触控面板传感器的制造方法及触控面板传感器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种无需降低性能而能够使触控面板的外观良好的触控面板传感器及其制造方法。与第2区域（20B）对应的部分通过注入氧离子而成为过氧化状态且成为不具有导电性的绝缘部（12B）。另一方面，在第1区域（20A）残留有抗蚀剂层（20），因此成为透明导电膜（12）由抗蚀剂层（20）覆盖的状态。由此，在该部分中，作为导电部（12A）通过与抗蚀剂层（20）的第1区域（20A）对应的图案进行图案形成。由此，对透明导电膜（12）进行电性图案形成。另一方面，导电部（12A）及绝缘部（12B）用光学上相同的材料以相同的膜厚形成，因此成为无法目视导电部（12A）的图案形状的状态。即，能够设为在光学上还未进行图案形成的状态。
【专利说明】触控面板传感器的制造方法及触控面板传感器
【技术领域】
[0001]本申请主张基于2012年11月15日申请的日本专利申请第2012-251285的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
[0002]本发明涉及一种触控面板传感器的制造方法及触控面板传感器。
【背景技术】
[0003]作为触控面板传感器已知有在基板上形成预定图案的透明导电膜的方法。例如，专利文献I所示的触控面板的制造方法中，通过进行在抗蚀剂层上曝光预定图案的光刻蚀工序之后对透明导电膜进行蚀刻来形成图案。
[0004]专利文献1:日本特开2012-164079号公报
[0005]然而，在通过专利文献I的制造方法而制造的触控面板传感器中，由于存在形成有透明导电膜的图案的部分与未形成透明导电膜的图案的部分，从而存在用作触控面板时看得到透明导电膜的图案的问题。为使不易看得到图案而将透明导电膜变薄时薄膜方阻值上升，因而存在操作触控面板时的噪声较大且容易导致故障等问题。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种无需降低性能而能够使触控面板的外观良好的触控面板传感器及其制造方法。
[0007]本发明所涉及的触控面板传感器的制造方法，所述触控面板传感器具备基板及形成于基板上的透明导电膜，该方法具备:准备工序，准备将透明导电膜形成于表面的基板；设置工序，将具有形成有覆盖透明导电膜的第I区域及使透明导电膜露出的第2区域的图案的图案形成部件设置在透明导电膜上；图案形成工序，通过向与第2区域对应的部分的透明导电膜注入氧、氧离子、氮、氮离子、氮氧化物、及氮氧化物离子中的至少任一个照射物来形成绝缘部，将由第I区域覆盖的部分的透明导电膜作为导电部进行图案形成；及去除工序，从透明导电膜上去除图案形成部件。
[0008]根据本发明所涉及的触控面板的制造方法，与图案形成部件的第2区域对应的部分成为露出透明导电膜的状态。由此，该部分通过注入氧或氧离子来成为过氧化状态从而成为不具有导电性的绝缘部。并且，通过注入氮、氮离子、氮氧化物、或氮氧化物离子而在该部分形成具有绝缘性的氮化合物，因此成为不具有导电性的绝缘部。另一方面，与图案形成部件的第I区域对应的部分中成为透明导电膜由抗蚀剂层覆盖的状态。由此，该部分无需注入氧、氧离子、氮、氮离子、氮氧化物、及氮氧化物离子而作为具有导电性的导电部用与图案形成部件的第I区域对应的图案进行图案形成。由此，对透明导电膜进行电性图案形成。另一方面，导电部及绝缘部用相同的材料以相同的膜厚形成，因此成为无法目视导电部的图案形状的状态。即，能够设为在光学上还未进行图案形成的状态。不使透明导电膜的膜厚变薄也能够看得到图案，因此能够维持作为触控面板传感器的性能。如上所述，无需降低性能就能够使触控面板的外观良好。[0009]本发明所涉及的触控面板传感器的制造方法中，在透明导电膜上形成抗蚀剂层且残留与第I区域对应的部分的抗蚀剂层，并且从透明导电膜上去除与第2区域对应的部分的抗蚀剂层，从而可在透明导电膜上设置图案形成部件。根据以上方法，能够按每一个触控面板传感器设置图案形成部件，因此能够高精度地形成导电部及绝缘部。
[0010]在本发明所涉及的触控面板传感器的制造方法中，准备预先形成有第I区域及第2区域的图案形成部件，并且配置在透明导电膜上，从而也可在透明导电膜上设置图案形成部件。根据以上方法，能够多次循环使用图案形成部件，因此能够抑制成本。
[0011]本发明所涉及的触控面板传感器的制造方法中，可还具备如下蚀刻工序，即将能量低于在图案形成工序中被注入的照射物的能量的照射物照射于绝缘部，且对绝缘部的表面进行蚀刻。根据以上方法，能够通过将该绝缘部变薄来使导电部与绝缘部之间的光学条件更加相近。
[0012]本发明所涉及的触控面板传感器具备基板及形成于基板上的透明导电膜，透明导电膜具有具备预定图案的导电部、和氧量、氮量、及氮氧化物量中的至少任一个比该导电部多的绝缘部。
[0013]根据本发明所涉及的触控面板传感器，能够得到与上述触控面板传感器的制造方法相同的效果。
[0014]发明效果
[0015]根据本发明，无需降低性能而能够使外观良好。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是表示用于制造本发明的触控面板传感器的制造装置的一实施方式的块结构图。
[0017]图2是表示本发明的实施方式所涉及的触控面板传感器的结构的图。
[0018]图3是表示本发明的实施方式所涉及的触控面板传感器的结构的图。
[0019]图4是表示本发明的实施方式所涉及的触控面板传感器的制造方法的内容的流程图。
[0020]图5是用于说明图4所不的各工序的内容的不意图。
[0021]图6是用于说明图4所示的各工序的内容的示意图。
[0022]图7 (a)是表示本发明的实施方式所涉及的触控面板传感器的结构的图，图7 (b)是表示比较例所涉及的触控面板传感器的结构的图。
[0023]图8是表示变形例所涉及的触控面板传感器的结构及制造方法的示意图。
[0024]图9是表示氧离子注入量与薄膜方阻之间的关系的曲线图。
[0025]图10是表示氧离子注入量与反射率平行偏差之间的关系的曲线图。
[0026]图11是表示对于绝缘部及导电部的反射率与波长之间的关系的曲线图。
[0027]图中:10_触控面板传感器，11-基板，12-透明导电膜，12A-导电部，12B-绝缘部，20-抗蚀剂层，20A-第I区域，20B-第2区域，100-制造装置，101-成膜部，102-图案形成部件准备工序执行部，103-氧注入部。
【具体实施方式】[0028]以下，参考附图对本发明的触控面板传感器的制造方法及触控面板传感器的一实施方式进行详细说明。另外，图示说明中对相同要件附上相同元件符号而省略重复说明。
[0029]图1是表示用于制造本发明的触控面板传感器10的制造装置100的一实施方式的块结构图。图2及图3是表示本实施方式所涉及的触控面板传感器10的结构的图。
[0030](触控面板传感器)
[0031]首先，参考图2及图3对触控面板传感器10进行说明。触控面板传感器10检测外部导体(例如，人的手指)对触控面板传感器10的接触位置或接近位置，根据检测向外部发送信号。触控面板传感器10具备基板11及透明导电膜(TCO:Transparent ConductiveOxide) 12。其中，透明导电膜12具有导电部12A及绝缘部12B。如图2所示，根据透明导电膜12的导电部12A的图案形成，多个第I检测部13及第2检测部15以成为预定图案的方式设置在基板11上，且分别电连接于检测部13、15的第I取出部14及第2取出部16以成为预定图案的方式被设置(其中，取出部14、16仅由金属材料构成时，无法进行与该取出部14、16对应的导电部12A的图案形成)。由此，触控面板传感器10具备多个第I检测部13和第2检测部15、及第I取出部14和第2取出部16。其中，第I检测部13及第I取出部14设置在基板11的其中一面Ila上，第2检测部15及第2取出部16设置在基板11的另一面Ilb上。并且，用于向外部取出来自第I检测部13及第2检测部15的信号的第I端子部17及第2端子部18分别连接于第I取出部14及第2取出部16。另外，图2 (a)中，设置在基板11的另一面Ilb侧的构成要件以虚线表示。
[0032]检测部13、15检测外部导体的接触位置或接近位置。其中，第I检测部13检测第I方向(图2 (a)的上下方向)的外部导体的接触位置或接近位置。如图2 (a)所示，第I检测部13具有:具备大体上呈正方形形状的多个第I电极单位13a ;及在与第I方向正交的第2方向(图2 Ca)中的左右方向)上将相邻的第I电极单位13a彼此连接的第I连接部13b。并且，第2检测部15检测第2方向上的外部导体的接触位置或接近位置。如图2
(a)所示，第2检测部15具有具备大体上呈正方形的多个第2电极单位15a、及在第I方向上将相邻的第2电极单位15a彼此连接的第2连接部15b。
[0033]并且，取出部14、16及端子部17、18构成用于将电信号向外部发送的路径，该电信号来自检测外部导体的接触位置或接近位置的检测部13、15。
[0034]透明导电膜12形成为覆盖基板11的大致整个区域。透明导电膜12具有以成为预定图案的方式形成的导电部12A、及氧量比该导电部12A多的绝缘部12B。透明导电膜12对与导电部12A对应的位置以与导电部12A的形状/位置相同地被图案形成的抗蚀剂层覆盖的状态注入氧，从而在还没有由该抗蚀剂层覆盖的部分形成绝缘部12B。通过向透明导电膜12注入氧且减少透明导电膜12中的氧空位而降低载流子密度来形成绝缘部12B。另夕卜，这里被称作“氧”的单词包含氧离子、氧自由基、及氧原子。
[0035]触控面板传感器10与液晶显示装置等显示装置(未图示)配合使用，从而构成触控面板。通常显示装置划分为显示有影像的显示区域、及位于显示区域外侧的非显示区域。并且，通常触控面板传感器10与显示装置配合使用时，配合成触控面板传感器10的检测部13,15与显示装置的显示区域对应。因此，检测部13、15由在透明导电膜12中具有导电性及透明性的导电部12A构成。并且，本实施方式中，显示区域内的检测部13、15以外的部分由在透明导电膜12中具有透明性而不具有导电性的绝缘部12B构成。[0036]如图3所示，检测部13的图案由导电部12A构成(图3中与透明导电膜12中未赋有圆点图样的部分对应)，且除导电部12A之外的该导电部12A的周边部分由绝缘部12B构成(图3中与透明导电膜12中赋有圆点图样的部分对应)。作为透明导电膜12的材料，例如使用铟锡氧化物(ΙΤ0)、氧化锌、氧化铟、铺掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、招掺杂氧化锌、钾掺杂氧化锌、硅掺杂氧化锌、和氧化锌-氧化锡类、氧化铟-氧化锡类、氧化锌-氧化铟-氧化镁类等金属氧化物。也可以复合2种以上这些金属氧化物。并且，透明导电膜12的厚度并不限定于该数值，例如可设定为5?35nm左右。另外，作为构成基板11的材料，使用透光性、稳定性和耐久性等优异的材料，例如可使用PET和玻璃、PEN和PMMA等树脂、及其他透明晶体材料等。
[0037]如图2所示，取出部14、16及端子部17、18也以与检测部13、15相同的处理进行图案形成，且构成为取出部14、16及端子部17、18包括透明导电膜12的导电部12A，除该取出部14、16及端子部17、18之外的周边部分也可由绝缘部12B构成。但是，取出部14、16及端子部17、18通常设置在与显示装置的非显示区域对应的位置。因此，取出部14、16及端子部17、18无需具有透明性。由此，也可构成为取出部14、16及端子部17、18包含具有比透明导电膜12的导电部12A高的导电率的金属材料。例如，如图2 (b)所示，第I取出部14也可构成为包含通过将导电部12A图案形成为第I取出部14的形状而形成的取出图案部14a、及形成于导电部12A的取出图案部14a上的金属膜14b。作为以上金属材料,例如可使用铝(Al)、钥、钯、银(Ag)、铬、铜等金属及以这些为主成分的合金、或包含这些合金的层叠体。其中作为包含银的合金的例子，能够举出包含银、钯、铜而成的APC合金。取出部14、16及端子部17、18可包括基于导电部12A的图案部及金属膜，可仅包括导电部12A的图案部，也可仅包括金属膜。取出部14、16及端子部17、18仅由金属膜构成时，在绝缘部12B上形成金属膜。该金属膜与检测部13、15的导电部12A电连接。另外，也可不在与显示装置的非显示区域对应的位置上形成透明导电膜12。
[0038](触控面板传感器的制造装置)
[0039]如图1所示，用于制造触控面板10的制造装置100具备:成膜部101，用于在基板11上形成透明导电膜12 ;图案形成部件准备工序执行部102，用于通过光刻蚀工序在透明导电膜12上对导电部12A进行图案形成；及氧注入部103，在透明导电膜12上注入氧而形成绝缘部12B。
[0040]成膜部101包括对基板11形成透明导电膜12的成膜装置。对成膜部101中采用的成膜方法并没有特别限定，可采用各种成膜方法。例如，可采用对包括成膜材料的靶施加电压来在基板11上成膜透明导电膜12的DC溅射法、RF溅射法、AC溅射法等。或者，可采用利用电浆使成膜材料离子化而使其附着于基板11上来进行透明导电膜12的成膜的离子镀法。或者，可采用真空蒸镀法、印刷法、旋涂法、其他涂层方法(涂布法)等。另外，也可以在制造装置100的外部使用预先形成有透明导电膜12的基板11，此时，也可以在制造装置100中省略成膜部101。
[0041]图案形成部件准备工序执行部102为了执行准备图案形成部件的工序，包括在各工序中使用的装置的组合。图案形成部件在氧注入部103对透明导电膜12注入氧时设置在该透明导电膜12上。图案形成部件具有形成有覆盖透明导电膜12的第I区域、及露出透明导电膜12的第2区域(贯穿孔)的图案。图案形成部件可包括通过光刻蚀工序被图案形成的光致抗蚀剂，也可包括掩模法(将预先形成有第I区域及第2区域的掩膜配置在透明导电膜12上的方法)中使用的掩膜。通过光刻蚀工序形成图案形成部件时，图案形成部件准备工序执行部102为了执行该光刻蚀工序，包括在各工序中使用的装置的组合。图案形成部件准备工序执行部102包括涂布光致抗蚀剂的装置、在光致抗蚀剂上曝光图案的装置、显影光致抗蚀剂的装置、在注入氧离子后剥离光致抗蚀剂的装置等。采用掩模法时，图案形成部件准备工序执行部102包括制作图案形成部件的装置(或者，可使用在制造装置100的外部制作的装置)、在透明导电膜12上配置并回收图案形成部件的装置等。
[0042]氧注入部103包括对基板11上的透明导电膜12注入氧的装置。本实施方式中，氧注入部103包括注入氧离子的装置。氧注入部103中采用的方法并没有特别限定，可采用各种方法。例如，可适用在对离子束进行基于静电电场的偏转扫描及基于静电电场的平行化之后，在基板11上进行离子注入的离子注入装置。或者，可适用利用高频放电对氧进行离子化并在基板11上进行掺杂的等离子体掺杂装置。或者，也可以采用线性离子源。或者，可采用利用中和剂将氧离子作为已中和的氧自由基进行注入的方法。
[0043](触控面板传感器的制造方法)
[0044]接着，参考图4?图6，对触控面板传感器10的制造方法进行说明。图4是表示本实施方式所涉及的触控面板传感器10的制造方法的内容的流程图。图5及图6是用于说明图4所示的各工序内容的示意图。如图4所示，首先，从准备基板11的工序开始进行处理(步骤SlO:准备工序)。如图5 (a)所示，SlO工序中，准备有设定为预定大小的基板11，并向成膜部101输送。接着，执行在基板11上形成透明导电膜12的工序(步骤S12:准备工序)。如图5 (b)所示，在基板11的其中一面Ila上成膜透明导电膜12。S12的处理通过成膜部101执行。随着SlO及S12(的)结束，准备在表面上形成有透明导电膜12的基板11的工序结束。另外，也可以在制造装置100的外部准备预先在表面上形成有透明导电膜12的基板11。
[0045]接着，执行通过在透明导电膜12上涂布抗蚀剂材料而形成抗蚀剂层20的工序(步骤S14:设置工序)。作为抗蚀剂材料，可适用例如酚醛型苯酚树脂和环氧树脂等。如图5(c)所示，S14中，在透明导电膜12的整个面上形成有抗蚀剂层20。抗蚀剂层20划分为显影时残留于透明导电膜12上的第I区域20A和显影时被除去而成为贯穿孔的第2区域20B。第I区域20A具有与导电部12A对应的预定图案，通过在注入氧离子时覆盖透明导电膜12，将该被覆盖的部分作为导电部12A来进行图案形成。第2区域20B形成在与绝缘部12B对应的位置上，通过露出透明导电膜12，以使氧离子注入到该露出部分，而形成绝缘部12B。
[0046]接着，执行在抗蚀剂层20上曝光图案并进行显影的工序(步骤S16:设置工序)。首先，在抗蚀剂层20的上方配置未图示的光掩模。该光掩模上形成有导电部12A的图案。经由该光掩模在抗蚀剂层20上照射光而曝光图案。之后，如图6 (a)所示，通过进行显影，抗蚀剂层20中的与导电部12A对应的第I区域20A残留在透明导电膜12上，而与绝缘部12B对应的第2区域20B被除去。另外，S14?S16工序由图案形成部件准备工序执行部102执行。
[0047]接着，执行经由抗蚀剂层20对透明导电膜12注入氧离子的工序(步骤S18:图案形成工序)。如图6 (b)所示，在透明导电膜12中，在未被抗蚀剂层20覆盖的部分(与第2区域20B对应的部分)照射氧离子F而注入氧离子。该部分所涉及的透明导电膜12过度氧化而成为绝缘部12B。另一方面，在透明导电膜12中，在被抗蚀剂层20覆盖的部分(与第I区域20A对应的部分)未被照射氧离子F因而未被注入氧离子，作为导电部12A进行图案形成。S18工序由氧注入部103执行。接着，执行去除抗蚀剂层20的工序(步骤S20:去除工序)。如图6 (c)所示，与残留有抗蚀剂层20的第I区域20A相应的部分也从透明导电膜12上去除。S20的处理由图案形成部件准备工序执行部102执行。由此，透明导电膜12的电性图案形成结束，如图4所示的工序结束。
[0048]另外，采用掩模法来代替如上述的光刻蚀工序时，执行准备预先形成有第I区域20A及第2区域20B的图案形成部件的工序、及在透明导电膜12上配置图案形成部件的工序来代替S14及S16工序。并且，执行从透明导电膜12上回收图案形成部件的工序来代替S20工序。并且，注入氧(已中和的氧自由基)来代替如上述的注入氧离子的工序时，在透明导电膜12中，在未被抗蚀剂层20覆盖的部分(与第2区域20B对应的部分)被照射氧自由基而被注入氧(已中和的氧自由基)。
[0049]根据通过执行如图4所示的光刻蚀工序来在透明导电膜12上设置图案形成部件的方法，能够对每一触控面板传感器设置图案形成部件，因此能够高精度地形成导电部12A及绝缘部12B。另一方面，根据采用掩模法的方法，能够多次循环使用图案形成部件，因此能够抑制成本。
[0050]接着，对本发明所涉及的触控面板传感器10及其制造方法的作用、效果进行说明。
[0051]首先，对比较例所涉及的触控面板传感器50的结构进行说明。如图7 (b)所示，触控面板传感器50中，仅在与检测部13等相应的部分图案形成透明导电膜12 (以灰度涂布的部分形成有透明导电膜12)。另一方面，对于其他部分，成为基板11的其中一面I Ia露出的状态。形成有透明导电膜12的部分与未形成透明导电膜12的部分光学特性不同，因此能够目视透明导电膜12的图案。即，相对于基板11，不限于只进行电性图案形成，也可进行光学图案形成。由此，存在将触控面板传感器50与触控面板配合使用时导致看得到透明导电膜12的图案的问题。其中，为使不轻易看得到图案而使透明导电膜12变薄时薄膜方阻值上升，从而存在操作触控面板时的噪声较大且容易导致故障这种问题。
[0052]另一方面，根据本实施方式所涉及的触控面板传感器10的制造方法，由于在与第2区域20B对应的部分抗蚀剂层20被除去，因此成为透明导电膜12露出的状态。由此，该部分通过被注入氧离子而氧空位减少且载流子密度减小，成为不具有导电性的绝缘部12B。另一方面，由于第I区域20A中残留有抗蚀剂层20，因此成为透明导电膜12被抗蚀剂层20覆盖的状态。由此，该部分不被注入氧离子而作为保持具有导电性的导电部12A，用与抗蚀剂层20的第I区域20A对应的图案进行图案形成。由此，对透明导电膜12进行电性图案形成。另一方面，导电部12A及绝缘部12B用光学上相同的材料以相同的膜厚形成，因此成为无法目视导电部12A的图案形状的状态。即，能够设为光学上未进行图案形成的状态。另夕卜，绝缘部12B有时通过照射氧离子来使膜的表面少许被蚀刻且膜厚与导电部12A相比稍微变薄。但是，若为因导电部12A的膜厚与绝缘部12B的膜厚之差产生的光学特性之差较少(无法目视透明导电膜12的图案)的状态，则导电部12A的膜厚与绝缘部12B的膜厚无需完全一致。即，所谓“相同的膜厚”不限于膜厚完全一致的情况，还包括膜厚稍微不同的情况。[0053]如图7 (a)所示，触控面板传感器10的检测部13等包括在绝缘部12B中以成为预定图案的方式形成的导电部12A，因此能够发挥与图7 (b)的比较例所涉及的触控面板传感器50的检测部13相同的功能。另一方面，如图7 (a)中以灰度所示，基板11整体被由光学上相同的材料/膜厚形成的透明导电膜12覆盖。由此，从外观来看，无法目视导电部12A与绝缘部12B的边界。
[0054]由此，即使不使透明导电膜12的膜厚变薄也能够看不到图案，因此能够维持作为触控面板传感器10的性能。如上所述，无需降低性能而能够使触控面板的外观良好。另外，由于在基板11上形成一定厚度的透明导电膜12，因此能够设为物理方面在表面没有凹凸的结构。如上，不仅有外观上的优点，也有与物理形状相关的优点。并且，以往对透明导电膜进行较大刻蚀时，有时会导致透明导电膜变薄，导致在触控面板基板上发生起伏(翘曲)。相反，若使用如上述的本实施方式所涉及的方法，则不会对透明导电膜进行较大蚀刻而能够对电极进行图案形成，因此透明导电膜不变薄而能够抑制起伏(翘曲)。
[0055]本发明并不限于上述实施方式。例如，上述实施方式中示出的导电部12A的图案只是一个例子，也可以采用各种图案。并且，上述实施方式中示出的制造装置和制造方法也只是一个例子，只要能够形成具有导电部12A及绝缘部12B的透明导电膜12，就可以采用各种制造装置和制造方法。
[0056]上述实施方式中，通过对透明导电膜注入氧离子而形成了绝缘部，但并不限定于此。即，可通过将氧、氧离子、氮、氮离子、氮氧化物及氮氧化物离子中的至少任一个照射物注入到透明导电膜来形成绝缘部。例如，也可注入N20+、N2O' 03+、O3' 02+、O2' O+、O' N+、N'N2+、N/等。绝缘部的氧量、氮量及氮氧化物量中的至少任一个变得比导电部多。氧被注入到透明导电膜时，被注入氧的部分成为过氧化状态，从而成为不具有导电性的绝缘部。并且，注入氮、氮离子、氮氧化物或氮氧化物离子时，在被注入这些的部分生成具有绝缘性的氮化合物，因此成为不具有导电性的绝缘部。另外，与被注入氮、氮离子、氮氧化物或氮氧化物离子时相比，被注入氧或氧离子时注入部分的光的折射率更接近于导电部，因此能够使导电部与绝缘部的界限难以目视观察。
[0057]并且，注入氮、氮离子、氮氧化物或氮氧化物离子来代替注入氧或氧离子时，如图1所示的氧注入部103成为氮注入部，图4所示的注入氧离子的工序(步骤S18)成为注入氮的工序。
[0058]并且，如图8 (a)所示，可使与第2区域20B对应的部分中的透明导电膜12 (即绝缘部12B)比与第I区域20A对应的部分中的透明导电膜12 (即导电部12A)更薄。与第2区域20B对应的部分中的透明导电膜12在被注入离子等时折射率稍微变高，因此存在反射率稍微变高的情况。因此，通过使该部分变薄，能够使导电部12A与绝缘部12B之间的光学条件更相近。具体而言，绝缘部12B的厚度可设为导电部12A的70%?99%。
[0059]具体而言，如图8 (b)所示，对于与第2区域20B对应的部分中的透明导电膜12(成为绝缘部12B的部分)，可通过照射能量比形成绝缘部12B时的能量低的能量的离子来进行与第2区域20B对应的部分中的透明导电膜12的蚀刻(蚀刻工序)。例如，注入氧离子而形成绝缘部12B时，注入的离子Fl的能量设定为可得到与透明导电膜12的厚度相应的注入深度那样的较高值。另一方面，对于与第2区域20B对应的部分，通过照射只能到达至透明导电膜12的表层程度的较低的能量离子F2，能够削去该部分的表面12Ba而进行蚀刻。照射用于蚀刻的离子F2时，仅照射与所期望的蚀刻量相应的离子电流量。
[0060]对注入用离子的能量及蚀刻用离子能量的具体例子进行说明。例如，将透明导电膜12 (ITO)的厚度设为30nm时，将注入用离子的能量设为12keV，将蚀刻用离子的能量设为3keV。并且，在厚度30nm的透明导电膜12中，将与绝缘部12B对应的部分例如蚀刻到25nm。
[0061]可将用于注入的离子与用于蚀刻的离子设为相同元素。例如注入氧离子而形成绝缘部12B时，可利用氧离子进行蚀刻。并且，可将用于注入的离子与用于蚀刻的离子设为不同元素。例如注入氧离子而形成绝缘部12B时，可利用氩离子进行蚀刻。
[0062]并且，如图8 (c)所示，可对用于注入的高能量离子Fl与用于蚀刻的低能量离子F2以相同的离子枪G进行照射。此时的离子枪G对用于注入的高能量离子Fl与用于蚀刻的低能量离子F2设时间差来进行照射。并且，也可分别用离子枪G1、G2照射用于注入的高能量离子Fl与用于蚀刻的低能量离子F2。此时，用离子枪Gl照射高能量离子F1，用离子枪G2照射低能量离子F2。基于离子枪G1、G2的照射可设时间差，也可同时进行。
[0063][实施例]
[0064]以下，通过实施例对本发明进行详细说明，但本发明并不限定于这些实施例。
[0065][透明导电膜的导电部及绝缘部]
[0066]首先，作为测定对象物，对基板上的透明导电膜的导电部及绝缘部进行说明。本实施例中，以与参考上述图4?图6来进行了说明的触控面板传感器的制造方法相同的方法形成了导电部及绝缘部。具体而言，准备基板，并且在该基板上形成透明导电膜。另外，成膜透明导电膜时使用以离子电镀法进行的成膜装置，且以200°C的温度条件进行。另外，薄膜方阻的测定使用薄膜方阻测定器(Hiresta(注册商标)UP MCP_HT450、Mitsubishi ChemicalAnalytech C0.Ltd制)来进行。由掩模覆盖形成有透明导电膜的基板的1/4的区域,用薄膜方阻测定器测定未被遮罩的区域的预定位置的点。
[0067]基板:口 125的无碱玻璃
[0068]透明导电膜:材质铟锡氧化物(ΙΤ0)
[0069]厚度 30nm
[0070]薄膜方阻(离子注入之前)60Ω/ □
[0071]接着，将树脂作为抗蚀剂层涂布于透明导电膜上，使用光掩模来使导电部和绝缘部的图案曝光而进行显影。透明导电膜中，以由抗蚀剂层覆盖与绝缘部对应的部分的状态注入氧离子。氧离子的注入使用氧离子注入装置来进行。另外，离子注入装置是众所周知的，因此省略其中的详细说明。其中，通过I张基板上的部位来改变氧离子注入量。注入氧离子后，去除抗蚀剂层。如上所述，在基板上形成透明导电膜的导电部与绝缘部。
[0072]能量:12keV
[0073]注入温度:室温
[0074][绝缘部的薄膜方阻]
[0075]对于基板上的绝缘部中的5个点，使用上述薄膜方阻测定器来测定绝缘部的薄膜方阻。对有关各点的氧离子注入量与薄膜方阻之间的关系进行标绘，并在图9中示出根据该标绘呈现的曲线图。如图9所示，可理解为能够通过注入2X1017n/cm2以上的氧离子来确保绝缘部的薄膜方阻为I X IO12 Ω / □以上。能够通过将薄膜方阻设为I X IO12 Ω / □以上来充分发挥作为绝缘部的性能。根据如上所述，可理解为为了形成绝缘部而将氧离子的注入量设为2X IO1Vcm2以上(5X1017n/cm2以下)即可。
[0076][反射率]
[0077]对于基板上的各部位，测定绝缘部及导电部各自的反射率来计算反射率平均偏差。其中，由分光光度计(U-4100,Hitachi High-Technologies Corporation 制)测定绝缘部及导电部的反射率，对于校正视感感度的值计算对直到380nm?780nm为止的值进行平均的平均值。反射率平均偏差为计算绝缘部的反射率的平均值与导电部的反射率的平均值之差的值。标绘对有关各部位的向绝缘部的氧离子注入量与反射率平均偏差之间的关系，且在图10中示出根据该标绘而呈现的曲线图。其中，若反射率平均值偏差在0±0.5%范围内，则能够设为无法更可靠地目视绝缘部的图案的图案。若氧离子注入量增加，则通过由氧射束引起的蚀刻作用而使透明导电膜的膜厚减小，从而存在反射率减小的可能性。如图10所示，可理解为能够通过将氧离子注入量设为3X1017n/cm2以上且4X 1017n/cm2以下来使反射率平均偏差成为0±0.5%以下。
[0078]并且，对于氧离子注入量在3.1 X 1017n/cm2的部位中的绝缘部及导电部，在图11中示出对反射率与波长之间的关系进行标绘的曲线图。通过图11可理解为反射率光谱在导电部与绝缘部中大致相同。如图10所示，即使有一些差异，在氧离子注入量为
3.1XlO1Vcm2的部位中反射率平均偏差在0±0.5%的范围内，从而无法目视绝缘部的图案，因此没有问题。
【权利要求】
1.一种触控面板传感器的制造方法，该触控面板传感器具备基板及形成于所述基板上的透明导电膜，该方法具备: 准备工序，准备将所述透明导电膜形成于表面的所述基板； 设置工序，将图案形成部件设置在所述透明导电膜上，该图案形成部件具有形成有覆盖所述透明导电膜的第I区域及使所述透明导电膜露出的第2区域的图案； 图案形成工序，通过向与所述第2区域对应的部分的所述透明导电膜注入氧、氧离子、氮、氮离子、氮氧化物、及氮氧化物离子中的至少任一个照射物来形成绝缘部，将由所述第I区域覆盖的部分的所述透明导电膜作为导电部进行图案形成；及 去除工序，从所述透明导电膜上去除所述图案形成部件。
2.根据权利要求1所述的触控面板传感器的制造方法，其中， 在所述透明导电膜上形成抗蚀剂层， 残留与所述第I区域对应的部分的所述抗蚀剂层，并且从所述透明导电膜上去除与所述第2区域对应的部分的所述抗蚀剂层，从而在所述透明导电膜上设置所述图案形成部件。
3.根据权利要求1所述的触控面板传感器的制造方法，其中， 准备预先形成有所述第I区域及所述第2区域的所述图案形成部件，并且配置在所述透明导电膜上，从而在所述透明导电膜上设置所述图案形成部件。
4.根据权利要求1?3中的任一项所述的触控面板传感器的制造方法，其中， 该方法还具备蚀刻工序，将能量低于所述图案形成工序中被注入的所述照射物的能量的所述照射物照射于所述绝缘部，从而对所述绝缘部的表面进行蚀刻。
5.一种触控面板传感器，具备: 基板；及 透明导电膜，形成在所述基板上， 所述透明导电膜具有:具备预定图案的导电部；和氧量、氮量、及氮氧化物量中的至少任一个比该导电部多的绝缘部。
【文档编号】G06F3/041GK103823586SQ201310537782
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年11月4日 优先权日:2012年11月15日
【发明者】岩田宽, 村上喜信 申请人:住友重机械工业株式会社