物理气相沉积设备的产能计算方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种物理气相沉积设备的产能计算方法及系 统。
【背景技术】
[0002] 在制造业生产管理中，设备的产能对于所有的企业来说都是一个需要密切关注的 参数。企业需要实时统计生产现场的产量，以了解整个制造过程中的生产效率，为优化实现 生产的各项制度以及调整工艺结构提供数据支持。针对PVD(PhysicalVaporDeposition， 物理气相沉积）领域而言，设备的产能（WaferperHour,简称WPH)指的是每台设备在执行 自动Job(工艺任务)时每小时能生产多少片wafer(晶片）的能力，它是单台设备生产能力 的一个技术参数，也是反映企业生产可能性的一项重要指标。
[0003]目前，通常采用人工计算PVD设备的产能，具体方法如下：在执行某一批次Job时， 假设第N(N>=1)片wafer完成所有工艺后传回到物料盒（LoadPort，简称LP)时的时间为 h，第N+1片wafer完成工艺后传回到物料盒时的时间为t2，时间间隔A〖=1^-1^，表示当前 一片wafer执行完Job流程的时间，此时设备的产能WPH=单位时间（1小时）/At(单位： 小时)，即为该批次自动工艺过程中设备每小时完成wafer的数目。
[0004] 在实际自动工艺流程执行过程中，往往使用分段调度算法计算Job相关的wafer 的传输序列，导致在一个批次的Job执行过程中，可能会存在两片wafer连续从LL中传回 的现象，其时间间隔At为一固定值。所以，现有技术采用人工根据相邻两片wafer完成工 艺后传回到物料盒时的时间差计算设备的产能，数据冗余严重，误差较大，不能有效的反应 设备的实际生产能力。
【发明内容】
[0005] 基于此，有必要针对现有技术的缺陷和不足，提供一种物理气相沉积设备的产能 计算方法及系统，能够实时、有效地计算物理气相沉积设备的产能，以反应设备的实际生产 能力。
[0006] 为实现本发明目的而提供的物理气相沉积设备的产能计算方法，包括以下步骤：
[0007]S100,在工艺流程开始时，记录所述工艺流程的开始时间Ts;
[0008] S200,在所述工艺流程开始后，实时监测晶片的位置变化，当监测到第N片晶片被 传回物料盒后，记录所述第N片晶片被传回时的时间TN，其中，N为整数且N> 1;
[0009] S300,根据求平均值法，实时计算N片晶片中每片晶片完成工艺所需的平均时间 t：t= ( Tn- Ts )/N；
[0010]S400,根据设备的产能的定义，实时计算所述设备的产能P并进行显示，
[0011] 尸=PA，/ ( 7.'、-7:),其中，t为单位时间。
[0012] 其中，本发明的物理气相沉积设备的产能计算方法还包括以下步骤：
[0013] S300'，根据求平均值法，实时计算除第一片晶片外，其他N-1片晶片中每片晶片 完成工艺所需的平均时间( ,V-1 ),其中，为记录的所述第一片晶片 被传回物料盒时的时间；
[0014]S400'，根据所述设备的产能的定义，实时计算所述设备在忽略第一片晶片时的产 能卩:并进行显示，(iV-1, ) / (心-7；)，其中，t为单位时间。
[0015] 其中，本发明的物理气相沉积设备的产能计算方法还包括以下步骤：
[0016]S200'，根据用户的请求，判断是否忽略第一片晶片的有效性，若判断为是，则进入 步骤S300'；若判断为否，则进入步骤S300。
[0017] 其中，所述步骤S200包括以下步骤：
[0018]S210,在所述工艺流程开始后，订阅AddMatStateListener事件，对所述第N片晶 片的位置进行监听；
[0019]S220,当监听到所述第N片晶片的上一个位置是机械手，且当前的位置为所述物 料盒时，判断所述第N片晶片已经完成工艺，记录所述第N片晶片被传回时的时间Tn。
[0020] 其中，本发明的物理气相沉积设备的产能计算方法还包括以下步骤：
[0021] S500,判断所述工艺流程是否结束，若判断为是，则取消对晶片的位置进行监听。
[0022] 相应地，为实现本发明目的而提供的物理气相沉积设备的产能计算系统，包括第 一记录模块、第二记录模块、第一计算模块以及第二计算模块；
[0023] 所述第一记录模块，用于在工艺流程开始时，记录所述工艺流程的开始时间Ts;
[0024] 所述第二记录模块，用于在所述工艺流程开始后，实时监测晶片的位置变化，并且 在监测到第N片晶片被传回物料盒后，记录所述第N片晶片被传回时的时间TN，其中，N为 整数且N彡1;
[0025] 所述第一计算模块，用于根据求平均值法，实时计算N片晶片中每片晶片完成工 艺所需的平均时间（：r= ( 7； -7； ) /A/ ;
[0026] 所述第二计算模块，用于根据设备的产能的定义，实时计算所述设备的产能P并 进行显示，尸*a，/ (r、-r)，其中，t为单位时间。
[0027] 其中，本发明的物理气相沉积设备的产能计算系统，还包括第三计算模块和第四 计算模块；
[0028] 所述第三计算模块，用于根据求平均值法，实时计算除第一片晶片外，其他N-1片 晶片中每片晶片完成工艺所需的平均时间h二（7\-7_;)/ ( 1 )，其中，1\为记录的 所述第一片晶片被传回物料盒时的时间；
[0029] 所述第四计算模块，用于根据所述设备的产能的定义，实时计算所述设备在忽略 第一片晶片时的产能P:并进行显示，( ,v-1 ) / (r、-7;),其中，t为单位时 间。
[0030] 其中，本发明的物理气相沉积设备的产能计算系统，还包括判断模块；
[0031] 所述判断模块，用于接收用户的请求，并根据所述用户的请求判断是否忽略第一 片晶片的有效性，若判断为是，则进入所述第三计算模块；若判断为否，则进入所述第一计 算模块。
[0032] 其中，所述第二记录模块包括监听单元和记录单元；
[0033] 所述监听单元，用于在所述工艺流程开始后，订阅AddMatStateListener事件，对 所述第N片晶片的位置进行监听；
[0034] 所述记录单元，用于当监听到所述第N片晶片的上一个位置是机械手，且当前的 位置为所述物料盒时，判断所述第N片晶片已经完成工艺，记录所述第N片晶片被传回时的 时间Tn。
[0035] 其中，本发明的物理气相沉积设备的产能计算系统，还包括取消监听模块：
[0036] 所述取消监听模块，用于判断所述工艺流程是否结束，若判断为是，则取消对晶片 的位置进行监听。
[0037] 本发明的有益效果：本发明提供的物理气相沉积设备的产能计算方法及系统，利 用求解完成工艺的平均时间来进一步计算产能，每当有一片晶片传回到物料盒中时，便可 以计算当时完成一片晶片所需的平均时间，进而可以计算出此时的产能并进行显示，有效 减少了冗余数据的产生，从而减小了误差，能够实时有效的反应设备的实际生产能力。
【附图说明】
[0038] 为了使本发明的物理气相沉积设备的产能计算方法及系统的目的、技术方案及优 点更加清楚明白，以下结合具体附图及具体实施例，对本发明物理气相沉积设备的产能计 算方法及系统进行进一步详细说明。
[0039] 图1为物理气相沉积设备的自动工艺传片流程示意图；
[0040] 图2为物理气相沉积设备的自动传片流程中晶片完成工艺后被传回的具体流程 示意图；
[0041] 图3为本发明的物理气相沉积设备的产能计算方法的一个实施例的流程图；
[0042] 图4为图3所示的本发明的物理气相沉积设备的产能计算方法的另一个实施