触控装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种触控装置及其制造方法，特别是涉及一种通过镭射蚀刻技术制造的触控装置及采用镭射蚀刻技术的制造方法。
【背景技术】
[0002]触控技术已广泛应用于各种电子设备，例如中国台湾第1430160号专利，即提出一种触控屏幕面板及其制造方法。该触控屏幕面板包含触控电极、绝缘结构、导电线路等结构，于制作过程中所述结构是分别独立制作，且各自的制作过程均包含镀膜、光刻、蚀刻等制程。
[0003]然而，此种采用镀膜、光刻、蚀刻技术进行的制作方法，制程步骤过于繁复，不利于生产速度的提升及成本的降低。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种以简便制程技术制作且具有优良性能的触控装置。
[0005]本发明触控装置,包含至少一个感应单元,该感应单元包括一基板、多个触控电极结构及至少一个虚设电极组。所述触控电极结构相互间隔地设置于该基板同一表面上且彼此电性绝缘。所述虚设电极组设置于该基板上且位于相邻的所述触控电极结构之间，其凹陷形成一条由其顶面贯穿至该基板的凹沟，并包括多个由其凹沟分隔界定的虚设电极结构，该凹沟在相邻的触控电极结构之间延伸并形成至少一个弯折。
[0006]较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折的角度为锐角。
[0007]较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。
[0008]较佳地，该虚设电极组的凹沟的弯折分别位在邻近所述触控电极结构的位置。
[0009]较佳地，该虚设电极组的凹沟区分为相互连接的一第一沟部及一第二沟部，该第一沟部的弯折位在邻近所述触控电极结构的位置，该第二沟部的弯折位在所述触控电极结构之间。更佳地，该凹沟的第一沟部与第二沟部相互交错而呈交叉网状。
[0010]较佳地，该虚设电极组的凹沟的弯折呈弧形。
[0011]较佳地，该虚设电极组的凹沟形成多个弯折，且该凹沟的弯折分别位于邻近所述触控电极结构的位置。
[0012]较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为螺旋状。
[0013]较佳地，该凹沟的弧形弯折的半径介于50微米至250微米之间。
[0014]较佳地，该凹沟的宽度介于15微米至40微米之间。
[0015]较佳地，该些触控电极结构是分别由一沟槽所界定。
[0016]本发明的另一目的，在提供一种触控装置的制造方法，该制造方法包含以下步骤:步骤(A)在一基板上制作一结构体；及步骤(B)对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成至少一条凹沟。该凹沟由该结构体的顶面贯穿至该基板，且延伸形成至少一个弯折，并由镭射依照一预定路径连续不断地蚀刻而制成。
[0017]较佳地，在该步骤(A)与该步骤(B)之间或在该步骤(B)之后还包含一步骤(C):对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成两条相互间隔的沟槽，所述沟槽分别由该结构体的顶面贯穿至该基板，且分别形成一封闭形状，而对该结构体界定出两个触控电极结构；于步骤(B)该凹沟是形成在所述沟槽之间。
[0018]较佳地，于该步骤(B)中该凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折的角度为锐角。
[0019]较佳地，于该步骤(B)中该凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。
[0020]较佳地，于该步骤(B)中该凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折，该凹沟的弯折分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽。
[0021]较佳地，于该步骤(B)中该凹沟区分为相互连接的一第一沟部及一第二沟部，该第一沟部的弯折分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽，该第二沟部的弯折位在所述沟槽之间。
[0022]较佳地，于该步骤(B)中各条凹沟的该第一沟部与该第二沟部是由镭射连续地蚀刻而成，且该第一沟部与该第二沟部相互交错而呈交叉网状。
[0023]较佳地，于该步骤⑶该凹沟的弯折呈弧形。
[0024]较佳地，于该步骤(B)该凹沟形成多个呈弧形的弯折，且该凹沟的弯折处分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽。
[0025]较佳地，于该步骤(B)该凹沟的延伸分布形状为螺旋状。
[0026]较佳地，于步骤⑶该镭射蚀刻的能量介于5瓦至13瓦之间。
[0027]较佳地，于步骤(B)该镭射蚀刻的深度介于200微米至1000微米之间。
[0028]较佳地，于步骤(B)该镭射对该结构体进行蚀刻的脉冲时间介于200微秒至1000微秒之间。
[0029]本发明的有益效果在于:本发明的触控装置是以镭射蚀刻方式制作，并于虚设电极组上由凹沟分隔为多个区域，具有良好的装置性能。本发明的制造方法采用镭射蚀刻技术，相较于使用一般光刻、蚀刻制程技术进行结构制作，能有效节省制程步骤、制程时间及成本。此外，本发明的制造方法透过对镭射行进路径、制程参数的适当设定，能进一步提升通过镭射蚀刻制作触控装置或各式装置的制程效能。
【附图说明】
[0030]图1是一示意图，说明本发明触控装置的较佳实施例；
[0031]图2是一俯视示意图，说明本发明触控装置的第一较佳实施例；
[0032]图3是沿图2的II1-1II方向的侧视示意图；
[0033]图4是一流程图，说明本发明触控装置的制造方法；
[0034]图5是一俯视示意图，说明第一实施例的触控装置的制作过程；
[0035]图6是沿图5的V1-VI方向的侧视示意图；
[0036]图7是一俯视示意图，说明延续图5的制作过程；
[0037]图8是沿图7的VII1-VIII方向的侧视示意图；
[0038]图9是一俯视示意图，说明延续图7的制作过程；
[0039]图10是一俯视示意图，说明本发明触控装置的第二较佳实施例；
[0040]图11是沿图10的X1-XI方向的侧视示意图；
[0041]图12是一俯视示意图，说明第二实施例的触控装置的制作过程；
[0042]图13是沿图12的XII1-XIII方向的侧视示意图；
[0043]图14是一俯视示意图，说明延续图12的制作过程；
[0044]图15是沿图14的XV-XV方向的侧视示意图；及
[0045]图16是一俯视示意图，说明延续图14的制作过程。
【具体实施方式】
[0046]下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
[0047]参阅图1至图3，为本发明触控装置I的第一较佳实施例。此处，触控装置I是以双层触控电极结构为例进行说明，因此触控装置I包含两个相互间隔的感应单元2及一夹设于所述感应单元2之间的黏着层3，所述感应单元2可分别提供对应不同方向(例如X方向及Y方向)的触控感应信号。然而，在不同实施方式中，触控装置I也可以采用单层触控电极结构，此时触控装置I只需要设置单一感应单元2。
[0048]感应单元2包括一基板21、多个(此处以两个为例)触控电极结构22及至少一个(此处以一个为例，但也可以配合触控电极结构22而调整为多个)虚设电极组23。基板21具有电绝缘性及透光性，其材料可为乙烯对苯二甲酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚烯丙基、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、玻璃等，并可由硬质材质或可挠性材质制作。
[0049]触控电极结构22相互间隔地设置于该基板21同一表面上且彼此电性绝缘，用于产生触控感应信号，其能通过氧化铟锡(indium tinoxide, I TO)、氧化铟锋(indiumzincoxide, IZO)、氧化镉锡(cadmiumtinoxide, CTO)、氧化招锋(aluminumzincoxide, ΑΖ0)、氧化铟锡锋(indiumtin zincoxide, ΙΤΖ0)、氧化锋(zincoxide)、氧化镉(cadmiumoxide, CdO)、氧化給(hafniumoxide, HfO)、氧化铟嫁锋(indiumgal liumzincoxide, InGaZnO)、氧化铟嫁锋续(indiumgal I iumz incmagnesiumoxide, InGaZnMgO)、氧化铟嫁续(indiumgalliummagnesium oxide, InGaMgO)或氧化铟嫁招(indiumgalIium aluminumoxide, InGaAlO),纳米银线、纳米碳管、石墨烯等透明导电材质制作。其中，该些触控电极结构22的结构形状是分别由此等相互间隔并各自形成封闭形状(此处为长方形)的沟槽221所界定。值得注意的是，在其他实施方式中，沟槽221的形状可以根据触控电极结构22的结构形状的要求做出相应的改变。另外，沟槽221可以通过化学蚀刻、镭射蚀刻、机械蚀刻等方式形成,且不以特定加工方式为限。
[0050]虚设电极组23 (dummyelectrode)设置于基板21上且位于所述触控电极结构22之间，其可以透过相同或不同于触控电极结构22的材料制作，并包括多个形状、尺寸相异的虚设电极结构230。虚设电极结构