技术总结
本发明公开了一种基于电荷俘获‑释放机制的电路PBTI老化建模方法，其特征在于：包括基于T‑D机制的BTI老化模型的建立、T‑D机制下的电路老化时延模型的建立、MatLab仿真实验和T‑D机制下的电路老化时延模型的验证步骤。本发明提出的模型与Hspice仿真得出的结果有较好的吻合度，验证了实验模型的准确性；通过实验对电路设计中关键路径时序余量设置进行计算，结果表明，与传统的模型比较，基于本文模型计算，在保证同样电路可靠性的前提下，所需设置的时序余量较小，可以在一定程度上减小电路抗老化设计产生的面积开销。
技术研发人员：李扬;易茂祥;缪永;邵川;丁力;张姚;吴清焐
受保护的技术使用者：江苏商贸职业学院
文档号码：201610662498
技术研发日：2016.08.12
技术公布日：2017.01.04