间，而图1B的第一光学补偿膜120是设置于感测电极层110相对于基板102之另一侧。此外，于本实用新型的其他实施方式中，当第一光学补偿膜120设置于感测电极层110相对于基板102之另一侧时，触控面板100更可包含一钝化层(图未示)，位于第一光学补偿膜120相对于感测电极层110之另一侧。
[0040]本实用新型之一或多个实施方式中，第一光学补偿膜120之第一吸收材料可以是氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(S1N)或其组合。换句话说，第二折射率层124的材料可以是氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(S1N)或其组合。另一方面，于本实施方式中，第一折射率层122的材料可以是氧化硅(Si02)或氟化镁(MgF2)或其组合。
[0041]本实用新型之一或多个实施方式中，第一折射率层122之折射率为1.3至1.55，第二折射率层124之折射率为1.6至2.5。本实用新型之一或多个实施方式中，第一折射率层122之厚度为10纳米至50纳米，第二折射率层124之厚度为5纳米至20纳米。
[0042]于本实用新型之一或多个实施方式中，感测电极层110具有多种电极配置方式，用以感测手指的触碰位置，感测电极层110可由多个层迭结构组成，本实用新型实施例仅以单层感应电极结构的触控面板结构为例，可以理解的是，在具有多层感应电极结构的触控面板，同样可以采用本实用新型的技术方案解决光学匹配问题。
[0043]同时参照图2A与图2B，图2A为图1A之触控面板100之部分感测电极层110之局部上视图。图2B图2B为图2A之触控面板沿1-1段剖面之感测电极层之局部剖面图。感测电极层110可包含电极图案层112、绝缘块114以及连接线116。电极图案层112包含多条沿第一轴向X排列的第一电极112X及多条沿第二轴向Y排列的第二电极112Y。于本实施方式中，第一轴向X与第二轴向Y互相垂直。每一第一电极112X包含多个第一导电单兀112XA及多个第一连接线112XB，其中第一轴向X上之相邻两个第一导电单元112XA透过第一连接线112XB相连并电性连接。第二轴向Y上之相邻两个第二电极112Y透过连接线116相连并电性连接。
[0044]于本实施方式中，绝缘块114设置于电极图案层112与连接线116之间，以使连接线116跨接电极图案层112。于本实用新型之部分实施方式中，第一连接线112XB及连接线116互相交错，即第一连接线112XB及连接线116的投影相交错，绝缘块114设置在交错的第一连接线112XB与连接线116之间，以使第一电极112X及第二电极112Y之间电性隔绝。
[0045]于本实用新型之一或多个实施方式中，在感测电极层110的制造过程中，可以先于第一光学补偿膜120(参照图1A)或基板102(参照图1B)上形成电极图案层112(即第一导电单元112XA、第一连接线112XB以及第二电极112Y)，再形成绝缘块114，之后再形成连接线116跨接第二电极112Y。于本实用新型之另一实施方式中，也可以先于第一光学补偿膜120或基板102上形成连接线116，再形成绝缘块114，之后再形成电极图案层112 (即第一导电单元112XA、第一连接线112XB以及第二电极112Y)。
[0046]于此，电极图案层112、绝缘块114、连接线116可由透明材料所组成。举例而言，电极图案层112可由透明导电材料(如氧化铟锡(Indium tin oxide ；IT0))经过蚀刻而形成，而连接线116亦可由氧化铟锡所形成。或者，连接线116也可以由金属制作而成。在实际应用中，连接线116可以与触控面板100之周边线路同步制作而成。感测电极层110可以依据实际敏感度、电路等需求而设计，不应以在此所示之电路配置而限制本实用新型之范围。
[0047]再回到图1Α，本实用新型之一或多个实施方式中，整个触控面板接收一入射光之后，第一光学补偿膜可以调和入射光经过触控面板各层(如感测电极层等)所形成的反射光之色调。如此一来，第一光学补偿膜120得以补偿感测电极层110中因图案化制程而导致的反射率差异，布设有电极图案层112、绝缘块114、连接线116(参照图2Α)的区域与没有布设电极图案层112、绝缘块114、连接线116 (参照图2Α)的区域在高低波段波长的光线下的反射率差值较小，藉以有效地调整触控面板100面对外部光源所反射出的反射光色调接近自然光，而不会偏蓝或偏黄。
[0048]此外，传统用以进行光学补偿的材料(例如氧化铌、氧化钛)具有较小的能隙，容易受到紫外光照射而电子跃迀，进而该些材料导电。本实用新型之一或多个实施方式中，藉由设置第一光学补偿膜120具有吸收材料，此吸收材料会将吸收的光能转化为热能释出。如此一来，藉由配置经过第一光学补偿膜120的紫外光将会被吸收而为热能释出，可以防止第一光学补偿膜120内的吸收材料或其他材料受到紫外光照射而激发电子跃迀，进而避免第一光学补偿膜120导电。
[0049]如此一来，由于第一光学补偿膜120之层迭设计得以补偿感测电极层110中因图案化制程而导致的反射率差异，且第一光学补偿膜120具有可吸收紫外光波段的材料以避免受到紫外光波段照射而产生导电等问题，因此，本实施方式可同时提升触控面板100之可靠度与光学质量。
[0050]参照图3，图3为根据本实用新型之另一实施方式之触控面板100之剖面图。本实施方式与图1A之实施方式相似，差别在于:本实施方式之触控面板100更包含第二光学补偿膜130，第二光学补偿膜130设置于感测电极层110相对第一光学补偿膜120之另一侧，换言之，本实施方式的第一光学补偿膜120及第二光学补偿膜130是设置于感测电极层110的相对两侧。具体来讲，本实施方式的第一光学补偿膜120设置于感测电极层110之上，而第二光学补偿膜130设置于感测电极层110之下。
[0051]详细而言，第二光学补偿膜130亦包含至少一第三折射率层132以及数量对等的至少一第四折射率层134，其中第四射率层134包含该第二吸收材料；且第三折射率层132的折射率相对低于第四折射率层134的折射率。第三折射率层132和第四折射率层134是以远离感测电极层110的方向，先低折再高折地交错堆叠于感测电极层110上。
[0052]第二光学补偿膜130及第一光学补偿膜120搭配并与感测电极层110形成光学匹配。于此，配置第三折射率层132的数量可分别为1、2、3层甚至更多，而第四折射率层134的数量与第三折射率层132的数量对应相对。需注意的是，第一光学补偿膜120与第二光学补偿膜130之迭构可以相同或不同。第二光学补偿膜130可直接或间接地设置于感测电极层110之上。
[0053]与前述之第一折射率层122与第二折射率层124相似地，第二光学补偿膜130之第二吸收材料可以是氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(S1N)或其组合，也就是第四折射率层134的材料可以是氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(S1N)或其组合。另一方面，于本实施方式中，第三折射率层132的材料可以是氧化硅(Si02)或氟化镁(MgF2)或其组合。需注意的是，第一光学补偿膜120与第二光学补偿膜130之材料可以相同或不同。
[0054]与前述之第一折射率层122与第二折射率层124相似地，本实用新型之一或多个实施方式中，第三折射率层132之折射率为1.3至1.55，第四折射率层134之折射率为1.6至2.5。第三折射率层132之厚度为10纳米至50纳米，第四折射率层134之厚度为5纳米至20纳米。
[0055]需补充说明的是，感测电极层110的厚度往往会依据实际设计需求来决定，例如在大尺寸触控面板上，感测电极层110的厚度相对就需设计较厚以符合较低线阻的需求。如此一来，这将使得图案化感测电极层110所造成的蚀刻线更为明显可视。于本实施方式中，在感测电极层110两侧均配置光学补偿层，可进一步使蚀刻线不易可见。
[0056]如同前述，本实用新型之一或多个实施方式中，第一光学补偿膜120与第二光学补偿膜130搭配与触控面板100形成光学匹配。在整个触控面板100接收一入射光之后，第一光学补偿膜120搭配第二光学补偿膜1