光学器件、光拾取器与光盘装置的制作方法

文档序号:6761177阅读:125来源:国知局
专利名称:光学器件、光拾取器与光盘装置的制作方法
技术领域
本发明涉及于光盘的记录面上读出记录的信息或记录信息的光盘装置以及此装置中所用的光拾取器与光学器件,特别涉及到应用微加工技术的光学器件的结构。
背景技术
利用光将信息记录于盘状的记录媒体上或将记录的信息读出再生的光盘装置,存在有应用波长约780nm的发光元件的CD-ROM、CD-R、CD-RW等的CD,以及应用波长约650nm的发光元件的DVD-ROM、DVD-R、DVD-RAM等的DVD,现在正广为普及地有效地利用它们各自的特征。于是迫切希望有一台光盘装置来应对多种光盘。此外,随着节点型个人计算机的普及,也要求光盘装置与光拾取器小型与薄型化。这种光拾取器的已有例子是在光拾取器的机壳中设有于波长655nm附近振荡的激光光源、于波长785nm附近振荡的激光光源、棱镜、半反射镜、准直透镜、垂直反射镜、移动机构、物镜、检测透镜、光探测器(光接收元件)以及前监控器。来自两个激光光源的光经棱镜、半反射镜反射或透过,经准直透镜变为平行光,由垂直反射镜反射,通过物镜而会聚于光盘上。为光盘反射的光再通过物镜、垂直反射镜、准直透镜与半反射镜,在通过检测透镜后入射到光探测器。光探测器分割成多个光接收区,进行聚焦误差信号与跟踪误差信号的探测以及再生信号的探测(例如参考特许文献1)。
特许文献1特开2000-269804号公报(第2-3页,图1)。

发明内容
由光拾取器探测信号时重要的是发光元件与光接收元件以及棱镜与半反射镜的固定位置。若未对这种固定位置进行精密地调整,就会发生入射到光接收元件的光的位置偏移而不能正确地进行信息的记录再生的问题。特别是在记录时和使用高密度记录媒体时,为了确保盘上信息的再现性,要求光学部件等有很高的定位精度。在上述现有技术中,为了确保组装时的位置精度和对固定位置作精密调整,采用了使棱镜接合面的一部分露出而能与机壳等保持部件接触的结构。但在上述已有技术中是由机壳等保持部件的表面精度来决定位置精度与精密调节,因而未必能进行稳定的组装。此外,为了要露出棱镜的一部分就需有多余的空间。还由于将包装的激光光源用作光源而未必能使装置充分地小型化。再者,当于CD-R或DVD-RAM等中进行记录时,由于激光的输出增大会有因发光元件发热导致温度上升问题。
本发明的目的在于提供即使应用多个发光元件时,也能使发光元件与棱镜等光学部件以良好的精度组装且具有小型、薄型化的放热性良好的优点的光学器件,以及提供应用这种光学器件且具有小型、薄型化优点的高性能光拾取器及光盘装置。为达到上述目的,本发明取下述结构。
(1)本发明提供一种光学器件,其特征在于在同一基板上装载光学部件和多个发光元件,通过设置在上述基板上的台阶状变形使光学部件的装载面与发光元件的装载面不相同,与上述基板的光学部件装载面垂直的周围的至少一个面成为开放面;沿着由上述台阶状变形所产生的边形成光学部件的反射面、透过面或者衍射光栅面,在该面上,偏光轴与同一方向的多个发光元件的光轴相交,从上述开放面发出发光元件的出射光。
(2)在(1)中,在装载上述发光元件的基板的面上,在由多个发光元件的光轴以及这些光轴相交的焦点所包围的主要范周内,形成与上述发光元件进行电连接的薄膜电极。
(3)在(1)或(2)中,在上述基板的一部分之上形成通孔,该光学器件具有检测透过该通孔的出射光的光接收元件。
(4)本发明提供一种光拾取器,包括发光元件,用于再生作为记录媒体的盘上的信息,或者向盘上记录信息;成为检测器的光接收元件;光学部件,对从发光元件到光接收元件的检测光进行引导,其特征在于该光拾取器还具有(1)到(3)任一项所述的光学器件。
(5)本发明提供一种光拾取器,包括发光元件,用于再生作为记录媒体的盘上的信息,或者向盘上记录信息;成为检测器的光接收元件;光学部件,对从发光元件到光接收元件的检测光进行引导,其特征在于将(3)(4)所述的光学器件的薄膜电极配置在远离盘中心的位置,将外部配线与该薄膜电极直接连接,将该外部配线沿着光拾取器的盘外周侧设置。
(6)本发明提供一种光盘装置,用于对于作为记录媒体的盘进行信息记录或者再生,对光拾取器进行控制以及对来自光拾取器的信号进行处理,其特征在于该光盘装置具有(4)(5)所述的光拾取器。
根据本发明,能提供可以以良好精度组装发光元件与光学部件而且取小型薄型形式的放热性良好的光学器件。此外还能提供采用了这种光学器件的小型高性能的光拾取器,进而能提供光盘装置。


图1是本发明一实施例的在硅架上具有2个发光元件与棱镜的光学器件的透视图。
图2是本发明一实施例的在硅架上具有2个发光元件与棱镜的光学器件的组装结构图。
图3是本发明一实施例的在硅架上具有2个发光元件与棱镜的光学器件的定位说明图。
图4是本发明一实施例的在硅架上具有2个发光元件以及两面有反射透过面的棱镜的光学器件的透视图。
图5是本发明一实施例的在硅架上具有2个发光元件以及两面有反射透过面的棱镜的光学器件的定位说明图。
图6是本发明一实施例的在硅架上具有2个发光元件以及两面有反射透过面的棱镜的光学器件的通孔与光接收元件的装载的说明图。
图7是本发明一实施例的在硅架上具有2个发光元件以及两面有反射透过面的棱镜与透镜的光学器件的透视图。
图8是本发明一实施例的在硅架上具有1个发光元件与棱镜的光学器件的透视图。
图9是本发明一实施例的在硅架上具有2个发光元件与棱镜的光学器件的局部安装的说明图。
图10是模式地示明图1的透视图中A-A剖面的剖面图。
图11是示明图1的硅架的制造工艺的图。
图12是装载有本发明的光学器件的光拾取器机壳的透视图。
图13是装载有本发明的光学器件的光盘装置的说明图。
图中各标号的意义如下1硅架 2、3 发光元件4棱镜 5 硅基板6氧化硅膜 7 薄膜电极9焊锡 19蚀刻侧面20 棱镜装载用蚀刻面 28蚀刻侧面31 垂直蚀刻沟 34贯通用垂直蚀刻沟42 光拾取器 43光盘装置52 软配线 53薄膜电极具体实施形式下面用

本发明的实施形式。
图1是本发明光学器件第一实施例的透视图。于单晶硅组成的硅架1上装设有发出第一波长的光的第一发光元件2与发出第二波长的光的第二发光元件3,以及将第一发光元件2与第二发光元件3的光路合成的棱镜4,它们构成光学器件,可以将激光光源用作发光元件2、3。所谓硅架1是于硅基板5上进行了蚀刻加工所成,有关此加工工艺以后详述。第一发光元件2与第二发光元件3配置成使其偏光轴在同一方向上与各自的光轴正交。从第一发光元件2发出的光的一部分为棱镜4反射,从光学器件出射,来自第二发光元件3的一部分则透过棱镜4从光学器件出射。
发光元件2、3的定位是把预先在硅架1上形成的定位用记号进行标志。这种记号例如是将利用硅架1上直接形成的沟与孔、布线的图案印记,于发光元件2、3的装载面上形成的标志等。通过将与这种记号对应的标志也形成在发光元件2、3之上,就能以良好的精度精密地固定到所定位置上。与记号的位置对合例如可以借助具备有使用放大显微镜或红外显微镜的图像识别处理功能的微动台进行。通过这种微动台移动发光元件与硅架1。可将两者的记号进行调整到标志的位置调整。
在硅架1上形成了作为绝缘膜的氧化硅膜6,而第一发光元件2与第二发光元件3的光轴则于硅架1上相交,在此交点与光轴围成的范围内形成薄膜电极7,薄膜电极7与发光元件2、3的电连接由金丝键合8实现,与外部的电连接例如是把图4所示的软配线52通过焊锡等直接连接到硅架1的薄膜电极7上,或者是用金丝键合8进行这种连接,或也可以用细的金属线进行连接。通过在这种位置上配置薄膜电极7,就能有效地将发光元件2、3与棱镜4等配置于硅架1上,而可使光学器件小型化与薄型化。
装载发光元件2、3的面与装载棱镜4的面不同,装载棱镜4的面相对于装载发光元件2、3的面而言,在硅架1上的厚度变薄形成台阶状变形。发光元件2、3的装载面与棱镜4的装载面之间由于硅的各向异性蚀刻而形成了54.7°的斜面,在第一发光元件2与第二发光元件3之间有两个斜面的交线11。交线11相对于正交的第一发光元件2与第二发光元件3的光轴构成约45°的角,因而通过将棱镜4的反射透过面12与此两斜面交线11的延长线或与此交线11平行地配合。将发光元件的光轴对称地配置后,就能使经棱镜4反射与透过后的第一发光元件2与第二发光元件3的光轴精度良好地一致。
除上述棱镜4的位置对合方法外,也可以使棱镜4配合到它的装载面与斜面形成的边上。在由于刻蚀使发光元件2、3的装载面与棱镜4的装载面的台阶状变形形成为大致垂直的情形时,也可使棱镜4相对于此垂直形成的面相触合地对位。此外还可使此台阶状变形部形成的角作为标志进行棱镜4的对位。
通过使棱镜4的装载面在硅架1上的厚度比发光元件2、3的装载面薄,就能确保从发光元件2、3发出的光取广角,这样就能减少由棱镜4的底面反射的杂散光影响。通过使垂直于棱镜装载面的面以其周围的面成为开放面,就可以不需余剩的硅架1的壁,而能从总体上缩小光学器件。进而可以减小硅架1的壁所反射的杂散光的影响。由于设置这种开放面能构成以开放面为对称面的硅架材料的结构,利用沿着开放面由切割装置等切断硅架材料就能同时制造多个硅架1,于是可以大规模生产和降低成本。
由于发光元件2、3发出的光在传送过程中展宽,发光元件2、3离棱镜越远,棱镜4的尺寸就必须越大。通过不使用封装的光源而将发光元件2、3与棱镜4装载到硅架1上,让两者以良好的精度定位,就能使发光元件2、3与棱镜4接近,由此可有效地减小光学装置的整体。例如设发光元件的大小约为0.5-1mm×0.5-1mm;发光元件2、3与棱镜的间隔约为0.5mm;由发光元件发出的光的扩展角约为20°,则棱镜4的大小约为1mm而光学器件的尺寸小于等于3mm×3mm。
下面用图2所示的装配结构图说明光学器件的装配方法。在此为了避免图中的纷繁,在图示中略去了硅架1上预形成的发光元件2、3的定位用记号等。
首先将发光元件2、3设于形成有薄膜电极7的硅架1上,在发光元件2、3的装载面上的蒸镀膜形成焊锡9的膜层,通过加热此焊锡9膜层而熔融接合固定。将2个发光元件2、3顺次将记号调位到标志处,压到焊锡9膜层上,在按压发光元件2、3的状态下,加热硅架1整体。加热温度设定为焊锡9的熔融温度或较其稍低(例如低5-10℃)的温度。焊锡9随着加热温度的上升而徐徐软化,发光元件2、3的装载面基本上全部成为与焊锡9膜层的密切接合状态。然后解除发光元件2、3的按压状态,再将加热温度设定到比焊锡9的熔融温度高(例如高5-20℃)的温度,使焊锡9完全熔融。由此将发光元件2、3的固定位置定位成不会从预定位置错开。
随后将棱镜4装载到与发光元件2、3的装载面相比,硅架1的厚度变薄了的棱镜4的装载面上。这里,在棱镜4的装载面上不形成金属膜或焊锡层而由粘合剂10粘合棱镜4。首先以粘合剂10涂布到棱镜4的装载面上。所涂布的量大约是粘合剂10不致从棱镜4的周围溢出的量,在此是用分配器进行涂布。粘合剂10则兼用热固化与紫外固化的粘合剂。涂布粘合剂10后,将棱镜4设置于涂布面上,为使棱镜4的装载面与棱镜4之间的粘合剂10溶合而进行刮摩。接着对棱镜4的反射透过面12进行调位,以使台阶状变形部中形成的边或面成为预定的位置关系。这里如图3所示,在由台阶状变形形成的面与面的交叉部上所成的交线11的延长线上,将棱镜4的反射透过面12调位成一致或平行。这样的位置调整通过使用显微镜容易地进行。棱镜4完成调位后,进行紫外线照射,使粘合剂10固化,将棱镜4调整固定到预定位置。然后为了完全地完成粘合剂10的固化反应,将其置于加热槽或加热炉中。加热温度虽应根据所用粘合剂10的规格,但应避免使棱镜4与硅架1发生热变形,在此,例如于120℃以下放置60分钟。加热放置棱镜1既然是在经紫外照射致粘合剂的固化反应基本完成之后进行,就不会有错位的问题发生。
在此说明的组装方法可因发光元件2、3与棱镜4以及台阶状变形面的形状的不同而有种种变更形式,而不限于上述组装方法。同样,焊锡9的熔融温度与粘合过程、粘合剂10的固化方法等显然也不限于以上所述。
为了长期间地保持光学器件的性能,需要从外部保护发光元件2、3,此时可以用光透过性高的透明树脂简单地密封,但也有取罩件覆盖的结构的,透明树脂例如可以用凝胶状的硅树脂或丙烯酸树脂,罩件例如可以用玻璃或石英、金属、塑料等制品。
光学器件的第二实施例如图4所示。在此实施例中,棱镜4为具有两个反射透过面12、13的棱镜4,这一点与前述实施例不同,而其他结构则与前述实施例相同。来自第一发光元件2的光为棱镜4的第一反射透过面12反射,再为棱镜4的第二反射透过面13反射,从光学器件出射。来自第二发光元件3的光则透过棱镜4的第一反射透过面12,由棱镜4的第二反射透过面13反射而从光学器件出射。在这种结构下,从光学器件出射的光于反射回的情形可透过棱镜4的第二反射透过面13。
这时棱镜4的对位方法与前述实施例的方法相同。
此外如图5所示,相对于棱镜4与第一发光元件的相反一侧设有两个斜面时,由于形成了两条交线12,能够更简单地以良好的精度对位。
在此是以焊锡等将软配线52直接连接到硅架1的薄膜电极7上。这时在发光元件2的驱动用薄膜电极7与发光元件3的驱动用薄膜电极7之间,设置能利用作不与两发光元件电连接地等的薄膜电极53。通过将薄膜电极7与软配线52连接,就能防止发光元件2、3的驱动电流或驱动电压产生的噪声分量放射到外部。薄膜电极53可用于第一实施例之中。
本实施例的光学器件的大小只限于光程变长的部分才增大棱镜4。与前述作同样地考虑,本实施例中光学器件的大小为4mm×5mm。
再如图6所示,于硅架1的装载棱镜4的面上形成有通孔14,能减少从发光元件2、3发射出的于棱镜4底面为硅架1反射的光。这样,即使未让棱镜1的高度达到所需高度以上也可,从而可以降低光学器件的高度也即具有可减薄的效果。通孔14可以用对硅架1作各向异性蚀刻或干刻蚀的方法形成。
设置探测通过通孔14的光的光接收元件15,就可以充分了解从发光元件2、3发出的光的输出。通过控制供给发光元件2、3的驱动电流能将探测的光输出达到预定的值,从而可将发光元件2、3出射的光的输出调节到预定值。
由于用以粘合棱镜4的粘合剂10的多余溢出部分能落入通孔14内,就可使溢出到棱镜4周围的粘合剂10减到最低限度,进而可实现小型与薄型化。能够最大限度减小因溢出的粘合剂10的膨胀等所致环境变动而给棱镜4造成的影响,而得以采用环境波动性强的光学器件。
图7示明光学器件的第三实施例。本实施例除第二实施例的结构外,还取将透镜16设于发光元件2、3前方的结构。透镜16,与发光元件2、3相同,通过将定位用记号调位到标志处而能安装到硅架1上加工出的槽中。
通过以上所述将透镜16设置于发光元件2、3的前方,就能减小或放大发光元件2、3发射出的光的扩展角。透镜16的焦距等透镜性能可以是不同的,这样,当把光学器件用于光拾取器等的情形下,就可以分别适当地设定从这两个发光元件2、3发射出的光的扩展角。透镜16可以仅放置于发光元件2的前方或仅放置于发光元件3的前方。
也可将探测透过棱镜4的第二反射透过面13的光的光接收元件配置于硅架1之上。利用硅架1上所设的记号进行光接收元件的调位容易定位。通过此光接收元件能掌握从发光元件2、3发射出的输出而调整到规定的输出,这与前述实施例的相同。
在上述任一实施例中所示的都是将棱镜4用作光路的合成或分岔的光学部件的结构。但也可将平板用作光路的合成或分岔的光学部件。在此情形下,第一发光元件2与第二发光元件3两者的光轴可不必正交而也可在平行于硅架1的发光元件装载面的面内相交,若是这两个光轴相交的角度α约为此平板与第一发光元件2构成的角度β的2倍,则第一发光元件2与第二发光元件3的光轴可以一致。
以上各实施例中是把棱镜4用作合成或分岔光路的光学器件,但也可于这种光学器件的某个面上设置衍射光栅或将衍射光栅作为独立的器件设置。由此,能将记录/再生光盘信息时必要的定位控制的一种方法即三射束法所用的衍射光栅设于发光元件2、3的附近。这样能使发光元件2、3的光束直径在小的状态下衍射,而可使利用这种光学器件的光拾取器小型与薄型化。
在上述各实施例中示明的是设有两个发光元件2、3的情形,但不论是如图8所示发光元件2设置1个的情形,或是发光元件为3个以上情形,都同样能构成光学器件,对于装载有1个发光元件2的光学器件的情形,若将这种光学器件多个排列设置,则能构成与装载有多个发光元件2、3的光学器件相同的光学系统。不论是哪种情形下,都能与前述各实施例相同以良好的精度进行发光元件2、3与棱镜4的对位。
本发明的光学器件能与既有的已封装的光源组合使用。这时需调整既有的已封装的光源与光学器件的位置,但与以前进行的相对于两个光源的光轴进行位置调整相比,可以显著地改进调整精度。
在上述各实施例中示明的是将发光元件直接装载于硅架1上的结构,但也可如图9所示将发光元件安装到副架18上再安装到硅架1之上。通过采用副架18,可以调节发光元件2、3的发光位置的高度,或是能于硅架1上调整发光元件2、3的位置,从而能进一步提高发光元件2、3的位置精度。
图10所示为图1所示的硅架1上未装载发光元件2、3时的状态的A-A剖面。硅架1由表面定向(100)的硅基板5组成,通过对硅作各向异性蚀刻而形成。因此,用于装载发光元件2、3和用于对其施加电压的薄膜电极7与薄膜焊锡9形成的硅基板5表面的表面定向与装载棱镜4用蚀刻面20的表面定向成为(100)。此外,蚀刻侧面19成为表面定向{111},这些表面定向的位置关系如图所示,成为角度54.7°在硅基板5的表面上形成有绝缘膜的氧化硅膜6。在此,于表面定向(100)之外,如果是表示表面定向{100}的硅基板5,则也可以是表面定向(001)等。
下面按照图11中a)到i)的顺序说明硅架1的制造方法。a)首先于表面定向(100)的单晶硅基板5的两面形成Si3N4/SiO2的叠层膜21、SiO2膜(例如膜厚120nm)是通过硅的热氧化(温度1160℃)而形成的热氧化膜,Si3N4膜(例如膜厚160nm)则是由减压CVD(化学汽相淀积)法形成的膜。然后于此Si3N4/SiO2的叠层膜21中设置用于形成棱镜4装载用蚀刻槽22的开口部。在此方法中,适用已有的半导体技术中所用的方法(光刻胶涂布、光刻胶图案形成、以光刻胶24作为掩模剂而于Si3N4/SiO2叠层膜21上复制图案),于Si3N4/SiO2叠层膜21的蚀刻中,可以采用RIE(反应离子蚀刻)。然后于浓度40wt%的KOH水溶液中(温度70℃)进行硅的异方性蚀刻,蚀刻到用于装载棱镜4的深度。b),然后用热磷酸、BHF(HF+NH4F的混合液)顺次剥离Si3N4/SiO2叠层膜21,通过新的热氧化而形成氧化硅膜6(例如膜厚1μm)。形成氧化硅膜6的方法例如还有TEOS-CVD法,也可与热氧化法相组合。此外,于形成有蚀刻槽22的面上形成了Au(金,例如膜厚500nm)/Pt(铂,例如膜厚200nm)/Ti(钛,例如膜厚100nm)膜23。成膜的方法可采用溅射法或真空蒸镀法。c),于Au/Pt/Ti薄膜23上用旋涂法旋转涂布光刻胶24(例如OMR85-30cp,东京应化工业制)。然后进行预烘干,除去光刻胶24的溶剂。必要时可重复这一步骤以增大光刻胶24的膜厚,用光刻胶24覆盖蚀刻沟108。d),于此光刻胶24上对光掩模的图案进行复制(曝光、显影、清洗),通过后烘干形成光刻胶掩模25。e),以此作为掩模而由离子研磨法(ion milling)蚀刻Au/Pt/Ti膜109。f),然后以专用剥离液(S502A,东京应化工业制)剥离光刻胶,于氧化硅膜6上制得薄膜电极7。再用喷涂法涂布正性光刻胶24(例如OFPR800-30cp,东京应化工业制)112,进行预烘干。由于采用喷涂法,光刻胶的膜厚在蚀刻槽22内也基本均匀。g),于正性光刻胶26上进行掩模图案的复制(曝光、显影、清洗),进行后烘干,制得焊锡用光刻胶图案52。随即以真空蒸涂法形成AuSn膜114(例如膜厚2μm)。h),以有机溶剂剥离焊锡用光刻胶图案52,通过剥离(lift off)法于薄膜电极7上制得薄膜焊锡9。i),最后进行裁切,切成硅架1的形状。
硅的各向异性蚀刻用蚀刻液除KOH水溶液外,还可用TMAH(氢氧化四甲铵)或EDP(乙二胺邻苯二酚)液等硅的各向异性蚀刻液。薄膜电极7用的材料除Au/Pt/Ti膜外,例如还可以采用Au/Ti膜、Au/Cr膜、Al膜、Au/Al/Cr膜、Au/Ta膜等叠层膜或是它们的组合。作为薄膜焊锡9,除AuSn膜以外,也可采用PbSn膜。
本实施例是就以单晶硅作为单一基板的情形进行说明,但也可采用放热特性良好的氮化铝(AlN)基板。这种基板是以烧结形成的陶瓷基板。因此特别适用于在烧结时由模具进行槽加工而在后工序中形成薄膜电极7与薄膜焊锡9。
下面用图12说明装载于光学拾取器42中的实施例。在此虽然是以前述第二实施例中所示光学器件为例进行说明,但即使是采用其他实施例所示的光学器件时,也同样可构成光学拾取器42。
如图12所示,光学器件是装载于光学拾取器42内。从发光元件2、3发射出的光为棱镜4的第一反射透过面反射或透过,为棱镜4的第二反射透过面反射,经准直透镜36变换为平行光,为垂直反射镜反射,由物镜37聚焦到光盘上。物镜37为移动机构驱动向相对于光盘垂直的聚焦方向和光盘的径向即光道方向,物镜37的焦点定位于光盘上的目标光道位置。来自光盘的反射光再次通过物镜37、垂直反射镜、准直透镜36,透过光学器件上的棱镜4的第二反射透过面13,在通过用于将检测聚焦误差信号与光道误差信号的光进行分光的分光元件39后,入射到光接收元件38中。光接收元件分成多个光接收区,入射到光接收元件38中的光用于检测聚焦误差信号与光道误差信号以及再生信号。在此虽然示明了利用分光元件39检测聚焦误差信号与光道误差信号的结构,但聚焦误差信号与光道误差信号的检测方法并不限于以上所述,而是可以采用已知的柱面透镜与倾斜平板的像散法、3射束法等各种方式。
这样,通过采用本发明的光学器件,能将合成多个发光元件2、3的光所用的棱镜4减小,从而可使光学拾取器42小型与薄型化。此外,当把薄膜电极7设于远离光盘中心的位置。可将薄膜电极直接与软配线52等外部配线连接,而将此外部配线沿光拾取器42的光盘外周侧设置。由此可以以最小长度的配线围住光拾取器42的外部,从而可使光拾取器42小型与薄型化。
发光元件2、3由于是直接安装到硅架1上,驱动发光元件2、3时产生的热能有效地将热释放到硅架1上,而能抑制发光元件2、3的温度上升。因此,在对CD-R与DVD-RAM等的光盘记录时,即使在增大发光元件的输出情形,也能稳定地驱动发光元件2、3。
光接收元件38也能与光学器件相独立,这样能把光接收元件38调整到相对于光盘40的反射光取最适当位置,因而即使是光学部件的折射率的波动或光学器件的安装位置有偏差,由于可把光接收元件38调整到最适当的位置,故能够检测高质量的聚焦误差信号与光道误差信号以及再生信号。这就是说,根据本实施例,光学器件的发光元件2、3与棱镜4如上所述可高精度地定位,即,使两个发光元件2、3的光轴精度良好地一致,而且可以构成能通过光接收元件的位置调节吸收光学部件等偏移的光拾取器42。
如上所述,本发明适用于装载波长不同的多个发光元件,使发光元件增大的光拾取器。特别适用于这样的光拾取器42,它装载具有CD系的780nm波段或DVD系的650nm波段或成为蓝色激光的400nm的波段的波长的发光元件,而至少其中之一是输出达到记录时必要的30mW以上的发光元件。
以下用图13说明用装载了本发明光学器件的光拾取器42的光盘装置43的实施例。
光盘装置43包括使光盘40旋转的主轴马达41、光拾取器42、使光拾取器42沿光盘40的径向移动的传送机构,以及控制它们的控制器44。
控制器44上连接着主轴马达41的旋转控制电路45,对安装于主轴马达41上的光盘40进行旋转控制。控制器44上连接着光拾取器42的输送控制电路46,对光拾取器42沿光盘径向的移动进行控制。控制器44上连接着发光元件驱动电路47,对光拾取器42内的发光元件进行驱动,光拾取器42检测出的各种信号48送给伺服信号检测电路49与再生信号检测电路50,由伺服信号检测电路49生成聚焦误差信号与光道误差信号,进行物镜的位置控制。此外由再生信号检测电路再生于光盘上记录的信息。
通过使用装置有本发明的光学器件的光拾取器42,能够实现小型与薄型的高性能光盘装置43。
权利要求
1.一种光学器件,其特征在于在同一基板上装载光学部件和多个发光元件,通过设置在上述基板上的台阶状变形使光学部件的装载面与发光元件的装载面不相同,与上述基板的光学部件装载面垂直的周围的至少一个面成为开放面;沿着由上述台阶状变形所产生的边形成光学部件的反射面、透过面或者衍射光栅面,在该面上,偏光轴与同一方向的多个发光元件的光轴相交,从上述开放面发出发光元件的出射光。
2.根据权利要求1所述的光学器件,其特征在于在装载上述发光元件的基板的面上,在由多个发光元件的光轴以及这些光轴相交的焦点所包围的主要范围内,形成与上述发光元件进行电连接的薄膜电极。
3.根据权利要求1或2所述的光学器件,其特征在于在上述基板的一部分之上形成通孔,该光学器件具有检测透过该通孔的出射光的光接收元件。
4.一种光拾取器,包括发光元件,用于再生作为记录媒体的盘上的信息,或者向盘上记录信息;成为检测器的光接收元件;光学部件,对从发光元件到光接收元件的检测光进行引导,其特征在于该光拾取器还具有根据权利要求1到3任一项所述的光学器件。
5.一种光拾取器,包括发光元件,用于再生作为记录媒体的盘上的信息,或者向盘上记录信息;成为检测器的光接收元件;光学部件,对从发光元件到光接收元件的检测光进行引导,其特征在于将权利要求2所述的光学器件的薄膜电极配置在远离盘中心的位置,将外部配线与该薄膜电极直接连接,将该外部配线沿着光拾取器的盘外周侧设置。
6.一种光盘装置,用于对于作为记录媒体的盘进行信息记录或者再生,对光拾取器进行控制以及对来自光拾取器的信号进行处理,其特征在于该光盘装置具有根据权利要求4或5所述的光拾取器。
全文摘要
本发明涉及光学器件、光拾取器与光盘装置。提供了能将多个发光元件与光学部件以良好精度定位、具有小型与薄型优点且具有良好放热性的光学器件,还提供了小型与薄型的高性能光拾取器以至光盘装置。在光学器件中,于同一基板(5)上装载有进行合成与分光的光学部件(4)以及发光元件(2)与(3),基板(5)上光学部件(4)的装载面与发光元件(2)、(3)的装载面不同,其中将垂直于基板(5)的光学部件的装载面的周围的两面设为开放面。
文档编号G11B7/12GK1505021SQ20031011867
公开日2004年6月16日 申请日期2003年11月28日 优先权日2002年11月29日
发明者加藤盛一, 久, 木村胜彥, 之, 明石照久, 二, 福田和之, 充, 冈田亮二, 今宮博充, 夫, 杉山俊夫, 末永秀夫 申请人:株式会社日立制作所, 株式会社日立视听媒介电子
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