半导体材料真空多温区控制方法及系统与流程

1.本发明涉及工业生产技术领域，尤其涉及一种半导体材料真空多温区控制方法及系统。


背景技术：

2.半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。通常半导体材料用以多温区控制，实现在冰箱或是冰柜中进行各个温区的温度控制。
3.但是由于温区的设置均是利用隔热板进行分隔，降低热量的传递，通常采用上下分区的方式进行分区温度的控制，使得对于多温区的温度的有效控制。
4.但是现有的冰箱或是冰柜中，对于温度的控制调节具有局限性。


技术实现要素：

5.为此，本发明提供一种半导体材料真空多温区控制方法及系统，可以解决现有的温区温度控制存在局限性的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供一种半导体材料真空多温区控制方法，包括：设置第一制冷装置和第二制冷装置，所述第一制冷装置用以控制第一温区的温度，所述第二制冷装置用以控制第二温区的温度，所述第一温区用以存放若干第一存储物质，所述第二温区用以存放若干第二存储物质，第一温区设置在第二温区的侧面，且第一温区的温度与第二温区的温度不同，所述第一温区设置有第一存储位、第二存储位和第三存储位，所述第二温区设置有第四存储位、第五存储位和第六存储位，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内存放第一存储物质，第四存储位、第五存储位和第六存储位内存放第二物质；设置第一散热机构和第二散热机构，所述第一散热机构与所述第二散热机构并排设置，所述第一散热机构用以对所述第一制冷装置进行散热，所述第二散热机构用以对所述第二制冷装置进行散热，所述第一制冷装置和第二制冷装置在运行过程中会产生热量堆积，致使对第一温区和第二温区内的实时温度产生影响；根据第三存储位和第四存储位的温度差调整所述第一散热机构和第二散热机构的工作功率；所述第一温区设置有第一温度范围，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内保存的第一存储物质的温度均处于第一温度范围t11-t12内，其中t11表示第一温度范围的温度极小值，t12表示第一温度范围内的温度极大值，且t11《t12，所述第一温区的各存储位均处于第二温度范围t21-t22内，其中t21表示第二温度范围的温度极小值，t22表示第二温度范围内的温度极大值，且t21《t22，第一温区的温度大于第二温区的温度；预先设置有标准温度差值δt0，若第三存储位和第四存储位的温度差δt=t3-t4，其中t3表示第三存储位的温度，t4表示第四存储位的温度，若温度差δt≤标准温度差值δt0，则提高第一散热机构的工作功率且维持第二散热机构的工作功率，或，维持第一散热机构的工作功率且降低第二散热机构的工作功率；
若温度差δt》标准温度差值δt0，则维持第一散热机构和第二散热机构的工作功率。
7.进一步地，当提高第一散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最低温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最高温度值的温度差值确定第一散热机构的功率调整系数k1；所述第一散热机构的第一功率调整系数k1=（t3-t11）/（t22-t4）。
8.进一步地，当降低第二散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最高温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最低温度值的温度差值确定第二散热机构的第二功率调整系数k2；所述第二散热机构的功率调整系数k2=（t12-t3）/（t4-t21）。
9.进一步地，采用第一功率调整系数对第一散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第一散热机构的工作功率为p1
′
=p1
×
（1+k1），其中p1为第一散热机构的标准工作功率。
10.进一步地，采用第二功率调整系数对第二散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第二散热机构的工作功率为p2
′
=p2
×
|1-k1|，其中p2为第二散热机构的标准工作功率。
11.进一步地，所述第一散热机构和第三散热机构的结构相同，所述第一散热机构包括电机箱、主轴、连接件和扇叶，且电机箱的一侧活动连接有主轴，且主轴与电机箱之间通过轴联动构成旋转结构；所述主轴的一侧固定连接有连接件，且连接件的一端固定连接有扇叶，且扇叶均匀分布在连接件的上下两端，所述第一散热机构、第二散热机构、第一制冷装置、第二制冷装置、第一温区、第二温区均设置在保护箱内。
12.进一步地，所述保护箱的箱底还设置有支撑架，用以对保护箱进行支撑，所述保护箱上还通过卡合柱活动连接有密封门，所述密封门设置在保护箱的侧板上，用以对保护箱进行密封，所述保护箱的箱体上设置有安装板，所述安装板上设置有所述卡合柱，用以安装所述密封门，所述密封门上还设置有拿持块，用以抓握打开所述密封门，所述密封门包括三个主视板，用以对箱体内的结构进行检查。
13.本发明还提供一种应用如上所述的半导体材料真空多温区控制方法的半导体材料真空多温区控制系统，第一制冷装置、第二制冷装置、第一散热机构、第二散热机构，所述第一制冷装置用以控制第一温区的温度，所述第二制冷装置用以控制第二温区的温度，所述第一温区用以存放若干第一存储物质，所述第二温区用以存放若干第二存储物质，第一温区设置在第二温区的侧面，且第一温区的温度与第二温区的温度不同，所述第一温区设置有第一存储位、第二存储位和第三存储位，所述第二温区设置有第四存储位、第五存储位和第六存储位，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内存放第一存储物质，第四存储位、第五存储位和第六存储位内存放第二物质；所述第一散热机构与所述第二散热机构并排设置，所述第一散热机构用以对所述第一制冷装置进行散热，所述第二散热机构用以对所述第二制冷装置进行散热，所述第一制冷装置和第二制冷装置在运行过程中会产生热量堆积，致使对第一温区和第二温区内的实时温度产生影响；根据第三存储位和第四存储位的温度差调
整所述第一散热机构和第二散热机构的工作功率；所述第一温区设置有第一温度范围，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内保存的第一存储物质的温度均处于第一温度范围t11-t12内，其中t11《t12，所述第一温区的各存储位均处于第二温度范围t21-t22内，其中t21《t22，第一温区的温度大于第二温区的温度；预先设置有标准温度差值δt0，若第三存储位和第四存储位的温度差δt=t3-t4，其中t3表示第三存储位的温度，t4表示第四存储位的温度，若温度差δt≤标准温度差值δt0，则提高第一散热机构的工作功率且维持第二散热机构的工作功率，或，维持第一散热机构的工作功率且降低第二散热机构的工作功率；若温度差δt》标准温度差值δt0，则维持第一散热机构和第二散热机构的工作功率。
14.进一步地，当提高第一散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最低温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最高温度值的温度差值确定第一散热机构的功率调整系数k1；所述第一散热机构的第一功率调整系数k1=（t3-t11）/（t22-t4）；采用第一功率调整系数对第一散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第一散热机构的工作功率为p1
′
=p1
×
（1+k1），其中p1为第一散热机构的标准工作功率。
15.进一步地，当降低第二散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最高温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最低温度值的温度差值确定第二散热机构的第二功率调整系数k2；所述第二散热机构的功率调整系数k2=（t12-t3）/（t4-t21）；采用第二功率调整系数对第二散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第二散热机构的工作功率为p2
′
=p2
×
|1-k1|，其中p2为第二散热机构的标准工作功率。
16.与现有技术相比，本发明的有益效果在于，通过第三存储位和第四存储位的温度差与预设的标准温度差值δt0的关系，来确定第一散热机构的散热功率或第二散热机构的散热功率，在实际应用中，第一制冷装置在工作过程中会对第一温区的温度进行有效控制，第二制冷装置在工作过程中对第二温区的温度的进行控制，但是第一温区和第二温区是连通的，必然就会产生热量交换，从而使得第三存储位和第四存储位的温度趋于一致，本发明实施例为了避免二者的温度趋于一致，因此需要保证第一制冷装置和第二制冷装置的持续工作，但是第一制冷装置和第二制冷装置的持续工作又会产生较多的热量，致使第一制冷装置和第二制冷装置的工作效率降低，因此通过第一散热机构和第二散热机构对第一制冷装置和第二制冷装置产生的热量进行散发，以保证第一制冷装置和第二制冷装置散热的效率，保证第一温区和第二温区始终存在温度差，以避免二者的温度趋于一致，本发明实施例采用的是左右设置温区的方式，相对于现有的上下设置温区的方式，使得对于温区温度的控制更为高效，以提高温区温度的稳定性。
17.尤其，通过对第一功率调整系数的计算方法进行了具体限定，使得第一功率调整系数能够符合实际存储位和温区的阈值的要求，使得对于第一散热机构的功率调整更符合实际要求，大大提高了功率调整的效率，实现对第一散热机构的功率的精准调整，提高对温区温度控制的精准度。
18.尤其，通过对第二功率调整系数的计算方法进行了具体限定，使得第二功率调整
系数能够符合实际存储位和温区的阈值的要求，使得对于第二散热机构的功率调整更符合实际要求，大大提高了功率调整的效率，实现对第二散热机构的功率的精准调整，提高对温区温度控制的精准度。
19.尤其，通过在额定功率的基础上增加调整系数与功率的乘积，使得对于第一散热机构的功率调整更为精准，保证工作功率的稳定输出，防止功率调整过大对第一散热机构带来的损伤，延长第一散热机构的使用寿命。
20.尤其，通过主轴与电机箱之间通过轴联动构成旋转结构，使电机箱的内部进行防护，减少损坏性，通过主轴进行带动连接件和扇叶进行旋转，加快内部的空气流动速度。
附图说明
21.图1为本发明实施例提供的半导体材料真空多温区控制方法的流程示意图；图2为本发明实施例中的半导体材料真空多温区控制系统的主视全剖结构示意图；图3为本发明实施例中半导体材料真空多温区控制系统的正视结构示意图；图4为本发明实施例中的密封机构结构示意图；图5为本发明实施例中的散热机构结构示意图；图6为本发明实施例中的防护制冷装置结构示意图。
具体实施方式
22.为了使本发明的目的和优点更加清楚明白，下面结合实施例对本发明作进一步描述；应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
23.下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非在限制本发明的保护范围。
24.需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
25.此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
26.请参阅图1所示，本发明实施例提供的一种半导体材料真空多温区控制方法，包括：步骤s100：设置第一制冷装置和第二制冷装置，所述第一制冷装置用以控制第一温区的温度，所述第二制冷装置用以控制第二温区的温度，所述第一温区用以存放若干第一存储物质，所述第二温区用以存放若干第二存储物质，第一温区设置在第二温区的侧面，且第一温区的温度与第二温区的温度不同，所述第一温区设置有第一存储位、第二存储位和第三存储位，所述第二温区设置有第四存储位、第五存储位和第六存储位，所述第一存储
位、第二存储位和第三存储位内存放第一存储物质，第四存储位、第五存储位和第六存储位内存放第二物质；步骤s200：设置第一散热机构和第二散热机构，所述第一散热机构与所述第二散热机构并排设置，所述第一散热机构用以对所述第一制冷装置进行散热，所述第二散热机构用以对所述第二制冷装置进行散热，所述第一制冷装置和第二制冷装置在运行过程中会产生热量堆积，致使对第一温区和第二温区内的实时温度产生影响；步骤s300：根据第三存储位和第四存储位的温度差调整所述第一散热机构和第二散热机构的工作功率；所述第一温区设置有第一温度范围，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内保存的第一存储物质的温度均处于第一温度范围t11-t12内，其中t11表示第一温度范围的温度极小值，t12表示第一温度范围内的温度极大值，且t11《t12，所述第一温区的各存储位均处于第二温度范围t21-t22内，其中t21表示第二温度范围的温度极小值，t22表示第二温度范围内的温度极大值，且t21《t22，第一温区的温度大于第二温区的温度；预先设置有标准温度差值δt0，若第三存储位和第四存储位的温度差δt=t3-t4，其中t3表示第三存储位的温度，t4表示第四存储位的温度，若温度差δt≤标准温度差值δt0，则提高第一散热机构的工作功率且维持第二散热机构的工作功率，或，维持第一散热机构的工作功率且降低第二散热机构的工作功率；若温度差δt》标准温度差值δt0，则维持第一散热机构和第二散热机构的工作功率。
27.具体而言，本发明实施例通过第三存储位和第四存储位的温度差与预设的标准温度差值δt0的关系，来确定第一散热机构的散热功率或第二散热机构的散热功率，在实际应用中，第一制冷装置在工作过程中会对第一温区的温度进行有效控制，第二制冷装置在工作过程中对第二温区的温度的进行控制，但是第一温区和第二温区是连通的，必然就会产生热量交换，从而使得第三存储位和第四存储位的温度趋于一致，本发明实施例为了避免二者的温度趋于一致，因此需要保证第一制冷装置和第二制冷装置的持续工作，但是第一制冷装置和第二制冷装置的持续工作又会产生较多的热量，致使第一制冷装置和第二制冷装置的工作效率降低，因此通过第一散热机构和第二散热机构对第一制冷装置和第二制冷装置产生的热量进行散发，以保证第一制冷装置和第二制冷装置散热的效率，保证第一温区和第二温区始终存在温度差，以避免二者的温度趋于一致，本发明实施例采用的是左右设置温区的方式，相对于现有的上下设置温区的方式，使得对于温区温度的控制更为高效，以提高温区温度的稳定性。
28.具体而言，当提高第一散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最低温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最高温度值的温度差值确定第一散热机构的功率调整系数k1；所述第一散热机构的第一功率调整系数k1=（t3-t11）/（t22-t4）。
29.具体而言，本发明实施例通过对第一功率调整系数的计算方法进行了具体限定，使得第一功率调整系数能够符合实际存储位和温区的阈值的要求，使得对于第一散热机构的功率调整更符合实际要求，大大提高了功率调整的效率，实现对第一散热机构的功率的精准调整，提高对温区温度控制的精准度。
30.具体而言，当降低第二散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与
第一温区内的最高温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最低温度值的温度差值确定第二散热机构的第二功率调整系数k2；所述第二散热机构的功率调整系数k2=（t12-t3）/（t4-t21）。
31.具体而言，本发明实施例通过对第二功率调整系数的计算方法进行了具体限定，使得第二功率调整系数能够符合实际存储位和温区的阈值的要求，使得对于第二散热机构的功率调整更符合实际要求，大大提高了功率调整的效率，实现对第二散热机构的功率的精准调整，提高对温区温度控制的精准度。
32.具体而言，采用第一功率调整系数对第一散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第一散热机构的工作功率为p1
′
=p1
×
（1+k1），其中p1为第一散热机构的标准工作功率。
33.具体而言，本发明实施例通过在额定功率的基础上增加调整系数与功率的乘积，使得对于第一散热机构的功率调整更为精准，保证工作功率的稳定输出，防止功率调整过大对第一散热机构带来的损伤，延长第一散热机构的使用寿命。
34.具体而言，采用第二功率调整系数对第二散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第二散热机构的工作功率为p2
′
=p2
×
|1-k1|，其中p2为第二散热机构的标准工作功率。
35.具体而言，本发明实施例通过在额定功率的基础上减少调整系数与功率的乘积，使得对于第二散热机构的功率调整更为精准，保证工作功率的稳定输出，防止功率调整过大对第二散热机构带来的损伤，延长第二散热机构的使用寿命。
36.具体而言，所述第一散热机构和第三散热机构的结构相同，所述第一散热机构包括电机箱、主轴、连接件和扇叶，且电机箱的一侧活动连接有主轴，且主轴与电机箱之间通过轴联动构成旋转结构；所述主轴的一侧固定连接有连接件，且连接件的一端固定连接有扇叶，且扇叶均匀分布在连接件的上下两端，所述第一散热机构、第二散热机构、第一制冷装置、第二制冷装置、第一温区、第二温区均设置在保护箱内。
37.具体而言，本发明实施例通过主轴与电机箱之间通过轴联动构成旋转结构，使电机箱的内部进行防护，减少损坏性，通过主轴进行带动连接件和扇叶进行旋转，加快内部的空气流动速度。
38.具体而言，所述保护箱的箱底还设置有支撑架，用以对保护箱进行支撑，所述保护箱上还通过卡合柱活动连接有密封门，所述密封门设置在保护箱的侧板上，用以对保护箱进行密封，所述保护箱的箱体上设置有安装板，所述安装板上设置有所述卡合柱，用以安装所述密封门，所述密封门上还设置有拿持块，用以抓握打开所述密封门，所述密封门包括三个主视板，用以对箱体内的结构进行检查。
39.具体而言，本发明实施例通过安装板进行对接固定，与箱体之间的连接更加牢固，通过卡合柱进行对接使用，配合密封机构方便进行设备的连接安装，通过转轴进行连接，方便主视板的连接打开使用，所述主视板的固定连接有拿持块，且拿持块与主视板的水平中心线之间相重合，方便操作者进行拿持拉动打开使用，提高设备整体的操作快捷性，支撑架与箱体之间通过焊接相连接，方便操作者进行移动设备，通过支撑架进行底部的放置，提高设备的稳定。
40.本发明实施例还提供一种半导体材料真空多温区控制系统，该系统包括：第一制冷装置、第二制冷装置、第一散热机构、第二散热机构，所述第一制冷装置用以控制第一温区的温度，所述第二制冷装置用以控制第二温区的温度，所述第一温区用以存放若干第一存储物质，所述第二温区用以存放若干第二存储物质，第一温区设置在第二温区的侧面，且第一温区的温度与第二温区的温度不同，所述第一温区设置有第一存储位、第二存储位和第三存储位，所述第二温区设置有第四存储位、第五存储位和第六存储位，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内存放第一存储物质，第四存储位、第五存储位和第六存储位内存放第二物质；所述第一散热机构与所述第二散热机构并排设置，所述第一散热机构用以对所述第一制冷装置进行散热，所述第二散热机构用以对所述第二制冷装置进行散热，所述第一制冷装置和第二制冷装置在运行过程中会产生热量堆积，致使对第一温区和第二温区内的实时温度产生影响；根据第三存储位和第四存储位的温度差调整所述第一散热机构和第二散热机构的工作功率；所述第一温区设置有第一温度范围，所述第一存储位、第二存储位和第三存储位内保存的第一存储物质的温度均处于第一温度范围t11-t12内，其中t11表示第一温度范围的温度极小值，t12表示第一温度范围内的温度极大值，且t11《t12，所述第一温区的各存储位均处于第二温度范围t21-t22内，其中t21表示第二温度范围的温度极小值，t22表示第二温度范围内的温度极大值，且t21《t22，第一温区的温度大于第二温区的温度；预先设置有标准温度差值δt0，若第三存储位和第四存储位的温度差δt=t3-t4，其中t3表示第三存储位的温度，t4表示第四存储位的温度，若温度差δt≤标准温度差值δt0，则提高第一散热机构的工作功率且维持第二散热机构的工作功率，或，维持第一散热机构的工作功率且降低第二散热机构的工作功率；若温度差δt》标准温度差值δt0，则维持第一散热机构和第二散热机构的工作功率。
41.具体而言，当提高第一散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最低温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最高温度值的温度差值确定第一散热机构的功率调整系数k1；所述第一散热机构的第一功率调整系数k1=（t3-t11）/（t22-t4）；采用第一功率调整系数对第一散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第一散热机构的工作功率为p1
′
=p1
×
（1+k1），其中p1为第一散热机构的标准工作功率。
42.具体而言，当降低第二散热机构的工作功率时，根据第三存储位内的实际温度与第一温区内的最高温度值的温度差值以及第四存储位内的实际温度与第二温区内的最低温度值的温度差值确定第二散热机构的第二功率调整系数k2；所述第二散热机构的功率调整系数k2=（t12-t3）/（t4-t21）；采用第二功率调整系数对第二散热机构的工作功率进行调整时，调整后的第二散热机构的工作功率为p2
′
=p2
×
|1-k1|，其中p2为第二散热机构的标准工作功率。
43.本发明实施例中的半导体材料真空多温区控制系统，是应用上述的半导体材料真空多温度控制方法，包含相同或相应的技术特征，能够达到相同的技术效果，在此不再赘述。
44.具体而言，如图2-图6所示，一种半导体材料真空多温区控制系统，包括箱体1，箱
体1的内壁固定连接有壳体6，壳体6的内壁下方设置有放置块7，放置块7的上方设置有散热机构8，散热机构8的顶部设置有防护制冷装置9，防护制冷装置9包含有框架901、罩子902和连接扣903，所述罩子902为制冷半导体材料，箱体1与壳体6的中轴线之间相重合。壳体6与放置块7通过焊接相连接，放置块7的上方表面与散热机构8的下方表面之间紧密贴合，防护制冷装置9位于散热机构8的顶部，框架901内壁表面与罩子902的下方表面之间紧密贴合，罩子902和连接扣903与框架901之间构成可拆卸结构。
45.本实施例，箱体1的正面固定连接有安装板2，且安装板2与箱体1之间通过焊接相连接；工作时，通过安装板2与箱体1进行对接固定，使部件之间的连接更加牢固。安装板2的内侧设置有卡合柱3，且卡合柱3的一端活动连接有密封机构4，且卡合柱3与密封机构4之间构成旋转结构；工作时，方便操作者通过卡合柱3与密封机构4进行对接卡合固定，通过卡合柱3进行连接旋转。
46.本实施例，密封机构4包含有主视板401、转轴402和拿持块403，且主视板401的一侧设置有转轴402，且转轴402的一侧固定连接有主视板401；工作时，通过主视板401连接的转轴402进行连接打开，通过连接卡合的卡合柱3进行旋转辅助，方便进行主视板401的打开使用。主视板401的固定连接有拿持块403，且拿持块403与主视板401的水平中心线之间相重合；工作时，方便操作者进行拿持拿持块403进行拉动打开，提高整体设备的操作使用快捷性。
47.本实施例，箱体1的下方设置有支撑架5，且支撑架5与箱体1之间通过焊接相连接；工作时，通过支撑架5进行底部的放置支撑，使设备进行放置固定时更加稳定。散热机构8包含有电机箱801、主轴802、连接件803和扇叶804，且电机箱801的一侧活动连接有主轴802，且主轴802与电机箱801之间通过轴联动构成旋转结构；所述第一温区用以存放若干第一存储物质，所述第二温区用以存放若干第二存储物质，第一温区设置在第二温区的侧面，且第一温区的温度与第二温区的温度不同，所述第一温区设置有第一存储位、第二存储位和第三存储位，所述第二温区设置有第四存储位、第五存储位和第六存储位，所述第一存储位11、第二存储位12和第三存储位13内存放第一存储物质，第四存储位14、第五存储位15和第六存储位16内存放第二物质工作时，通过电机箱801进行内部电机的防护使用，减少内部的损坏性，同时方便主轴802的连接使用。本实施例，主轴802的一侧固定连接有连接件803，且连接件803的一端固定连接有扇叶804，且扇叶804均匀分布在连接件803的上下两端；工作时，通过主轴802进行连接旋转，带动连接件803和扇叶804的旋转打开使用，使扇叶804运行更加稳定。
48.至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。
49.以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明；对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。