技术特征：
技术总结
本发明公开了一种极简的浮地磁控忆容器电路仿真模型，包括端口a、端口b、压控电容UC、电容器C和电压积分器A，压控电容UC包括电压控制端uc和受控电容Cu，压控电容UC内受控电容Cu的电容量受电压控制端uc的电压值控制，电压积分器A包括电压输入端u和电压输出端uc。该浮地磁控忆容器电路仿真模型端口a、b的电气特性等效了磁控忆容器CM的A、B端口特性，只需要使用仿真软件中已有的3个元件，为二端口模型，进一步的降低已有磁控忆容器电路仿真模型的复杂度和元件数，具有忆容值变化范围灵活、无接地限制、工作电压范围宽和易于理解的优点。
技术研发人员：余波
受保护的技术使用者：成都师范学院
技术研发日：2018.06.15
技术公布日：2018.11.13