光电检测电路、阵列基板及显示面板的制作方法

本公开的实施例涉及一种光电检测电路、阵列基板及显示面板。

背景技术：

在当今信息化和科技化的时代，生物识别技术正在逐渐兴起，应用到越来越多的领域。传统密码识别技术的缺点在于容易丢失、被盗、遗忘等，而生物识别技术能很好地弥补传统密码识别技术的不足，逐渐成为下一代主流识别技术。生物识别技术包括指纹、人脸、虹膜、静脉等多种生物特征识别技术，指纹识别技术是其中最成熟、应用范围也最为广泛的一种。

指纹识别是指通过比较不同指纹的细节特征点来进行鉴别。指纹识别技术涉及图像处理、模式识别、计算机视觉、数学形态学、小波分析等众多学科。根据工作原理的不同，指纹识别技术主要包括电容式、光学式和超声波式。光学式指纹识别技术是应用较早的一种指纹识别技术，主要是利用光的折射和反射原理，将手指放在光学镜片上，从内置光源射出的光线在手指表面凹凸不平的线纹上折射的角度及反射回去的光线明暗会不一样，从而可以通过检测光线强度来得到指纹图像，进而与资料库对比并判断是否一致。

技术实现要素：

本公开至少一个实施例提供一种光电检测电路，包括：像素电路，包括红外发光元件且配置为根据扫描信号以及发光数据信号发射红外光；光电三极管，配置为响应于采样控制信号检测所述像素电路发出的红外光。

例如，在本公开一实施例提供的光电检测电路中，所述光电三极管的栅极配置为和采样控制线连接以接收所述采样控制信号，所述光电三极管的第一极配置为和第一电压端连接以接收第一电压，所述光电三极管的第二极配置为和检测信号线连接以将所述光电三极管根据所述红外光而产生的电信号施加至所述检测信号线。

例如，在本公开一实施例提供的光电检测电路中，所述像素电路还包括驱动电路、数据写入电路和补偿电路；所述驱动电路包括控制端、第一端和第二端，且配置为控制驱动所述红外发光元件发光的驱动电流，所述驱动电路的第一端接收第一电压端的第一电压；所述数据写入电路与所述驱动电路的控制端连接，且配置为响应于所述扫描信号将所述发光数据信号写入所述驱动电路的控制端；所述补偿电路与所述驱动电路的控制端、所述驱动电路的第二端以及第二电压端连接，且配置为存储所述数据写入电路写入的所述发光数据信号并对所述驱动电路进行补偿以及耦合调整所述驱动电路的第二端的电压；所述红外发光元件的第一端与所述驱动电路的第二端连接，所述红外发光元件的第二端接收所述第二电压端的第二电压，配置为根据所述驱动电流发射红外光。

例如，在本公开一实施例提供的光电检测电路中，所述像素电路还包括发光控制电路和复位电路；所述发光控制电路与所述驱动电路的第一端连接，配置为响应于发光控制信号将所述第一电压端的第一电压施加至所述驱动电路的第一端；所述复位电路与所述驱动电路的第二端连接，配置为响应于复位信号将复位电压施加至所述驱动电路的第二端。

例如，在本公开一实施例提供的光电检测电路中，所述驱动电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极作为所述驱动电路的控制端，所述第一晶体管的第一极作为所述驱动电路的第一端，所述第一晶体管的第二极作为所述驱动电路的第二端；所述数据写入电路包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极配置为和扫描线连接以接收所述扫描信号，所述第二晶体管的第一极配置为和数据线连接以接收所述发光数据信号，所述第二晶体管的第二极配置为和所述第一晶体管的栅极连接；所述补偿电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一极配置为和所述第一晶体管的栅极连接，所述第一电容的第二极配置为和所述第一晶体管的第二极连接，所述第二电容的第一极配置为和所述第一晶体管的第二极连接，所述第二电容的第二极配置为和所述第二电压端连接以接收第二电压。

例如，在本公开一实施例提供的光电检测电路中，所述发光控制电路包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极配置为和发光控制线连接以接收所述发光控制信号，所述第三晶体管的第一极配置为和所述第一电压端连接以接收所述第一电压，所述第三晶体管的第二极配置为和所述驱动电路的第一端连接；所述复位电路包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极配置为和复位线连接以接收所述复位信号，所述第四晶体管的第一极配置为和所述驱动电路的第二端连接，所述第四晶体管的第二极配置为和所述第二电压端连接以接收所述复位电压。

本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板，包括衬底基板和本公开任一实施例所述的光电检测电路；其中，所述光电三极管设置在所述衬底基板上，所述红外发光元件设置在所述光电三极管远离所述衬底基板的一侧且沿远离所述衬底基板的方向依次包括：第一电极层，所述第一电极层包括由厚度减小的部分形成的第一凹陷区域；第一透明电极层，设置在所述第一电极层远离所述衬底基板一侧的表面上；电致发光层，设置在所述第一透明电极层远离所述衬底基板的一侧且至少位于所述第一凹陷区域内；阴极层，设置在所述电致发光层远离所述衬底基板一侧的表面上。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述红外发光元件还包括第二透明电极层，所述第二透明电极层设置在所述第一电极层靠近所述衬底基板的一侧的表面上。

本公开至少一个实施例还提供一种显示面板，包括本公开任一实施例所述的阵列基板。

例如，在本公开一实施例提供的显示面板包括多个像素单元组，其中，每个所述像素单元组包括多个显示像素和至少一个检测像素，所述检测像素包括所述光电检测电路。

例如，在本公开一实施例提供的显示面板包括栅极驱动电路和数据驱动电路；其中，所述栅极驱动电路配置为向每个所述像素单元组的所述显示像素和所述检测像素提供所述扫描信号；所述数据驱动电路配置为提供显示数据信号和所述发光数据信号，以使所述显示像素进行显示，以及使所述检测像素中的红外发光元件发射红外光。

例如，在本公开一实施例提供的显示面板包括检测信号采集电路，其中，所述检测信号采集电路配置为采集所述光电三极管根据所述红外光而产生的电信号。

例如，在本公开一实施例提供的显示面板中，所述检测信号采集电路包括积分电路，且配置为当采样开关信号开启时，采用所述积分电路采集所述光电三极管根据所述红外光而产生的电流信号，并输出与所述电流信号对应的电压信号。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为本公开一实施例提供的一种光电检测电路的示意框图；

图2为本公开一实施例提供的另一种光电检测电路的示意框图；

图3为本公开一实施例提供的另一种光电检测电路的示意框图；

图4为图3中所示的光电检测电路的一种具体实现示例的电路图；

图5为本公开一实施例提供的一种光电检测电路的信号时序图；

图6为本公开一实施例提供的一种显示面板的示意框图；

图7A至图7C为本公开一实施例提供的显示面板的像素单元组的排列示意图；

图8为本公开一实施例提供的另一种显示面板的示意框图；

图9为本公开一实施例提供的另一种显示面板的示意框图；

图10为本公开一实施例提供的一种显示面板的检测信号采集电路的示意图；以及

图11为本公开一实施例提供的一种阵列基板的层结构示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

近年来，随着工艺水平的发展，可以将近红外光电二极管制作在显示面板中，并且使显示面板发射近红外光，通过检测被手指反射的近红外光来实现指纹识别，并进而实现屏内指纹识别功能。但是，由于近红外光电二极管具有PN或PIN结构，需要通过掺杂工艺并采用几种不同的材料来制作，因此增加了工艺难度，容易造成额外缺陷。并且，为了降低功耗，近红外光电二极管不应长时间工作，因此需要在电路结构中设置开关晶体管来实现对近红外光电二极管的控制，导致电路结构复杂，生产成本高。

本公开至少一实施例提供一种光电检测电路、阵列基板、显示面板、光电检测方法和指纹识别方法。该光电检测电路利用光电三极管来检测像素电路发出的红外光，工艺难度低，电路结构简化，感光响应度高，有利于实现全屏指纹识别和触控功能。

下面，将参考附图详细地说明本公开的实施例。应当注意的是，不同的附图中相同的附图标记将用于指代已描述的相同的元件。

本公开至少一实施例提供一种光电检测电路，该光电检测电路包括像素电路和光电三极管。该像素电路包括红外发光元件且配置为根据扫描信号以及发光数据信号发射红外光。该光电三极管配置为响应于采样控制信号检测像素电路发出的红外光。

图1为本公开一实施例提供的一种光电检测电路的示意框图。参考图1，该光电检测电路10包括像素电路100和光电三极管200。

像素电路100包括红外发光元件110且配置为根据扫描信号以及发光数据信号发射红外光。例如，像素电路100与扫描信号端Vscan、发光数据信号端Vdata、第一电压端VDD和第二电压端VSS连接，配置为响应于扫描信号端Vscan提供的扫描信号将发光数据信号端Vdata提供的发光数据信号写入像素电路100内部并且存储，以驱动红外发光元件110发射红外光。例如，第一电压端VDD配置为保持输入直流高电平信号，将该直流高电平称为第一电压；第二电压端VSS配置为保持输入直流低电平信号，例如接地，将该直流低电平称为第二电压。以下各实施例与此相同，不再赘述。例如，第一电压端VDD和第二电压端VSS用于为像素电路100提供第一电压和第二电压，从而为像素电路100供电且提供必要的电流回路，以使红外发光元件110正常工作。例如，像素电路100响应于扫描信号将发光数据信号写入像素电路100内部并存储，并且根据该发光数据信号产生相应的驱动电流，从而使红外发光元件110发射红外光。这种方式可以通过提供不同的发光数据信号以使红外发光元件110的发光强度不同，从而满足多种应用场景和检测灵敏度的需求。并且，这种工作方式兼容常规的显示面板的驱动方式以及制备工艺，从而可以简化控制模式，提高设备可靠性。

例如，红外发光元件110可以为红外有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)。例如，红外发光元件110发射的红外光的光谱为近红外光谱。当然，本公开的实施例不限于此，红外发光元件110发射的红外光的光谱可以为近红外光谱、中红外光谱和远红外光谱中的一种或多种。

例如，像素电路100还可以包括任意个晶体管和任意个电容，即像素电路100可以为显示面板中采用的任意类型的像素电路，例如，2T1C、4T1C或4T2C等。像素电路100在具有驱动红外发光元件110发光的功能的基础上，还可以具有其他功能，例如电压补偿、电流补偿、混合补偿、复位等功能。

光电三极管200配置为响应于采样控制信号检测像素电路100发出的红外光。例如，光电三极管200与采样控制端Vcon、第一电压端VDD和检测信号端Sense连接，配置为在采样控制端Vcon提供的采样控制信号的作用下，根据像素电路100中的红外发光元件110发出的红外光产生电信号，并将该电信号输出至检测信号端Sense。例如，该电信号为电流信号，且该电流信号的电流值与检测到的红外光的光强对应，例如一一对应。例如，光电三极管200在近红外光谱具有较高的光敏特性。当然，本公开的实施例不限于此，光电三极管200的工作光谱可以是近红外光谱、中红外光谱和远红外光谱中的一种或多种，只要保证光电三极管200能够检测红外发光元件110发出的红外光即可。

需要说明的是，本公开的各实施例中，光电三极管200不限于与第一电压端VDD连接，也可以与另外提供的高电压端或低电压端连接，只需保证为光电三极管200提供偏置电压以使光电三极管200能够正常工作即可。

例如，像素电路100及其中的红外发光元件110可以采用常规的显示面板的工艺制程制备，进一步地，光电三极管200也可以采用类似的工艺制程制备，因此该光电检测电路10的工艺难度低，生产成本低，生产效率高。

例如，光电检测电路10还可以和设置在该光电检测电路10之外的驱动电路001耦接，例如电连接，以接收驱动电路001提供的扫描信号、发光数据信号、采样控制信号和其他信号中的一种或多种信号，或者向该驱动电路001发送产生的电信号以供识别。例如，驱动电路001可以是设置在显示面板中的栅极驱动电路、数据驱动电路或其他驱动芯片，配置为向光电检测电路10提供扫描信号、发光数据信号、采样控制信号或其他信号中的一种或多种信号，或从光电检测电路10接收产生的电信号，从而产生触摸信号(用于触控功能)或图像信号(用于指纹识别功能)。

当用户的手指放在检测位置(例如，显示面板的屏幕上)时，红外发光元件110发出的红外光被手指反射，从而使光电三极管200接收到的红外光的光强与检测位置处无手指时光电三极管200接收到的红外光的光强不同，从而得到不同的电信号，由此实现触控检测或得到指纹图像等。该光电检测电路10利用光电三极管200来检测像素电路100中的红外发光元件110发出的红外光，工艺难度低，电路结构简化，感光响应度高，有利于实现全屏指纹识别和触控功能。

图2为本公开一实施例提供的另一种光电检测电路的示意框图。参考图2，光电检测电路10中的像素电路100还可以包括驱动电路120、数据写入电路130和补偿电路140，光电检测电路10中的其他结构与图1中所示的光电检测电路10基本上相同。

驱动电路120包括第一端121、第二端122和控制端123，且配置为控制驱动红外发光元件110发光的驱动电流，驱动电路120的第一端121接收第一电压端VDD的第一电压。例如，驱动电路120的控制端123和第一节点N1连接，驱动电路120的第一端121连接到第一电压端VDD，驱动电路120的第二端122和第二节点N2连接。例如，驱动电路120在工作时可以向红外发光元件110提供驱动电流以驱动红外发光元件110发射红外光，且使得红外发光元件110可以根据需要的亮度发光。例如，红外发光元件110可以采用红外OLED，本公开的实施例包括但不限于此情形。

数据写入电路130与驱动电路120的控制端123连接，且配置为响应于扫描信号将发光数据信号写入驱动电路120的控制端123。例如，数据写入电路130分别和数据线(发光数据信号端Vdata)、第一节点N1以及扫描线(扫描信号端Vscan)连接。例如，来自扫描信号端Vscan的扫描信号被施加至数据写入电路130以控制数据写入电路130开启与否。例如，在数据写入阶段，数据写入电路130可以响应于扫描信号而开启，从而可以将发光数据信号端Vdata提供的发光数据信号写入驱动电路120的控制端123(第一节点N1)，然后可将发光数据信号存储在补偿电路140中，该存储的发光数据信号将用于生成驱动红外发光元件110发光的驱动电流。

补偿电路140与驱动电路120的控制端123(第一节点N1)、驱动电路120的第二端122(第二节点N2)以及第二电压端VSS连接，且配置为存储数据写入电路130写入的发光数据信号并对驱动电路120进行补偿以及耦合调整驱动电路120的第二端122(第二节点N2)的电压。例如，在补偿电路140包括电容的情形下，例如在补偿阶段，补偿电路140可以使驱动电路120的阈值电压的相关信息相应地存储在该电容中。又例如，在数据写入阶段，补偿电路140可以将数据写入电路130写入的发光数据信号存储在该电容中，从而在例如发光阶段时可以利用存储的包括发光数据信号以及阈值电压的电压对驱动电路120进行控制，使得驱动电路120的输出可以得到补偿。

红外发光元件110的第一端111与驱动电路120的第二端122(第二节点N2)连接，红外发光元件110的第二端112接收第二电压端VSS的第二电压，配置为根据上述驱动电流发射红外光。

图3为本公开一实施例提供的另一种光电检测电路的示意框图。参考图3，光电检测电路10中的像素电路100还可以包括发光控制电路150和复位电路160，光电检测电路10中的其他结构与图2中所示的光电检测电路10基本上相同。

发光控制电路150与驱动电路120的第一端121连接，配置为响应于发光控制信号将第一电压端VDD的第一电压施加至驱动电路120的第一端121。例如，发光控制电路150分别和发光控制线(发光控制端EM)、驱动电路120的第一端121以及第一电压端VDD连接。例如，在发光阶段，发光控制电路150响应于发光控制端EM提供的发光控制信号而开启，从而使第一电压端VDD的第一电压可以通过发光控制电路150施加至驱动电路120的第一端121，进而使红外发光元件110在驱动电流的作用下发光。

复位电路160与驱动电路120的第二端122(第二节点N2)连接，配置为响应于复位信号将复位电压施加至驱动电路120的第二端122(第二节点N2)。例如，复位电路160分别和第二节点N2、第二电压端VSS和复位线(复位信号端Reset)连接。例如，在复位阶段，复位电路160可以响应于复位信号端Reset提供的复位信号而开启，从而将复位电压(这里用于复位的电压为第二电压)施加至第二节点N2，从而可以对第二节点N2和红外发光元件110进行复位操作，消除之前的发光阶段的影响。例如，复位电压可以由第二电压端VSS提供，在其他示例中也可以由独立于第二电压端VSS的复位电压端提供，由此相应地，复位电路160不是连接到第二电压端VSS而是连接到该复位电压端，本公开的实施例对此不作限制。

例如，在驱动电路120实现为驱动晶体管的情形时，例如驱动晶体管的栅极可以作为驱动电路120的控制端123(连接到第一节点N1)，第一极(例如漏极)可以作为驱动电路120的第一端121(接收第一电压端VDD的第一电压)，第二极(例如源极)可以作为驱动电路120的第二端122(连接到第二节点N2)。

需要说明的是，在本公开的各实施例的描述中，符号Vdata既可以表示发光数据信号端又可以表示发光数据信号的电平。同样地，符号Vscan既可以表示扫描信号端又可以表示扫描信号的电平，符号Reset既可以表示复位信号端又可以表示复位信号的电平，符号EM既可以表示发光控制端又可以表示发光控制信号的电平，符号VDD既可以表示第一电压端又可以表示第一电压，符号VSS既可以表示第二电压端又可以表示第二电压，符号Vcon既可以表示采样控制端又可以表示采样控制信号的电平。以下各实施例与此相同，不再赘述。

需要说明的是，本公开各实施例提供的光电检测电路10还可以包括其他具有外部补偿功能的电路结构。外部补偿功能可以通过电学补偿、光学补偿或电学补偿和光学补偿的结合来实现。当然，本公开的实施例不限于此，光电检测电路10还可以包括其他具有任意功能的电路结构。对于具有其他功能的电路的示例，这里不再详述。

本公开的实施例提供的光电检测电路10利用光电三极管200来检测像素电路100中的红外发光元件110发出的红外光，工艺难度低，电路结构简化，感光响应度高，有利于实现全屏指纹识别和触控功能。

图4为图3中所示的光电检测电路的一种具体实现示例的电路图，图3中所示的光电检测电路10可以相应地得到。参考图4，光电检测电路10包括第一至第四晶体管T1-T4、光电三极管PT、红外发光元件L1以及包括第一电容C1和第二电容C2。例如，第一晶体管T1被用作驱动晶体管，第二至第四晶体管T2-T4被用作开关晶体管。例如，红外发光元件L1可以为各种类型的红外OLED，例如顶发射、底发射、双侧发射等，可以发射近红外光、中红外光或远红外光等，本公开的实施例对此不作限制。

例如，光电三极管PT的栅极配置为和采样控制线(采样控制端Vcon)连接以接收采样控制信号，光电三极管PT的第一极配置为和第一电压端VDD连接以接收第一电压，光电三极管PT的第二极配置为和检测信号线(检测信号端Sense)连接以将光电三极管PT根据红外光而产生的电信号施加至检测信号线。在该示例中，光电三极管PT与像素电路100共享第一电压端VDD，由此可以简化布线以及电源电压设置。当然，本公开的实施例不限于此，在其他示例中，光电三极管PT的第一极也可以和另行设置的电压端连接，例如，当光电三极管PT所需要的偏置电压的电平与第一电压的电平不同时，通过另行设置的电压端为光电三极管PT提供所需要的偏置电压，从而使该光电检测电路10适用于多种光电三极管PT。

驱动电路120可以实现为第一晶体管T1。第一晶体管T1的栅极作为驱动电路120的控制端123和第一节点N1连接，第一晶体管T1的第一极作为驱动电路120的第一端121，第一晶体管T1的第二极作为驱动电路120的第二端122和第二节点N2连接。需要注意的是，不限于此，驱动电路120也可以是由其他的组件组成的电路，以实现相应的功能。

数据写入电路130可以实现为第二晶体管T2。第二晶体管T2的栅极配置为和扫描线(扫描信号端Vscan)连接以接收扫描信号，第二晶体管T2的第一极配置为和数据线(发光数据信号端Vdata)连接以接收发光数据信号，第二晶体管T2的第二极配置为和第一晶体管T1的栅极(第一节点N1)连接。需要注意的是，不限于此，数据写入电路130也可以是由其他的组件组成的电路，以实现相应的功能。

补偿电路140可以实现为第一电容C1和第二电容C2。第一电容C1的第一极配置为和第一晶体管T1的栅极(第一节点N1)连接，第一电容C1的第二极配置为和第一晶体管T1的第二极(第二节点N2)连接。第二电容C2的第一极配置为和第一晶体管T1的第二极(第二节点N2)连接，第二电容C2的第二极配置为和第二电压端VSS连接以接收第二电压。需要注意的是，不限于此，补偿电路140也可以是由其他的组件组成的电路，以实现相应的功能。

发光控制电路150可以实现为第三晶体管T3。第三晶体管T3的栅极配置为和发光控制线(发光控制端EM)连接以接收发光控制信号，第三晶体管T3的第一极配置为和第一电压端VDD连接以接收第一电压，第三晶体管T3的第二极配置为和驱动电路120的第一端121连接。需要注意的是，不限于此，发光控制电路150也可以是由其他的组件组成的电路，以实现相应的功能。

复位电路160可以实现为第四晶体管T4。第四晶体管T4的栅极配置为和复位线(复位信号端Reset)连接以接收复位信号，第四晶体管T4的第一极配置为和驱动电路120的第二端122(第二节点N2)连接，第四晶体管T4的第二极配置为和第二电压端VSS连接以接收复位电压。这里，将第二电压端VSS提供的第二电压作为复位电压。在其他示例中，也可以由另外提供的电压作为复位电压，相应地，第四晶体管T4的第二极不再和第二电压端VSS连接，而是和另外设置的电压端连接。需要注意的是，不限于此，复位电路160也可以是由其他的组件组成的电路，以实现相应的功能。

红外发光元件L1例如可以为红外OLED，该红外OLED的有机发光层由红外有机发光材料形成，本公开的实施例对此不作限制。红外发光元件L1的第一端111(这里为阳极)配置为和第二节点N2连接且配置为从驱动电路120的第二端122接收驱动电流，红外发光元件L1的第二端112(这里为阴极)和第二电压端VSS连接以接收第二电压。需要注意的是，不限于此，红外发光元件L1也可以是其他可以发射红外光的元器件，以实现相应的功能。

需要说明的是，在本公开的各实施例中，第一节点N1和第二节点N2并非表示实际存在的部件，而是表示电路图中相关电连接的汇合点。

需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管、场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，本公开的实施例中均以薄膜晶体管为例进行说明。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管除栅极之外的两极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极。

另外，在本公开的实施例中的晶体管均以N型晶体管为例进行说明，此时，晶体管的第一极是漏极，第二极是源极。需要说明的是，本公开包括但不限于此。例如，本公开的实施例提供的光电检测电路10中的一个或多个晶体管也可以采用P型晶体管，此时，晶体管第一极是源极，第二极是漏极，只需将选定类型的晶体管的各极参照本公开的实施例中的相应晶体管的各极相应连接即可。当采用N型晶体管时，可以采用氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)作为薄膜晶体管的有源层，相对于采用低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)或非晶硅(例如氢化非晶硅)作为薄膜晶体管的有源层，可以有效减小晶体管的尺寸以及防止漏电流。

图5为本公开一实施例提供的一种光电检测电路的信号时序图。下面结合图5所示的信号时序图，对图4所示的光电检测电路10的工作原理进行说明，并且这里以各个晶体管为N型晶体管为例进行说明，但是本公开的实施例不限于此。如图5所示，检测过程包括三个阶段，分别为复位阶段1、补偿阶段2以及发光阶段3，图5中示出了每个阶段中各个信号的时序波形。

在复位阶段1，扫描信号端Vscan和复位信号端Reset提供高电平信号，第二晶体管T2和第四晶体管T4导通。此时，发光数据信号端Vdata提供参考电压Vref，例如，参考电压Vref高于第二电压端VSS提供的第二电压。参考电压Vref通过第二晶体管T2写入第一节点N1。第二电压通过第四晶体管T4写入第二节点N2。此时，第一晶体管T1导通。

在补偿阶段2，扫描信号端Vscan和发光控制端EM提供高电平信号，复位信号端Reset提供低电平信号。第三晶体管T3导通，第二晶体管T2和第一晶体管T1保持导通，第四晶体管T4截止。第一电压端VDD通过第三晶体管T3和第一晶体管T1对第二节点N2进行充电，使第二节点N2的电位抬升。容易理解，在此阶段，第一节点N1的电位保持为参考电压Vref，同时根据第一晶体管T1自身的特性，当第二节点N2的电位抬升至Vref-Vth时，第一晶体管T1截止，充电过程结束。需要说明的是，Vth表示第一晶体管T1的阈值电压，由于在本实施例中，第一晶体管T1是以N型晶体管为例进行说明的，所以此处阈值电压Vth是个正值。

经过补偿阶段2后，第一节点N1的电位保持为参考电压Vref，第二节点N2的电位为Vref-Vth，也即将带有阈值电压Vth的电压信息存储在了第一电容C1中，以用于后续在发光阶段时，对第一晶体管T1自身的阈值电压Vth进行补偿。例如，根据第一晶体管T1的阈值电压Vth，选择合适的参考电压Vref，使得第一晶体管T1在补偿阶段2的导通时间较短且流过的电流较小，从而避免导致红外发光元件L1发光。

在发光阶段3，扫描信号端Vscan、发光控制端EM、发光数据信号端Vdata和采样控制端Vcon提供高电平信号，第二晶体管T2和第三晶体管T3保持导通，第一晶体管T1和光电三极管PT也导通。例如，此时发光数据信号端Vdata提供的发光数据信号Vdata的电平高于参考电压Vref。发光数据信号Vdata通过第二晶体管T2对第一节点N1进行充电，使第一节点N1的电位由参考电压Vref抬升至Vdata。由于电容本身的特性，第一电容C1的一端(即第一节点N1)的电位的变化会导致另一端(即第二节点N2)的电位变化，同时又根据第一电容C1和第二电容C2串联连接，第二电容C2的一端(即与第二电压端VSS连接的一端)的电位保持不变，根据电荷守恒原理可以得到第二节点N2的电位变为Vref-Vth+(Vdata-Vref)C1/(C1+C2)。需要说明的是，本公开的各实施例中，C1既可以表示第一电容，又可以表示第一电容的电容值；C2既可以表示第二电容，又可以表示第二电容的电容值。此时，带有发光数据信号Vdata的电压信息存储在了第一电容C1中。

第一晶体管T1在第一节点N1的高电平的作用下导通，红外发光元件L1在流经第一晶体管T1的驱动电流的作用下发射红外光。

具体地，流经红外发光元件L1的驱动电流IOLED的值可以根据下述公式得出：

IOLED＝1/2*K*(Vgs–Vth)²

将如下值代入上述公式：

Vg＝VN1＝Vdata，

Vs＝VN2＝Vref-Vth+(Vdata-Vref)C1/(C1+C2)，

由此得到：

IOLED＝1/2*K*((Vdata-Vref)C2/(C1+C2))²

在上述公式中，Vth表示第一晶体管T1的阈值电压，Vgs表示第一晶体管T1的栅极和第二极(例如源极)之间的电压，VN1表示第一节点N1的电位，VN2表示第二节点N2的电位，K为一常数值。

从上述公式可以看出，一方面，流经红外发光元件L1的驱动电流IOLED不再与第一晶体管T1的阈值电压Vth有关，由此可以实现对该光电检测电路10的补偿，解决了驱动晶体管(在本公开的实施例中为第一晶体管T1)由于工艺制程及长时间的操作造成的阈值电压漂移的问题，消除其对驱动电流IOLED的影响，从而可以避免红外发光元件L1发光不均匀的问题，使不同的检测位置处的指纹识别灵敏度保持一致，改善指纹识别效果。另一方面，流经红外发光元件L1的驱动电流IOLED也不再与第一电压VDD有关，从而解决了由于集成电路远端和近端的第一电压VDD的电压压降引起的红外光的光强差异的问题，从而可以改善采用该光电检测电路10的显示面板的指纹识别效果。

在发光阶段3，光电三极管PT在采样控制端Vcon提供的高电平的作用下导通，根据接收到的红外光而产生电信号，并将该电信号施加至检测信号线(检测信号端Sense)。例如，该电信号为电流信号。例如，当用户的手指未放在检测位置(例如，显示面板的屏幕上)时，光电三极管PT会根据红外发光元件L1发出的红外光产生背景电流I0。当用户的手指放在检测位置时，红外发光元件L1发出的红外光被手指反射，此时，照射到光电三极管PT上的红外光的光强与未放手指时不同，光电三极管PT会根据此时的红外光的光强产生检测电流I1。例如，可以通过另行设置的与检测信号线相连的检测信号采集电路来采集I0和I1，并且通过另行设置的处理电路进行运算和处理，从而得到指纹的图像。

例如，利用该光电检测电路10可以实现全屏指纹识别。进一步地，通过上述方式也可以实现触控功能。例如，在其他示例中，只需实现触控功能而不需要实现指纹识别功能时，可以降低光电检测电路10在显示面板中的分布密度，从而在实现触控功能的同时降低功耗和生产成本。

如果被手指反射的光的光强较小，例如，小于发射光的光强的10％，则上述指纹识别方式对光电三极管PT的响应度要求较高。例如，可以通过调节光电三极管PT的栅极电压(即采样控制信号的电压)，从而调节光电三极管PT的背景电流I0的值，以得到优化的响应度。

并且，由于光电三极管PT自身的结构特点，其裸露的沟道区域不需要P型或N型半导体材料掺杂，只需要一种半导体材料即可，例如，采用磁控溅射工艺即可实现，因此可以降低工艺难度。光电三极管PT自身具有开关功能，不需要特别设置的开关晶体管，因此可以简化电路结构。

本公开至少一实施例还提供一种显示面板，包括本公开任一实施例所述的阵列基板。该显示面板工艺难度低，电路结构简化，感光响应度高，有利于实现全屏指纹识别和触控功能。

图6为本公开一实施例提供的一种显示面板的示意框图。参考图6，显示面板20包括阵列基板2000，阵列基板2000为本公开任一实施例所述的阵列基板。阵列基板2000包括光电检测电路10，光电检测电路10为本公开任一实施例所述的光电检测电路。例如，显示面板20可以为液晶面板、OLED面板、电子纸显示面板等任何具有显示功能的产品或部件，本公开的实施例对此不作限制。显示面板20的技术效果可以参考上述实施例中关于光电检测电路10的相应描述以及下文中关于阵列基板的相应描述，这里不再赘述。

例如，显示面板20还包括多个像素单元组2010，像素单元组2010作为最小重复单元在显示面板20中呈阵列排布。如图7A至图7C所示，像素单元组2010可以有多种排列方式。例如，每个像素单元组2010包括多个显示像素(例如，第一显示像素2011、第二显示像素2012和第三显示像素2013)和至少一个检测像素2014。检测像素2014包括光电检测电路10。第一显示像素2011、第二显示像素2012、第三显示像素2013配置为根据扫描信号和显示数据信号进行显示，检测像素2014配置为根据扫描信号和发光数据信号进行指纹检测。例如，第一显示像素2011可以为红色显示像素，第二显示像素2012可以为绿色显示像素，第三显示像素2013可以为蓝色显示像素。当然，本公开的实施例不限于此，各个显示像素可以为任意颜色的显示像素。需要说明的是，本公开的各实施例中，每个像素单元组2010也可以包括多个第一显示像素2011、多个第二显示像素2012和多个第三显示像素2013，不限于图7A至图7C所示的数量和排列方式。

例如，在一个示例中，如图7A所示，第一显示像素2011、第二显示像素2012、第三显示像素2013和检测像素2014呈田字格排列。例如，在另一个示例中，如图7B所示，第一显示像素2011、第二显示像素2012、第三显示像素2013和检测像素2014依序排列为一行。例如，在又一个示例中，如图7C所示，第二显示像素2012、检测像素2014、第三显示像素2013和第一显示像素2011依序排列为一行。需要说明的是，本公开的各实施例中，多个显示像素和检测像素的排列方式不受限制，可以根据需求灵活设置。

图8为本公开一实施例提供的另一种显示面板的示意框图。参考图8，显示面板20包括阵列基板2000、栅极驱动电路2020、数据驱动电路2030和定时控制器2040。阵列基板2000包括根据多条扫描线GL和多条数据线DL交叉限定的多个像素单元组2010。栅极驱动电路2020用于驱动多条扫描线GL。数据驱动电路2030用于驱动多条数据线DL。定时控制器2040用于处理从显示面板20外部输入的图像数据RGB，向数据驱动电路2030提供处理的图像数据RGB以及向栅极驱动电路2020和数据驱动电路2030输出扫描控制信号GCS和数据控制信号DCS，以对栅极驱动电路2020和数据驱动电路2030进行控制。

例如，阵列基板2000包括多个像素单元组2010，像素单元组2010中的检测像素包括上述任一实施例所述的光电检测电路10。阵列基板2000还包括多条扫描线GL和多条数据线DL。例如，像素单元组2010中的显示像素和检测像素设置在扫描线GL和数据线DL的交叉区域。例如，在一个示例中，像素单元组2010采用如图7B所示的排列方式，每个像素单元组2010连接到三条扫描线GL(分别提供扫描信号、发光控制信号和复位信号)、四条数据线DL(分别为三个显示像素提供显示数据信号，以及为检测像素提供发光数据信号)、用于提供第一电压的第一电压线、用于提供第二电压的第二电压线、用于提供检测信号端的检测信号线。例如，第一电压线或第二电压线可以用相应的板状公共电极(例如公共阳极或公共阴极)替代。需要说明的是，在图8中仅示出了部分的像素单元组2010、扫描线GL和数据线DL。

例如，栅极驱动电路2020配置为向每个像素单元组2010的显示像素和检测像素提供扫描信号。栅极驱动电路2020还可以配置为提供发光控制信号和复位信号等。例如，栅极驱动电路2020可以设置在阵列基板2000之外，也可以设置在阵列基板2000上以构成GOA(Gate-driver on Array)。

例如，数据驱动电路2030使用参考伽玛电压根据源自定时控制器2040的多个数据控制信号DCS将从定时控制器2040输入的数字图像数据RGB转换成显示数据信号。例如，数据驱动电路2030配置为提供显示数据信号和发光数据信号，以使显示像素进行显示，以及使检测像素中的红外发光元件发射红外光。数据驱动电路2030向多条数据线DL提供转换的显示数据信号以及用于指纹识别的发光数据信号。例如，数据驱动电路2030可以设置在阵列基板2000上或者阵列基板2000之外。

例如，定时控制器2040对外部输入的图像数据RGB进行处理以匹配显示面板20的大小和分辨率，然后向数据驱动电路2030提供处理后的图像数据。定时控制器2040使用从显示面板20外部输入的同步信号(例如点时钟DCLK、数据使能信号DE、水平同步信号Hsync以及垂直同步信号Vsync)产生多条扫描控制信号GCS和多条数据控制信号DCS。定时控制器2040分别向栅极驱动电路2020和数据驱动电路2030提供产生的扫描控制信号GCS和数据控制信号DCS，以用于栅极驱动电路2020和数据驱动电路2030的控制。

例如，栅极驱动电路2020和数据驱动电路2030可以实现为半导体芯片。该显示面板20还可以包括其他部件，例如信号解码电路、电压转换电路等，这些部件例如可以采用已有的常规部件，这里不再详述。

图9为本公开一实施例提供的另一种显示面板的示意框图。参考图9，显示面板20还可以包括检测信号采集电路30。检测信号采集电路30配置为采集光电三极管200根据红外光而产生的电信号。例如，检测信号采集电路30与检测信号线(检测信号端Sense)连接，从而采集光电三极管200产生的电信号。需要说明的是，本公开的各实施例中，检测信号采集电路30的工作原理和电路结构不受限制，可以采用任意的模拟电路、数字电路、芯片等，只要能够实现相应的功能即可。例如，可以通过多条检测信号线将与多个检测像素一一对应的多个检测信号采集电路30集成到一个芯片中，从而简化显示面板的结构。

图10为本公开一实施例提供的一种显示面板的检测信号采集电路的示意图。参考图10，该电路为图9中描述的检测信号采集电路30的一个示例，但本公开的实施例并不限于此。该检测信号采集电路30包括由运算放大器A1、积分电容C3、存储电容C4、电阻R1构成的积分电路，以及还包括第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。检测信号采集电路30配置为当采样开关信号(采样开关端Vsw提供)开启时，采用上述积分电路采集光电三极管PT根据红外光而产生的电流信号，并输出与该电流信号对应的电压信号。

如图10所示，第五晶体管T5的栅极和采样开关端Vsw连接以接收采样开关信号，第五晶体管T5的第一极和检测信号端Sense连接以接收光电三极管PT产生的电信号(例如，电流信号)，第五晶体管T5的第二极和电阻R1的第一极连接。电阻R1的第二极和运算放大器A1的第一输入端(负输入端)连接。积分电容C3的第一极和运算放大器A1的第一输入端连接，积分电容C3的第二极和运算放大器A1的输出端Vout连接。第六晶体管T6的栅极和变量采集端V1连接以接收变量采集信号，第六晶体管T6的第一极和运算放大器A1的第一输入端连接，第六晶体管T6的第二极和运算放大器A1的输出端Vout连接。存储电容C4的第一极和运算放大器A1的第二输入端(正输入端)连接，存储电容C4的第二极和第二电压端VSS连接。第七晶体管T7的栅极和重置开关端V2连接以接收重置开关信号，第七晶体管T7的第一极和运算放大器A1的第二输入端连接，第七晶体管T7的第二极和运算放大器A1的输出端Vout连接。该检测信号采集电路30的工作原理描述如下。

在检测位置处无手指时，采样控制信号(采样控制端Vcon提供)和采样开关信号(采样开关端Vsw提供)均开启(为有效电平)，光电三极管PT检测红外光并产生电流，第五晶体管T5导通。运算放大器A1的第一输入端会产生电压V0。此时，变量采集信号(变量采集端V1提供)和重置开关信号(重置开关端V2提供)均开启，第六晶体管T6和第七晶体管T7均导通，运算放大器A1的第二输入端的电压也为V0。然后，关闭变量采集信号和重置开关信号，使第六晶体管T6和第七晶体管T7截止。该电路对光电三极管PT产生的电流信号进行积分，此时运算放大器A1的输出端Vout的电压可以表示为：

其中，Vout1表示此时运算放大器A1的输出端Vout的电压，C表示积分电容C3的电容值，t表示检测时间，I(t)表示光电三极管PT产生的电流值。

在手指位于检测位置时，手指会反射红外光，使得照射到光电三极管PT上的红外光的光强发生变化，因此光电三极管PT产生的电流也会相应变化。采样控制信号和采样开关信号均开启，光电三极管PT检测红外光并产生电流，第五晶体管T5导通。变量采集信号和重置开关信号保持关闭，使第六晶体管T6和第七晶体管T7保持截止。此时，运算放大器A1的输出端Vout的电压变为：

其中，Vout2表示在该阶段运算放大器A1的输出端Vout的电压，I’(t)表示光电三极管PT的电流变化量，即此时光电三极管PT产生的电流为I(t)+I’(t)。

根据计算，可以得到：

由此，光电三极管PT检测到的红外光的光强变化量为：

其中，ΔI表示红外光的光强变化量，q为一常数值。根据红外光的光强变化量，即可以实现指纹检测。

例如，在一个示例中，显示面板20配置为在屏幕被唤醒后进行指纹识别。当屏幕被唤醒时，红外发光元件110开始发射红外光，光电三极管PT会感应出背景电流I(t)。当手指放在屏幕上时，光电三极管PT会感测被手指反射的红外光。在无手指(或指纹)覆盖的区域，没有明显的反射光，该区域内的光电三极管PT感应出的电流变化量为0。在有手指(或指纹)覆盖的区域，有较为明显的反射光，该区域内的光电三极管PT会感应出电流变化量I’(t)，从而实现指纹识别。

例如，在另一个示例中，显示面板20配置为在屏幕被唤醒前进行指纹识别并实现屏幕唤醒功能。在屏幕被唤醒前，即屏幕为关闭状态，显示面板20中的显示像素不显示，而检测像素保持工作。例如，可以降低提供给检测像素的扫描信号的频率，即类似于Always on Display(AOD)技术(或称为息屏显示技术)，以实现检测像素中的红外发光元件110的常开功能，并且降低功耗。光电三极管PT会感应出背景电流I(t)。当手指放在屏幕上时，在有手指(或指纹)覆盖的区域，该区域内的光电三极管PT会感应出电流变化量I’(t)，从而实现指纹识别及屏幕唤醒功能。

需要说明的是，本公开的各实施例中，显示面板20的工作模式不限于上文描述的方式，可以根据实际需求灵活设置显示面板20的工作模式，以使该显示面板20的指纹识别功能与其他功能相匹配。

本公开至少一实施例还提供一种阵列基板，包括衬底基板和本公开任一实施例所述的光电检测电路。所述光电检测电路中的光电三极管设置在所述衬底基板上，所述红外发光元件设置在所述光电三极管远离所述衬底基板的一侧且沿远离所述衬底基板的方向依次包括：第一电极层、第一透明电极层、电致发光层和阴极层。所述第一电极层包括由厚度减小的部分形成的第一凹陷区域。第一透明电极层设置在所述第一电极层远离所述衬底基板一侧的表面上。电致发光层设置在所述第一透明电极层远离所述衬底基板的一侧且至少位于所述第一凹陷区域内。阴极层设置在所述电致发光层远离所述衬底基板一侧的表面上。该阵列基板中的红外发光元件可以在提高出光效率的同时提高透光率，且可以有效遮挡从侧面入射的杂散光，在利用上述光电检测电路检测像素电路发出的红外光时，可以提高感光响应度，从而提高信号准确度。

图11为本公开一实施例提供的一种阵列基板的层结构示意图，该阵列基板包括本公开任一实施例所述的光电检测电路10。参考图11，该阵列基板依次由衬底基板1110、缓冲层1120、像素电路层1130、平坦层1140、红外OLED层1150和像素定义层1160构成。像素电路层1130包括有源层1131、第一绝缘层1132、栅极层1133、第二绝缘层1134、源极/漏极层1135。在该实施例中，像素电路层1130中的薄膜晶体管为顶栅型，本公开的实施例不限于此，薄膜晶体管也可以为底栅型，这可以根据实际需求而定。例如，红外OLED层1150为光电检测电路10中的红外发光元件L1。例如，在一个示例中，阵列基板还包括保护层1170，保护层1170设置在像素定义层1160上且覆盖红外OLED层1150，以构成显示面板。

红外OLED层1150包括第一透明电极层1153、第一电极层1152、第二透明电极层1151、电致发光层1154-1156和阴极层1157。第一透明电极层1153、第一电极层1152和第二透明电极层1151构成具有层叠结构的阳极，与阴极层1157配合工作，从而驱动电致发光层1154-1156发射红外光。例如，在其他示例中，第二透明电极层1151也可以省略，仅由第一透明电极层1153和第一电极层1152构成阳极，本公开的实施例对此不作限制。在该实施例中，第二透明电极层1151设置在平坦层1140上。第一电极层1152设置在第二透明电极层1151上，且包括由厚度减小的部分形成的第一凹陷区域1158。例如，第一凹陷区域1158向靠近光电三极管PT的栅极1181、感光层1182和电极层1183的方向凹陷。例如，第一电极层1152为金属电极层(例如银电极层)。第一透明电极层1153设置在第一电极层1152上。电致发光层1154-1156包括层叠设置的空穴传输层1154、发光层1155和电子传输层1156。电致发光层1154-1156设置在第一透明电极层1153上且至少位于第一凹陷区域1158内。阴极层1157设置在电致发光层1154-1156上。

例如，由于具有第一凹陷区域1158，第一电极层1152和第一透明电极层1153构成了近似的杯状层叠结构(反射杯结构)，从而可以提高出光效率。在第一凹陷区域1158的周围，第一电极层1152和第一透明电极层1153构成的阳极在平行于衬底基板1110的方向上的厚度较大，因此可以遮挡从反射杯结构的侧面入射的杂散光，在利用上述光电检测电路检测像素电路发出的红外光时，可以提高信号准确度。第一电极层1152在第一凹陷区域1158的厚度小于第一电极层1152在除第一凹陷区域1158外的其他区域的厚度，因此可以提高第一电极层1152在第一凹陷区域1158的透光率。

光电检测电路10中的光电三极管PT的栅极1181与栅极层1133位于同一层(即同层制作)，光电三极管PT的电极层1183与源极/漏极层1135位于同一层(即同层制作)。光电三极管PT的感光层1182设置在第二绝缘层1134上，电极层1183设置在感光层1182的边缘区域且被平坦层1140覆盖。例如，电极层1183用于形成光电三极管PT的源极和漏极。由于光电三极管PT自身的结构特点，感光层1182不被电极层1183遮挡，红外OLED发出的红外光(如图11中虚线所示)被手指反射后，可以直接入射到感光层1182上，因此感光响应度高。第一电极层1152在第一凹陷区域1158的厚度薄，可以提高透光率，有利于使被手指反射的红外光入射到感光层1182上，从而进一步提高感光响应度。例如，感光层1182由单一的半导体材料形成，例如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等，这些半导体材料对红外光敏感，不需要进行掺杂工艺，工艺难度低。当然，本公开的实施例不限于此，感光层1182还可以由光谱范围更宽的半导体材料形成，例如硅化锗(GeSi)等，同时配合光学滤光片工作即可。例如，感光层1182可以通过磁控溅射工艺制备。

该阵列基板中各个部分的具体特征与通常的阵列基板类似，此处不再详述。需要说明的是，本公开的各实施例中，阵列基板可以包括更多或更少的结构或部件，各个结构或部件之间的相对位置关系可以根据实际需求而定，本公开的实施例对此不作限制。

本公开至少一实施例还提供一种红外发光元件，包括第一透明电极层、第一电极层、电致发光层和阴极层。第一电极层包括由厚度减小的部分形成的第一凹陷区域；第一透明电极层设置在所述第一电极层远离所述衬底基板一侧的表面上；电致发光层设置在所述第一透明电极层远离所述衬底基板的一侧且至少位于所述第一凹陷区域内；阴极层设置在所述电致发光层远离所述衬底基板一侧的表面上。该红外发光元件的第一电极层和第一透明电极层构成了近似的杯状层叠结构(反射杯结构)，且第一电极层在第一凹陷区域的厚度小于第一电极层在除第一凹陷区域外的其他区域的厚度，因此可以在提高出光效率的同时提高第一电极层在第一凹陷区域的透光率，且可以有效遮挡从侧面入射的杂散光，从而提高信号准确度。该红外发光元件的技术效果可以参考关于红外OLED层1150的相关描述，此处不再赘述。

本公开至少一实施例还提供一种采用本公开任一实施例所述的光电检测电路的光电检测方法。利用该光电检测电路以及相应的光电检测方法，可以降低工艺难度，简化电路结构，提高感光响应度，有利于实现全屏指纹识别和触控功能。该光电检测方法可以进一步用于触控、指纹识别等。

例如，在一个示例中，该光电检测方法包括如下操作：

向像素电路100提供扫描信号和发光数据信号以使得红外发光元件110发射红外光；

获取光电三极管200响应于采样控制信号且根据红外发光元件110发出的红外光而产生的电信号。

需要说明的是，本公开的各实施例中，该光电检测方法还可以包括更多的步骤，各个步骤之间的顺序关系不受限制。关于该光电检测方法的详细描述以及技术效果可以参考本公开的实施例中对于光电检测电路10的工作原理的描述，这里不再赘述。

本公开至少一实施例还提供一种采用本公开任一实施例所述的显示面板的指纹识别方法。利用该指纹识别方法，可以降低工艺难度，简化电路结构，提高感光响应度，有利于实现全屏指纹识别和触控功能。

例如，在一个示例中，该指纹识别方法包括如下操作：

向像素电路100提供扫描信号和发光数据信号以使得红外发光元件110发射红外光；

获取光电三极管200响应于采样控制信号且根据红外发光元件110发出的红外光而产生的电信号；

基于该电信号得到指纹的图像。

例如，在另一个示例中，当该显示面板配置为在屏幕被唤醒前进行指纹识别并实现屏幕唤醒功能时，该指纹识别方法还包括：

在显示面板的显示像素不显示时，降低提供给像素电路100的扫描信号的频率。这种方式类似于AOD技术，以实现检测像素中的红外发光元件110的常开功能，并且降低功耗。

需要说明的是，本公开的各实施例中，该指纹识别方法还可以包括更多的步骤，各个步骤之间的顺序关系不受限制。关于该指纹识别方法的详细描述以及技术效果可以参考本公开的实施例中对于光电检测电路10和显示面板20的工作原理的描述，这里不再赘述。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。