一种低成本无边框电容触摸屏及其制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种低成本无边框电容触摸屏及其制作方法，低成本无边框电容触摸屏 ， 包括带单层纵向氧化铟锡电极的主板、纵向热压柔性电路板、IC元器件，每个单元电极在纵向热压柔性电路板热压区方向有一个凸头作为单元电极导线，氧化铟锡电极图案为按规律排列的数个带电极导线的单元电极图案，一个纵向柔性电路板与带单层纵向氧化铟锡电极的主板连接，IC元器件放在柔性电路板上或者主板上，其工艺步骤，①、在氧化铟锡玻璃上制作氧化铟锡电极图案，工艺可以使用激光蚀刻工艺、蚀刻膏工艺或者耐酸工艺；②、使用热压工艺将带触控IC的柔性线路板与步骤①制作出来的半成品进行热压，热压温度170~180℃、时间12~15s；③、对产品进行功能测试，区分不良品。
【专利说明】一种低成本无边框电容触摸屏及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种低成本电容触摸屏及其制作方法，特别涉及一种低成本无边框电 容触摸屏及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 随着市场上智能手机，平板电脑等电子消费品的设计日益丰富，需要在整体产品 限制的一定面积内，实现尽可能大的显示触摸区域，现有触摸屏产品边框占用空间过大，因 此对触摸屏窄边框或无边框的要求越来越强烈。目前设计很难实现Imm以下的窄边框。另 夕卜，传统窄边框电容屏结构制作复杂，镀膜及光刻设备昂贵，前期投入成本高，随着市场竞 争日益激烈，成本压力逐渐凸显，急需低成本的无边框新工艺。
【发明内容】
[0003]鉴于现有技术存在的问题，本发明提供一种低成本无边框电容触摸屏及其制作方 法，实现了无边框触摸屏的需求，可以应用实际手机或者平板电脑触摸屏的设计上，具体技 术方案是，一种低成本无边框电容触摸屏及其制作方法，无边框电容触摸屏包括带单层纵 向氧化铟锡电极的主板、纵向热压柔性电路板、IC元器件，其特征在于：每个单元电极在纵 向热压柔性电路板热压区方向有一个凸头作为单元电极导线，氧化铟锡电极图案为按规律 排列的数个带电极导线的单元电极图案，一个纵向柔性电路板与带单层纵向氧化铟锡电极 的主板连接，IC元器件放在柔性电路板上或者主板上，其工艺步骤， O在氧化铟锡玻璃上制作氧化铟锡电极图案，工艺可以使用激光蚀刻工艺、蚀刻膏工 艺或者耐酸工艺； Θ、使用热压工艺将带触控IC的柔性线路板与步骤Φ制作出来的半成品进行热压，热 压温度17(Tl80°C、时间12?15s; ?3、对产品进行功能测试，区分不良品。
[0004]本发明的有益效果是解决了电容式触摸屏边框占用空间的的问题，制作工艺简 单，生产效率高，降低了制作过程中的损耗，成本低，合格率可达85 %以上。
【专利附图】
【附图说明】
[0005] 图1是本发明的电极结构图。
[0006] 图2是传统横向电极结构图。
【具体实施方式】
[0007]为了更清楚的理解本发明，以下结合实例对本发明作进一步说明：以手机3. 5寸 电容式触摸屏为例，氧化铟锡电极1图案为纵向三角形作为单元电极1，每个单元电极1在 纵向热压柔性电路板2热压区方向有一个凸头作为单元电极导线1-1，六个三角图形正反 相对摆放，使电极导线都在热压区方向，采用纵向热压柔性电路板2,IC元器件4放在柔性 电路板2上或者主板3上，其步骤如下： Ο、ITO玻璃上采用蚀刻膏工艺将制作出来氧化铟锡电极1图案，印刷蚀刻膏厚度 14um，印刷线条宽度为30um，送传送式烘烤炉烘烤，温度为135°C、传送速度为1.8m/min，然 后用清水清洗掉蚀刻膏； *3、使用热压工艺将带触控IC4的柔性线路板2与步骤Θ制作出来的半成品进行热压， 热压温度175°C、时间13s; ?、对产品进行功能画线测试，区分不良品。
【权利要求】
1. 一种低成本无边框电容触摸屏及其制作方法，无边框电容触摸屏包括带单层纵向 氧化铟锡电极（1)的主板（3)、纵向热压柔性电路板（2)、IC元器件（4)，其特征在于：每 个单元电极（1-1)在纵向热压柔性电路板（2)热压区方向有一个凸头作为单元电极导线 (1-1-1)，氧化铟锡电极（1)图案为按规律排列的数个带电极导线（1-1-1)的单元电极图 案，一个纵向柔性电路板（2)与带单层纵向氧化铟锡电极（1)的主板（3)连接，IC元器件（4) 放在柔性电路板上或者主板上，其工艺步骤， (!在氧化铟锡玻璃上制作氧化铟锡电极（1)图案，工艺可以使用激光蚀刻工艺、蚀刻膏 工艺或者耐酸工艺； 3、使用热压工艺将带触控IC(4)的柔性线路板（2)与步骤Φ制作出来的半成品进行 热压，热压温度17(Tl80°C、时间12?15s; 3、对产品进行功能测试，区分不良品。
【文档编号】G06F3/044GK104317472SQ201410701333
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年11月28日 优先权日:2014年11月28日
【发明者】郑美珠, 张洪伟, 杨朝彬, 魏先升, 马振军 申请人:中环高科（天津）股份有限公司