侦测电路的制作方法

本发明涉及侦测电路，特别涉及一种针对硬盘类型的侦测电路。。

背景技术：

随着科技生活的来临，计算机早已经成为生活中不可或缺的工具，同时市场对计算机设备的要求也越来越高。计算机设备中很重要的一个物件就是服务器系统。一般来说，为了满足市场的需求，服务器系统通常必须具备有强大的数据处理能力与大容量的储存容量。为了符合市场需求，通常需要于服务器中设置多个硬盘。然而，这些硬盘可所具有的类型可能是为不相同的。因此，当多个不同类型的硬盘混合搭配时，要区分出每个硬盘所对应的硬盘类型成为一个极大的挑战与考验。

技术实现要素：

本发明所提出的侦测电路，可以通过一组判断信号，在一个预设信息表进行查找，从而判断硬盘的类型。

依据本发明之一实施例揭露一种侦测电路，包含第一背板、主板与处理器。第一背板用于让多个硬盘可插拔地插设于第一背板，其中每个硬盘提供输入信号。主板电性连接第一背板。主板用以依据输入信号与多个参考电压，产生一组判断信号。处理器电性连接主板，处理器依据所述组判断信号，查找预设信息表，以判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型。

其中该些参考电压包含第一参考电压、第二参考电压与第三参考电压，所述组判断信号包含第一信号、第二信号与第三信号。主板包含判断电路，电性连接第一背板，判断电路包含第一比较电路、第二比较电路与第三比较电路。第一比较电路用以比较输入信号与第一参考电压，产生第一信号。第二比较电路用以比较输入信号与第二参考电压，产生第二信号。第三比较电路，用以比较输入信号与第三参考电压，产生第三信号。

其中，第三参考电压的电位大于第二参考电压的电位，第二参考电压的电位大于第一参考电压的电位，处理器依据第一信号的电位、第二信号的电位与第三信号的电位，查找预设信息表并判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型。

其中，预设信息表包含多个硬盘类型，处理器依据第一信号的电位、第二信号的电位与第三信号的电位，自预设信息表辨识出该些硬盘类型其中之一，被辨识出的硬盘类型是为该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型。

其中，该些硬盘类型包含第一硬盘类型、第二硬盘类型与第三硬盘类型，当输入信号的电位大于第一参考电压的电位且小于等于第二参考电压的电位时，处理器判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型是为第一硬盘类型，当输入信号的电位大于第二参考电压且小于等于第三参考电压的电位时，处理器判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型是为第二硬盘类型，当输入信号的电位大于第三参考电压的电位时，处理器判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型是为第三硬盘类型。

其中，处理器判断第三信号的电位，若处理器判断第三信号的电位为低电位时，处理器更判断第二信号的电位，若处理器判断第二信号的电位与第三信号的电位均为低电位时，处理器更判断第一信号的电位，用以判断些硬盘其中之一所对应的硬盘类型。

其中，当处理器判断第二信号的电位为高电位后，处理器更判断第三信号的电位，当处理器判断第二信号的电位为低电位后，处理器更判断第一信号的电位，用以判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型。

其中，第一比较电路包含第一比较器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容与第二电容。第一比较器具有第一输入端、第二输入端与第一输出端，第一输入端接收输入信号。第一电阻具有第一端与第二端，第一电阻的第一端电性连接第二输入端，第一电阻的第二端接收待机电压。第二电阻具有第一端与第二端，第二电阻的第一端电性连接第二输入端，第二电阻的第二端接收接地电压。第三电阻具有第一端与第二端，第三电阻的第一端电性连接第一输入端，第三电阻的第二端电性连接第一输出端。第一电容具有第一端与第二端，第一电容的第一端接收第一工作电压，第一电容的第二端接收接地电压。第二电容具有第一端与第二端，第二电容的第一端电性连接第二输入端，第二电容的第二端接收接地电压。

其中，第二比较电路与第三比较电路分别包含第二比较器、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第三电容与第四电容。第二比较器具有第一输入端、第二输入端与第一输出端，第一输入端接收输入信号。第四电阻具有第一端与第二端，第四电阻的第一端电性连接第二输入端，第四电阻的第二端接收待机电压。第五电阻具有第一端与第二端，第五电阻的第一端电性连接第二输入端，第五电阻的第二端接收接地电压。第六电阻具有第一端与第二端，第六电阻的第一端电性连接第一输入端，第六电阻的第二端电性连接第一输出端。第三电容具有第一端与第二端，第三电容的第一端电性连接第一输出端，第三电容的第二端接收接地电压。第四电容具有第一端与第二端，第四电容的第一端电性连接第二输入端，第四电容的第二端接收接地电压。

其中，主板包含上拉电阻，具有第一端与第二端，上拉电阻的第一端接收待机电压，上拉电阻的第二端电性连接第一背板与判断电路，上拉电阻的电阻值实质为5.1千欧姆。

综上所述，在本发明所提供的侦测电路的运作中，是通过硬盘所提供的输入信号以及参考信号来产生一组判断信号，且利用所述组判断信号与预设信息表，进而判断硬盘所对应的硬盘类型。

以上的关于本揭露内容的说明及以下的实施方式的说明是用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的专利申请范围更进一步的解释。

附图说明

图1是依据本发明的一实施例所绘示的侦测电路的功能方块图。

图2是依据本发明的一实施例所绘示的判断电路的电路架构图。

图3是依据本发明的一实施例所绘示的第一硬盘的电路架构图。

图4是依据本发明的一实施例所绘示的第二硬盘的电路架构图。

图5是依据本发明的一实施例所绘示的第三硬盘的电路架构图。

符号说明：

1：侦测电路

10：第一背板

12：主板

14：处理器

102：第一硬盘

104：第二硬盘

106：第三硬盘

120：判断电路

1201：第一比较电路

1203：第二比较电路

1205：第三比较电路

Vin：输入信号

Vdet：判断信号

Va：第一信号

Vb：第二信号

Vc：第三信号

Vf1：第一参考电压

Vf2：第二参考电压

Vf3：第三参考电压

VST：待机电压

GND：接地电压

RP：上拉电阻

R1～R9：电阻

R10、R11、R12：上拉电阻

C1～C6：电容

具体实施方式

以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何熟习相关技艺者了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及图式，任何熟习相关技艺者可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例是进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。

请参照图1，图1是依据本发明的一实施例所绘示的侦测电路的功能方块图。如图1所示，侦测电路1包含第一背板10、主板12与处理器14。第一背板10是用以让第一硬盘102、第二硬盘104与第三硬盘106可插拔地插设于第一背板10上。第一硬盘102、第二硬盘104与第三硬盘106分别提供输入信号Vin。在此实施例中，第一硬盘102、第二硬盘104与第三硬盘106均是为不同类型的硬盘。主板12电性连接第一背板10且接收输入信号Vin。主板12依据输入信号Vin与多个参考信号，进而产生一组判断信号Vdet。处理器14电性连接主板12，且依据所述组判断信号Vdet，查找一个预设信息表，进而判断第一硬盘102、第二硬盘104与第三硬盘106其中一个的硬盘类型。

在一实施例中，如图1所示，主板12包含判断电路120，电性连接第一背板10。所述的多个参考电压包含第一参考电压Vf1、第二参考电压Vf2与第三参考电压Vf3。判断电路120包含第一比较电路1201、第二比较电路1203与第三比较电路1205。第一比较电路1201用以比较输入信号Vin与第一参考电压Vf1，以产生第一信号Va。第二比较电路1203用以比较输入信号Vin与所述第二参考电压Vf2，以产生第二信号Vb。第三比较电路1205用以比较输入信号Vin与第三参考电压Vf3，以产生第三信号Vf3。在实务上，所述的比较电路是为常见的比较器，可以针对输入的电压与一个参考电压进行比较，并依据比较结果从而产生高准位或低准位的信号，以供后续的电路使用。

在一实施例中，第三参考电压Vf3的电位大于第二参考电压Vf2的电位，第二参考电压Vf2的电位大于第一参考电压Vf1的电位，处理器14依据第一信号Va的电位、第二信号Vb的电位与第三信号Vc的电位，查找预设信息表并判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型。在一实施例中，第一参考电压Vf1的电位是为0.5伏特，第二参考电压Vf2的电位是为1.5伏特，第三参考电压Vf3的电位是为2.5伏特。

请一并参照表一，表一是为依据本发明的一实施例所示的预设信息表。如表一所示，当输入信号Vin的电位小于第一参考电压Vf1，且小于等于第二参考电压Vf2的电位时，处理器14判断硬盘类型为第一硬盘类型。当输入信号Vin的电位大于第一参考电压Vf1，且小于等于第二参考电压Vf2的电位时，处理器14判断提供输入信号Vin的硬盘所对应的硬盘类型为第一硬盘类型。当输入信号Vin的电位大于第二参考电压Vf2，且小于等于第三参考电压Vf3的电位时，处理器14判断提供输入信号Vin的硬盘所对应的硬盘类型为第二硬盘类型。当输入信号Vin的电位大于第三参考电压Vf3，处理器14判断提供输入信号Vin的硬盘所对应的硬盘类型为第三硬盘类型。要注意的是，在表一中所示的输入信号Vin的电位仅是作为举例说明，本发明并不以此为限。

表一

在一实施例中，处理器14是通过判断第一信号Va、第二信号Vb与第三信号Vc的准位，在预设信息表中进行查找，进而判断硬盘类型。举例来说，在一个实施例中，处理器14会先判断第三信号Vc的电位，若是处理器14判断第三信号Vc的电位为低电位时，处理器14会进一步地判断第二信号Vb的电位。若是处理器14判断第二信号Vb的电位与第三信号Vc的电位均为低电位时，处理器更进一步地判断第一信号Va的电位，用以判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型。其中本发明所述的低电位与高电位分别是以0与1来表示。以一个具体的例子来说，假设第一硬盘102提供输入信号Vin至判断电路120，第一比较电路1201、第二比较电路1203与第三比较电路1205分别对应输出第一信号Va、第二信号Vb与第三信号Vc至处理器14。

首先，处理器14先判断第三信号Vc的电位，若是第三信号Vc的电位为低电位(也就是0)，此时，处理器14进一步地判断第二信号Vb的电位。若是第二信号Vb的电位亦为低电位(也就是0)，处理器14再进一步地判断第一信号Va的电位。假设在此例子中，第一信号Va的电位是为高电位(也就是1)，处理器14便可以得到第一信号Va、第二信号Vb与第三信号Vc的电位分别是1，0，0。如此一来，处理器14便可以在表一中查找到第一硬盘类型，从而判断第一硬盘102所对应是为第一硬盘类型。

在前述的例子中，处理器14是先由第三信号Vc的电位开始进行判断。而在另一实施例中，处理器14是先由第二信号Vb的电位开始进行判断。当处理器14判断第二信号Vb的电位为高电位后，处理器14进一步判断第三信号Vc的电位。当处理器14判断第二信号Vb的电位为低电位后，处理器14进一步判断第一信号Va的电位，用以判断该些硬盘其中之一所对应的硬盘类型。以实际的例子来说明，假设第二硬盘104提供输入信号Vin至判断电路120，产生对应的第一信号Va、第二信号Vb与第三信号Vc。处理器14先判断第二信号Vb的电位。假设第二信号Vb的电位是为高电位，此时，处理器14进一步判断第三信号Vc的电位。若是第三信号Vc的电位是为低电位，处理器14便可以在表一中查找出第二硬盘104所对应的是为第二硬盘类型。要注意的是，在表一的实施例中，当第一信号Va、第二信号Vb与第三信号Vc均为低电位时，并无法查找到对应的硬盘类型。

请参照图2，图2是依据本发明的一实施例所绘示的判断电路的电路架构图。在此实施例中，如图2所示，第一比较电路1201包含比较器OP1、电阻R1～R3与电容C1～C2。比较器OP1具有第一输入端、第二输入端与第一输出端。第一输入端接收输入信号Vin。电阻R1具有第一端与第二端，其第一端电性连接比较器OP1的第二输入端，其第二端接收待机电压VST。第二电阻R2具有第一端与第二端，其第一端电性连接比较器OP1的第二输入端，其第二端接收接地电压GND。电阻R3具有第一端与第二端，其第一端电性连接比较器OP1的第一输入端，其第二端电性连接比较器OP1的第一输出端。电容C1具有第一端与第二端，其第一端接收工作电压VD，其第二端接收接地电压GND。电容C2具有第一端与第二端，其第一端电性连接比较器OP1的第二输入端，其第二端接收接地电压GND。

具体来说，在此实施例中，第一比较电路1201是由第一输入端接收来自硬盘的输入信号Vin，且比较第一参考电压Vf1与输入信号Vin，进而产生对应的第一信号Va。在一个例子中，电阻R1的电阻值为5.62千欧姆。电阻R2的电阻值为1千欧姆。电阻R3的电阻值为10兆欧姆。电容C1与电容C2的电容值均为0.1微法拉。在此例子中，第一比较电路1201包含电阻R10，具有第一端与第二端，其第一端接收待机电压VST，其第二端电性连接比较器OP1的第一输出端。在此例子中，电阻R10为4.7千欧姆。上述实施例中的电阻值与电容值仅是作为举例说明，本发明并不以此为限。

在一实施例中，如图2所示，第二比较电路1203包含比较器OP2、电阻R4～R6与电容C3～C4。比较器OP2具有第一输入端、第二输入端与第一输出端，其第一输入端接收输入信号Vin。电阻R4具有第一端与第二端，其第一端电性连接第二输入端，其第二端接收待机电压VST。电阻R5具有第一端与第二端，其第一端电性连接比较器OP2的第二输入端，其第二端接收接地电压GND。电阻R6具有第一端与第二端，其第一端电性连接比较器OP2的第一输入端，其第二端电性连接比较器OP2的第一输出端。电容C3具有第一端与第二端，其第一端电性连接比较器OP2的第一输出端，其第二端接收接地电压GND。电容C4具有第一端与第二端，其第一端电性连接第二输入端，其第二端接收接地电压GND。

具体来说，第二比较电路1203是由第一输入端接收来自硬盘的输入信号Vin，且比较第二参考电压Vf2与输入信号Vin，进而产生对应的第二信号Vb。在一个例子中，电阻R4的电阻值为1.21千欧姆，电阻R5的电阻值为1千欧姆，而电阻R6的电阻值为10兆欧姆。电容C3与电容C4的电容值均为0.1微法拉。在此实施例中，第三比较电路1205包含比较器OP3、电阻R7～R9与电容C5～C6。由图2可得知，第三比较电路1205的电路架构与前述的第二比较电路1203的电路架构相同，因此不予赘述。具体来说，第三比较电路1205是由第一输入端接收来自硬盘的输入信号Vin，且比较第三参考电压Vf3与输入信号Vin，进而产生对应的第三信号Vc。在一个例子中，电阻R7的电阻值为374欧姆，电阻R8的电阻值为1千欧姆，而电阻R9的电阻值为10兆欧姆。电容C5与电容C6的电容值均为0.1微法拉。在此实施例中，如图2所示，第二比较电路1203包含电阻R11，具有第一端与第二端，其第一端接收待机电压VST，其第二端电性连接比较器OP2的第一输出端。在此实施例中，电阻R11的电阻值为4.7千欧姆。第三比较电路1205包含电阻R12，具有第一端与第二端，其第一端接收待机电压VST，其第二端电性连接比较器OP3的第一输出端。在此实施例中，电阻R12的电阻值为4.7千欧姆。上述实施例中的电阻值与电容值仅是作为举例说明，本发明并不以此为限。

在一实施例中，如图2所示，在判断电路120中，上拉电阻RP具有第一端与第二端，上拉电阻RP的第一端接收待机电压VST，上拉电阻RP的第二端电性连接第一背板10与判断电路120。在一个例子中，上拉电阻RP是设置于主板14，上拉电阻RP是与第一背板10的第一硬盘102、第二硬盘104与第三硬盘106电性连接，用以输出适当的输入信号Vin至判断电路120，进而可以产生一组对应的判断信号，以利后续进行硬盘类型的查找。在一实施例中，上拉电阻的电阻值实质为5.1千欧姆。然而，上述实施例中的电阻值仅是作为举例说明，本发明并不以此为限。

请参照图3，图3是依据本发明的一实施例所绘示的第一硬盘的电路架构图。如图3所示，第一硬盘102具有电阻R13～R15以及晶体管T1与晶体管T2。电阻R13的第一端接收工作电压VD，其第二端电性连接晶体管T1的第一端。电阻R15的第一端接收工作电压VD，其第二端电性连接晶体管T1的主控端。晶体管T2的主控端电性连接电阻R15的第二端，晶体管T2的第一端电性连接电阻R14的第一端以及晶体管T1的第二端。电阻R14的第二端接收接地电压GND。在此实施例中，电阻R13的电阻值为2.61千欧姆。电阻R14的电阻值为2千欧姆。电阻R15的电阻值为100欧姆。请参照图4，图4是依据本发明的一实施例所绘示的第二硬盘的电路架构图。如图4所示，第二硬盘104具有电阻R16～R18以及晶体管T3与晶体管T4。图4中第二硬盘104的电路架构与图3中第一硬盘102的电路架构相似，在此便不予赘述。两者不同之处是在于电阻值的大小。在此实施例中，电阻R16与电阻R17的电阻值均为1千欧姆，而电阻R18的电阻值为100欧姆。

请参照图5，图5是依据本发明的一实施例所绘示的第三硬盘的电路架构图。如图5所示，第三硬盘106具有电阻R19～R20以及晶体管T5与晶体管T6。电阻R20的第一端接收工作电压VD，其第二端电性连接晶体管T5的主控端与晶体管T6的主控端。电阻R19的第一端电性连接晶体管T5的第一端，其第二端接收接地电压GND。晶体管T5的第二端电性连接晶体管T6的第一端。在此实施例中，电阻R19与电阻R20的电阻值分别为2千欧姆与100欧姆。上述实施例中的电阻值仅是作为举例说明，本发明并不以此为限。

综合以上所述，本发明所提供的侦测电路，是通过输入信号与三个参考电压，使判断电路产生第一信号、第二信号与第三信号，并依据其电位高低，在预设信息表中查找出对应的硬盘类型，进而当不同类型的硬盘混合搭配时，可以分辨出硬盘所具有的硬盘类型，从而可以正确地加载资料。

虽然本发明以前述的实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。在不脱离本发明的精神和范围内，所为的更动与润饰，均属本发明的专利保护范围。关于本发明所界定的保护范围请参考所附的申请专利范围。