护偏置电路，包括栅极漏极加电时序保护模块、栅极正负压转换模块、电压调节模块和电压跟随器；栅极正负压转换模块通过负压稳压芯片将输入正电压转换为负电压，并通过RC电路进行滤波；负压稳压芯片的REG管脚为栅极提供提供TTL高电平信号，REG管脚的输出信号通过NPN三极管、N沟道MOSFET和P沟道MOSFET对漏压加电进行控制；当栅极电源负压输出不正常时，REG给出高电平，P沟道MOSFET关断，漏极不上电；栅极电源负压输出正常时，REG管脚给出低电平，P沟道MOSFET导通，漏极上电。本实用新型具有技术简单，结构简洁，易于单芯片集成和占用面积小的优势；显著提高了相关应用中微波、毫米放大器件的保护能力，应用领域广泛。
技术研发人员：陶涛
受保护的技术使用者：南京朴与诚电子科技有限公司
技术研发日：2017.07.05
技术公布日：2018.06.22