专利名称：光信息记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光信息记录介质，利用比如激光束之类的光学手段，高速且高密度记录并再现光信息。
背景技术：
利用激光束再现或记录高密度信息的技术处于公知领域，实际的应用中，主要用作光盘。
广义上可以将光盘分为再现专用(reproduction-only)型、可记录型以及可重写型。在实际中，再现专用型被用作压缩盘和激光盘，可记录型和可重写型被用于文档(document)文件、数据文件等。可重写型光盘主要被分成磁光类型和相位变化类型。相位变化类光盘利用因激光束照射所引起的记录层在无定型状态与结晶状态之间的(或不同结构的晶体与其他晶体之间)可逆状态变化。更具体地，激光束的照射至少改变薄膜的折射率和消光系数之一，以进行记录。并且，这个部分中的透射光或反射光的幅度改变，从而使引入探测系统的透射光量或反射光量发改变，检测这种变化，以再现信号。
通常，记录层材料处于结晶状态的状态是一种非记录状态，其中用激光照射记录层材料，以利用熔化使其处于无定型状态，并快速冷却它，以记录信号。在擦除信号情况下，用功率低于记录所用的激光束照射处于结晶状态的记录层。通常，经常将硫属元素化合物用作记录层材料。将由硫属化合物制成的记录层形成为无定型状态的薄膜，因此，必须预先通过结晶使整个记录区域处于非记录状态。这种整体结晶被称为初始化。将初始化过程结合到一部分盘制作过程中，并利用激光束或闪烁光源使记录层处于结晶状态。在使用激光束的情况下，在旋转盘的同时使用激光束照射，并将激光束聚焦于信息层。光学头的位置在盘上径向偏移，从而使整个盘表面被初始化。
从增大光盘记录容量的角度出发，提出一种单面双层结构的光盘及其制作方法(如日本专利申请No.10-132982和日本专利申请No.2000-400442)。日本专利申请No.2000-400442公开了利用蓝紫激光制造所述单面双层结构之相位变化光盘的方法。
这里将日本专利申请No.10-132982和日本专利申请No.2000-400442的全部公开内容整体引用为参考文献。
单面多层记录介质所需的盘特性在于通过在记录及再现信息激光束入射面上的信息层，必须在其背面的信息层记录及再现信息。为此，前侧层特别需要高透射率(如50％)，并且因此而使所述信息层的记录层不可避免地必须很薄。
我们利用蓝紫激光开发了单面多层结构的相位变化光盘。比如，它具有设在透明衬底上的第一信息层、光分离层、第二信息层和光透射层。初始化过程中出现问题。问题在于初始化过程成功的情况和初始化过程不成功的情况取决于盘的结构。
具体地说，为了初始化，依次处理第一信息层和第二信息层，但是随后由于激光束没有成功地聚焦于要被初始化的层上，使与盘结构有关的初始化失败。
在试图在要被初始化的层上聚焦的过程中，初始化成功的概率为90％。其余的10％就是初始化聚焦失败的情况。还有一些不成功初始化的情况，与所述第一信息层和第二信息层的初始化顺序有关。
可以如下考虑初始化中引起的失败。如果为了初始化，而使照射激光束的光学头靠近光透射层移动，则会测得三个信号，即按照图3所示的顺序为来自光透射层的聚焦误差信号61、来自第二信息层的聚焦误差信号62以及来自第一信息层的聚焦误差信号63。
不过，至于所测得的三个聚焦误差信号的大小，在各个信息层的反射系数高的情况下，这三个信号较大；而在所述反射系数较低的情况下则所述信号较小。各个信息层的反射系数根据其薄膜结构及相位状态的组合(是否为无定型的抑或结晶的)而变化，而且在所述各聚焦误差信号较小的情况下，初始化失败的可能性变得更高。
因此，有必要选择各层的初始化顺序和随后用于初始化的信息层开始初始化的径向位置，使所述各聚焦误差信号变得较大些。
考虑到盘的大规模生产，为了初始化多个层，有必要改变用于初始化信息层的初始化条件(如线速度、初始化所用激光束的功率、拾象器(pickup)进给的宽度、激光束对各信息层的散焦量等)。
用于大规模生产的初始化装置具有一个拾象器，目前它被用于商业化的DVD-RAM等的初始化。为了在我们当前开发的大规模生产中初始化具有多个信息层的光盘，无需新的资金总额，并且利用现有的初始化装置，必须依次按顺序初始化各信息层。
在这种情况下，可以想到地是，用一种对这样的信息层专用的初始化装置初始化所述各信息层。当这样做的时候，必须将多个盘重置于一个初始化装置上。
这种情况下的问题在于，即使通过重置多个盘，对所有各层把初始化的起始位置设定得相同，仍然存在着由于更换盘的安装误差引起的初始化起始位置细微偏离的可能性。在这种情况下，可以想到的是，即使考虑到了各层的初始化顺序，初始化的效率仍然很低。
发明内容
考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种在光盘大规模生产的初始化过程中能够提高生产效率的光信息记录介质及其初始化方法。
为了解决上述问题，第一发明涉及一种光信息记录介质，它具有在圆形衬底上形成的多个信息层，其中所述信息层具有至少一个记录层，由能量射束照射，它在无定型状态和结晶状态之间产生可以光学检测的可逆变化；由所照射的激光束能够在所述信息层中记录并再现信号；预先由激光束将所述信息层包含的记录层结晶为同心条形形状；以及在与至少一个信息层的结晶区域和无定型区域之间边界相对的另一个信息层区域内，在预先结晶所述记录层的激光束波长下的反射系数低于另一个信息层的其它区域内预先结晶记录层的激光束波长下的反射系数。
第二发明为按照第一发明的光信息记录介质，其中，所述光信息记录介质具有在所述圆形衬底上按照从所述圆形衬底后退的顺序提供的第一信息层、光分离层、第二信息层和光透射层。
第三发明为按照第二发明的光信息记录介质，其中，在所述盘的相同半径范围内存在一个同心并呈条形的区域，在该区域内所述第一信息层为结晶的，而所述第二信息层处于无定型状态。
第四发明为按照第三发明的光信息记录介质，其中，所述同心并呈条形的区域至少存在于盘的内部径向范围侧或边缘侧。
第五发明为按照第三发明的光信息记录介质，其中，在结晶所述第一和第二信息层的激光束波长下，当处于无定型状态下的所述第一信息层的反射系数为Ra1，且处于结晶状态下其反射系数为Rc1时，Rc1＜Ra1。
第六发明为按照第二发明的光信息记录介质，其中，在盘的相同半径内存在一个同心并呈条形的区域，在该区域内，所述第一信息层为无定型状态，并且所述第二信息层为结晶的。
第七发明为按照第六发明的光信息记录介质，其中，所述同心并呈条形的区域至少存在于盘的内部径向范围侧或边缘侧。
第八本发明为按照第六发明的光信息记录介质，其中，在结晶所述第一和第二信息层的激光束波长下，当处于无定型状态下的所述第一信息层的反射系数为Ra1，且处于结晶状态下其反射系数为Rc1时，Rc1＞Ra1。
第九发明涉及一种光信息记录介质的初始化方法，所述光信息记录介质至少具有在所述圆形衬底上按照从所述圆形衬底后退顺序提供的第一信息层、光分离层、第二信息层和光透射层；其中，所述信息层至少具有一个记录层，在能量射束照射下，在无定型状态和结晶状态之间产生可以光学检测的可逆变化；所述初始化方法预先结晶光信息记录介质，能够利用通过所述光透射层照射的激光束在每个信息层中记录并再现信号，并且所述光信息记录介质的初始化方法，其中在预先结晶所述记录层的激光束波长下，从与所述第一信息层低反射系数区域的内部相对的所述第二信息层区域开始所述第二信息层的初始化。
第十发明为按照第九发明的光信息记录介质初始化方法，其中，如果当处于无定型状态的所述第一信息层的反射系数为Ra1，处于结晶状态的反射系数为Rc1时，有Rc1＜Ra1，则预先从与所述第一信息层结晶的区域内部相对的所述第二信息层区域开始所述第二信息层的初始化。
第十一发明为按照第九发明的光信息记录介质初始化方法，其中，如果当处于无定型状态的所述第一信息层的反射系数为Ra1，处于结晶状态的反射系数为Rc1时，有Rc1＞Ra1，则从与所述第一信息层处于无定型状态的区域内部相对的所述第二信息层区域开始所述第二信息层的初始化。
第十二发明涉及一种光信息记录介质的初始化方法，所述光信息记录介质至少具有在所述圆形衬底上按照从所述圆形衬底后退顺序提供的第一信息层、光分离层、第二信息层和光透射层；其中，所述信息层至少具有一个记录层，在能量射束照射下，在无定型状态和结晶状态之间产生可以光学检测的可逆变化；所述初始化方法预先结晶光信息记录介质，能够利用通过所述光透射层照射的激光束在每个信息层中记录并再现信号，并且所述光信息记录介质的初始化方法，其中在处于结晶状态的所述第二信息层的透射率低于无定型状态透射率的情况下，在第一和第二信息层的相同半径内，按照第一信息层和第二信息层的顺序进行初始化；而在处于结晶状态的所述第二信息层的透射率高于无定型状态透射率的情况下，在第一和第二信息层的相同半径内，按照第二信息层和第一信息层的顺序执行初始化。
第十三发明为按照第十或十一发明的光信息记录介质初始化方法，其中，所述介质具有初始化所述各信息层的光学头，并使用该光学头依序初始化第一信息层和第二信息层。
第十四发明为按照第十二发明的光信息记录介质初始化方法，其中，所述介质具有初始化所述各信息层的光学头，并使用该光学头依序初始化第一信息层和第二信息层。
第十五发明为按照第九至第十一发明中之一的光信息记录介质初始化方法，其中，所述第一信息层和第二信息层的初始化区域不同。
图1为本发明一种实施例光盘的结构示意图；图2为本发明实施例光盘初始化装置的结构示意图；图3为现有技术中用于光盘初始化的聚焦误差信号示意图；图4为本发明实施例的用于光盘初始化的聚焦误差信号示意图；图5为表示本发明实施例光盘(光信息记录介质)的结构示意图；图6为表示本发明实施例光盘(光信息记录介质)结构示意图。
(符号说明)1 衬底2 衬底表面3 第一信息层4 光分离层5 光分离层表面6 第二信息层7 光透射层8 反射层9 保护层10 记录层11 保护层12 反射层13 保护层14 记录层15 保护层具体实施方式
下面将通过利用附图对描述本发明。
利用图1将对本实施例中所用盘结构进行说明。在图1中，记录并再现信息以及初始化信息层的激光束分别从光透射层7一侧入射。衬底1由比如聚碳酸酯或PMMA类的树脂片、玻璃片等构成。衬底表面2上覆盖有螺旋或同心的连续凹槽等。
将第一信息层3提供于衬底1上。该第一信息层至少具有反射层8、保护层9和11以及记录层10。
光分离层4形成于第一信息层3之上。该光分离层4只是相对于要在第一信息层3中记录和再现信号所照射之激光束波长的透明材料，而且它具有使第一信息层与第二信息层光学地分离的功能。对于所述光分离层而言，有利用旋转涂覆形成由紫外固化树脂等制成的层的方法、以粘接带或紫外固化树脂粘贴透明膜的方法等。光分离层的表面5上覆盖有螺旋或同心连续的凹槽等。
第二信息层6形成于光分离层4上。该第二信息层6至少具有反射层12、保护层13和15以及记录层14。光透射层7形成于第二信息层6之上。对于该光透射层7而言，有利用旋转涂覆法形成由紫外固化树脂等制成的层的情况，或者以粘接带或紫外固化树脂等将透明膜粘贴到第二光信息层6，以形成光透射层的情况。
至于保护层9、11、13以及15的材料，可以使用诸如Al、Si、Ta、Mo、W及Zr等元素的氧化物，诸如ZnS类的硫化物，诸如Al、B、Ge、Si、Ti及Zr等元素的氮化物，以及诸如Pb、Mg及La等元素的氟化物。本实施例中，使用具有ZnS-20摩尔％SiO2化合物的材料。
至于记录层10和14的材料，可以使用主要成分为Te、In和Se等相变材料。至于广泛已知的相变材料主要成分，有TeGeSb、TeGeSn、TeGeSnAu、SbSe、SbTe、SbSeTe、In-Te、In-Se、In-Se-Tl、InSbInSbSe、GeSbTeAg等。目前作为商业化或活跃研究的相变光盘材料系统为GeSbTe系统或AgGeSbTe系统。这些记录层通常具有形成为无定型状态的膜。在使用这些记录层材料的情况下，对于通常用于记录层初始化的红外光波长而言，结晶状态的透射率低于无定型状态的透射率。在本实施例中主要使用GeSbTe系统的材料。
至于反射层8和12，可以使用主要成分为Ag、Au以及Al等金属元素的材料。还可以通过层压两种或多种具有不同折射率的保护层代替金属反射层以获得与非透射层相同的光学特性。本实施例中使用的金属反射层的主要成分为Ag。
尽管在图1中没有说明，出于增强记录层可结晶性以及保证优良的记录擦除循环特性的目的，还可以在记录层10和保护层9、10之间以及记录层14和保护层13、15之间提供C和氮化物界面层。该氮化物界面层的主要材料为包括至少一种Ge、Cr、Si、Al和Te元素的材料。
至于形成诸如保护层、记录层、反射层以及氮化物界面层的方法，通常适用电子束沉积法、溅射法、离子镀法、CVD法、激光溅射法等。在本实施例中使用激光溅射法。
接下去，将给出有关利用激光束对上述单面双层结构的光信息记录介质进行初始化处理的说明。初始化装置的概述有如图2所示。如图2所示，该初始化装置为一种初始化光盘51的装置，包括拾象头进给机构52、激光源53、反光镜54、物镜55、聚焦伺服56和主轴电机57。使用比如象散法，由物镜把来自激光源53的激光束聚焦于第二信息层或第一信息层上。此时，使用了从第一和第二信息层获取的聚焦误差信号。至于施加聚焦控制的方法，可以采用诸如刀口法等各种方法。
此外，将描述在形成第一和第二信息层之后，有关区分第一信息层和第二信息层，以及把用于在所需信息层上初始化的激光束聚焦于各个初始化信息层的过程。将用于发射初始化所用激光束的光学头靠近光透射层，并依次检测来自光透射层、第二信息层以及第一信息层的实现聚焦的三个聚焦误差信号。为了检测这三个聚焦误差信号，并初始化比如第二信息层，在将光学头靠近光透射层的情况下，关于测得聚焦误差信号的第二聚焦误差信号实现聚焦。或者相反，在检测到来自第一信息层的聚焦误差信号之后，在初始化装置中，根据光学头与光透射层分离，执行实现关于第二聚焦误差信号的聚焦工作(在用多个信息层代替两个信息层的情况下，以同样的方法执行聚焦)。
作为初始化第一和第二信息层的方法可以想到的是下述多个模式。
(1)在形成各个信息层之后，立刻进行各个信息层的初始化。
(2)在形成各个信息层并且在其上形成光分离层(在第二信息层的情况下为光透射层)之后，立刻进行各个信息层的初始化。
(3)在形成第一信息层、光分离层、第二信息层和光透射层之后，执行初始化(可以在初始化之后形成光透射层)。
(4)在(3)的情况下，在形成第二信息层之前形成第一信息层(或相反)。
由于利用激光束进行结晶(初始化)需要高激光功率，因此，通常使用波长约为800nm的红外激光束。
下面将对本实施例中所用盘的结构进行详细说明。作为所述盘结构的一个例子，在直径为120mm、厚度为1.1mm的聚碳酸酯衬底上，它的表面上覆盖有螺距为0.3um、槽深为20nm的凹凸导槽，利用磁控管溅射法按顺序形成Ag反射层、GeN、ZnS-20摩尔％SiO2、Ge22Sb25Te53(at％-原子百分数)及ZnS-20摩尔％SiO2，从而形成第一信息层。随后，以半径为120mm、厚度为25μm，并且其表面覆盖有螺距为0.3um、槽深为20nm之凹凸导槽的聚碳酸酯上的紫外固化树脂，在所述第一信息层上形成总厚度为30um的光分离层。继而，利用磁控管溅射法，在光分离层上按顺序形成Ag反射层、GeN、Ge22Sb25Te53(at％-原子百分数)以及ZnS-20摩尔％SiO2，以形成第二信息层。随后，利用旋转涂覆法形成厚度为0.1mm的光透射层。
利用图2所示具有波长为810nm之激光源的初始化装置，并在线速度为6m/s且进给螺距为20um条件下以实验方式寻找对第一和第二信息层中每一个都适用的激光功率，初始化各信息层。初始化所用激光束在盘的径向方向上的宽度为50um。在形成第一信息层、光分离层、第二信息层以及光透射层之后，对这些信息层进行初始化。
根据本实施例，使用一种初始化所用的激光束，依序使两个信息层被初始化。
将上述内容同样地应用于下述第一和第二实施例。
(第一实施例)当处于无定型状态的第二信息层在进行初始化的激光束波长下透射率为Ta2，并且处于结晶状态下的所述透射率为Tc2时，将对Tc2和Ta2大小的考查结果以及各信息层的初始化顺序进行说明。
所述考查所用盘的结构如下所述。第一信息层的结构为100nm的Ag反射层、5nm的GeN层、25nm的ZnS-20摩尔％SiO2层、15nm的GeSbTe记录层和60nm的ZnS-20摩尔％SiO2层。至于第二信息层，提供了两种不同类型的记录层组成。对于盘1，在第一信息层上形成光分离层之后，有10nm的Ag反射层、5nm的GeN层、24nm的ZnS-20摩尔％SiO2层、6nm的GeSbTe记录层以及50nm的ZnS-20摩尔％SiO2层。对于盘2，各层膜厚与盘1相同，不过仅使记录层组成变为GaSb的盘。另外，将光透射层形成于第二信息层之上。在初始化激光束波长下，第一和第二信息层的透射率和反射系数如表1所示。
(表1)
在初始化第一信息层之后初始化第二信息层的情况下，在最后完成两层初始化之后，将上述单面双层盘用于考查所述产额；反之亦然。
在这种情况下，第一和第二信息层初始化的起始径向位置相同，即从23mm处起始。在此过程中，一但第一层初始化结束之后，就从初始化装置上取下盘，并在设定对下一层的初始化条件之后，再次将该盘安装于该初始化装置上。初始化的产额结果被示于表2中。
(表2)
根据表2，对于盘1而言，在初始化第一信息层之后初始化第二信息层的情况下比相反情况下提高了初始化产额。对于盘2而言，在初始化第二信息层之后初始化第一信息层的情况下通常比相反情况下的初始化错误少。
从各盘信息层返回初始化所用光学头之激光束的反射系数如表3所示。
(表3)
根据表3，在按照第一到第二信息层的顺序初始化的情况下，第一信息层的反射系数可以高到7.2％，因此聚焦误差信号也大到足以便于聚焦，所以产额优良。在初始化第二信息层的情况下，其反射系数为5.0％，且此时第一信息层的反射系数低到2.5％，因此错误地聚焦到第一信息层的概率很低，所以产额优良。在按照第二到第一信息层的顺序初始化的情况下，第二信息层的反射系数为5.0％，而此时第一信息层的反射系数高至7.2％，因此存在错误聚焦到第一信息层的可能性。此外，在初始化第一信息层上的反射系数与第二信息层的反射系数一样低，并且接近，因此可以理解，在第一信息层的初始化中已发生错误。在盘2的情况下，可以理解，由于相同的理由，在从第二信息层开始初始化的情况下产额的提高要好于从第一信息层开始初始化的情况。
具体地说，在处于结晶状态的第二信息层的透射率低于处于无定型状态下透射率的情况下，按照第一信息层和第二信息层的顺序，在第一和第二信息层的相同半径范围执行初始化。并且在处于结晶状态下的上述第二信息层的透射率高于处于无定型状态下透射率的情况下，按照第二信息层和第一信息层的顺序，在第一和第二信息层的相同半径范围执行初始化。
如果按照这种顺序执行初始化，会提高产额。更具体地，当初始化第一信息层时，按照这种顺序执行初始化，可以使来自第一信息层的聚焦误差信号尽可能地大。结果，当初始化第一信息层时，很少会发生错误聚焦于第二信息层的情况。因此，当初始化第一信息层时，按照上述顺序执行初始化，以使不常发生错误聚焦，从而提高了产额。
如本发明所示，通过预先考查Tc2和Ta2，并根据其结果确定初始化顺序，就能够减小初始化错误，并提高产额。
本实施例给出了两个信息层的情况。不过，在三个或更多信息层的情况下，也可以通过考虑初始化激光束波长下的反射系数，并改变各信息层的初始化起始位置，从而稳定地大规模生产盘。
(第二实施例)当处于无定型状态下的第二信息层在执行初始化的激光束波长下的透射率为Ta2、反射系数为Ra2，处于结晶状态下的所述透射率为Tc2、反射系数为Rc2、没有层压第二信息层的处于无定型状态下的第一信息层的反射系数为Ra1而处于结晶状态下的反射系数为Rc1时，进行何种情况可以提供更好的初始化产额的考查。这就是说，当在初始化Rc1和Ra1之间的数量关系和第一信息层之后，初始化第二信息层时，是否从第一信息层的无定型区域抑或是从结晶区域开始初始化。考查的结果如下所述。
这种考查所用的盘结构如下。第一信息层的结构为衬底上的100nm的Ag反射层、5nm的GeN层、25nm的ZnS-20摩尔％SiO2层、15nm的GeSbTe记录层和60nm的ZnS-20摩尔％SiO2层。至于第二信息层，在第一信息层上形成光分离层之后，盘1具有10nm的Ag反射层、5nm的GeN层、24nm的ZnS-20摩尔％SiO2层、6nm的GeSbTe记录层和50nm的ZnS-20摩尔％SiO2层。另外，光透射层形成于第二信息层之上。第一和第二信息层在初始化激光束波长下的透射率和反射系数如表4所示。
(表4)
将上述单面双层盘用于初始化第一信息层，并随后从初始化装置上取下盘，并在设定第二信息层的初始化条件之后，再次将该盘安装于该初始化装置上，以初始化第二信息层。最后考查有关两层完成初始化之后的产额。
在这种情况下，开始第一信息层的初始化的径向位置从23mm开始。至于第二信息层，考查三种开始初始化的径向位置22mm、23mm和24mm。具体地说，当初始化第二信息层时，分别从第一信息层的无定型区、从与第一信息层相同的起始位置以及从第一信息层的结晶区开始进行初始化。其产额结果如表5所示。
(表5)
根据表5，在初始化盘1第二信息层时，按照从第一信息层的结晶区开始初始化、与第一信息层相同的初始化起始位置以及第一信息层的无定型区开始初始化的顺序，所述产额减小。
表6所示为初始化起始位置和从各信息层返回到初始化光学头的激光束的反射系数。
(表6)
根据表6，在首先在盘1上初始化第一信息层的情况下，第一信息层的反射系数高至7.2％，因此聚焦误差信号大到足以便于聚焦，所以产额优良。图4A和4B所示为第一信息层初始化之后，根据盘径向位置的差别聚焦误差信号大小的比较。
图4A所示为在半径22mm处的聚焦误差信号，这等效于从第一信息层的无定型区开始第二信息层初始化的情况。这里，来自光透射层的聚焦误差信号71a、来自第二信息层的聚焦误差信号72a以及来自第一信息层的聚焦误差信号73a具有近似相同的大小。图4B所示为半径24mm处的聚焦误差信号，这等效于从第一信息层的结晶区开始第二信息层初始化的情况。这里，来自第一信息层的聚焦误差信号73a小于来自光透射层的聚焦误差信号71b和第二信息层的聚焦误差信号72a。具体地说，图4A中来自第一信息层的聚焦误差信号73a小于图4B中来自第一信息层的聚焦误差信号73b。
在从第一信息层结晶区开始第二信息层初始化的情况下，在盘1上初始化第二信息层的反射系数为5.0％，而此时第一信息层的反射系数低至2.5％。因此，不存在错误地聚焦于第一信息层的可能性，所以产额推测为100％。在从第一信息层无定型区开始第二信息层初始化的情况下，在盘1上初始化第二信息层的反射系数为5.0％。不过，第一信息层的反射系数为7.2％，可以理解，会错误地聚焦于第一信息层，因此减小了产额。
在相同的初始化起始位置情况下，与从第一信息层的结晶区开始第二信息层初始化情况下的反射系数相同。但实际上是产额结果减小。其原因可以推想的，即由于在第一信息层初始化之后，将盘放回，初始化第二信息层，则初始化装置的拾象器测得由于在初始化装置上为了复位而安装盘时的误差所致来自第一信息层无定型区的反射光，致使聚焦失败。盘复位时的安装误差来源于盘的内径或外径误差，或者初始化装置盘托架部分的尺寸误差。
根据本发明，通过预先考查Rc1和Ra1，并相应地区分第二信息层和第一信息层开始初始化的径向位置，可以减少初始化错误，并提高产额。
本实施例中报告了Rc1＜Ra1的盘的结果。至于Rc1＞Pa1的盘，通过从第一信息层的结晶区开始第二信息层的初始化，可以同样地减少初始化错误，并提高产额。
在按照第二信息层和第一信息层的顺序执行初始化的情况下，如果Rc2＜Ra2，则从第二信息层的结晶区开始第一信息层的初始化，或者如果Rc2＞Ra2，则从第二信息层的无定型区开始第一信息层的初始化，因而，可以类似地提高初始化产额。
利用图5和6可以进一步详细地对上述进行说明。
图5A和5B所示为Rc1＜Ra1情况下的光信息记录介质31，即预先在结晶记录层的激光束波长下，处于结晶状态之第一信息层的反射系数小于预先在结晶记录层的激光束波长下，处于无定型状态之第一信息层的反射系数。图5A为光信息记录介质31的正视图，图5B所示为第一信息层32和第二信息层35的示意图，作为从图5光信息记录介质31的AA′剖面图。
光信息记录介质31具有圆形形状，有位于其中心的圆孔。光信息记录介质31具有已被初始化的第一信息层32和第二信息层35。当初始化第二信息层35时，从光信息记录介质31的内部径向范围侧向着边缘侧进行初始化。
在这种情况下，注意如图5B所示光信息记录介质31的内部径向范围侧，对于半径小于22mm，第一信息层32处于无定型状态34，而对于半径等于或大于22mm，第一信息层32处于结晶状态33。此外，注意内部径向范围侧，对于半径小于23mm，第二信息层35处于无定型状态37，而对于半径等于或大于23mm，第二信息层35处于结晶状态36。因此，在光信息记录介质31半径为22mm与23mm之间的区域中，第一信息层32处于结晶状态，而第二信息层35处于无定型状态。具体地说，第一信息层32处于结晶状态且第二信息层35处于无定型状态的同心且呈条形的区域存在于光信息记录介质31中，比如它的半径在22mm与23mm之间的区域。另外，在从光信息记录介质31的内部径向范围侧向边缘侧初始化第二信息层35的情况下，这种同心且呈条形的区域至少存在于盘的内部径向范围侧。
换句话说，在盘的内部径向范围侧，在与第二信息层35的处于结晶态的区域36和处于无定型态的区域37之间边界相对的第一信息层32的区域内，预先在结晶记录层的激光束波长下的反射系数，低于第一信息层32的其它区域内，预先在结晶记录层的激光束波长下的反射系数。
具体地说，从与第一信息层32的低反射系数区的内部相对之第二信息层35的区域开始第二信息层35的初始化。当Rc1＜Ra1时，从与第一信息层32被结晶的区域内部相对之第二信息层35的区域开始第二信息层35的初始化。
跟从与第一信息层处于无定型区的区域内部相对之第二信息层的区域开始第二信息层初始化的情况相比，这种光信息记录介质31给出更优的产额。具体地说，当按照从内部径向范围侧向边缘侧的顺序初始化第二信息层35时，从与第一信息层32处于结晶状态33的区域相对之第二信息层35的区域开始初始化。因此，当开始第二信息层35的初始化时，从与第一信息层32的低反射系数区相对之第二信息层35的区域开始初始化。因此，当开始第二信息层32的初始化时，第一信息层32的聚焦误差信号变得更小，所以不会经常错误地聚焦第一信息层32。
因此，在Rc1＜Ra1的情况下，当从光信息记录介质31的内部径向范围侧向边缘侧开始初始化第二信息层35时，与其它任意光信息记录介质相比，在这种在光信息记录介质31的内部径向范围侧不结晶第一信息层32且处于无定型状态的同心且呈条形区域存在于相同半径范围内的光信息记录介质31上，第二信息层35具有更好地提高的产额。
在从内部径向范围侧向边缘侧开始初始化第二信息层35的情况下，在第一信息层32和第二信息层35之间，光信息记录介质31的边缘侧上的结晶状态与无定型状态之间的边界可以一致，或者是不同的。
当在Rc1＜Ra1的情况下，从盘的边缘侧向内部径向范围侧开始初始化第二信息层35时，通过从第一信息层的低反射系数区内部开始第二信息层的初始化，使所述产额得到提高。具体地说，由于在这种情况下Rc1＜Ra1，通过从与第一信息层被结晶的区域内部相对之第二信息层的区域开始第二信息层的初始化，使所述产额得到提高。
接下去，图6A和6B所示为Rc1＞Ra1情况下，也就是说，在处于结晶状态的第一信息层的反射系数大于处于无定型状态的反射系数情况下的光信息记录介质41。图6A为光信息记录介质41的主视图，图6B所示为第一信息层42和第二信息层45的示意图，作为图6中光信息记录介质41的BB′剖面图。
与光信息记录介质31相同，光信息记录介质41具有圆形形状，有位于其中心的圆孔。光信息记录介质41具有已经初始化的第一信息层42和第二信息层45。当初始化第二信息层45时，从光信息记录介质41的边缘侧向内部径向范围侧进行初始化。
在这种情况下，注意如图6B所示光信息记录介质41的边缘侧，在半径大于58mm的区域内，第一信息层42处于无定型状态44，而在半径等于或小于58mm的区域内，第一信息层42处于结晶状态33。此外，注意边缘侧，在半径大于59mm的区域内，第二信息层45处于无定型状态47，而在半径等于或小于59mm的区域内，第二信息层45处于结晶状态46。
因此，在光信息记录介质41半径为58mm与59mm之间的区域中，第一信息层42处于无定型状态，而第二信息层45处于结晶状态。具体地说，第一信息层42处于无定型状态且第二信息层45处于结晶状态的同心且呈条形的区域存在于光信息记录介质41中，比如其半径在58mm与59mm之间的区域。并且在从光信息记录介质41的边缘侧向内部径向范围侧初始化第二信息层45的情况下，这种同心且呈条形的区域至少存在于盘的边缘侧。
换句话说，在盘的边缘侧，与第二信息层45的处于晶体状态46的区域和处于无定型状态47的区域之间的边界相对之第一信息层42的区域内，反射系数低于第一信息层42的其它区域内的反射系数。
具体地说，从与第一信息层42的低反射系数区域内部相对之第二信息层45的区域开始第二信息层45的初始化。当Rc1＞Ra1时，从与第一信息层42处于无定型状态的区域内部开始第二信息层45的初始化。
跟从与第一信息层处于结晶状态的区域内部相对之第二信息层的区域开始第二信息层初始化的情况相比，这种光信息记录介质41给出更优的产额。具体地说，当按照从边缘侧向内部径向范围侧的顺序初始化第二信息层45时，从与第一信息层42处于无定型状态44的区域相对之第二信息层45的区域开始所述初始化。因此，当开始第二信息层45的初始化时，从与第一信息层42的低反射系数区相对之第二信息层45的区域开始所述初始化。因此，当开始第二信息层45的初始化时，第一信息层42的聚焦误差信号变得较小，所以很少会错误地聚焦第一信息层42。
因此，在Rc1＞Ra1的情况下，当从光信息记录介质41的边缘侧向内部径向范围侧开始初始化第二信息层45时，与其它任意光信息记录介质相比，光信息记录介质41中，第二信息层45具有更好地提高的产额，其中在所述光信息记录介质41上，这种在光信息记录介质41的边缘侧第一信息层42处于无定型状态，而且处于结晶状态的同心且呈条形的区域存在于相同半径范围内。
在从边缘侧向内部径向范围侧开始初始化第二信息层45的情况下，在第一信息层42和第二信息层45之间，光信息记录介质41的边缘侧上的结晶状态和无定型状态之间的边界可以一致，或者是不同的。
当在Rc1＞Ra1的情况下从盘的内部径向范围侧向边缘侧初始化第二信息层45时，通过与从第一信息层的低反射系数区内部相对之第二信息层的区域开始第二信息层的初始化，使所述产额得到提高。具体地说，由于在这种情况下Rc1＞Ra1，从与第一信息层处于无定型状态的区域内部相对之第二信息层的区域开始第二信息层的初始化，使所述产额得到提高。
因此，图5和6所示的光信息记录介质3 1和41各自都具有优良的初始化产额。
本实施例给出了两个信息层的情况。不过，在三个或更多信息层的情况下，也可以通过考虑初始化激光束波长下的反射系数，并改变各信息层的初始化启始位置，以稳定地大规模生产盘。
本实施例从内部径向范围侧向边缘径向初始化。不过，在从边缘向内部径向范围侧径向初始化的情况下，也可以得到相同的效果。
如上所述，在制造光信息记录介质时，通过执行初始化，使每个多层介质具有不同的初始化区域，可以提高所述产额。
工业上的应用从上述可以清楚看出，本发明提供的光信息记录介质及其初始化方法，能够在光盘大规模生产初始化过程中提高生产效率。
权利要求
1.一种光信息记录介质，具有多个形成于圆形衬底上信息层，其中所述信息层具有至少一个记录层，由能量射束照射，它在无定型状态和结晶状态之间产生可以光学检测的可逆变化；由所照射的激光束能够在所述信息层中记录并再现信号；预先由激光束将所述信息层包含的记录层结晶为同心条形形状；以及在与至少一个信息层的结晶区域和无定型区域之间边界相对的另一个信息层区域内，预先在结晶所述记录层的激光束波长下的反射系数低于另一个信息层的其它区域内预先结晶记录层的激光束波长下的反射系数。
2.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其中，所述光信息记录介质具有在所述圆形衬底上按照从所述圆形衬底后退的顺序提供的第一信息层、光分离层、第二信息层和光透射层。
3.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其中，在所述盘的相同半径范围内存在一个同心并呈条形的区域，在该区域内所述第一信息层为结晶的，而所述第二信息层处于无定型状态。
4.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其中，所述同心并呈条形的区域至少存在于盘的内部径向范围侧或边缘侧。
5.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其中，在结晶所述第一和第二信息层的激光束波长下，当处于无定型状态下的所述第一信息层的反射系数为Ra1，且处于结晶状态下其反射系数为Rc1时，Rc1＜Ra1。
6.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其中，在盘的相同半径内存在一个同心并呈条形的区域，在该区域内，所述第一信息层为无定型状态，并且所述第二信息层为结晶的。
7.根据权利要求6所述的光信息记录介质，其中，所述同心并呈条形的区域至少存在于盘的内部径向范围侧或边缘侧。
8.根据权利要求6所述的光信息记录介质，其中，在结晶所述第一和第二信息层的激光束波长下，当处于无定型状态下的所述第一信息层的反射系数为Ra1，且处于结晶状态下其反射系数为Rc1时，Rc1＞Ra1。
全文摘要
在一个单面多层结构的相位变化光盘中初始化第一和第二信息层时，第一和第二信息层的薄膜结构，会在初始化处发生错误。一种光信息记录介质，其中，在至少一个信息层的结晶区域与无定型区域之间的界面处，即在面向一个信息层初始化起始位置的另一个信息层位置的区域内，在预结晶记录层的激光束波长下的反射率小于在上述波长下另一个信息层之其他区域的反射率。
文档编号G11B7/26GK1545699SQ0380079
公开日2004年11月10日 申请日期2003年4月8日 优先权日2002年4月9日
发明者坂上嘉孝, 长田宪一, 一 申请人:松下电器产业株式会社