执行。图1为本发明实施例一所提供的数据存储方法的流程图。如图1 所示，该方法包括如下：
[0042] 步骤101、接收写请求，该写请求包括待写入数据和地址。
[0043] 具体地，该写请求可W是该固态硬盘内除该控制器之外的其他设备所发送的，还 可W是该固态硬盘外的设备所发送的写请求，如计算机的处理器。
[0044] 步骤102、根据该地址确定目标闪存页的类型，其中，该目标闪存页为该固态硬盘 中存储该待写入数据的闪存页。
[0045] 具体地，若该写请求为固态硬盘内该控制器之外的其他设备所发送的，则该写请 求中所包括的地址可W为物理地址。若该写请求为固态硬盘外的其他设备，如计算机的处 理器所发送的，郝么该写请求包括的地址可W为逻辑地址，该逻辑地址可W为接收该写请 求所对应的逻辑接口对应的逻辑地址。郝么在该步骤102之前，还需逻辑地址转换为物理 地址。其中，将该逻辑地址转换为物理地址，可W是采用预设的地址映射方式，将该逻辑地 址映射为该逻辑地址所对应的实际物理地址。该物理地址可W为该待写入数据将要写入固 态硬盘的内部的闪存页的地址，即写数据的目的地址。郝么该步骤102则可W是根据转换 后获得的物理地址或者该写请求所包括的物理地址，存储该待写入数据的闪存页的类型， 即确定该目标闪存页的类型。由于该物理地址实际为该目标闪存页的物理地址，郝么将该 逻辑地址转换为物理地址，实际是通过地址转换为该待写入数据选择待写入的目标闪存 页。
[0046] 该地址可W通过该目标闪存页的连接接口的标识信息表示。对于不同类型的闪存 页的地址可包括不同的类型标识。该类型标识信息可W在该地址的前缀、后缀或是预设长 度位置。根据该地址确定目标闪存页的类型，例如可W是根据位于该地址内前缀、后缀或是 预设长度位置的类型标识信息，确定该目标闪存页的类型；还可W是根据该地址确定该目 标闪存页在固态硬盘内部的具体位置，继而根据预设的不同类型闪存页的位置分布确定该 目标闪存页的类型。
[0047] 步骤103、根据确定的该目标闪存页的类型及该待写入数据，计算该目标闪存页的 B邸。
[0048] 具体地，该不同类型的闪存页可用于写入不同类型的数据，该不同类型的数据例 如可W是根据该存储器内的闪存页所包括的存储单元的结构所确定的。该存储器内的闪存 页所包括的存储单元可W为多状态存储单元（Multiple Level Cell,简称MLC)。该目标闪 存页的类型，可W是用于存储不同比特位数据的闪存页。该目标闪存页的类型与该目标闪 存页中各存储单元可存储的比特数据位数有关，若该目标闪存页中各存储单元可存储的比 特数据为2位比特数据，则该待写入数据中分别写入该目标闪存页中各存储单元的比特数 据可包括高位比特数据，即最高有效比特位（Most Significant Bit,简称MSB)数据及低位 比特数据，即最低有效比特位化east Significant Bit,简称LSB)。郝么，该目标闪存页的 类型可包括用于存储MSB数据的MSB页和用于存储LSB数据的LSB页。若该目标闪存页中 各存储单元可存储的比特数据为4位或更多位比特的数据，则该待写入数据中分别写入该 目标闪存页中各存储单元的比特数据还可包括其他位的比特数据，对应的，该目标闪存页 的类型还可包括用于存储该其他比特数据的闪存页。
[0049] 由于写入不同类型闪存页所存储的比特位数据不同，郝么通过编程对该不同闪存 页类型的闪存页内部的存储单元充电至不同的电压范围，W存储不同该比特位数据。该不 同类型闪存页由于待写入比特位数据的不同，其闪存页的状态，也就是闪存页内部各存储 单元的所呈现的电压或其存储电子的个数均不同，郝么，该不同类型闪存页中存储数据所 产生的邸R也不同。
[0050] 本实施例方案中，根据该目标闪存页的类型及该待写入数据计算该目标闪存页的 BER，例如可W是根据目标闪存页的类型，结合该待写入数据的具体内容，计算获得该目标 闪存页的BER。其中，该待写入数据的具体内容可W是不同数据类型在该待写入数据中的分 布，该不同数据类型可W是不同的比特位数据，如0和1的具体分布。因而，该目标闪存页的 B邸也可W为基于内容的比特错误率（Content D巧endent Bit Error Rate,简称CD邸时。
[0051] 假设，闪存页中存储单元可存储两位比特数据，即四个不同类型的数据，11、1〇、〇1 和00。若存储单元未充电状态或充电至第一电压阔值Vi时，该存储单元所对应的存储数据 为11，郝么存储单元从未充电状态，或者说是空载状态，充电至第一电压阔值Vi与第二电压 阔值V2范围内时，该存储单元所对应的存储数据为10;将存储单元从未充电状态，充电至 第二电压阔值Vz与第H电压阔值Vs的范围内时，该存储单元所对应的存储数据为00 ;将存 储单元从未充电状态，充电至超过第H电压阔值Vs时，该存储单元所对应的存储数据为01。 其中，该第一电压阔值Vi小于第二电压阔值Vz,第二电压阔值Vz小于第H电压阔值Vs。也 就是说，根据存储单元呈现的电压从小到大的顺序，该存储单元分别可写入数据11、1〇、〇〇 和01。在本实施例中，该目标闪存页的BER，例如可W是根据该目标闪存页的类型及该待写 入数据中不同类型的数据的分布，如11、1〇、〇1和00的分布而计算获得。
[0052] 步骤104、根据该目标闪存页的邸R和预设的该目标闪存页的邸R与步幅电压对应 关系确定写入该待写入数据的步幅电压。
[0053] 其中，该步幅电压是根据该固态硬盘的ECC纠错能力所确定的。
[0054] 具体地，该固态硬盘的ECC纠错能力，可W是根据该固态硬盘所具有的编码方式 所确定的。该目标闪存页的邸R与步幅电压的对应关系中，一个该目标闪存页的邸R与一 个步幅电压对应。该目标闪存页的BER与步幅电压的对应关系，可W通过该闪存页中，根据 该步幅电压写入数据，其邸R的产生规则，如计算公式表示。该目标闪存页的邸R与步幅电 压的对应关系，还可通过邸R步幅电压对应表表示。确定写入该待写入数据的步幅电压，例 如可W为根据该目标闪存页的邸R和预设的该目标闪存页的邸R与步幅电压对应关系，确 定该目标闪存页的BER所对应的步幅电压，作为写入该待写入数据的步幅电压。
[00巧]步骤105、根据该步幅电压将该待写入数据写入该目标闪存页。
[0056] 根据该步幅电压将该待写入数据写入该目标闪存页，可W是通过向该目标闪存页 的至少一个存储单元发送该步幅电压对应的电脉冲信号，对该目标闪存页中的至少一个存 储单元进行充电，W使得该目标闪存页中至少一个存储单元的电压，可呈现该待写入数据 中各存储单元对应数据的电压值，从而完成将该写入数据的写操作。
[0057] 本实施例所提供的数据存储方法，可根据写请求中的地址确定目标闪存页的类 型，根据该目标闪存页的类型及该写请求中的待写入数据，计算该目标闪存页的BER，从而 根据该目标闪存页的邸R和预设的目标闪存页的邸R与步幅电压的对应关系确定步幅电 压，该步幅电压为根据固态硬盘的ECC纠错能力确定的，从而可使得根据该步幅电压将该 待写入数据写入该目标闪存页所产生的B邸与ECC纠错能力之间的差距得到控制，使得ECC 纠错能力得到充分的利用。
[0058] 实施例二
[0059] 本发明实施例二还提供一种数据存储方法。图2为本发明实施例二所提供的数据 存储方法的流程图。如图2所示，在上述实施例一的基础上，其中步骤103中根据该目标闪 存页的类型及所述待写入数据计算该目标闪存页的邸R可W包括：
[0060] 步骤201、根据该目标闪存页的类型和该待写入数据，采用该目标闪存页的类型对 应的邸R计算方式，计算该目标闪存页的BER。
[0061] 具体地，该目标闪存页的类型对应的B邸计算公式例如可W是根据该目标闪存页 的类型对应的写入的不同比特位数据，结合闪存页中存储单元写数据的不同错误类型所获 取的邸R计算公式。
[0062] 其中，写数据的不同错误类型例如可包括漏电导致的错误和编程导致的错误。其 中，该漏电导致的错误会导致存储单元中的电子导磁泄露，电压下降，从而使得存储单元的 电压对应的存储数据的值向较小电压值的方向的存储数据偏移，也称左偏错误。该编程导 致的错误可W是，由于存储单元的反复编程擦除操作W及附近闪存页上的编程操作的影 响，会导致当前存储单元中电子个数上升，电压上升，存储单元的电压对应的存储数据的值 向较大电压值的方向的存储数据偏移，称为右偏错误。举例来说，若闪存页内部的存储单元 的按照电压从小到大，可依次存储11、10、00和Ol四个数据。由于写入数据11的存储单元 电压值最小，因而不存在左偏错误，写入数据Ol的存储单元最大，因而不存在右偏错误。写 入数据11的存储单元若发生右偏错误，则会使得存储单元的电压值趋向于数据10所对应 的电压值、写入数据10的存储单元若发生左偏错误，则会使得存储单元的电压值趋向于数 据00对应的电压值；若发生右偏错误，则会使得存储单元的电压值趋向于数据11对应的电 压值。
[0063] 由于不同类型的闪存页所写入的比特位数据的不同，存储该比特位数据根据其产 生数据错误的不同类型，其所产生的BER的过程不同，即不同类型的闪存页则具有不同的 B邸计算公式。该B邸计算公式可W是在该实施例方案之前，通过对不同类型的闪存页写入 不同数据所统计获得的BER产生规则。
[0064] 进一步地，若该目标闪存页为MSB页，该邸R计算方式为：
[006引 Bmsb. = P00..XBl. +Piq.XB民；
[006引其中，该Bmsb为MSB页的邸R ;该P。。为该待写入数据中00所占的比例；该Pi。为该