显示面板及显示装置的制作方法

文档序号:12118599阅读:184来源:国知局
显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种将触控层集成在封装层表面并在触控层制程中保护显示层和封装层免受损害的显示面板及显示装置。



背景技术:

触摸屏作为一种输入媒介,是目前最为简单、方便、自然的一种人机交互方式。在显示装置上集成触控功能,已经成为越来越多显示器厂商的研发热点。同时,随着显示技术的不断发展,具有触控屏的柔性显示装置的需求日益增长。柔性显示装置是由柔软的材料制成,可变形可弯曲的装置。现有技术中的柔性显示装置一般采用OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)技术,这种技术具有低功耗、体积小、轻便、显示方式多样等优势,因此被广泛应用于各种电子产品。

现有技术中的柔性显示的触控方案大多采用外挂或是集成在外部辅助膜内的方式,大体上分为以下几个方案:

1、将触控层贴合于显示面板表面的方式,这种方式往往不能实现柔性显示薄化;

2、将触控层集成在阻挡层(Barrier film)、偏光片或盖板(Cover lens)上,这种方式虽然可以在一定程度上减薄柔性显示产品,但要将触控层集成在阻挡层、偏光片或盖板上同时对制作阻挡层、偏光片或盖板上提出更高的要求。

如图1所示,为现有技术中一种具有触控层的显示面板的结构示意图。图2为图1中A1’-A2’方向的截面图。图中的显示面板包括在图中z方向从下至上的基板1’、显示层2’、薄膜封装层3’、偏光片5’和触控层4’。其中,触控层4’可以贴合于该偏光片5’的表面上,这样会导致显示面板的厚度较厚,无法满足柔性显示的需求。触控层4’也可以集成于偏光片5’上,即以偏光片5’为衬底制备触控层4’,从而减少触控层4’衬底的厚度,但是如上所述,会对偏光片的制作提出更高的要求。

此处图1和图2给出的是现有技术中一种显示面板的示例。同样地,现有其他的一些显示面板的结构,均未实质性解决现有技术中显示面板过厚或生产工艺要求高的技术问题。



技术实现要素:

针对现有技术中的问题,本发明的目的在于提供一种显示面板,减小显示面板的厚度,提高显示面板的耐弯折性能,且在触控层制程中保护显示面板原有功能层免受损害。

本发明实施例提供了一种显示面板,包括:

基板;

显示层,位于该基板的一侧;

封装层,位于该显示层背离该基板的一侧;

触控层,位于该封装层背离该显示层的一侧;

隔离层,位于该封装层的内部,和/或位于该封装层与该触控层之间。

可选地,该隔离层包括导热层,该导热层位于该封装层的内部,或位于该封装层与该触控层之间。

可选地,该导热层为纳米半导体隔热涂层。

可选地,该纳米半导体隔热涂层的材料包括纳米氧化物。

可选地,该纳米氧化物包括氧化铟锡、氧化锡锑、氧化锌、氧化铝或氧化钛中的至少一种。

可选地,该纳米半导体隔热涂层的材料还包括树脂,该纳米氧化物分散于该树脂中。

可选地,该导热层的导热系数为100~1000W/(m·K)。

可选地,该封装层至少包括第一薄膜层和第二薄膜层,该导热层位于该第一薄膜层与该第二薄膜层之间。

可选地,该导热层的厚度为100nm~20um。

可选地,该导热层可透过波长为365nm~800nm的光,对波长小于365nm的光进行吸收,并对波长为800nm~2500nm的光进行反射。

可选地,该隔离层包括耐酸碱腐蚀层,该耐酸碱腐蚀层位于该触控层与该封装层之间。

可选地,该耐酸碱腐蚀层对硫酸、硝酸、草酸、醋酸溶液、氢氧化钾溶液和氢氧化钠溶液均具有耐腐蚀性。

可选地,该耐酸碱腐蚀层的材料包括有机材料或无机材料。

可选地,该有机材料为聚四氟乙烯或聚偏氟乙烯,该无机材料为二氧化钛或二氧化锆。

可选地,该耐酸碱腐蚀层的厚度为100nm~20um。

本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述的显示面板。

本发明所提供的显示面板及显示装置具有下列优点:

本发明提供了一种将触控层集成在封装层表面的技术方案,在封装层的内部,和/或封装层和触控层之间设置隔离层,防止触控层制程中高温和/或腐蚀液对显示层的损害;从而可以在保障显示面板的显示和触控性能的基础上减小显示面板的厚度,提高显示面板的耐弯折性能,更适用于柔性显示装置。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1是现有技术中具有触控层的显示面板的结构示意图;

图2是图1的A1’-A2’方向的截面图;

图3是本发明一实施例的显示面板的结构示意图;

图4是图3的A1-A2方向的截面图。

图5是本发明另一实施例的显示面板的截面图。

图6是本发明的显示面板中导热层一种设置方式的示意图;

图7是本发明的显示面板中导热层另一种设置方式的示意图;

图8是本发明的显示面板中耐酸碱腐蚀层一种设置方式的示意图;

图9是本发明的显示面板中同时设置导热层和耐酸碱腐蚀层的一种实施方式的示意图;

图10是本发明的显示面板中同时设置导热层和耐酸碱腐蚀层的另一种实施方式的示意图;

图11是本发明一实施例的显示面板的制备方法的流程图;

图12是本发明另一实施例的显示面板的制备方法的流程图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。

如图3所示,为本发明一实施例的显示面板的示意图,如图4所示,为图3的A1-A2方向的截面图。其中包括在图中z方向从下至上的基板1、显示层2、封装层3和触控层4。本发明中将触控层4集成在封装层3背离基板1的表面,这种方式可以减薄显示面板而提高耐弯折性能。而考虑到在封装层3的表面制作触控层4时所采用的各种工艺手段可能会对原有功能层造成的损害,在封装层3和触控层4之间还可以设置有一隔离层5。

进一步地,如图5所示,本发明的隔离层5还可以设置在封装层3的内部。封装层3可以包括至少两个层级31,32,将隔离层5设置在这两个层级31,32之间。当封装层3采用薄膜封装层(TFE)时,两个层级31,32可以分别为第一薄膜层31和第二薄膜层32。

将触控层4集成在封装层3背离基板1的表面时,触控层4制程中可能对原有功能层产生的损害主要包括如下两个方面:

(1)在封装层3表面沉积触控层4时,一般会采用溅射方式,采用这种方式往往会伴随着热量的产生或者需要一定的高温制程,而高温会对显示层2造成损害,尤其当显示层2采用OLED发光器件时,OLED材料一般只能承受100°的温度,在高温下OLED材料的寿命会衰减;

(2)湿法制程中,采用的酸或碱的药液很容易对封装层3造成损害。

为了防止高温对显示层2的损害,隔离层5可以包括导热层。

如图6所示,为本发明的显示面板中导热层一种设置方式的示意图。图中的导热层51位于封装层3和触控层4之间。

如图7所示,为本发明的显示面板中导热层另一种设置方式的示意图。其中导热层51设置于封装层3的内部。封装层3可以包括至少两个层级31,32,将导热层51设置在这两个层级31,32之间。当封装层3采用薄膜封装层时,两个层级31,32可以分别为第一薄膜层31和第二薄膜层32。

本发明所采用的导热层51的导热系数优选为100~1000W/(m·K)。且导热层51优选可透过365nm~800nm的光,对波长小于365nm的光进行吸收,并对波长为800nm~2500nm的光进行反射,由于波长为365nm~800nm的为可见光,因此导热层51在吸收具有高能量的光的同时也不会影响显示面板的显示效果。

本发明所采用的导热层51可以为透明纳米半导体隔热涂层,且该透明纳米半导体隔热涂层的材料优选包括纳米氧化物。隔热原理:在太阳光谱中,波长在365nm~800nm的可光区,其透过率不受影响;波长在365nm之前的紫外线区,其吸收率为90%;波长在800~2500nm的近红外区域,由于太阳入射光的频率高于纳米氧化物的振动频率,引起了其离子的高反射,对分布于红外波段占43%的太阳能量起反射阻隔作用,从而表现出对太阳光谱的选择性。

该纳米氧化物优选包括氧化铟锡(ITO)、氧化锡锑(ATO)、氧化锌(ZnO)、氧化铝(Al2O3)或氧化钛(TiO2)中的至少一种。

纳米氧化物制作方法:采用纳米氧化物粉体,并将纳米氧化物粉体与树脂混合制成稳定分散的溶剂型浆料,从而得到纳米涂料,然后在通过涂层(coating)或是印刷的方式进行涂布。

该导热层51的厚度优选为100nm~20um,该范围值仅是一个综合考虑了纳米半导体隔热涂层的导热性能和显示面板的整体厚度之后得到的一个优选的设置范围。具体地,导热层51的厚度可以根据实际需要进行选择和调整,在该范围之外取值也是可以的,例如需要更薄的显示面板,进一步减少导热层51的厚度,均在本发明的保护范围之内。

为了防止酸碱药液对封装层3的损害,隔离层5可以包括耐酸碱腐蚀层。

如图8所示,为本发明的显示面板中耐酸碱腐蚀层一种设置方式的示意图。其中耐酸碱腐蚀层52设置于封装层3和触控层4之间,可以有效解决触控层4形成过程中湿法制程在封装层3表面的酸碱腐蚀问题。

此酸碱腐蚀层52的材料可以是耐酸碱腐蚀的无机材料,氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)等,也可以是有机材料,聚四氟乙烯,聚偏氟乙烯等。具体地,酸碱腐蚀层52可以设置为至少一层无机材料层或至少一层有机材料层或至少一层无机材料层与至少一层有机材料层的组合。且耐酸碱腐蚀层52的厚度优选为100nm~20um,同样地,该厚度仅为一个综合考虑了耐酸碱腐蚀要求和显示面板的整体厚度之后得到的一个优选的设置范围。具体地,耐酸碱腐蚀层52的层数和厚度均可以根据实际需要进行选择和调整,在该范围之外取值也是可以的,例如需要更薄的显示面板,进一步减少耐酸碱腐蚀层52的厚度,均在本发明的保护范围之内。耐酸碱腐蚀层52对硫酸、硝酸、草酸、醋酸溶液、氢氧化钾溶液和氢氧化钠溶液均具有耐腐蚀性。

进一步地,为了达到更好的保护效果,该隔离层同时包括导热层和耐酸碱腐蚀层,不仅对显示层2起到高温隔离,也对封装层3起到酸碱隔离。

如图9所示,为本发明显示面板中隔离层同时包含导热层和耐酸碱腐蚀层的一种实施方式的示意图。其中在封装层3和触控层4之间不仅设置有导热层51,还设置有耐酸碱腐蚀层52。导热层51和耐酸碱腐蚀层52的设置顺序可以根据实际需要进行改变。此处,为了保护导热层51不受酸碱药液的腐蚀,优选设置耐酸碱腐蚀层52在导热层51的上方。

如图10所示,为本发明的显示面板中隔离层同时包含导热层和耐酸碱腐蚀层的另一种实施方式的示意图。显示面板中也同时设置了导热层51和耐酸碱腐蚀层52,与图9的区别在于,导热层51设置于封装层3的内部。同样地,封装层3可以包括至少两个层级31,32,将导热层51设置在这两个层级31,32之间。当封装层3采用薄膜封装层时,两个层级31,32可以分别为第一薄膜层31和第二薄膜层32。

另外,需要说明的是,本发明中的封装层3不限于采用薄膜封装层,也可以采用现有技术中其他的封装方式。薄膜封装层一般可以采用多个薄膜层结合的结构,可以根据实际需要,在其中任一薄膜层形成之后,先在已形成的薄膜层之上通过涂层或印刷的方式覆盖一层透明纳米隔热涂料,形成导热层51,然后在导热层51之上继续沉积形成其他的薄膜层。

本发明还提供一种显示装置,包括上述的显示面板,该显示装置包括上述的显示面板。该显示装置可以是电脑显示器、手机、平板电脑、电子相册等广泛应用的显示装置。采用上述显示面板的显示装置,可以满足柔性显示装置不同程度的弯折需求,适用于更大规模的推广应用。由于现有技术中柔性显示装置多采用OLED显示技术,因此本发明的显示层中的显示器件优选为OLED显示器件,然而,本发明不限于此,采用其他类型的显示器件也在本发明的保护范围之内。

如图11所示,本发明一实施例提供一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:

提供一基板;

在基板的一侧形成显示层;

在显示层背离基板的一侧形成第一薄膜层;

在第一薄膜层背离显示层的一侧形成纳米半导体隔热涂层;

在纳米半导体隔热涂层背离该第一薄膜层的一侧形成第二薄膜层,第一薄膜层与该第二薄膜层组成封装层;

在封装层背离该显示层的一侧形成触控层。

需要说明的是,此处纳米半导体隔热涂层形成于薄膜封装层的内部,该第一薄膜层和第二薄膜层只是对薄膜封装层位于纳米半导体隔热涂层上方和下方两部分的统称,而不是特指该纳米半导体隔热涂层的上方或下方仅有一层,第一薄膜层和/或第二薄膜层可以分别包括多个不同的层级,均属于本发明的保护范围之内。

进一步地,形成封装层之后,还优选包括在封装层背离显示层的一侧形成耐酸碱腐蚀层的过程,该触控层形成于耐酸碱腐蚀层背离封装层的一侧。该耐酸碱腐蚀层的材料和结构,以及形成的纳米半导体隔热涂层和耐酸碱腐蚀层的功能均如上所述,在此不再赘述。

如图12所示,本发明另一实施例还提供一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:

提供一基板;

在基板的一侧形成显示层;

在显示层背离基板的一侧形成封装层;

在封装层背离显示层的一侧形成纳米半导体隔热涂层;

在纳米半导体隔热涂层背离封装层的一侧形成触控层。

进一步地,形成纳米半导体隔热涂层之后,还可选包括在纳米半导体隔热涂层背离封装层的一侧形成耐酸碱腐蚀层的过程,该触控层形成于耐酸碱腐蚀层背离纳米半导体隔热涂层的一侧。耐酸碱腐蚀层的材料和结构,以及形成的纳米半导体隔热涂层和耐酸碱腐蚀层的功能均如上所述,在此不再赘述。

纳米半导体隔热涂层优选根据如下方法制备:

将纳米半导体材料的粉体与树脂混合制成纳米涂料;

将纳米涂料涂布于封装层背离显示层的一侧;

对纳米涂料进行固化。

如上所述,纳米半导体材料优选为纳米氧化物,且该纳米氧化物优选包括氧化铟锡、氧化锡锑、氧化锌、氧化铝或氧化钛中的至少一种。形成的纳米半导体隔热涂层的特性和导热原理如上所述,在此不再赘述。

综上,本发明所提供的显示面板及显示装置具有下列优点:

本发明提供了一种将触控层集成在封装层表面的技术方案,在封装层的内部,和/或封装层和触控层之间设置隔离层,防止触控层制程中高温和/或腐蚀液对显示层的损害;从而可以在保障显示面板的显示和触控性能的基础上减小显示面板的厚度,提高显示面板的耐弯折性能,更适用于柔性显示装置。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

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