一种电子装置、应力敏感参数的补偿方法和系统与流程

本发明涉及一种电子装置、参数的补偿方法及系统，具体涉及一种电子装置、应力敏感参数的补偿方法和系统。

背景技术：

一些电子元件和电子元件模组对印刷电路板(printedcircuitboard，pcb)受外因(压力、温度、湿度等)形变而产生的应力较为敏感，使得该应力影响到所述电子元件或电子元件模组的一些重要参数，因此在整个电子设备的设计中，需要充分考虑应力对电子元件和电子元件模组的影响。现有技术方案中，主要采用被动的应对技术手段，即把应力敏感的电子元件和电子元件模组尽量远离pcb面板上存在较强应力的区域，但是仍然不能完全避免应力带来的不利影响，这使得电子元件和电子元件模组的某些应力敏感参数恶化，影响了电子元件和电子元件模组的正常工作，从而降低了电子装置的使用性能。

技术实现要素：

本发明提供了一种电子装置、应力敏感参数的补偿方法和系统，以解决现有技术中对应力采取被动的应对技术手段所造成的某些电子元件的应力敏感参数恶化，从而影响电子设备使用性能的问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种应力敏感参数的补偿方法，该方法应用于电子装置上，所述方法包括：根据第一面板承受的压力计算所述第一面板的形变值；根据所述第一面板的形变值计算由于第一面板形变而发生形变的第二面板的形变值；根据所述第二面板的形变值计算位于所述第二面板上的应力敏感元件的应力敏感参数的变化；根据所述应力敏感参数的变化对所述应力敏感参数进行补偿。

根据本发明的一个方面，提供了一种电子装置，该电子装置包括存储器和处理器，所述存储器中存储程序指令，所述处理器处理所述程序指令以执行以下步骤：根据第一面板承受的压力计算所述第一面板的形变值；根据所述第一面板的形变值计算由于第一面板形变而发生形变的第二面板的形变值；根据所述第二面板的形变值计算位于所述第二面板上的应力敏感元件的应力敏感参数的变化；根据所述应力敏感参数的变化对所述应力敏感参数进行补偿。

根据本发明的一个方面，提供了一种应力敏感参数的补偿系统，该系统运行于电子装置上，其特征在于，该系统包括：第一计算模块，用于根据第一面板承受的压力计算所述第一面板的形变值；第二计算模块，用于根据所述第一面板的形变值计算由于第一面板形变而发生形变的第二面板的形变值；第三计算模块，用于根据所述第二面板的形变值计算位于所述第二面板上的应力敏感元件的应力敏感参数的变化；补偿模块，用于根据所述应力敏感参数的变化对所述应力敏感参数进行补偿。

根据本发明，通过采集压力数据计算受压面板形变程度，进而计算由受压面板的形变传递导致另一面板发生形变，并计算另一面板上压力敏感元件 的压力敏感参数的变化并对该敏感参数进行补偿，改善了相应电子元件和电子模组的参数质量，最终提升了电子设备的使用性能。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是本发明一种电子装置的较佳实施例的硬件环境架构图；

图2是本发明一种电子装置较佳实施例中主要元件的位置结构图；

图3是本发明所述第一面板形变导致点n的坐标变化的示意图；

图4是本发明一种应力敏感参数的补偿系统的较佳实施例的功能模块图；

图5是本发明一种应力敏感参数的补偿方法的较佳实施例的方法流程图；

图6是本发明一种对应力敏感参数的变化进行补偿的较佳实施例的闭环反馈图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例都属于本发明的保护范围。

图1是本发明一种电子装置的较佳实施例的硬件环境架构图。所述电子装置1包括：应力敏感参数的补偿系统10、压力传感器11、第一面板12、第二面板13、应力敏感元件14。所述电子装置1可以为，但不限于，手机、平 板电脑、摄像机等。所述第二面板可为印刷电路板(printedcircuitboard，pcb)，(以下简称为：pcb面板)。如图2所示，所述压力传感器11位于所述第一面板12上，所述应力敏感元件14位于所述第二面板13上，所述第一面板12与所述第二面板13的间距为当压力作用于所述第一面板12时，所述第一面板12发生形变时会导致所述第二面板13发生形变。所述压力传感器11检测第一面板12所受的压力并得到所述压力的压力数据，并将该压力数据发送给所述应力敏感参数的补偿系统10，所述应力敏感参数的补偿系统10根据所述压力数据计算所述第一面板12的形变值，并根据所述第一面板12的形变值计算所述第二面板13的形变值，并利用所述第二面板13的形变值计算所述应力敏感元件14的应力敏感参数的变化，最后根据所述异常敏感参数的变化对所述应力敏感参数进行补偿。上述具体计算和补偿方式在下图4中予以说明。其中，所述应力敏感参数是指电子元件或电子元件模组对其所在面板形变而产生的应力较为敏感的一些参数，如电子元件的工作频率、工作电容、击穿电压等参数。

图4是本发明一种应力敏感参数的补偿系统的较佳实施例的功能模块图。所述应力敏感参数的补偿系统10包括一个或多个模块。本实施例中，所述一个或多个模块包括：第一计算模块101，第二计算模块102，第三计算模块103及补偿模块104。所述应力敏感参数的补偿系统10还包括处理器105和存储器106。

本发明所称的模块是指被一种具有应力敏感参数的补偿功能的电子装置的处理器执行并完成一定技术功能的一系列计算机程序指令，其存储在所述存储器105中，所述处理器106执行所述计算机程序指令，所述处理器105为只读存储器(read－onlymemory，简称为rom)或随机存取存储器(random accessmemory，简称为ram)。

所述第一计算模块101用于根据所述第一面板12承受的压力计算所述第一面板12的形变值。所述述第一面板12所承受的压力由所述压力传感器11检测得到的。具体地，如图2所示，当所述压力传感器11侦测到所述第一面板12上的一个位置承受到压力时，所述压力传感器11以所述第一面板12的几何中心点为坐标原点，确定所述该承受压力的位置的坐标值(x，y)及压力值p1，且所述压力传感器11以所述位置为坐标原点，检测并采集第一面板12上所有坐标点的压力值，得到一组压力数据记为：p1、p2、p3...pn。

所述第一面板12的形变值与所述第一面板12所承受的压力值存在如下相关系数λn，该系数与坐标(x，y)有关。假设所述第一面板12上的点n(x，y)承受到压力后发生形变，该点n的坐标值变为(x′，y′)。设所述l1为第一面板12在形变之前的原长度，δln为在形变产生的应力导致点n的x值增加或减少的长度，即δln=|x′-x|，如图3所示。该点n产生的第一形变系数λn＝δln/l1。第一面板12的材料不同，所述δln可能会不同，所述第一形变系数也不同。所述第一面板12的形变值dn＝λn×pn。同理，可计算得到所述第一面板12上所有坐标点的形变值，得到一组形变值数据记为：d1、d2…dn。

所述第二计算模块102用于根据上述第一面板12的形变值计算由于第一面板12形变而发生形变的所述第二面板13的形变值。所述第二面板13的形变值与所述第一面板12的形变值存在线性关系。所述第一面板12发生形变导致所述第二面板13发生形变，如图2所示，假设所述第二面板13的点m(x1，y1)发生了形变，所述点m的坐标值变为(x1′，y1′)，点m是以所述第二面板13的几何中心点为原点的坐标系中所述的位置，所述点m对应的上述第一面板的一组形变值数据中d1、d2…dn中的dm的坐标点(定义n＞m)。设所述 l2为第二面板13在形变之前的原长度，δlm为在形变产生的应力导致m的x1值增加或减少的长度，即δlm=|x′1-x1|。该m点产生的第二形变系数λm＝δlm/l2。第二面板13的材料不同，所述δlm可能会不同，所述第二形变系数λλ也不同。所述第二面板13的形变值d′m＝λm×dm×dm。同理，可计算得到所述第二面板13上所有坐标点的形变值，得到一组形变值数据记为：d′1、d′2…d′m。

所述第三计算模块103用于根据上述第二面板13的形变值计算位于所述第二面板13上的应力敏感元件14的应力敏感参数的变化。所述第二面板13因受应力产生的形变会对应力敏感电子元件14的应力敏感参数产生影响，使其发生变化。如图2所示，仍以上述的点m为例，坐标(x1，y1)表示应力敏感元件14在以第二面板13的几何中心点为原点的坐标系中所处的位置。lm为应力敏感元件的长度，l′m为在所述第二面板13形变产生的应力作用下所述应力敏感元件的长度，设δlm为所述应力敏感元件的长度的变化，即在所述第二面板13形变产生的应力作用下导致应力敏感元件的长度1增加或减少的长度，即δlm＝|lm-l′m|。δh为应力敏感元件单位长度应力敏感参数的变化，则该点产生的第三形变系数λh=δh/δlm。所述应力敏感元件14不同，相应地δlm不同，δh不同，λh也不同。则所述应力敏感元件14的应力敏感参数的变化δh＝λh×d′m。

所述补偿模块104用于根据所述应力敏感参数的变化对所述应力敏感参数的变化进行补偿。定义所述应力敏感元件14的应力敏感参数为h，因应力形变造成所述应力敏感元件14的所述应力敏感参数h变为h′,则补偿值即为所述应力敏感参数的变化，记为δh。在一实施例中，对应力敏感参数的变化的补偿采用负反馈补偿的方式，如图6所述，对h′做负反馈补偿，其中传 递函数为h1，则补偿公式为：h=h′×h1/[1+h1×δh]。

在另一实施例中，所述应力敏感元件14为晶振，晶振是一种利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振元件，在其两个电极上加一特定频率的电场，将使其发生机械变形，产生谐振现象，因此晶振的频率参数对应力十分敏感。若所述晶振的原工作频率，即原应力敏感参数为f，当所述晶振所在面板因受压力产生应力时，所述晶振的应力敏感参数，即工作频率变为f′，所述晶振频率传递函数为f1，δf为应力敏感参数的变化。对该晶振进行负反馈频率补偿，则调整晶振的应力敏感参数的补偿公式为f=f′×f1/[1+f1×δf]。

图5是本发明一种应力敏感参数的补偿方法的较佳实施例的方法流程图。

步骤51，所述第一计算模块101根据所述第一面板12承受的压力计算所述第一面板12的形变值。所述述第一面板12所承受的压力由所述压力传感器11检测得到的。具体地，如图2所示，当所述压力传感器11侦测到所述第一面板12上的一个位置承受到压力时，所述压力传感器11以所述第一面板12的几何中心点为坐标原点，确定所述该承受压力的位置的坐标值(x，y)及压力值p1,且所述压力传感器11以所述位置为坐标原点，检测并采集第一面板12上所有坐标点的压力值，得到一组压力数据记为：p1、p2、p3...pn。

所述第一面板12的形变值与所述第一面板12所承受的压力值存在如下相关系数λn，该系数与坐标(x，y)有关。假设所述第一面板12上的点n(x，y)承受到压力后发生形变，该点n的坐标值变为(x′，y′)。设所述l1为第一面板12在形变之前的原长度，δln为在形变产生的应力导致点n的x值增加或减少的长度，即δln＝|x′-x|，如图3所示。该点n产生的第一形变系数λn＝δln/l1。第一面板12的材料不同，所述δln可能会不同，所述第一形变系数也不同。所述第一面板12的形变值dn=λn×pn。同理，可计算得到所述 第一面板12上所有坐标点的形变值，得到一组形变值数据记为：d1、d2...dn。

步骤52，所述第二计算模块102根据上述第一面板12的形变值计算由于第一面板12形变而发生形变的所述第二面板13的形变值。所述第二面板13的形变值与所述第一面板12的形变值存在线性关系。所述第一面板12发生形变导致所述第二面板13发生形变，如图2所示，假设所述第二面板13的点m(x1，y1)发生了形变，所述点m的坐标值变为(x1′,y1′),点m是以所述第二面板13的几何中心点为原点的坐标系中所述的位置，所述点m对应的上述第一面板的一组形变值数据中d1、d2...dn中的dm的坐标点(定义n＞m)。设所述l2为第二面板13在形变之前的原长度，δlm为在形变产生的应力导致m的x1值增加或减少的长度，即δlm=|x1′-x1|。该m点产生的第二形变系数λm=δlm/l2。第二面板13的材料不同，所述δlm可能会不同，所述第二形变系数λm也不同。所述第二面板13的形变值j′m=λm×jm。同理，可计算得到所述第二面板13上所有坐标点的形变值，得到一组形变值数据记为：d′1、d′2...d′m。

步骤53，所述第三计算模块103根据上述第二面板13的形变值计算位于所述第二面板13上的应力敏感元件14的应力敏感参数的变化。所述第二面板13因受应力产生的形变会对应力敏感电子元件14的应力敏感参数产生影响，使其发生变化。如图2所示，仍以上述的点m为例，坐标(x1，y1)表示应力敏感元件14在以第二面板13的几何中心点为原点的坐标系中所处的位置。lm为应力敏感元件的长度，l′m为在所述第二面板13形变产生的应力作用下所述应力敏感元件的长度，设δlm为所述应力敏感元件的长度的变化，即在所述第二面板13形变产生的应力作用下导致应力敏感元件的长度l增加或减少的长度，即δlm＝|lm-l′m|。δh为应力敏感元件单位长度应力敏感参数的变化， 则该点产生的第三形变系数λh＝δh/δlm。所述应力敏感元件14不同，相应地δlm不同，δh不同，λh也不同。则所述应力敏感元件14的应力敏感参数的变化δh＝λh×d′m。

步骤54，所述补偿模块104根据所述应力敏感参数的变化对所述应力敏感参数的变化进行补偿。定义所述应力敏感元件14的应力敏感参数为h，因应力形变造成所述应力敏感元件14的所述应力敏感参数h变为h',则补偿值即为所述应力敏感参数的变化，记为δh。在一实施例中，对应力敏感参数的变化的补偿采用负反馈补偿的方式，如图6所述，对h'做负反馈补偿，其中传递函数为h1，则补偿公式为：h＝h′×h1/[1+h1×δh]。

在另一实施例中，所述应力敏感元件14为晶振，晶振是一种利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振元件，在其两个电极上加一特定频率的电场，将使其发生机械变形，产生谐振现象，因此晶振的频率参数对应力十分敏感。若所述晶振的原工作频率，即原应力敏感参数为f，当所述晶振所在面板因受压力产生应力时，所述晶振的应力敏感参数，即工作频率变为f′，所述晶振频率传递函数为f1，δf为应力敏感参数的变化。对该晶振进行负反馈频率补偿，则调整晶振的应力敏感参数的补偿公式为f＝f′×f1/[1+f1×δf]。

本发明的实施例还提供了一种存储介质。可选地，在本实施例中，上述存储介质可以被设置为存储由处理器执行的程序代码，程序代码的步骤如下：

s1，根据第一面板12所承受的压力计算所述第一面板12的形变值。

s2，根据所述第一面板12的形变值计算由于所述第一面板12形变而发生形变的所述第二面板13的形变值。

s3，根据所述第二面板13的形变值计算位于所述第二面板13上的应力敏感元件14的应力敏感参数的变化。

s4，根据所述应力敏感参数的变化对所述应力敏感参数的变化进行补偿。

可选地，在本实施例中，上述存储介质可以包括但不限于：u盘、只读存储器(read－onlymemory，简称为rom)、随机存取存储器(randomaccessmemory，简称为ram)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

可选地，本实施例中的具体示例可以参考上述实施例及可选实施方式中所描述的示例，本实施例在此不再赘述。

显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，并且在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。