片安装固定在卡基上步骤的示意图；图4 为图1所示实施例的双界面智能卡的生产方法的流程示意图。
[0043] 在本发明一实施例中，该双界面智能卡的生产方法包括：
[0044] 步骤S10,提供一天线层11以及一天线2,将天线2埋置于天线层11的结合面，且使 天线2的线头和线尾21埋置于天线层11的预设区域111。
[0045] 本实施例中，在生产该双界面智能卡时，先通过埋线工艺将天线2埋置在天线层11 的结合面，并在埋线的过程中，将天线2的线头和线尾21埋置在天线层11的预设区域111。本 实施例中，该预设区域111为天线层11的对应且小于芯片3的区域;换言之，该预设区域111 为天线层11上预设的与芯片3的安装位置所对应的区域，且该预设区域111的大小小于芯片 3的整体大小。
[0046]步骤S20,提供一第一保护层12,于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121。
[0047]步骤S30,将第一保护层12的贴合面贴合至天线层11的结合面后，通过层压工艺将 两者结合。
[0048] 本实施例中，天线层11和第一保护层12均优选由PVC(Polyvinyl chloride，聚氯 乙烯）材料所制成；当然，于其他实施例中，天线层11或第一保护层12还可但不限于由PC (Poly carbonate，聚碳酸酯）等材料所制成。
[0049]第一保护层12的隔离块121正对天线层11的预设区域111设置，且隔离块121大于 预设区域111，以使得天线层11与第一保护层12在层压结合之后，隔离块121能覆盖天线层 11的整个预设区域111。该隔离块121由高温非金属介质所制成，具体地，该隔离块121的熔 点高于层压工艺的加热温度，以使得在层压工艺下，隔离块121不会熔化，从而使得隔离块 121不与天线层11结合;当然，天线2也不会嵌入隔离块121。通常地，层压工艺所使用的高温 不超过170°C，故要求用于制成隔离块121的高温非金属介质的熔点大于170°C，例如隔离块 121可由PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯）材料所制成。
[0050] 本实施例中，该于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121的步骤具体包括:对第一 保护层12进行冲压，以冲出隔离通孔;再于该隔离通孔内嵌设隔离块121。然本设计不限于 此，于其他实施例中，该于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121的步骤还可具体包括:在 第一保护层12的表面向内进行铣槽，以铣出隔离盲孔;再于该隔离盲孔内嵌设隔离块121。
[0051] 步骤S40,将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离；
[0052]步骤S50,提升预设区域111，并将天线2的线头和线尾21与预设区域111分离；
[0053]步骤S60,提供一芯片3,将芯片3与线头和线尾21电连接后固定至天线层11。
[0054]本实施例中，由于覆盖预设区域111的隔离块121不与天线层11结合，且天线2也不 会嵌入隔离块121，故在将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离后，可通过机械装 置(如吸头或者机械手等)将分离的预设区域111朝向背离第一保护层12的方向进行缓慢提 升，以使预设区域111脱离天线层11;并在缓慢提升预设区域111的过程中，天线2的线头和 线尾21会逐渐从预设区域111的面向第一保护层12的一面剥离，且随着预设区域111的牵 弓丨，天线2的线头和线尾21会从预设区域111被提升后的空间中牵引出来，以便于与芯片3进 行电连接。最后，将芯片3固定至天线层11而完成该双界面智能卡的制作。
[0055]本发明的技术方案通过在第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121，该隔离块121覆 盖预设区域111设置，且该隔离块121的熔点高于层压工艺的加热温度，如此，在层压工艺之 下，覆盖预设区域111的隔离块121不与天线层11结合，天线2也不嵌入隔离块121，可使得在 将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离后，通过机械装置提升预设区域111，并在 提升预设区域111的过程中，将天线2的线头和线尾21与预设区域111逐渐剥离的同时，将天 线2的线头和线尾21牵引出来，如此，在避免人工挑线的低效率之下，能减少将天线2的线头 和线尾21挑出时发生断线的可能性，从而提高制造双界面智能卡的效率和合格率。
[0056]在本实施例中，进一步地，步骤S40具体为:沿预设区域111的边沿进行激光蚀刻， 以分离预设区域111和天线层11的其他区域。
[0057]本实施例中，通过激光蚀刻设备对其蚀刻头的行走路径进行预先设定，可实现蚀 刻头沿预设区域111的边沿进行激光蚀刻。激光蚀刻对隔离块121和天线2均无效，相较于通 过铣槽方式割离预设区域111和天线层11的其他区域的技术方案，本设计可避免在割离预 设区域111和天线层11的其他区域的过程中出现误割断天线2的现象。本实施例中，天线2的 线头和线尾21于预设区域111内的埋置轨迹优选呈蛇形，如此，一方面有序的埋置路径有利 于后续的线头和线尾21与预设区域111之间的剥离，另一方面可使得在较小的预设区域111 内得到足够长的线头和线尾21，以便于与芯片3进行电连接。可以理解，预设区域111越小， 输出激光的蚀刻头所要走过的距离就越短，激光蚀刻所耗费的时间就越短，生产效率也就 越高。一般地，预设区域111的大小(也就是激光蚀刻的范围)通常为一 9毫米*9毫米的方形。 [0058]在本实施例中，进一步地，天线2的线头和线尾21的末端延伸至预设区域111之外， 如此，在步骤S30之后，步骤S40之前，还包括：
[0059] 步骤S70,于天线2的线头和线尾21的末端与预设区域111的边沿的相交位置，通过 铣刀将天线2的线头和线尾21的末端铣断。
[0060] 本实施例中，由于激光蚀刻对天线2无效，为使在提升预设区域111的过程中，能通 过预设区域111将天线2的线头和线尾21牵引出卡基1，故需要在预设区域111的边沿将天线 2的线头和线尾21的末端进行割断，本实施例通过铣刀铣线槽的方式将天线2线头和线尾21 的末端进行铣断。
[0061 ]在本实施例中，进一步地，在步骤30之后，步骤S70之前，还包括：
[0062]步骤S810,提供一第二保护层13,并将第二保护层13通过层压工艺结合于天线层 11的背离第一保护层12的一面，以形成卡基1。
[0063]步骤S82,于第二保护层13对应预设区域111的位置，铣出贯穿第二保护层13设置 的第一凹槽131。
[0064] 本实施例中，制造所得的双界面智能卡的卡基1包括层叠设置的第一保护层12、天 线层11和第二保护层13。铣出第一凹槽131的意义在于可减薄激光蚀刻时所需的蚀刻深度， 从而可降低激光蚀刻所采用的激光功率，降低该双界面智能卡的生产功耗。该第一凹槽131 的深度优选为第二保护层13的厚度，以使得所铣出的第一凹槽131的槽底为第二保护层13 与天线层11之间的分界，可以理解，铣槽至第二保护层13与天线层11的分界处，有利于第二 保护层13的铣出废料与天线层11之间的分离。另外，该第一凹槽131对应预设区域111设置， 具体地，天线层11的预设区域111位于第一凹槽131的槽底内，以使得可在第一凹槽131内通 过激光蚀刻工艺将天线层11的预设区域111与天线层11的其他区域割离，并可通过机械装 置将天线层11的预设