Ogs触摸屏及其制造方法、ogs触摸装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触摸屏技术领域，特别涉及一种OGS触摸屏及其制造方法、OGS触摸装置。
【背景技术】
[0002]触摸屏作为一种智能化的人机交互界面产品，已经在生产和生活中得到了广泛的应用。OGS(英文:0ne Glass Solut1n ;中文:一体化触控)触摸屏是在玻璃基板上直接形成ITO(英文:Indium Tin Oxide ;中文:氧化铟锡)触摸电极及传感器的技术下制作的电子产品保护屏，该玻璃基板既是保护玻璃，也是触摸传感器。但是由于OGS触摸屏上的ITO触摸电极的厚度较大，使得OGS触摸屏上有ITO触摸电极的部分与没有ITO触摸电极的部分差异较大，在该OGS触摸屏上出现ITO触摸电极的图案，影响产品的外观。
[0003]现有技术中，采用頂(英文:Index Matching;中文:折射率匹配)层与ITO触摸电极进行叠加的方式消除OGS触摸屏上有ITO触摸电极的部分与没有ITO触摸电极的部分的差异。具体的，在玻璃基板上形成頂层；在形成有頂层的玻璃基板上形成黑矩阵；在形成有黑矩阵的玻璃基板上形成金属层；在形成有金属层的玻璃基板上形成OC(英文=OverCover ;中文:上层覆盖)层；在形成有OC层的玻璃基板上形成ITO触摸电极，并通过光学模拟软件调整IM层，使得IM层与ITO层叠加后的反射率与IM层的反射率相一致，消除了该OGS触摸屏上的ITO触摸电极的图案。
[0004]由于现有技术中，通过在玻璃基板上镀制了頂层，消除了 OGS触摸屏上的ITO触摸电极的图案，但頂层的镀制使得OGS触摸屏的制造成本较高。
【发明内容】
[0005]为了解决OGS触摸屏的制造成本较高的问题，本发明提供了一种OGS触摸屏及其制造方法、OGS触摸装置。所述技术方案如下:
[0006]第一方面，提供了一种OGS触摸屏，包括:
[0007]基板；
[0008]所述基板的显示区上形成有第一多晶硅-氧化铟锡P-1TO阵列，所述第一 P-1TO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的P-1TO触摸电极，所述第一 P-1TO阵列中任意两个相邻的P-1TO触摸电极的间距为第一距离；
[0009]所述第一 P-1TO阵列上形成有第二 P-1TO阵列，所述第二 P-1TO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的P-1TO触摸电极，所述第二 P-1TO阵列中任意两个相邻的P-1TO触摸电极的间距为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。
[0010]可选的，所述第一 P-1TO阵列是采用包括王水的刻蚀液刻蚀形成的P-1TO阵列；所述第二 P-1TO阵列是采用包括草酸的刻蚀液刻蚀形成非晶硅-氧化铟锡a-1TO阵列后，对所述a-ΙΤΟ阵列通过退火工艺转化得到的p-1TO阵列。
[0011]可选的，所述基板的周边区形成有黑矩阵；
[0012]形成有所述黑矩阵的基板上形成有金属层；
[0013]形成有所述金属层的基板上形成有上层覆盖OC层；
[0014]所述第一 p-1TO阵列位于所述OC层上。
[0015]可选的，所述第一 p-1TO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的p-1TO触摸电极；所述第二 P-1TO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的P-1TO触摸电极。
[0016]可选的，第一 P-1TO触摸电极与第二 P-1TO触摸电极的图形相同且所述第二 P-1TO触摸电极在所述第一 P-1TO触摸电极上的投影的中心与所述第一 P-1TO触摸电极的中心重合，所述第一 P-1TO触摸电极为第一 P-1TO阵列中的P-1TO触摸电极，所述第二 P-1TO触摸电极为第二 P-1TO阵列中的P-1TO触摸电极，且所述第二 P-1TO触摸电极位于所述第一P-1TO触摸电极上。
[0017]第二方面，提供了一种OGS触摸屏的制造方法，包括:
[0018]在基板的显示区形成第一 P-1TO阵列，在形成有所述第一 P-1TO阵列的基板上形成第二 p-1TO阵列；
[0019]其中，所述第一 P-1TO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的P-1TO触摸电极，所述第一 P-1TO阵列中任意两个相邻的P-1TO触摸电极的间距为第一距离，所述第二 P-1TO阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的P-1TO触摸电极，所述第二 P-1TO阵列中任意两个相邻的P-1TO触摸电极的间距为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。
[0020]可选的，所述第一 P-1TO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的P-1TO触摸电极；所述第二 P-1TO阵列包括多个沿所述基板长度方向等间距排布的P-1TO触摸电极。
[0021]可选的，在基板的显示区形成第一 P-1TO阵列之前，所述方法还包括:
[0022]在所述基板的周边区形成黑矩阵；
[0023]在形成有所述黑矩阵的基板上形成金属层；
[0024]在形成有所述金属层的基板上形成OC层；
[0025]所述在基板的显示区形成第一 p-1TO阵列，包括:
[0026]在形成有所述OC层的基板的显示区形成所述第一 p-1TO阵列。
[0027]可选的，所述在形成有所述OC层的基板上形成第一 p-1TO阵列，在形成有所述第一 p-1TO阵列的基板上形成第二 p-1TO阵列，包括:
[0028]在形成有所述OC层的基板上形成p-1TO层；
[0029]在形成有所述p-1TO层的基板上形成a-1TO层；
[0030]对形成的所述a-1TO层通过第一次构图工艺形成a-1TO阵列，所述a_IT0阵列包括多个沿所述基板长度方向排布的a-1TO触摸电极，所述a-1TO阵列中任意两个相邻的a-ΙΤΟ触摸电极的间距为第二距离；
[0031]对形成的所述p-1TO层通过第二次构图工艺形成所述第一 p-1TO阵列；
[0032]对所述a-ΙΤΟ阵列进行高温退火工艺，使所述a_IT0阵列转化为第二 ρ_ΙΤ0阵列。
[0033]可选的，在所述第一次构图工艺和所述第二次构图工艺中，对所述a-ΙΤΟ层和所述p-1TO层进行曝光采用同一掩膜板。
[0034]可选的，所述对形成所述a-ΙΤΟ层通过第一次构图工艺形成a_IT0阵列，包括:
[0035]在所述第一次构图工艺中，使用掩膜板采用第一曝光强度的光对所述a-1TO层进行曝光；
[0036]所述对形成所述p-1TO层通过第二次构图工艺形成所述第一 p-1TO阵列，包括:
[0037]在所述第二次构图工艺中，使用所述掩膜板采用第二曝光强度的光对所述p-1TO层进行曝光，所述第二曝光强度小于所述第一曝光强度。
[0038]可选的，在形成所述a-1TO阵列时，所采用的刻蚀液包括草酸，在形成所述第一P-1TO阵列时，所采用的刻蚀液包括王水。
[0039]可选的，所述在形成有所述OC层的基板上形成p-1TO层，包括:
[0040]在高温条件下，在形成有所述OC层的基板上镀制p-1TO层；
[0041]在形成有所述p-1TO层的基板上形成a-1TO层，包括:
[0042]在低温条件下，在形成有所述p-1TO层的基板上镀制a-1TO层。
[0043]可选的，所述高温条件的温度范围为200摄氏度至250摄氏度；所述低温条件的温度范围为20摄氏度至40摄氏度。
[0044]第三方面，提供了一种OGS触摸装置，包括:第一方面所述的OGS触摸屏。
[0045]本发明提供了一种OGS触摸屏及其制造方法、OGS触摸装置，通过在基板上的显示区形成有第一 P-1TO阵列，在该第一 P-1TO阵列上形成有第二 P-1TO阵列，且该第一 P-1TO阵列包括沿基板长度方向排布的P-1TO触摸电极，该第二 P-1TO阵列包括沿基板长度方向排布的P-1TO触摸电极，且该第一 P-1TO阵列中任意两个相邻的P-1TO触摸电极的间距小于第二 P-1TO阵列中任意两个相邻的P-1TO触摸电极的间距，使得基板上有P-1TO阵列的部分向无P-1TO阵列的部分过渡的膜厚呈阶梯状减小，则基板上有P-1TO阵列的部分与无p-1TO阵列的部分相接处的色差和反射率逐渐接近，减小了基板上有p-1TO阵列的部分与无P-1TO阵列的部分外观的差异，且无需再镀制頂层，因此，在消除OGS触摸屏上的ITO触摸电极图案的基础上，降低了 OGS触摸屏的制造成本。
[0046]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
【附图说明】
[0047]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0048]图1是本发明实施例提供的一种OGS触摸屏的结构示意图；
[0049]图2是本发明实施例提供的另一种OGS触摸屏的结构示意图；
[0050]图3是本发明实施例提供的一种OGS触摸屏的制造方法的方法流程图；
[0051]图4是本发明实施例提供的另一种OGS触摸屏的制造方法的方法流程图。
[0052]通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
【具体实施方式】
[0053]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0054]图1为本发明实施例提供的一种OGS触摸屏00截面的结构示意图，如图1所示，本发明实施例提供了一种OGS触摸屏00，该OGS触摸屏00可以包括:基板001。
[0055]在该基板001的显示区上可以形成有第一 p-1TO (英文:polycrystallinesilicon-1TO ;中文:多晶硅-氧化铟锡)阵列002，第一 p-1TO阵列002可以包括多个沿基板001长度方向