1.一种半导体器件，包括：
错误检测电路，其被配置为：通过响应于读取命令，并基于突发斩波信号和内部命令地址，而将内部数据中所包括的第一组和第二组中的任意一个固定为预设电平来产生固定数据，以及基于对所述固定数据内的错误的检测来产生错误检测信号；以及
数据输出电路，其被配置为：通过基于第一锁存输出控制信号锁存所述内部数据来产生锁存数据，以及通过基于第二锁存输出控制信号将所述锁存数据和所述错误检测信号串行化来产生输出数据。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述突发斩波信号是被使能以进入突发斩波操作的信号，所述突发斩波操作用于将所述内部数据的第一组和第二组中的任意一个固定为所述预设电平。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当所述内部命令地址为第一逻辑电平时，所述错误检测电路将所述内部数据的第一组固定为所述预设电平，并且当所述内部命令地址为第二逻辑电平时，所述错误检测电路将所述内部数据的第二组固定为所述预设电平。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述错误检测电路包括：
错误检查控制电路，其被配置为：基于所述读取命令来锁存所述突发斩波信号和所述内部命令地址，响应于所述读取命令来输出被锁存的突发斩波信号和内部命令地址作为操作控制信号和数据控制信号，以及响应于移位输出信号来根据被锁存的内部命令地址产生延迟命令地址；以及
错误检查电路，其被配置为：根据所述操作控制信号和所述数据控制信号来检测所述固定数据内的错误，以及基于是否已经检测到所述错误来产生所述错误检测信号的电平。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述错误检查控制电路包括：
输入控制信号发生电路，其被配置为：响应于所述读取命令来产生根据第一逻辑电平组合而被顺序地使能的第一输入控制信号和第二输入控制信号；
延迟电路，其被配置为通过延迟所述读取命令来产生延迟信号；
输出控制信号发生电路，其被配置为：响应于所述延迟信号来产生根据第二逻辑电平组合而被顺序地使能的第一输出控制信号和第二输出控制信号；以及
锁存电路，其被配置为：基于所述第一输入控制信号和所述第二输入控制信号来锁存所述突发斩波信号和所述内部命令地址，基于所述第一输出控制信号和所述第二输出控制信号来输出被锁存的突发斩波信号和内部命令地址作为所述操作控制信号和所述数据控制信号，以及响应于所述移位输出信号来根据被锁存的内部命令地址产生所述延迟命令地址。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一逻辑电平组合是在其中所述第一输入控制信号被设置为第二逻辑电平并且所述第二输入控制信号被设置为第一逻辑电平的逻辑电平组合，以及所述第二逻辑电平组合是在其中所述第一输出控制信号被设置为所述第二逻辑电平并且所述第二输出控制信号被设置为所述第一逻辑电平的逻辑电平组合。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述输入控制信号发生电路包括：
内部脉冲发生电路，其被配置为产生第一内部脉冲和第二内部脉冲，所述第一内部脉冲和所述第二内部脉冲根据复位信号而被初始化为所述第一逻辑电平组合，且响应于所述读取命令并根据所述第一逻辑电平组合而被顺序地使能；以及
输入控制信号输出电路，其被配置为：通过响应于所述读取命令而缓冲所述第一内部脉冲和所述第二内部脉冲来产生所述第一输入控制信号和所述第二输入控制信号。
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述错误检查电路包括：
固定数据发生电路，其被配置为：通过根据所述操作控制信号和所述数据控制信号将所述内部数据中所包括的第一组和第二组中的任意一个固定为所述预设电平来产生所述固定数据；以及
检测电路，其被配置为通过响应于所述读取命令检测所述固定数据的错误来产生所述错误检测信号。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述固定数据发生电路包括：
传输控制信号发生电路，其被配置为：在所述操作控制信号被使能时，产生根据所述数据控制信号的逻辑电平而被选择性地使能的第一传输控制信号和第二传输控制信号；以及
逻辑电路，其被配置为：根据所述第一传输控制信号，通过缓冲所述内部数据的第一组而输出所述固定数据的第一组、或将所述固定数据的第一组固定为所述预设电平，以及根据所述第二传输控制信号，通过缓冲所述内部数据的第二组而输出所述固定数据的第二组、或将所述固定数据的第二组固定为所述预设电平。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述数据输出电路包括：
锁存数据发生电路，其被配置为通过响应于所述第一锁存输出控制信号锁存所述内部数据来产生所述锁存数据；以及
输出数据发生电路，其被配置为通过响应于所述第二锁存输出控制信号，并根据所述延迟命令地址将所述锁存数据和所述错误检测信号串行化来产生所述输出数据。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一锁存输出控制信号是通过使所述读取命令移位比读取潜伏时段更短的时段而产生的信号，并且所述第二锁存输出控制信号是通过使所述读取命令移位所述读取潜伏时段而产生的信号。
12.一种半导体器件，包括：
命令解码器，其被配置为：通过对芯片选择信号和命令地址进行解码来产生读取命令和突发斩波信号，以及基于所述命令地址来产生内部命令地址；
错误检测电路，其被配置为：响应于所述读取命令，基于所述突发斩波信号和所述内部命令地址来将内部数据中所包括的第一组和第二组中的任意一个固定为预设电平，以及基于对所述内部数据内的错误的检测来产生错误检测信号；以及
数据输出电路，其被配置为在读取潜伏时段之后通过将所述内部数据和所述错误检测信号串行化来产生输出数据。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述内部命令地址是根据所述命令地址中所包括的多个比特位之中的任意一个而产生的信号。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述突发斩波信号是被使能以进入突发斩波操作的信号，所述突发斩波操作用于将所述内部数据的第一组和第二组中的任意一个固定为所述预设电平。
15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，当所述内部命令地址为第一逻辑电平时，所述错误检测电路将所述内部数据的第一组固定为所述预设电平，以及当所述内部命令地址为第二逻辑电平时，所述错误检测电路将所述内部数据的第二组固定为所述预设电平。
16.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述读取潜伏时段被设置为从所述读取命令被产生的时间起、比检测到了所述内部数据的错误的时段更长的时段。
17.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述错误检测电路包括：
错误检查控制电路，其被配置为：基于所述读取命令来锁存所述突发斩波信号和所述内部命令地址，响应于所述读取命令来输出被锁存的突发斩波信号和内部命令地址作为操作控制信号和数据控制信号，以及响应于移位输出信号来根据被锁存的内部命令地址产生延迟命令地址；以及
错误检查电路，其被配置为：根据所述操作控制信号和所述数据控制信号来检测所述固定数据内的错误，以及基于是否已经检测到所述错误来产生所述错误检测信号的电平。
18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述错误检查控制电路包括：
输入控制信号发生电路，其被配置为：响应于所述读取命令来产生根据第一逻辑电平组合而被顺序地使能的第一输入控制信号和第二输入控制信号；
延迟电路，其被配置为通过延迟所述读取命令来产生延迟信号；
输出控制信号发生电路，其被配置为：响应于所述延迟信号来产生根据第二逻辑电平组合而被顺序地使能的第一输出控制信号和第二输出控制信号；以及
锁存电路，其被配置为：基于所述第一输入控制信号和所述第二输入控制信号来锁存所述突发斩波信号和所述内部命令地址，基于所述第一输出控制信号和所述第二输出控制信号来输出被锁存的突发斩波信号和内部命令地址作为所述操作控制信号和所述数据控制信号，以及响应于所述移位输出信号来根据被锁存的内部命令地址产生所述延迟命令地址。
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述第一逻辑电平组合是在其中所述第一输入控制信号被设置为第二逻辑电平并且所述第二输入控制信号被设置为第一逻辑电平的逻辑电平组合，并且所述第二逻辑电平组合是在其中所述第一输出控制信号被设置为所述第二逻辑电平并且所述第二输出控制信号被设置为所述第一逻辑电平的逻辑电平组合。
20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述输入控制信号发生电路包括：
内部脉冲发生电路，其被配置为产生第一内部脉冲和第二内部脉冲，所述第一内部脉冲和所述第二内部脉冲根据复位信号被初始化为所述第一逻辑电平组合，并响应于所述读取命令并根据所述第一逻辑电平组合而被顺序地使能；以及
输入控制信号输出电路，其被配置为：通过响应于所述读取命令缓冲所述第一内部脉冲和所述第二内部脉冲来产生所述第一输入控制信号和所述第二输入控制信号。
21.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述错误检查电路包括：
固定数据发生电路，其被配置为：通过根据所述操作控制信号和所述数据控制信号将所述内部数据中所包括的第一组和第二组中的任意一个固定为所述预设电平来产生所述固定数据；以及
检测电路，其被配置为：通过响应于所述读取命令检测所述固定数据的错误来产生所述错误检测信号。
22.根据权利要求21所述的半导体器件，其中，所述固定数据发生电路包括：
传输控制信号发生电路，其被配置为：在所述操作控制信号被使能时，产生根据所述数据控制信号的逻辑电平而被选择性地使能的第一传输控制信号和第二传输控制信号；以及
逻辑电路，其被配置为：根据所述第一传输控制信号，通过缓冲所述内部数据的第一组而输出所述固定数据的第一组、或将所述固定数据的第一组固定为所述预设电平，以及根据所述第二传输控制信号，通过缓冲所述内部数据的第二组而输出所述固定数据的第二组、或将所述固定数据的第二组固定为所述预设电平。
23.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述数据输出电路包括：
锁存数据发生电路，其被配置为通过响应于第一锁存输出控制信号锁存所述内部数据来产生锁存数据；以及
输出数据发生电路，其被配置为通过响应于第二锁存输出控制信号，根据所述延迟命令地址将所述锁存数据和所述错误检测信号串行化来产生所述输出数据。
24.根据权利要求23所述的半导体器件，其中，所述第一锁存输出控制信号是通过使所述读取命令移位比读取潜伏时段更短的时段而产生的信号，以及所述第二锁存输出控制信号是通过使所述读取命令移位所述读取潜伏时段而产生的信号。
25.根据权利要求23所述的半导体器件，其中，所述延迟命令地址是当所述内部命令地址被延迟时产生的信号。