1.一种高psr的无片外电容ldo电路，其特征在于：包括ldo基本电路、与ldo基本电路连接的电源纹波前馈通路和与ldo基本电路连接的负电容等效电路；所述ldo基本电路包括误差放大器和输出mos管，所述电源纹波前馈通路用于将中高频电源纹波复制到输出mos管的栅端，所述负电容等效电路用于产生的负电容并抵消所述输出mos管栅端的部分寄生电容。
2.根据权利要求1所述的一种高psr的无片外电容ldo电路，其特征在于：所述的ldo基本电路还包括第一pmos管mp1、电阻r1和电阻r2，所述误差放大器的反向输入端连接电压vref，所述第一pmos管mp1的栅极连接误差放大器的输出端，第一pmos管mp1的源极连接所述输出mos管mp2的栅极及所述的电源纹波前馈通路，输出mos管mp2的源极接电源vdd，电阻r1的一端连接输出mos管mp2的漏极，另一端连接电阻r2并与误差放大器的同向输入端连接，输出mos管mp2的漏极连接输出电压vout,电阻r2和第一pmos管mp1的漏极接地。
3.根据权利要求1所述的一种高psr的无片外电容ldo电路，其特征在于：所述的电源纹波前馈通路包括第三pmos管mp3、第四nmos管mn4、第四pmos管mp4、第五pmos管mp5、第八pmos管mp8、第五nmos管mn5和电容c1，所述第五pmos管mp5的漏极连接所述输出mos管的栅极，第五pmos管mp5的栅极连接所述第四pmos管mp4的漏极且连接电容c1，第三pmos管mp3的栅极与第四pmos管mp4的栅、源极连接，第三pmos管mp3的漏极与第四nmos管mn4的栅、漏极连接，第三pmos管mp3的栅极还连接第八pmos管mp8的漏极、第八pmos管mp8的栅极、第五nmos管mn5的漏极，第五nmos管mn5的栅极接偏置电压vb1，第三pmos管mp3的源极、第五pmos管mp5的源极和第八pmos管mp8的源极接电源vdd，第四pmos管mp4的源极、第五nmos管mn5的源极和电容接地。
4.根据权利要求1所述的一种高psr的无片外电容ldo电路，其特征在于：所述的负电容等效电路包括第一nmos管mn1、第二nmos管mn2、第三nmos管mn3、第六pmos管mp6、第七pmos管mp7、电阻r3、电阻r4和电容c2，所述第一nmos管mn1的栅极连接所述输出mos管的栅极，第一nmos管mn1的源极连接所述第二nmos管mn2的漏极且连接所述第三nmos管mn3的栅极，第二nmos管mn2的栅极接偏置电压vb2，第三nmos管mn3的漏极连接所述第六pmos管mp6的漏极且连接第七pmos管mp7的栅极，第六pmos管mp6的栅极通过电阻r3连接所述第七pmos管mp7的栅极，第七pmos管mp7的漏极经由电阻r4接地，电容c2的一端连接第一nmos管mn1的栅极，另一端连接第七pmos管mp7的漏极，所述第一nmos管mn1的漏极、第六pmos管mp6的源极和第七pmos管mp7的源极接电源vdd，所述第二nmos管mn2的源极和第三nmos管mn3的源极接地。