体管的源极耦接至该接地端子； 其中在该输出电压瞬间上升的状况下，该第三电容器将该输出电压耦合至该N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，并且该N型金属氧化物半导体场效应晶体管从该电压调节器模块的该输出端子取得该另一瞬间电流并将该另一瞬间电流释放至该接地端子，以减少该输出电压上升的幅度。
12.—种电压调节器装置的操作方法，该方法包含有下列步骤: 利用该电压调节器装置中的一带隙参考电路产生一带隙参考电压，并且利用该电压调节器装置中的一电压调节器模块依据该带隙参考电压调节一输入电压以产生一输出电压；以及 感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压，其中感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压的步骤还包含: 在该输出电压瞬间下降的状况下，利用该电压调节器装置中的一第一感测模块基于该输出电压的一变化量减少该输出电压下降的幅度； 在该输出电压瞬间上升的状况下，利用该电压调节器装置中的一第三感测模块基于该输出电压的另一变化量减少该输出电压上升的幅度；以及 利用该电压调节器装置中的一第二感测模块来感测该输出电压的变化、并且将该输出电压的变化转换为一电流信号、以及将该电流信号施加于该电压调节器模块内的一控制端子，以间接地控制该输出电压。
13.根据权利要求12所述的操作方法，其中感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压的步骤还包含: 在该输出电压瞬间下降的状况下，利用该第一感测模块基于该输出电压的该变化量，从该输入电压的一电压源取得一瞬间电流并将该瞬间电流施加于该电压调节器模块的一输出端子，以减少该输出电压下降的幅度，其中该电压源产生该输入电压，而该电压调节器模块的该输出端子输出该输出电压；以及 在该输出电压瞬间上升的状况下，利用该第三感测模块基于该输出电压的该另一变化量，从该电压调节器模块的该输出端子取得另一瞬间电流并将该另一瞬间电流释放至一接地端子，以减少该输出电压上升的幅度。
14.根据权利要求13所述的操作方法，其中该电压调节器模块包含: 一运算放大器，耦接至该带隙参考电路，用来比较一分压电压与该带隙参考电压，以产生一控制信号； 一晶体管，耦接至该运算放大器、该输入电压、与该电压调节器模块的该输出端子，其中该晶体管基于该控制信号选择性地开启，来调节该输入电压以产生该输出电压；以及一分压电路，耦接至该电压调节器模块的该输出端子、该晶体管、与该运算放大器，用来产生对应于该输出电压的该分压电压，其中该分压电路包含多个电阻，而该分压电压对该输出电压的比率是依据该多个电阻的电阻值来决定； 其中该第一感测模块与该第三感测模块分别耦接至该运算放大器的一第一电源端子与一第二电源端子；以及 该电压调节器模块内的该控制端子为该晶体管当中用来接收该控制信号的控制端子。
15.根据权利要求14所述的操作方法，其中该晶体管为一P型金属氧化物半导体场效应晶体管；以及该电压调节器模块内的该控制端子为该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，而该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极耦接至该输入电压，且该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极耦接至该电压调节器模块的该输出端子。
16.根据权利要求15所述的操作方法,其中该第一感测模块包含: 一第一电容器，该第一电容器的一第一端子与一第二端子分别耦接至该运算放大器的该第一电源端子以及该电压调节器模块的该输出端子；以及 另一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管，该另一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极分别耦接至该第一电容器的该第一端子与该第二端子，而该另一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极耦接至该输入电压； 其中感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压的步骤还包含: 在该输出电压瞬间下降的状况下，利用该第一电容器将该输出电压耦合至该另一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，并且利用该另一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管从该输入电压的该电压源取得该瞬间电流并将该瞬间电流施加于该电压调节器模块的该输出端子，以减少该输出电压下降的幅度。
17.根据权利要求15所述的操作方法，其中该第二感测模块包含: 一第二电容器，该第二电容器的一第一端子耦接至该电压调节器模块的该输出端子；以及 一感测电路，耦接至该第二电容器的一第二端子与该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极； 其中感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压的步骤还包含: 在该输出电压瞬间下降或瞬间上升的状况下，利用该第二电容器将该输出电压耦合至该感测电路，并且利用该感测电路将该输出电压的变化转换为该电流信号，以加快该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的反应速度。
18.根据权利要求17所述的操作方法，其中该感测电路包含: 一电流源，用来产生一特定电流，以供该感测电路使用，其中该电流源的一输出端子输出该特定电流； 一第一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该第一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极分别耦接至该第二电容器的该第二端子与该电流源的该输出端子，而该第一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极是接地； 一电阻器，其两端子分别耦接至该第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极；以及 一第二 N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该第二 N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极分别耦接至该第一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，而该第二 N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极是接地； 其中感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压的步骤还包含: 在该输出电压瞬间下降或瞬间上升的状况下，利用该第二电容器将该输出电压耦合至该第一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，并且利用该第一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管与该第二 N型金属氧化物半导体场效应晶体管所形成的共源极结构将取自该第二电容器的耦合电压放大，以加快该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的反应速度。
19.根据权利要求18所述的操作方法，其中该感测电路还包含: 一第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极、漏极、与源极分别耦接至该电流源的该输出端子、该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极、与该第二 N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极； 其中该第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极通过该第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极；以及感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压的步骤还包含: 在该输出电压瞬间下降或瞬间上升的状况下，利用该第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极于该感测电路内的连接关系，将该输出电压的变化转换为该电流信号。
20.根据权利要求15所述的操作方法，其中该第三感测模块包含: 一第三电容器，该第三电容器的一第一端子与一第二端子分别耦接至该运算放大器的该第二电源端子以及该电压调节器模块的该输出端子；以及 一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极分别耦接至该第三电容器的该第一端子与该第二端子，而该N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极耦接至该接地端子； 其中感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压的步骤还包含: 在该输出电压瞬间上升的状况下，利用该第三电容器将该输出电压耦合至该N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，并且利用该N型金属氧化物半导体场效应晶体管从该电压调节器模块的该输出端子取得该另一瞬间电流并将该另一瞬间电流释放至该接地端子，以减少该输出电压上升的幅度。
【专利摘要】本发明提供一种电压调节器装置以及相关方法，该电压调节器装置包含：一电压调节器模块，用来依据一带隙参考电压调节一输入电压以产生一输出电压；以及多个感测模块。在该输出电压瞬间下降的状况下，一感测模块基于该输出电压的一变化量减少该输出电压下降的幅度。在该输出电压瞬间上升的状况下，另一感测模块基于该输出电压的另一变化量减少该输出电压上升的幅度。此外，另一感测模块感测该输出电压的变化、且将该输出电压的变化转换为一电流信号、以及将该电流信号施加于该电压调节器模块内的一控制端子，以间接地控制该输出电压。
【IPC分类】G05F1-56
【公开号】CN104615181
【申请号】CN201310540724
【发明人】黃三岳, 陈韦纶, 費晓冬
【申请人】智原科技股份有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2013年11月5日
【公告号】US20150123635