多叠式光学数据存储介质及这种介质的应用的制作方法

专利名称：多叠式光学数据存储介质及这种介质的应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于通过聚焦的激光束可重写地记录数据的多叠式光学数据存储介质，该介质具有一个衬底，在其一侧沉积有一个包括一个相变型记录层的第一记录叠，该第一记录叠距离聚焦的激光束最远，至少一个另外的包括一个相变型记录层的记录叠，在距离第一记录叠最近的一侧与每个另外的记录叠相邻的透明隔离层，该透明层的厚度大于聚焦的激光束的聚焦深度。
本发明还涉及该多叠式光学数据存储介质在高数据率记录技术中的应用。
在开始段落中所提到的这种类型的光学数据存储介质的一个实施例见于申请人所提交的美国专利US6,190,750中。
基于相变原理的光学数据存储介质很有吸引力，因为它既可以直接重写(DOW)且具有高存储密度，又结合了只读光学数据存储系统的易兼容性。在这里，数据存储包括数字视频、数字声频和软件数据存储。相变光学记录技术包括使用聚焦的能量较高的激光束在结晶体记录层中形成微米级以下的的无定形记录标记。在信息记录过程中，介质相对于根据待记录信息而调制的聚焦激光束进行移动。当高能激光束使得结晶体记录层熔化时，标记就会形成。当激光束切断并且/或者随后相对于记录层移动时，已熔化的标记就在记录层中发生淬硬，从而在记录层的暴露区域中留下一个无定形信息标记，而记录层的未暴露区域中保持结晶态。已写入的无定形标记的擦除通过利用低能量水平的相同激光加热而进行再结晶来实现，而不需熔化记录层。这些无定形标记代表那些可利用能量较低的聚焦激光束而经过衬底读取的数据位。这些无定形标记相对于结晶体记录层的反射差异就产生了一个经过调制的激光束，该激光束随后由探测器根据记录的信息转换成经过调制的光电流。
在相变光学记录技术中一个最重要的要求就是高数据率，这指的是数据可以在此介质中以至少30Mbits/s的用户数据率写入和重写。这样的高数据率要求记录层在DOW过程中具有高结晶速度，也就是短结晶时间。为保证先前记录的无定形标记可在DOW过程中再结晶，记录层必须有适当的结晶速度来与介质相对于激光束的速度相匹配。如果结晶速度不够高，先前记录的表示旧数据的无定形标记在DOW过程中就不能完全擦除，也就是不能完全再结晶。这就导致高噪声级。高结晶速度是在高密度记录和高数据率光学记录介质中，例如在圆盘形高速度CD-RW，DVD-RW，DVD+RW，DVD-RAM，红色和蓝色DVR中特别要求的，它们分别为致密盘和新一代高密度数字通用盘+RW和-RAM的缩写，其中RW和RAM指这些盘的可重写性，还有数字视频记录光学存储盘，其中红色和蓝色是指所使用的激光波长。对这些盘，完全擦除时间(CET)必须低于30ns。CET定义为在结晶环境中使已写入的无定形标记完全结晶所用的擦除脉冲的最小持续时间。CET利用静电测定器测量。对于DVD+RW，每120mm的盘具有4.7GB记录密度，需要26Mbits/s的用户数据位率，而对于蓝色DVR，该速率为35Mbits/s。对于高速度版本的DVD+RW和蓝色DVR，要求数据率为50Mbits/s或更高。AV应用的数据率由AV信息流确定，但对于计算机数据应用，对数据率没有限制，也就是越大越好。这些数据位率中每一个都可以转化成最大CET，该最大CET受若干参数的影响，例如记录叠的热学设计和所用的记录层材料。
另一个重要的要求就是提高光学记录介质的存储容量，如可重写单面盘上的DVD和DVR(数字视频记录器)。这可通过减少激光波长λ，及/或提高记录透镜的数值口径(NA)而实现，因为激光斑点尺寸与(λ/NA)2成比例。由于激光斑点尺寸较小，因而所记录的标记也比较小。因此盘存储容量就得以提高，因为盘每单位面积能够配有更多标记。一种替代的可选方案是应用多重记录叠。当在光盘同一侧使用两个记录叠时，它们利用相同激光束在同一侧进行光学存取，这叫做双叠记录。当在光盘同一侧使用多于两个记录叠时，则叫做多叠记录。
对于双叠记录，激光束首先透过进入的第二个记录叠，必须能充分透光以确保第一记录叠具有正确的读/写特性。美国专利US6,190,750中的所述已知介质具有一种用于进行可重写相变记录的|IP2IM2I+|S|IP1IM1|结构，它有两个金属反射层M1和M2，它们分别为较厚具有高光学反射能力，和较薄具有较高光传输能力。I表示电介质层，I+表示另一个电介质层。P1和P2表示相变型记录层，S表示透明隔离层。在这种结构中，激光束首先透过包括有P2的叠而进入。金属层不仅起反射层的作用，而且在写入的过程中起散热片的作用，以确保迅速冷却从而使无定形相淬硬。P1层距较厚的金属反射镜层M1最近，该M1层在记录时可使P1层充分冷却，而P2层距带有有限散热片性质的较薄金属层M2最近。记录层的冷却行为很大程度上决定着记录过程中无定形标记的正确形成。在记录过程中，为了保证正确形成无定形标记，需要充分的散热片作用。
在这种已知介质中，金属层M2不可避免地阻挡了激光的相当大的一部分，从而导致P1层的记录能量减少。为了提高M2层的光传输能力，另一个电介质层I+与M2层一起使用。金属层M2需要具有足够的散热片作用。该另一个电介质层的单独自身的导热率依旧很低，因此它快速降低记录层中的温度的能力并不充分。因为激光被部分阻挡，因此记录层P1需要更高得多的写入能量。这意味着为了在光学数据存储介质上成功地写入或重写，尤其是在相对于激光束需要较大的介质速度的高数据率下时，就需要比较大量的激光能。更高的写或重写速度需要更多的激光能。大多数情况下，用半导体激光来产生激光束。尤其是在较短激光波长，例如低于700nm波长下，激光的最大激光能有限，因而会对高记录能的产生造成障碍。而且，优选地，要避免第一记录叠具有太大的激光能，因为这可能会造成与第一记录叠相邻的其它记录叠被聚焦于第一记录叠的记录层上的激光束不合时宜地加热。当不用金属层M2时，P2层的冷却行为与P1层的冷却行为基本不同。由于这种不同的存在，因而P2层中在给定数据率下的写入方式与P1层基本不同。用来写的方法是必要的，如脉冲或写策略。甚至不可能以足够高的数据率写入具有较慢冷却行为的层中。换而言之，由于P层冷却速度慢造成大量再结晶，所以无定形标记的形成受到很大程度的抵消。
本发明的目的是提供一种开始段中所述的多叠式光学数据存储介质，该介质具有至少一个其它记录叠，该至少一个其它记录叠基本上能透过激光束，以允许在下方的记录叠进行较低能量的写入，该至少一个其它记录叠还具有足够的散热片作用以保证在所述其它记录叠的记录层上正确形成无定形标记。
为实现上述目的，至少一个记录叠中带有至少一个铟锡氧化物(ITO)层。
本发明基于以下观点，IPIT叠的传输能力几乎只是由P层的传输能力来决定。T表示ITO层，I和P分别表示电介质层和相变型记录层。不存在不可避免地阻碍一部分激光的金属层。由于ITO层的存在，因而在记录叠中具有足够的散热片作用。ITO是一种透光材料，它的正常用途得益于较高的电传导率，例如其在液晶显示(LCD’s)中用作透明电极。ITO在光学记录叠中用作具有高热传导率的材料还不为人所知。因此，本发明的结果是用于在下方记录叠中写入的激光能显著减少，例如减少高达大约50％。
在根据本发明的光学数据存储介质的实施例中，ITO层存在于离邻近透明隔离层的第一记录叠最近的一侧的至少一个其它记录叠中。以下结构可以示意性地表示本实施例|IPnITn|Sn|IPn-1ITn-1|Sn-1|......|IP1I|。激光首先通过第n个叠进入。IP1I叠是第一记录叠，Sn是透明隔离层，IPnITn是第n个记录叠，并且其中I，P和T具有上面提到的意思。应当指出，多叠式设计的顺序的表示法可能很多。有时多叠式设计用Ln表示，其中n代表0或正整数。激光通过进入的第一个叠叫做L0，而每一个更深的叠表示为L1..Ln。更深应当根据激光束进入的方向来理解。在本文中，利用的是另一种表示法，其中最深的叠下标数字为1。
在另一个实施例中，另一个ITO层存在于包括一个ITO层的另一个记录叠中，该另一个ITO层位于该另一个记录叠中与原来的ITO层一侧相对的一侧。这可以由以下结构示意性地表示|TnIPnITn|Sn|Tn-1IPn-1ITn-1|Sn-1|......|IP1I|这样，就可以形成一种对称叠，其中散热片层位于记录层的两侧。它的优点是可使冷却行为的分布更对称，因此可以更加优化无定形标记在记录层中的写入或擦除。
在一个有利的实施例中，另一个ITO层位于第一记录叠中距离该另一个记录叠最近的一侧，而金属反射层位于记录叠中距该另一个记录叠最远的一侧。因为第一记录叠是激光到达的最后叠，因此可以设置一个非透光金属反射层以提高光学数据存储介质的总反射能力。而且对第一记录叠而言，金属层可以作为极好的散热片。
在上述实施例的改进方案中，用ITO层替代金属反射层。当P层本身具有足够的反射率时，金属层可用ITO层替换。这样的优点是，相同构形下，第一记录叠的冷却行为基本上与可带有ITO层的另一个记录叠的冷却行为相同。这样，第一和其它记录叠的写入和擦除特性基本上相同。而且，从经济观点来看，删除金属层是有利的。对第一记录叠的金属反射层来说，可使用以下金属，例如Al，Ti，Au，Ni，Cu，Ag，Rh，Pt，Pd，Ni，Co，Mn和Cr以及这些金属的合金。适用的合金实例有AlTi，AlCr和AlTa。Ag因其高导热率而优选使用。金属反射层的厚度不是很严格的，但是为得到最大反射能力，优选地传输率为0。由于实用的原因，厚度大约为100nm。
优选地，ITO层的厚度范围为5至200nm。太薄的层不能呈现充分的散热片作用而太厚的层会又可能会破坏记录叠的光学传输能力。此外，太厚的层沉积起来成本太高。
在有利的实施例中，记录层与至少一个包括一种化合物的附加层相接触，该化合物选自Al2O3，SiC，Si3N4，MgO，ZnO和AlN，包括它们的非化学计量成分，所述附加层的最大厚度为10nm。这些层提高了无定形标记在DOW过程中的结晶速度，直接导致可能具有较高的数据率。对无定形标记的结晶过程来说，介于这些层和记录层之间的界面起晶核形成源的作用。附加层具有较小的厚度。因此，附加层对记录层到ITO层的热传递能力只有较小的影响。换句话说，ITO散热片作用几乎不受附加层的影响。
优选地，记录层包括Ge和Te元素。记录层是相变型。相变材料显示出晶态-无定形相变特性。更有用的是In-Sb-Te，Te-Se-Sb，Ag-In-Sb-Te，Ge-Sb-Te，Ge-In-Sb-Te或Ge-Te的化合物。在同是申请人提交的国际专利申请WO 01/13370和WO 97/50084中所述的化合物尤其有用。在WO 97/50084中所述的化合物的原子百分比组成通过下式定义Ge50XSb40-40XTe60-10X，其中0.166≤x≤0.444。这些成分位于三角形Ge-Sb-Te成分图中连接化合物GeTe和Sb2Te3的线上，并且包括化学计量的化合物Ge2Sb2Te5(x＝0.444)、GeSb2Te4(x＝0.286)和GeSb4Te7(x＝O.166)。这些化合物显示出较短的结晶(擦除)时间。
在WO 01/13370中所述的化合物，其原子百分比组成通过下式定义QaInbSbcTed(原子百分率)，其中Q选自Ag和Ge，2＜a＜80＜b＜655＜c＜8015＜d＜30并且a+b+c+d＝100优选地，另一个记录叠的记录层厚度在5至25nm之间。层太厚将会导致传输能力过低。第一记录叠的记录层可以较厚，例如在5至50nm之间。
在全部记录叠中，位于相变型记录层远离衬底的一侧的电介质层，可保护记录层不受通常为有机的隔离层的影响并优化光对比度。鉴于光对比度的考虑，该层的厚度优选地限制在(70+λ/2n)nm，其中λ是激光束的波长，n是电介质层的折射率。
在第一记录叠中，位于记录层和优选的金属反射层之间的电介质层厚度为10到50nm，优选地介于20至40nm之间。当该层太薄时，记录层和金属反射层之间的热绝缘就会受到负面影响。因此，记录层的冷却速度就会提高，从而导致产生不良结晶过程并造成不良可循环性。通过提高电介质层的厚度可以降低冷却速度。为了提高第一记录叠的记录层的敏感度，优选采用较厚的电介质层。
优选地，电介质层由ZnS和SiO2的混合物制成，例如(ZnS)80(SiO2)20。电介质层也可以由SiO2、Ta2O5、TiO2、ZnS包括它们的非化学计量的组合物制成。
介于第一和另外的记录叠之间的透明隔离层厚度大于激光束的聚焦深度，例如10μm。该厚度可保证第一和第二记录叠保持光学隔断，即，聚焦于第一记录叠的记录层上的激光束并不从其它记录叠上读取信息或者在其它记录叠上写入信息，反之亦然。这样，相对于单层数据存储介质来说，存储能力就得以提高。隔离层的材料为例如紫外线固化的丙烯酸酯粘合剂，其中伺服道可以通过复制过程提供。
数据存储介质的衬底至少能透过激光波长，并且由这些材料制成，例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，无定形聚烯烃或玻璃。只有在激光束经衬底入口面进入记录叠时，才要求衬底具有透过能力。在一个典型实例中，衬底是圆盘形的，直径为120mm而厚度为0.6或1.2mm。当激光束由与衬底一侧相对的一侧进入叠时，衬底可以不透光。
优选地，在记录叠一侧的圆盘形衬底的表面提供有伺服道，它可进行光学扫描。该伺服道通常由螺旋型槽构成，并且在注模或压制过程中通过模子形成于衬底上。另一方面，这些槽可以在复制过程中形成于隔离层的合成树脂上，例如一种UV固化的丙烯酸酯。
任选地，叠的最外层通过一个保护层而同环境屏蔽开，例如，通过UV固化的聚甲基丙烯酸甲酯保护层。保护层必须有良好的光学性能，也就是说当激光由保护层进入记录叠时，保护层基本上没有光学象差且基本上厚度一致。这样，保护层就能透过激光。
通过使用短波长激光，如660nm或更短的波长(红光到蓝光)，就可以实现在记录叠的记录层上读取和擦除数据。
金属反射层和电介质层都可以通过蒸发或喷涂方法提供。
ITO层可通过喷涂或化学湿选法提供。
相变型记录层可通过真空沉积法施加于衬底上。已知的真空沉积法有蒸发(E束蒸发，从熔炉中抗热蒸发)、喷涂、低压力化学气相沉积(CVD)、离子涂敷、离子束辅助蒸发、等离子增强CVD。由于反应温度太高，因而不可应用正常热CVD方法。
通过典型实施例并参照附图，可以对本发明作进一步的详细说明，其中

图1至3各自示出了根据本发明的多叠式光学数据存储介质的一个实施例的示意性剖面图。
图4示出了IPIM叠在DVR-blue条件下用常规写入策略所写的无定形标记的计算尺寸的平面图。
图5示出了IPI叠在DVR-blue条件下用常规写入策略所写的无定形标记的计算尺寸的平面图。
图6是TIPIT叠在DVR-blue条件下用常规写入策略所写的无定形标记的计算尺寸的平面图。
图1所示为通过聚焦激光束30可重写地记录数据的多叠式光学数据存储介质20的一个实施例。该介质具有衬底1，衬底由聚碳酸酯(PC)制成，在其一侧沉积有包括一个相变型记录层6的第一记录叠2。第一记录叠2距离聚焦的激光束30最远。
包括一个相变型记录层12的第二记录叠3。
在距离第一记录叠2最近的一侧与第二个记录叠3相邻的透明隔离层9。透明隔离层9的厚度为30μm，大于聚焦激光束30的聚焦深度。
第一记录叠的记录层6包括原子组成为Ge5.0In5.5Sb65.0Te24.5的化合物，厚度为10nm。金属反射层4位于第一记录叠2中距离第二记录叠3最远的一侧。金属反射层4包括金属Ag，厚度为1 00 nm。电介质层5厚度为25nm，位于记录层6和金属反射层4之间。电介质层5包括(ZnS)80(SiO2)20化合物。铟锡氧化物(ITO)层8厚度为130nm，位于第一记录叠中距离第二记录叠3最近的一侧。
第二记录叠3的记录层12包括原子组成为Ge5.0In5.5Sb65.0Te24.5的化合物，厚度为6nm。铟锡氧化物(ITO)层10的厚度为80nm，位于第二记录叠3中距离第一记录叠2最近的一侧，并与透明隔离层9相邻。另一个ITO层14的厚度为100nm，位于第二记录叠3中与ITO层10一侧相反的第二记录叠3另一侧。两个电介质层11和13，厚度均为20nm且由(ZnS)80(SiO2)20制成，与第二记录叠3的记录层12相接触。
保护层15由诸如能透过激光的UV可固化树脂制成，厚度为100μm，与另一个ITO层14相邻。通过旋涂及随后的UV固化处理可提供保护层15。保护层15也可通过利用压敏胶粘剂(PSA)层涂敷例如聚碳酸酯(PC)片而提供。
第一记录叠2的光学反射在波长为670nm而记录层6处于无定形相时定义为Ra，其值为1.4％。记录叠2的光学反射在波长为670nm而记录层6处于结晶相时，定义为Rc，其值为28.7％。光学对比度为95.2％。光学对比度定义为|Rc-Ra|/Rmax，该公式中Rmax是Ra与Rc二者中的最大值。对第二记录叠3而言，这些值为Ra＝3.1％，Rc＝14.4％，而光学对比度为78.6％。在波长为670nm时，第二记录叠3的传输在记录层处于定形相时是52.2％(Ta)，而在记录层处于结晶相时为39.0％(Tc)。
图2所示为通过聚焦激光束30可重写地记录数据的多叠式光学数据存储介质20的另一个实施例。
第一记录叠2的记录层6包括原子组成为Ge5.0In5.5Sb65.0Te24..5的化合物，厚度为10nm。金属反射层4位于第一记录叠2中距离第二记录叠3最远的一侧。金属反射层4包括金属Ag，厚度为100nm。电介质层5厚度为25nm，位于记录层和金属反射层之间。另一个电介质层7厚度为130nm，位于第一记录叠2中距离第二记录叠3最近的一侧。这两个电介质层均包括化合物(ZnS)80(SiO2)20。
第二记录叠3的记录层12包括原子组成为Ge5.0In5.5Sb65.0Te24.5的化合物，厚度为6nm。铟锡氧化物(ITO)层10厚度为100nm，位于第二记录叠3中距离第一记录叠2最近的一侧，并与透明隔离层9相邻。电介质层11厚度为20nm，由(ZnS)80(SiO2)20制成，位于第二记录叠3的ITO层10和记录层12之间。另一个电介质层13位于第二记录叠3的记录层12的另一侧。保护层15和衬底1与图1中的描述相同。
第一记录叠2的光学反射在波长为670nm而记录层6处于无定形相时，定义为Ra，其值为2.0％。记录叠2的光学反射在波长为670nm而记录层6处于结晶相时，定义为Rc，其值为30.8％。光学对比度为93.5％。光学对比度定义与上面相同。对第二记录叠3而言，这些值为Ra＝4.8％，Rc＝16.9％，而光对比度为72.0％。在波长为670nm时，第二记录叠3的传输在记录层12处于无定形相时是51.0％(Ta)，而在记录层12处于结晶相时为37.5％(Tc)。
图3所示为通过聚焦激光束30可重写地记录数据的多叠式光学数据存储介质20的又一实施例。记录层6和12均与四个由SiC制成的附加层5’、7’、11’和1 3’相接触。附加SiC层5’、7’、11’和13’厚度均为5nm。图3中的其它层与图2中的实施例中的对应层相同，只是每个电介质层5、7、11和13的厚度分别减少了5nm。这样得到的多叠式光学数据存储介质的光学反射和传光能力与图2所述相同。由于存在与记录层6和12相接触的SiC层5’、7’、11’和13’，因而提高了记录层6和12的结晶速度。
图4所示为对应厚度分别为130-10-15-120nm的IPIM叠的无定形标记41的形成模拟结果。I层由常规的(ZnS)80(SiO2)20制成。P层为搀杂低共熔SbTe组合物，它具有高的结晶生长速度，称做快速生长材料(FGM)。M是Ag金属层。在模拟过程中，无定形标记41利用带有功率为6mW的6脉冲激光脉冲串的写入策略在8.1m/s的介质线性速度下写入。对DOW，需在脉冲串前后保持2.5mW的基础擦除能量水平。激光波长为405nm，聚焦数值孔径(NA)为0.85，这是适合DVR-blue的条件。黑色实线42表示最大熔化边缘，而填充区域41表示冷却后的最终无定形标记。所产生的无定形标记几乎与最大熔化边缘42一样宽。由于存在好的散热片M因而热量积累现象得以抑制，这就使在标记的前缘46处的再结晶现象减至最少。擦除能量在带有写入脉冲的脉冲串之后施加，它使得在标记形成过程中在标记的尾缘45处产生显著的再结晶现象。然而这可以利用合适的写策略来补偿。
图5所示是对应厚度分别为120-8-80nm的IPI叠的无定形标记43的形成模拟结果。写入功率是5mW，而擦除功率是1.5mW。此外，条件都与图4中的描述相同。应当指出，由于没有合适的散热片来快速冷却记录层，因此可观察到在无定形标记43形成过程中存在严重的再结晶现象。显然，图5中无定形标记43的失真图形导致了在无定形标记43读出过程中造成信号严重失真。
图6所示为对应厚度分别为115-5-8-5-75nm的TIPIT叠的无定形标记44的形成模拟结果。此外，除了激光写入功率是11mW，而擦除功率是5.2mW外，其他条件都与图4中的描述相同。T是导热率为10W/mK的透光散热片。散热片T的一个重要作用就是有效地减少叠对于写入功率的敏感度。应当指出，由于散热片T的存在，在无定形标记44形成过程中的严重再结晶现象就得以消除。无定形标记44的形状几乎与图4中无定形标记41的形状一样大。尺寸上的小偏差可通过在记录时采用合适的写入策略来补偿。另外应当指出，各个薄层的导热率与大块制成各个薄层的材料的导热率存在显著不同。这是由于薄层的结构受沉积条件的影响。
应当指出，以上提到的实施例和模拟结果只是对本发明进行举例说明，而非对其做出限制，并且本领域的普通技术人员在不背离附加权利要求的范围的情况下，可以设计多种替代实施例。在权利要求中，圆括号中的参考标记不应被理解为是对权利要求的限制。“包括”一词并不排除除了权利要求所列以外的元素或步骤存在。在一种元素之前的词“一个”并不排除多个这种元素的存在。特定的方法在互不相同的从属权利要求中进行了叙述，但这并不表示这些方法不能组合使用以更有利。
根据本发明，提供了一种通过聚焦激光束可重写地记录数据的多叠式光学数据存储介质。这种介质具有至少两个包括一个相变型记录层的记录叠。除了最后遇到激光束的记录叠外的各个记录叠都具有很高的激光束透过能力，并且所述叠中的记录层具有良好的冷却性能。这通过在高透过能力的记录叠的记录层附近设置至少一个ITO层而实现。
权利要求
1.一种通过聚焦的激光束(30)而可重写地记录数据的多叠式光学数据存储介质(20)，所述介质(20)具有一个衬底(1)，在其一侧沉积有第一记录叠(2)，包括一个相变型记录层(6)，所述第一记录叠(2)距离聚焦的激光束(30)最远，至少一个另外的记录叠(3)，包括一个相变型记录层(12)，在距离第一记录叠(2)最近的一侧与每个另外的记录叠(3)相邻的透明隔离层(9)，所述透明隔离层(9)的厚度大于聚焦的激光束(30)的聚焦深度，其特征在于，至少有一个铟锡氧化物层(10)位于记录叠(2，3)的至少一个中。
2.根据权利要求1所述的光学数据存储介质(20)，其中铟锡氧化物层(10)位于在距离第一记录叠(2)最近的一侧与透明隔离层(9)相邻的其它记录叠的至少一个中。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的光学数据存储介质(20)，其中另一个铟锡氧化物层(14)位于包括铟锡氧化物层(10)的另一个记录叠中，另一个铟锡氧化物层(14)位于与铟锡氧化物层(10)的一侧相对的另一个记录叠(3)的一侧。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的光学数据存储介质(20)，其中另一个铟锡氧化物层(8)位于第一记录叠中距另一个记录叠(3)最近的一侧，而金属反射层(4)位于第一记录叠(2)中距另一个记录叠(3)最远的一侧。
5.根据权利要求4所述的光学数据存储介质(20)，其中金属反射层(4)由铟锡氧化物层代替。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的光学数据存储介质(20)，其中铟锡氧化物层(8，10，14)的厚度处于从5到200nm的范围中。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的光学数据存储介质(20)，其中记录层(6，12)与至少一个附加层(5’，7’，11’，13’)相接触，附加层包括一种化合物，该化合物选自Al2O3、SiC、Si3N4、MgO、ZnO和AlN，包括它们非化学计量的组合物，所述附加层(5’，7’，11’，13’)的最大厚度为10nm。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的光学数据存储介质(20)，其中记录层(6，12)包括元素Ge和Te。
9.利用根据权利要求1-8中任一项所述的光学数据存储介质(20)来进行多叠式高数据率记录。
全文摘要
描述了一种通过聚焦激光束(30)而可重写地记录数据的多叠式光学数据存储介质(20)，所述介质(20)具有一个衬底(1)，在其一侧沉积有第一记录叠(2)，包括一个相变型记录层(6)；至少一个另外的记录叠(3)，包括一个相变型记录层(12)；与每个另外的记录叠(3)相邻的透明隔离层(9)。另一个记录叠(3)具有充分的传输能力以保证第一记录叠(2)中的读取和记录具有适当的敏感度。为此目的，至少有一个铟锡氧化物层(10)位于至少一个另外的记录叠(3)中。铟锡氧化物层(10)还能保证另一个记录叠(3)的记录层(12)中具有适当的冷却行为，以便在另一个记录叠(3)中得到充分的记录性能。
文档编号G11B7/24GK1511318SQ02810658
公开日2004年7月7日 申请日期2002年5月27日 优先权日2001年6月1日
发明者E·R·梅恩德尔斯, E R 梅恩德尔斯, H·J·博格, 博格, G·-F·周, ぶ, J·C·N·里佩尔斯, N 里佩尔斯 申请人:皇家菲利浦电子有限公司