1.一种低频半双工读卡装置，其特征在于，包括控制模块、放大谐振模块、包络检波模块和天线，所述天线的输出端通过包络检波模块与控制模块的输入端连接，所述放大谐振模块包括放大单元和谐振单元，所述控制模块的输出端分别与放大单元的输入端和谐振单元的输入端连接，所述放大单元和谐振单元连接，所述放大单元的输出端与天线的输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种低频半双工读卡装置，其特征在于，还包括蓝牙模块，所述蓝牙模块与控制模块连接。
3.根据权利要求1所述的一种低频半双工读卡装置，其特征在于，所述放大单元采用可变放大单元。
4.根据权利要求3所述的一种低频半双工读卡装置，其特征在于，所述可变放大单元包括第一处理器、第一NPN型双极性晶体管、第二NPN型双极性晶体管、第三NPN型双极性晶体管、第四NPN型双极性晶体管、第五NPN型双极性晶体管、第六NPN型双极性晶体管、耐压二极管和第一电阻；
所述第一处理器的第一引脚、第三引脚、第五引脚、第九引脚、第十一引脚以及第十三引脚均与控制模块连接，所述第一处理器的第二引脚与第一NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第四引脚与第二NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第六引脚与第三NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第十引脚与第四NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第十二引脚与第五NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第十四引脚与电源连接，所述第一处理器的第七引脚接地，所述第一处理器的第八引脚与耐压二极管的正极连接，所述耐压二极管的负极通过第一电阻接地，所述耐压二极管的负极与第六NPN型双极性晶体管的基极连接，所述谐振单元的输出端分别与第一NPN型双极性晶体管的集电极、第二NPN型双极性晶体管的集电极、第三NPN型双极性晶体管的集电极、第四NPN型双极性晶体管的集电极和第五NPN型双极性晶体管的集电极连接，所述第六NPN型双极性晶体管的集电极分别与第一NPN型双极性晶体管的发射极、第二NPN型双极性晶体管的发射极、第三NPN型双极性晶体管的发射极、第四NPN型双极性晶体管的发射极和第五NPN型双极性晶体管的发射极连接，所述第六NPN型双极性晶体管的发射极接地，所述天线的一端与第五NPN型双极性晶体管的集电极连接，所述天线的另一端与第五NPN型双极性晶体管的发射极连接。
5.根据权利要求4所述的一种低频半双工读卡装置，其特征在于，所述谐振单元包括第二处理器、电感和第一电容；
所述第二处理器的IN引脚与控制模块连接，所述第二处理器的OUT引脚与电感的一端连接，所述电感的另一端与电容的一端连接，所述电容的另一端作为谐振单元的输出端。
6.根据权利要求4所述的一种低频半双工读卡装置，其特征在于，所述天线两端连接有第二电容、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容。
7.根据权利要求5所述的一种低频半双工读卡装置，其特征在于，所述第二处理器采用MIC4422芯片。
8.根据权利要求4所述的一种低频半双工读卡装置，其特征在于，所述第一处理器采用SN74LV04芯片。