专利名称：电子零件及该电子零件的制造方法
技术领域：
本发明涉及利用安装了半导体芯片的内插器(interpose)构成的电子 零件。
背景技术：
迄今有例如将在树脂制薄膜的表面安装了半导体芯片的内插器接合 在设有天线方向图(antenna pattern)的薄膜片上的非接触IC标签、也就 是RF—ID标签。作为所述内插器，有一种内插器具有从半导体芯片的端 点电气延伸设置的作为扩大电极的内插器侧端子。如果利用具备这样的内 插器侧端子的内插器，与在所述天线片(antenna sheet)上直接安装所述 半导体芯片的情况相比，可以更容易并且电可靠性更高地制作所述RF — ID标签(例如参照专利文献l。)。但是，利用所述现有的内插器的电子零件，例如，在所述RF — ID标 签等中，产生如下问题。即，在内插器中，由于在与天线片相对的表面安 装半导体芯片，所以存在天线片一侧的接合面是凹凸面的问题。在接合面为凹凸状的内插器中，存在相对于天线片不容易进行可靠性高的结合的问 题。专利文献h日本特开2003—6601号公报 发明内容本发明要提供一种在利用内插器构成的电子零件中，高可靠性地接合 内插器的电子零件及该电子零件的制造方法。第一发明提供一种电子零件，在片状的基底电路片上接合有内插器， 所述内插器在片状的芯片保持部件上安装有半导体芯片，所述电子零件的特征在于，
所述内插器，在所述芯片保持部件的近似平面状的表面上安装所述半 导体芯片而成，并且具有从该半导体芯片的端子电气延伸设置的导电图案 即内插器侧端子，所述基底电路片，具有与所述内插器侧端子电连接的基底侧端子，并 且具有用于收容所述半导体芯片的芯片收容部。构成所述第一发明的电子零件的所述基底电路片，具备用于收容所述 内插器的所述半导体芯片的所述芯片收容部。在设有所述芯片收容部的所 述基底电路片中，在层叠所述内插器时，可以吸收该内插器表面的凹凸。 因此，所述基底电路片可以与所述内插器高可靠性地密接。而且，根据互 相密接的所述基底电路片与所述内插器，可以实现高可靠性的接合。另外，如果在所述芯片收容部收容所述半导体芯片的状态下接合所述 内插器与所述基底电路片，则可以减少对所述半导体芯片作用过大的接合 荷重的顾虑。因此，在制造过程中，可以抑制在所述半导体芯片上产生初 期故障的倾向。因此，所述电子零件，生产效率高并且拥有优良的品质。并且，根据所述基底电路片的所述芯片收容部与所述内插器的所述半 导体芯片的组合，可以高可靠性地实现两者层叠时的定位，可以提高层叠 精度。因此，提高了层叠精度的所述第一发明的电子零件，电可靠性高， 并且生产效率高。如以上所述，所述第一发明的电子零件，所述内插器与所述基底电路 片高可靠性地接合，并且，抑制所述半导体芯片的初期故障。因此，所述 电子零件，具有优质的初期品质，并且可以长期维持该优质的初期品质。第二发明提供一种电子零件的制造方法，所述电子零件是如下形成 的在片状的芯片保持部件的表面上安装所述半导体芯片，构成内插器， 并且所述内插器设有从该半导体芯片的端子电延伸设置的导电图案即内 插器侧端子，将所述内插器接合在设有与所述内插器侧端子电连接的基底 侧端子的片状基底电路片上而成，所述电子零件的制造方法的特征在于，实施安装工序，在所述芯片保持部件的表面安装所述半导体芯片； 收容部形成工序，将用于收容所述半导体芯片的芯片收容部设置在所
述基底电路片上；层叠工序，对所述基底电路片与所述内插器进行层叠，将所述半导体 芯片收容于所述芯片收容部；以及接合工序，将层叠了的所述基底电路片与所述内插器接合。在所述第二发明的电子零件的制造方法中，实施在所述基底电路片上 形成所述芯片收容部的所述收容部形成工序。而且，在所述层叠工序中， 相对设置了该芯片收容部的所述基底电路片，表面安装了所述半导体芯片 的所述内插器被高密接性地层叠。因此，在所述接合工序中，可以以高可 靠性接合相互以高密接性层叠的所述基底电路片与所述内插器。因此，根据所述第二发明的电子零件的制造方法制造的电子零件，具 有高可靠性的优良品质。
图1是在实施例1中，表示RF—ID介质剖面构造的剖面图；图2是在实施例1中，表示内插器的主视图；图3是在实施例1中，表示内插器的剖面构造的剖面图；图4是在实施例1中，表示天线片的立体图；图5是在实施例1中，说明收容部形成工序的说明图；图6是在实施例1中，说明层叠工序的说明图；图7是在实施例1中，表示RF — ID介质的接合剖面的放大剖面图；图8是在实施例2中，说明收容部形成工序的说明图；图9是在实施例2中，表示天线片的立体图；图10是在实施例2中，说明在层叠工序中对内插器与天线片进行层 叠的状态的说明图；图11是在实施例2中，表示内插器与天线片的层叠构造的剖面图； 图12是在实施例2中，说明接合工序的说明图；图13是在实施例2中，表示由接合工序得到的RP — ID介质的剖面构 造的剖面图；图14是在实施例2中，表示由接合工序得到的RF—ID介质的剖面构 造的剖面图15是在实施例3中，图示内插器与天线片的立体图; 图16是在实施例3中，图示其他天线片的立体图。 符号说明 1一RF—ID介质10— 内插器11— IC芯片12— 内插器侧端子 20—天线片210 —芯片收容部 22 —基底侧端子 24—天线方向图具体实施方式
作为在所述第一以及所述第二发明中的所述芯片收容部，例如，有凹 状的凹陷、或者贯通孔等。例如，凹状的所述芯片收容部，可以由压花加 工等形成。或者，例如，贯通所述基底电路片的表背的贯通孔状的所述芯 片收容部，可以由冲压冲裁加工等形成。在所述第一发明中，优选所述芯片保持部件及所述基底电路片由树脂 薄膜制成。在该情况下，可以用所述树脂薄膜形成的所述芯片保持部件及所述基 底电路片形成挠性高的所述电子零件。另外，所述芯片收容部呈凹状的凹陷形状，在该凹状的芯片收容部， 优选通过具有电绝缘性的绝缘性粘合剂收容所述半导体芯片。在该情况下，积极地利用所述内插器的凸状的所述半导体芯片与在所 述基底电路片上的凹状的所述芯片收容部的嵌合结构，可以明显提高所述 内插器与所述基底电路片的接合强度。另外，所述基底电路片具有贯通孔状的所述芯片收容部，同时还隔着 该芯片收容部相对地配置有一对所述基底侧端子，所述各基底侧端子，优 选通过导电性粘合剂接合在所述内插器侧端子上。在该情况下，接合所述基底侧端子与所述内插器侧端子的所述导电性
粘合材料，由贯通孔状的所述芯片收容部，在所述一对基底侧端子的中间 被分断开。因此，即使在利用所述导电性粘合剂，将所述各基底侧端子与 所述内插器侧端子接合的情况下，也可以高可靠性地确保所述一对基底侧 端子间的电绝缘性。另外，所述芯片保持部件相对于所述基底电路片具有凸状或者凹状的 卡合部，所述基底电路片优选具备与所述卡合部嵌合而构成的被卡合部。在此，作为与凸状的所述卡合部对应的所述被卡合部，与所述芯片收 容部同样，可以以凹状的凹陷形成，此外也可以以贯通孔形成。另外，凹 状或者贯通孔状的被卡合部，可以是与所述芯片收容部一体形成，也可以 是独立形成。另一方面，作为凹状的卡合部，可以是有底凹状的，也可以是贯通孔 状的。而且，与凹状的卡合部对应的所述被卡合部，例如，有凸状的突出 形状的被卡合部。如上所述，在所述基底电路片上设置所述被卡合部，并且将在该被卡 合部收容的所述卡合部设置于所述内插器的情况下，通过所述被卡合部与 所述卡合部的组合，可以可靠性更高地实施所述基底电路片与所述内插器 片的定位。例如，在所述内插器侧端子带有极性的情况下，设置所述卡合 部及所述被卡合部的作用效果，特别有效。另外，所述基底电路片具有由导电图案形成的无线通信用天线方向图而成，所述半导体芯片优选是RP—ID用的IC芯片。在该情况下，作为RF—ID标签的所述电子零件，具有电气可靠性高、 耐久性高的优良品质。在所述第二发明中，所述层叠工序是，在所述基底电路片上的至少所 述基底侧端子的表面，涂敷具有电绝缘性的绝缘性粘合剂后，对所述基底 电路片层叠所述内插器的工序，上述接合工序是，利用相互面对的一对冲压模具对所述基底电路片和 所述内插器进行加压的工序，所述基底电路片及所述芯片保持部件之中的至少一方是由可塑性材 料制成的，在所述基底电路片及所述芯片保持部件中，与由所述可塑性材 料制成的一方相邻接的一个所述冲压模具，优选在与所述内插器侧端子或者所述基底侧端子的背面相面对的加压表面上，设有向着另一方的所述冲 压模具突出的凸部。在该情况下，利用在所述加压表面上设有所述凸部的所述冲压模具， 对由所述可塑性材料制成的所述基底电路片或者所述芯片保持部件进行 加压。特别是，所述凸部位于所述内插器侧端子或所述基底侧端子的背面。 因此，可以使所述内插器侧端子及所述基底侧端子的至少任一个向另一方 突出变形。在该突出变形的部分，可以使所述绝缘性粘合剂积极地流出， 可以使所述内插器侧端子与所述基底侧端子直接接触。由此，在所述内插 器侧端子与所述基底侧端子之间，可以使两者直接接触并且确保高可靠性 的电连接。另一方面，在所述内插器侧端子或者所述基底侧端子不产生突出变形 的部分，利用介于两端子间的所述绝缘性粘合剂可以确保高可靠性的物理 连接。另外，所述绝缘性粘合剂是热可塑性粘合剂，设有所述凸部的所述冲 压模具，优选具有用于加热所述加压表面的加热器。在该情况下，通过加热所述绝缘性粘合剂，可以提高其流动性。因此， 可以使所述绝缘性粘合剂更容易从由所述凸部而突出变形的部分流出。并 且，可以可靠性更高地实现所述内插器侧端子与所述基底侧端子的直接接 触。此外，所述绝缘性粘合剂优选为湿气硬化型粘合剂。在该情况下，利用所述湿气硬化型的绝缘性粘合剂，可以进一步提高 所述内插器与所述基底电路片的接合可靠性。另外，在所述接合工序中，优选在所述内插器侧端子与所述基底侧端 子之间作用超声波振动。在该情况下，通过在所述内插器侧端子与所述基底侧端子之间作用超 声波振动，可以提高两者的直接接合强度。因此，进一步提高了所述电子 零件的电气可靠性，可以提高其耐久性。另外，所述基底电路片具有由导电图案形成的天线方向图，所述半导体芯片优选是RF—ID用的IC芯片。在该情况下，可以提高作为RF—ID标签的所述电子零件的可靠性， 并且可以提高其生产效率。 实施例 (实施例1)本例是关于利用内插器构成的RF—ID介质的例子。对于其内容利用 图1 图6进行说明。如图l所示，本例关于电子零件l即RF—ID介质(以下记为RF—ID 介质1)，所述电子零件1将在片状的芯片保持部件13上安装半导体芯片 ll而成的内插器lO，接合在片状的基底电路片20上。所述内插器10，在所述芯片保持部件13的近似平面状的表面上安装 半导体芯片11，并且具有从该半导体芯片11的端子电气延伸设置的导电 图案即内插器侧端子12。所述基底电路片20即天线片(以下记为天线片20)，具有与内插器 侧端子12电连接的基底侧端子22，并且还具备用于收容半导体芯片11 的贯通的芯片收容部210。以下对于其内容详细说明。如上所述，本例的电子零件，如图1所示，为非接触ID用的RF—ID (Radio—Frequency Identification)介质1。该RF—ID介质1是对安装了 作为半导体芯片11的RF—ID用的IC芯片(以下酌情记载为IC芯片11) 的内插器10与作为所述基底电路片的天线片20进行层叠而成的。如图2及图3所示，内插器10在由PSF薄膜形成的片状芯片保持部 件13的表面上安装了所述IC芯片11。芯片保持部件13厚度为100pm， 呈纵向3mm、横向6mm的矩形。另夕卜，IC芯片11的实际安装高度H(图 3) 二100 110iam，大小为纵向400jim、横向400nm。另外，作为芯片保 持部件13的材质，可以釆用PC、 PET、加工纸等来代替本例的PSF。在芯片保持部件13的表面，设有从与IC芯片11的端子抵接的导电 焊盘(图示略)电气延伸设置的内插器侧端子12。在本例中，由导电性墨 形成内插器侧端子12。另外，作为内插器侧端子12的形成方法，可以利 用铜蚀刻、分配、贴附金属箔、金属的直接蒸镀、金属蒸镀膜转印、导电 高分子层形成等方法，代替印刷导电性墨的本例的方法。如图4所示，所述天线片20在片状的基底部件21的表面，印刷了由
导电性墨形成的天线方向图24。本例的基底部件21，材质是由PET构成 的，是厚度为100pm的片状部件。另外，作为构成基底部件21的材料， 除本例的PET以外，也可以用PET—G、 PC、 PP、尼龙、纸等。作为形 成天线方向图24的导电性墨，可以用银、石墨、氯化银、铜、镍等制成 的墨材料。并且，作为天线方向图24的形成方法，可以釆用铜蚀刻箔、 分配、贴附金属箔、金属的直接蒸镀、金属蒸镀膜转印、导电高分子层形 成等方法，来代替印刷导电性墨的本例的方法。作为天线方向图24，如图4所示，形成在1处的切断处断开的呈近似 环状的图案。天线方向图24的形成切断处的端部，构成用于与内插器侧 端子12 (参照图2)电连接的一对基底侧端子22。特别是，本例的天线片 20，在相对配置的一对基底侧端子22之间形成有贯通孔状的芯片收容部 210。芯片收容部210构成为纵向为800pm、横向为800pm，可以收容所 述IC芯片11 (参照图2)。另外，也可以形成凹状的芯片收容部，来替 代本例的贯通的芯片收容部210。并且，在图1 图7中，将IC芯片11 的大小变形进行图示，相对地，将芯片收容部210的外缘与IC芯片11的 间隙，用小于实际的尺寸迸行表示。而且，本例RF —ID介质1，如图1所示，是使所述内插器10与所述 天线片20相面对层叠而成。在RF—ID介质1中，在内插器10上的IC芯 片11安装面与在天线片20上的天线方向图24形成面相面对。而且，内 插器10与天线片20由介于内插器侧端子12与基底侧端子22之间的导电 性粘合剂25粘结在一起。特别是，在本例的RF—ID介质1中，在内插器 10的表面形成凸状的IC芯片11被收容在天线片20的芯片收容部210内。 因此，内插器10与天线片20可以没有缝隙地贴紧。接着，对于该RF—ID介质1的制造方法进行说明。在本例中，如图1所示，在制造RF—ID介质1时，实施如下工序 芯片安装工序，在芯片保持部件13的表面安装IC芯片11而得到内插器 10;收容部形成工序(参照图5)，在天线片20设置用于收容IC芯片11 的芯片收容部210;层叠工序(参照图6)，为了在芯片收容部210收容 IC芯片ll，将天线片20与内插器10层叠；接合工序，将层叠后的天线 片20与内插器10接合。
在所述芯片安装工序中，如图2及图3所示，利用用于安装IC芯片 ll的制造装置(图示略。例如，芯片插装器)，在芯片保持部件13的表 面上的规定位置安装IC芯片11。在该工序中，预先利用形成包含内插器 侧端子12的导电图案的芯片保持部件13。然后，为了实现与所述内插器 侧端子12的电连接，在芯片保持部件13上接合IC芯片11。另一方面，在实施所述收容部形成工序之前，实施在基底部件21的 表面上形成天线方向图24 (参照图4)的图案印刷工序。在本例的图案印 刷工序中，通过印刷导电性墨，形成规定形状的天线方向图24。具体为， 在本例中，在用于冲裁天线片20的连续片201的表面，连续形成多个天 线方向图24。另外，如上所述，该天线方向图24呈在一处断开的近似环 状，并且在该断开处有一对基底侧端子22。然后，在收容部形成工序中，如图5所示，在天线片20上的一对基 底侧端子22的间隙处，形成贯通天线片20的芯片收容部210。在本例中， 使用滚子加工机实施所述收容部形成工序，该滚子加工机具备冲裁滚子 40，所述冲裁滚子40呈近似圆筒形状，并且在其外周面具有冲裁刃410。 在该工序中，利用冲裁滚子40的冲裁刃410，对连续片201的各天线方向 图24分别设置芯片收容部210。接着，如图6所示，实施对天线片20和内插器10进行层叠的所述层 叠工序。在本例中，利用冲裁天线片20前的所述连续片201实施该层叠 工序。在该层叠工序中，首先，在连续片201上的各一对基底侧端子22 的表面上，设置分别涂敷有导电性粘合剂25的粘合剂配设区域251。在本 例中，与基底侧端子22的形成区域大致一致地设置粘合剂配设区域251。 然后，使内插器10与天线片20互相面对，逐渐减小它们的间隙，对两者 进行层叠以使IC芯片11收容在芯片收容部210。然后，在所述接合工序中，将内插器10向着连续片201加压。在本 例中，利用具备没有图示的一对冲压模具的冲压装置，对在一体的冲压模 具的间隙配置的内插器10和连续片201进行加压。此时，如果隔着芯片收容部201而分开的粘合材配设区域251的导电 性粘合剂25互相连通，则将成为电气短路等不良情况的原因。对于这样 的问题，在本例中， 一对粘合剂配设区域251之间的芯片收容部201有效
地发挥作用。根据贯通孔状的本例的芯片收容部210，如图7所示，可以 使多余的导电性粘合剂25有效地流出到外部(用符号255表示的部分。)。 因此，在所述RF—IF介质1中，很少会发生通过导电性粘合剂25而电气 短路等问题。另外，代替本例，在芯片收容部210形成为有底凹状的情况下，在所 述接合工序中只要控制所述导电性粘合剂25的涂布量即可。也就是说， 通过适当控制导电性粘合剂25的涂布量，在所述接合工序中，可以抑制 一对粘合剂配设区域251的导电性粘合剂25的互相连通。 (实施例2)本例是以实施例1的RF—ID介质为基础，变更为凹状的芯片收容部 210，并且使用呈电绝缘性的绝缘性粘合剂26作为粘合剂的例子。在本例的层叠工序中，利用绝缘性粘合剂26 (图10)来代替实施例1 的导电性粘合剂。而且，在天线片20的表面内，与内插器10的层叠区域 大致一致地设置粘合剂配设区域261 (图9)。另外，作为芯片收容部210， 形成为有底的凹状物。并且，在本例的接合工序中，利用在加压面上设置 有凸部311的冲压模具31 (图12)，通过使天线片20突出变形，确保内 插器10与天线片20的电连接状态(图12 图14)。关于该内容，利用 图8 图14说明。在本例的收容部形成工序中，如图8所示，在从材质由PET形成的厚 度为100pm的连续片201上冲裁天线片20的同时，通过压花加工形成凹 状的芯片收容部210。具体是，利用汤姆森模具(图示略)实施所述加工， 所述汤姆森模具具有与天线片20的外周形状大致一致的汤姆森刃形状， 并且在汤姆森刃的内周侧设有压花加工用的凸状的突出加工部。另外，在 本例中，相对于实际安装高度100 110pm的IC芯片11，使芯片收容部 210的深度D (参考图10)为130pm，并且相对于IC芯片11的纵横尺寸 即400)amX400)im，使芯片收容部210的纵横尺寸为800pmX 800pm。另 外，在图10 图13中，变形图示了 IC芯片11的大小，相对地，图示的 芯片收容部210的外缘和IC芯片11的间隙比实际尺寸小。另外，在此，作为连续片210的材质选择热可塑性材料，并且在所述 汤姆森模具设置加热器也是有效的。在该情况下，用加热过的汤姆森模具， 可以对由热可塑性材料形成的连续片201实施高形状精度的压花加工。然后，在层叠工序中，如图9及图IO所示，首先，在冲裁后的天线 片20的表面设置与内插器10的外形状大致一致形状的粘合剂配设区域 261。然后，如图11所示，与实施例l大致相同地，为了将IC芯片11收 容在芯片收容部210内，对内插器10与天线片20进行层叠。另外，在本例中，作为该绝缘性粘合剂26，使用具有热可塑性并且湿 气硬化型的热熔粘合剂(3M公司制的型号TE—031)。另外，作为绝缘 性粘合剂26，除上述以外，也可以利用环氧系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、 弹性粘合剂、氨基甲酸乙酯系粘合剂等。并且另外，代替湿气硬化型的绝 缘性粘合剂，也可以利用热硬化型、紫外线硬化型、电子线硬化型等反应 型的绝缘性粘合剂。然后，在接合工序中，如图12所示，对在互相相面对的一对冲压模 具30的间隙配置的天线片20和内插器10，在其层叠方向进行加压。另一 方面，如图12 图14所示，与天线片12抵接的模具31，对应于各基底 侧端子22的形成位置分别具有棱状的三根凸部311。在本例中，为了在基 底侧端子22可以形成突出高度HS二约50pm的突出变形部22A，而将凸 部311的突出高度HD设为300pm (参照图13)。另外，在图12中，为 了表示方便，而图示出使内插器10和天线片20分离。而且，模具31具 有对应于芯片收容部210凸状鼓起的凹状的引导部310。另一方面，内插 器10侧的冲压模具32 (以下记为冲压砧32)的加工表面大致为平坦面。另外，作为在模具31的加压表面设置凸部311的形状，可以代替本 例的棱状，而可以形成散点状、十字状、梳齿形状等各种形状的凸部。另 外，在本例中，虽然在模具31上设有凸部311，但是代替它也可以在冲压 砧32的加压表面设置凸部。并且，也可以在模具31及冲压砧32的两方 设置凸部。本例的模具31具有用于加热其加压表面的没有图示的加热器。根据 该加热器，可以容易地实现由热可塑性材料制成的基底部件21的突出变 形。并且，若对绝缘性粘合剂26迸行加热，就可以提高其流动性。而且，在本例的接合工序中，如图13及图14所示，通过使用将加压 面的表面温度加热到20(TC的模具31，在与冲压砧32之间作用大约 13.5MPa的加压力的状态下，大约维持0.1秒，由此对天线片20与内插器 IO进行加压。根据该接合工序，通过模具31的凸部3U的作用，可以使在天线片 20上的各基底侧端子22的一部分突出变形。也就是说，对应于在模具31 的加压表面上棱状地并列设置的凸部311，在各基底侧端子22可以形成棱 状的突出变形部22A (图14)。而且，天线片20与内插器10经由该棱状 的突出变形部22A直接接触，在该突出变形部22A以外的非突出变形部 22B，在两者间形成间隙。其结果是在该突出变形部22A和内插器侧端子12之间，绝缘性粘合 剂26流出，突出变形部22A被热压接于内插器侧端子12。而且由此，可 以实现高可靠性的内插器侧端子12与基底侧端子22的电连接。另一方面， 在非突出变形部22B与内插器侧端子12的间隙，绝缘性粘合剂26没有完 全流出，适量的绝缘性粘合剂26就这样残留。因此，通过在该间隙中残 留的绝缘性粘合剂26，可以实现高可靠性的内插器侧端子12与基底侧端 子22之间的粘接接合，即实现高可靠性的物理连接。并且，在本例中，如上所述，在层叠工序中的粘合剂配设区域261， 与配置内插器10的区域大致一致。因此，内插器10在与天线片20面对 的表面的整个面，经由绝缘性粘合剂26与天线片20相对面。因此，内插 器10在该表面的整个面上牢固地粘接在天线片20上。并且，如果使内插 器10与天线片20抵接后加压，则剩余的绝缘性粘合剂26绕内插器10的 外周侧面附着。其结果是不仅是内插器10的表面，内插器10的外周侧面 也作为接合面而起作用，内插器10非常牢固地粘接在天线片20上。本例使用的绝缘性粘合剂26是湿气硬化型的反应型粘合剂。因此， 在实施了所述接合工序后，在制造的RF—ID介质1的保管中，可以使内 插器10的接合状态进一步接近于完全状态。另外，所述接合工序，使用装备了超声波加振单元的冲压装置也很有 效果。若利用这样的冲压装置，在内插器侧端子12与基底侧端子22直接 接触的地方，利用超声波接合使两者熔融接合，可以进一步提高电连接的 可靠性。如果组合热压接和基于超声波接合的熔融接合来对内插器侧端子 12和基底侧端子22进行接合，则在长期的RF—ID介质1的使用期中，
可以高稳定性地维持优越的电连接状态。并且，在本例中，包含芯片收容部210而涂敷了绝缘性粘合剂26。因 此，在芯片收容部210，通过绝缘性粘合剂26可以非常牢固地保持IC芯 片ll。也就是说，在本例的RF—ID介质1中，相对于凹状的芯片收容部 210，可以实现凸状的IC芯片11楔状嵌入的牢固的接合构造。因此，本 例的RF—ID介质1有高度的接合可靠性、高度耐久性的优良品质。另外，关于其他的构成及作用效果，与实施例1同样。 (实施例3)本例以实施例1的RF—ID介质为基础，提高了内插器10与天线片 20的定位可靠性。关于该内容，用图15及图16进行说明。本例的内插器IO，如图15所示，与IC芯片ll邻接有凸状的卡合部 115。另一方面，本例的天线片20与芯片收容部210邻接而具有贯通孔状 的被卡合部215。而且，在对内插器10与天线片20进行层叠时，卡合部 115与被卡合部215互相嵌合。另外，在同图中，图示表示的是改变后的 IC芯片11的大小，相对地，图示表示的芯片收容部210的外缘与IC芯片 11的间隙的尺寸比实际的尺寸小。在此，本例的内插器10构成为，如果相对于天线片20的安装方向不 适当，则卡合部115与被卡合部215不能嵌合。因此，根据设有卡合部115 的内插器10与设有被卡合部215的天线片20的组合，不存在内插器10 的极性弄错而接合的顾虑。作为所述被卡合部215，可以是有底凹状，也可以是贯通孔状。另外， 在本例中，虽然在内插器10侧设置凸形状，但取而代之也可以在天线片 20侧设置凸形状的被卡合部，并且在内插器10侧设置凹陷形状的卡合部。 并且，如图16所示，也可以将被卡合部与芯片收容部210—体设置。也 就是说，以连结一对基底侧端子22的中心线CL为基准形成非对称形状的 芯片收容部210，对应于该非对称形状，将IC芯片11与卡合部115 (参 照图15)形成的凸区域形状形成为非对称形状，也可以得到本例的作用效 果。另外，关于其他的构成及作用效果，与实施例1同样。
权利要求
1.一种电子零件，在片状的基底电路片上接合有内插器，所述内插器在片状的芯片保持部件上安装有半导体芯片，所述电子零件的特征在于，所述内插器，在所述芯片保持部件的近似平面状的表面上安装所述半导体芯片而成，并且具有从该半导体芯片的端子电气延伸设置的导电图案即内插器侧端子，所述基底电路片，具有与所述内插器侧端子电连接的基底侧端子，并且具有用于收容所述半导体芯片的芯片收容部。
2. 如权利要求l所述的电子零件，其特征在于， 所述芯片保持部件及所述基底电路片由树脂薄膜制成。
3. 如权利要求2所述的电子零件，其特征在于， 所述芯片收容部呈凹状的凹陷形状，在该凹状的芯片收容部，通过具有电绝缘性的绝缘性粘合剂收容所述半导体芯片。
4. 如权利要求2所述的电子零件，其特征在于， 所述基底电路片具有贯通孔状的所述芯片收容部，并且隔着该芯片收容部相对配置有一对所述基底侧端子，所述各基底侧端子通过导电性粘合 剂与所述内插器侧端子接合。
5. 如权利要求3所述的电子零件，其特征在于， 所述芯片保持部件相对于所述基底电路片具有凸状或者凹状的卡合部，所述基底电路片具备与所述卡合部嵌合而构成的被卡合部。
6. 如权利要求4所述的电子零件，其特征在于， 所述芯片保持部件相对于所述基底电路片具有凸状或者凹状的卡合部，所述基底电路片具备与所述卡合部嵌合而构成的被卡合部。
7. 如权利要求1 6中的任意一项所述的电子零件，其特征在于，所 述基底电路片具有由导电图案形成的无线通信用的天线方向图，所述半导 体芯片是RF—ID用的IC芯片。
8. —种电子零件的制造方法，所述电子零件是如下形成的在片状的芯片保持部件的表面上安装所述半导体芯片，构成内插器，并且所述内插 器设有从该半导体芯片的端子电延伸设置的导电图案即内插器侧端子，将 所述内插器接合在设有与所述内插器侧端子电连接的基底侧端子的片状 基底电路片上而成，所述电子零件的制造方法的特征在于，实施安装工序，在所述芯片保持部件的表面安装所述半导体芯片； 收容部形成工序，将用于收容所述半导体芯片的芯片收容部设置在所 述基底电路片上；层叠工序，对所述基底电路片与所述内插器进行层叠，将所述半导体 芯片收容于所述芯片收容部；以及接合工序，将层叠了的所述基底电路片与所述内插器接合。
9. 如权利要求8所述的电子零件的制造方法，其特征在于， 所述层叠工序是，在所述基底电路片上的至少所述基底侧端子的表面上，涂敷了具有电绝缘性的绝缘性粘合剂后，对所述基底电路片层叠所述 内插器的工序，所述接合工序是，利用互相面对的一对冲压模具对所述基底电路片和 所述内插器进行加压的工序，所述基底电路片及所述芯片保持部件中的至少一方由可塑性材料制 成，在所述基底电路片及所述芯片保持部件中，与由所述可塑性材料制成 的一方邻接的一个所述冲压模具，在与所述内插器侧端子或者所述基底侧 端子的背面相面对的加压表面，设有朝向另一方所述冲压模具突出的凸 部。
10. 如权利要求9所述的电子零件的制造方法，其特征在于， 所述绝缘性粘合剂是热可塑性粘合剂，设有所述凸部的所述冲压模具，具备用于加热所述加压表面的加热器。
11. 如权利要求9所述的电子零件的制造方法，其特征在于， 所述绝缘性粘合剂是湿气硬化型粘合剂。
12. 如权利要求9所述的内插器的接合方法，其特征在于， 在所述接合工序中，在所述内插器侧端子和所述基底侧端子之间，作 用超声波振动。
13.如权利要求8 12中的任意一项所述的电子零件的制造方法，其 特征在于，所述基底电路片具有由导电图案形成的天线方向图，所述半导体芯片 是RF—ID用的IC芯片。
全文摘要
涉及一种将在片状的芯片保持部件(13)上安装了半导体芯片(11)的内插器(10)接合在片状的基底电路片(20)上的RF-ID介质(1)。内插器(10)在芯片保持部件(13)的近似平面状的表面上安装IC芯片(11)而成，同时具有从IC芯片(11)的端子电延伸设置的内插器侧端子(12)。基底电路片(20)具有与内插器侧端子(12)电连接的基底侧端子(22)，并且具备用于收容内插器(10)的半导体芯片(11)的贯通的芯片收容部(210)。
文档编号G06K19/077GK101160597SQ20068001287
公开日2008年4月9日 申请日期2006年4月17日 优先权日2005年4月18日
发明者青山博司 申请人:哈里斯股份有限公司