一种单层双面导电膜结构及触控屏的制作方法

本实用新型涉及触控屏技术领域，尤其是涉及一种单层双面导电膜结构及触控屏。

背景技术：

导电膜制作结构及工艺有很多种，目前主流为氧铟锡(Indium Tin Oxide，简称：ITO)蚀刻工艺和钠米银涂布工艺。ITO根据基材的不同，分为玻璃ITO与薄膜ITO，是在玻璃或薄膜上通过溅或蒸镀ITO导电层，再通过蚀刻工艺制作导电膜。此导电膜材料成本高且工艺复杂，又因ITO面阻值大，一般在50Ω/方～150Ω/方，触控灵敏度差，存在不宜制作大尺寸触控屏等缺点。钠米银涂布工艺是将钠料银浆涂布在含有凹槽网格薄膜上，经过低温固化，形成导电膜的工艺。此工艺制造导电膜无法保证外观要求，银材料成本高，不适合做单层双面结构(单面导电层需要多次涂布，擦拭，低温固化完成)，加工难度高，良率低。

传统的单层多点式触控导电膜，大多为设置于膜(FILM)材的同一表面上，如图1所示，触控屏的传统GFF结构具有五层结构，包括保护玻璃(COVER GLASS)、上胶层(TOP OCA)、具有金属网格的上膜层(TOP FILM)、中间胶层(MID OCA)和具有金属网格的下膜层(BOT FILM)。上述结构对图案设计要求较高，搭桥结构形成于导电图案以上，需要另外印刷或者外镀一层保护层加以填平及保护，增加产品厚度及生产环节，导致传统的单层多点式触控导电膜的厚度较大、生产工艺较为复杂。

技术实现要素：

本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种单层双面导电膜结构及触控屏。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现：

一种单层双面导电膜结构，包括一薄膜基材，该薄膜基材的正反两面均设有凹槽，所述凹槽内成型有金属网格。

进一步地，所述金属网格采用还原铜网格。

进一步地，所述薄膜基材为光学级柔性薄膜基材。

进一步地，所述薄膜基材为PET、PC或PMMA。

进一步地，所述金属网格与凹槽间设置有导电涂料。

进一步地，所述导电涂料包括导电油墨或导电胶水。

一种触控屏，包括依次设置的保护玻璃层、OCA胶层和导电膜层，所述导电膜层采用所述的单层双面导电膜结构。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

1)本实用新型实现一种单层双面导电膜结构，结构简单。

2)本实用新型在一张FILM材上正反面一次成型导电层，工艺简单。

3)本实用新型选择能耐130度以下的低温的FILM材，提高产品良率。

4)目前Metal Mesh一般用的刮银工艺，此工艺是浆料直接用刮刀刮进FILM材表面沟槽中，未刮进沟槽的浆料会残留在FILM材表面，这样外观就很难管控，而本实用新型采用电镀形成纳米级还原铜层的工艺，膜材表面外观可控。

5)本实用新型导电膜结构原材料价格便宜，有效降低了触控屏的成本。

6)本实用新型采用金属铜实现金属网格，导电性能优良，面阻值在5Ω/方以内，适合做大尺寸触控屏。

7)通过本实用新型的单层双面导电膜结构可以实现三层结构的触控屏，节省材料，降低成本，减少了工序，提升了良率。

附图说明

图1为传统GFF结构示意图；

图2为本实用新型的导电膜结构的示意图；

图3为本实用新型的导电膜结构的剖面截图；

图4为本实用新型导电膜结构的制作工艺流程示意图；

图5为本实用新型的触控屏结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。本实施例以本实用新型技术方案为前提进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。

如图2-图3所示，本实施例提供一种单层双面导电膜结构，包括一薄膜基材61，该薄膜基材61的正反两面均设有凹槽，所述凹槽内成型有金属网格，包括上金属网格(TOP Metal Mesh)62和下金属网格(BOT Metal Mesh)63。

在某些实施例中，金属网格采用还原铜网格。

如图4所示，上述单层双面导电膜结构的制作工艺，包括如下步骤：

(a)设计正、反网格图案模具；

(b)获取薄膜基材，本实施例中采用光学级柔性薄膜基材，常用的有PET、PC、PMMA等，对于所选择的薄膜基材具有能耐130度以下的低温要求；

(c)通过双面UV压印方式，利用所述正、反网格图案模具将正、反网格图案转印至一薄膜基材上；

(d)形成带有凹槽的薄膜基材；

(e)在带有凹槽的薄膜基材的正面的凹槽内涂布导电涂料，如导电油墨、导电胶水等；

(f)在带有凹槽的薄膜基材的反面的凹槽内涂布导电涂料；

(g)正反都有导电涂料的薄膜基材浸入电镀槽液中，在凹槽内成型金属网格，形成纳米级还原铜层。

本实施例还实现一种触控屏，如图5所示，包括依次设置的保护玻璃层1、OCA胶层2和导电膜层6，所述导电膜层6采用如上所述的单层双面导电膜结构。

以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。