专利名称：具有与读/写偏移相容的柱式尾屏蔽件的垂直磁写头的制作方法
技术领域：
本发明涉及垂直磁记录，更特别地，涉及一种新颖的尾磁屏蔽件构造以及用于制造这样的屏蔽件构造的方法。
背景技术：
计算机长期存储的核心是称为磁盘驱动器的组件。磁盘驱动器包括旋转磁盘、被与旋转磁盘的表面相邻的悬臂悬吊的写和读头、以及转动悬臂从而将读和写头置于旋转盘上选定环形道(track)之上的致动器。读和写头直接位于具有气垫面(ABS)的滑块上。悬臂偏置滑块朝向盘的表面，当盘旋转时，邻近盘的空气与盘的表面一起移动。滑块在此移动空气的垫上飞行在盘的表面之上。当滑块骑在气垫上时，写和读头被用来写磁转变到旋转盘且从旋转盘读取磁转变。读和写头连接到根据计算机程序运行的处理电路从而实施写和读功能。
写头通常包括嵌入在第一、第二和第三绝缘层(绝缘堆叠)中的线圈层，绝缘堆叠夹在第一和第二极片层之间。在写头的气垫面(ABS)处间隙通过间隙层形成在第一和第二极片层之间，极片层在背间隙处连接。传导到线圈层的电流在极片中感应磁通，其使得磁场在ABS处在写间隙弥散出来以用于在移动介质上的道中写上述磁转变，例如在上述旋转盘上的环形道中。
近来的读头设计中，自旋阀传感器，也称为巨磁致电阻(GMR)传感器，已被用来检测来自旋转磁盘的磁场。该传感器包括下文称为间隔层的非磁导电层，其夹在下文称为被钉扎层和自由层的第一和第二铁磁层之间。第一和第二引线(lead)连接到该自旋阀传感器以传导检测电流通过该传感器。被钉扎层的磁化被钉扎为垂直于气垫面(ABS)，自由层的磁矩位于平行于ABS，但是可以响应于外磁场自由旋转。被钉扎层的磁化通常通过与反铁磁层交换耦合来被钉扎。
间隔层的厚度被选择为小于通过传感器的传导电子的平均自由程。采用此布置，部分传导电子通过间隔层与被钉扎层和自由层的每个的界面散射。当被钉扎层和自由层的磁化彼此平行时，散射最小，当被钉扎层和自由层的磁化反平行时，散射最大。散射的变化与cosθ成比例地改变自旋阀传感器的电阻，其中θ是被钉扎层和自由层的磁化之间的角。在读模式中，自旋阀传感器的电阻与来自旋转盘的磁场的大小成比例地变化。当检测电流传导通过自旋阀传感器时，电阻变化导致电势变化，其被检测到且作为重放信号被处理。
当自旋阀传感器采用单个被钉扎层时，其被称为简单自旋阀。当自旋阀采用反平行被钉扎层时，其被称为AP被钉扎自旋阀。AP自旋阀包括被薄的非磁耦合层例如Ru分隔开的第一和第二磁层。间隔层的厚度被选择从而被反平行耦合到被钉扎层的铁磁层的磁化。自旋阀还根据钉扎层是在顶部(在自由层之后形成)还是在底部(在自由层之前)而称为顶型或底型自旋阀。
自旋阀传感器位于第一和第二非磁电绝缘读间隙层之间，第一和第二读间隙层位于铁磁的第一和第二屏蔽层之间。在合并式磁头中，单个铁磁层充当读头的第二屏蔽层且充当写头的第一极片层。在背负式头中第二屏蔽层和第一极片层是分开的层。
被钉扎层的磁化通常通过将铁磁层之一(AP1)与反铁磁材料例如PtMn的层交换耦合来被钉扎。虽然反铁磁(AFM)材料例如PtMn本身没有磁化，但是当与磁材料交换耦合时，它能够强烈地钉扎铁磁层的磁化。
为了满足日益增长的对提高的数据速率和数据容量的需求，研究人员近来已经将其努力集中到垂直记录系统的开发。传统纵向记录系统，例如包括上述写头的系统，将数据存储为在磁盘的表面平面中沿道纵向取向的磁位。此纵向数据位通过形成在由写间隙分隔开的磁极的对(pair)之间的弥散场(fringing field)被记录。
相反地，垂直记录系统将数据记录作为垂直于磁盘平面取向的磁化。磁盘具有被薄硬磁顶层覆盖的软磁衬层。垂直写头具有横截面非常小的写极以及具有大得多的横截面的返回极。强的、高度集中的磁场从写极沿垂直于磁盘表面的方向发出，磁化硬磁顶层。所得磁通然后行进通过软磁衬层，返回到返回极，在那里它充分展开且是弱的，因此当它在回到返回极的路上从背后穿过硬磁顶层时它不会擦除写极记录的信号。
垂直记录系统的特征之一在于磁介质的高矫顽力顶层具有高翻转场(switching field)。这意味着当写数据磁位时需要强的磁场来翻转介质的磁矩。为了减小翻转场且增大记录速度，已经尝试使从写极发出的写场成角或“倾斜(cant)”。相对于介质的法线以一角度倾斜写场使得通过减小翻转场来使介质的磁矩易于翻转。模型显示，根据用于单颗粒的斯通瓦尔斯(Stoner-Wohlfarth)模型，如果有效磁通场倾斜，垂直记录系统中的单极写头能呈现改进的转变剧烈度(即更好的场梯度和分辨率)，得到更好的介质信噪比，并允许用于更高面密度磁记录的更高矫顽场介质。已经研究的一种使磁场倾斜的方法是与写头相邻地设置尾磁屏蔽件从而磁吸引来自写极的场。
尾屏蔽件可以是浮置(floating)设计，即磁尾屏蔽件不与写头的其它结构直接磁连接。来自写极的磁场导致屏蔽件中的磁通，其基本通过磁介质行进回到写头的返回极。为了浮置尾屏蔽件正确运行，屏蔽件的各种尺寸是严格的。例如，当写极到尾屏蔽件间隔(间隙)约等于头到软磁衬层间隔(HUS)且尾屏蔽件喉高(throat height)大致等于写极的道宽的一半时，有效磁通场的有效成角或倾斜最优。此设计牺牲有效磁通场而改进了写场梯度。为了最小化损失到尾屏蔽件的有效磁通场且仍实施所期望的效果，分别调节间隙和屏蔽件厚度从而最小化在屏蔽件处的饱和以及损失到屏蔽件的有效磁通场。
与浮置尾屏蔽件设计相关的问题是通过磁介质分路到返回极的磁通易于导致在ABS处返回极的饱和。当磁通通过磁介质分路到返回极时，其与来自写极的也通过磁介质流动的所需磁通结合。
克服此问题的一种方法是将尾屏蔽件直接磁耦合到返回极而不是依赖于磁介质将磁通传导到返回极。然而，构造这样的从尾屏蔽件到返回极的直接磁连接是有挑战性的，大部分是因为尾屏蔽件和返回极之间大的距离。另外，在许多设计中，读传感器和写极不对准，在这样的设计中返回极也不能与写极对准。这样的设计导致的挑战是构造一连接结构，其能提供距离写极的所需间隔，同时还连接到未对准的返回极。
因此，需要一种实用的，可制造的尾屏蔽件设计，其提供与返回极的直接磁连接。这样的尾屏蔽件优选可在其中读头和写头不对准的磁头设计中使用。
发明内容
本发明提供用于垂直磁记录的具有尾磁屏蔽件的磁写头。该写头包括返回极和写极。磁基座与所述返回极的前ABS端连接且朝向所述写极延伸。第一和第二磁柱(magnetic stud)从所述返回极的横向相对的末端延伸。尾屏蔽件从所述柱之一向另一个延伸且通过还充当尾屏蔽件间隙层的非磁导电籽层与所述写极分隔开。
所述写头和尾屏蔽件构造可以有利地使用在其中磁致电阻读传感器与所述写头的所述写极横向不对准的磁头中。在本发明的一个可行实施例中，所述返回极与所述基座可以与所述读传感器横向对准，而所述柱、写极和所述尾屏蔽件可以彼此横向对准，但是不与所述读传感器、返回极和基座横向对准。
所述第一和第二柱可以在其横向向内的端部凹陷从而提供所述写极与所述柱结构之间的间隔的优异控制。所述凹陷产生横向向外设置的向上延伸的未凹陷部分。第三和第四柱，其可以与所述尾屏蔽件本身成整体且可以在相同的沉积步骤中沉积，可以与所述第一和第二柱的这些向上延伸部分的上表面连接。
因此，本发明提供一种尾屏蔽件构造，其还提供完全包围所述写极的磁屏蔽，同时还维持与围绕的屏蔽件的所需分隔。所述结构的所述柱和基座部分提供优良的磁屏蔽从而保护相邻的磁介质免于受到例如来自所述成形层或所述写线圈的场的影响。
结合附图阅读下面关于优选实施例的详细说明，本发明的这些和其它特征和优点将会变得明显，全部附图中相同的附图标记表示相同的元件。
为了全面理解本发明的性质和优点，以及优选使用模式，结合附图参考下面的详细描述，附图未按比例绘制。
图1是其中可实施本发明的盘驱动系统的示意图；图2是滑块的ABS视图，从图1的线2-2截取，示出其上磁头的位置；图3是根据本发明一实施例的磁头的剖视图，从图2的线3-3截取且逆时针旋转90度；图4是从图3的线4-4截取且放大的ABS视图；图5-18是类似于图4的ABS视图，示出在制造的各种中间阶段的磁头，且示出制造根据本发明的实施例的磁头的方法；以及图19是本发明的供选实施例的ABS视图。
具体实施例方式
下面的描述是用于实施本发明的当前预期的优选实施例。为了示出本发明的普遍原理而进行此描述，其不意味着对要求保护的发明概念的限制。
现在参照图1，示出实施本发明的盘驱动器100。如图1所示，至少一个可旋转磁盘112被支承在轴114上且被盘驱动马达118所旋转。每个盘上的磁记录是磁盘112上同心数据道的环形图案的形式(未示出)。
至少一个滑块113位于磁盘112附近，每个滑块113支承一个或更多磁头组件221。当磁盘旋转时，滑块113在盘表面122之上径向进出移动，使得磁头组件121可以访问磁盘的写有所需数据的不同道。每个滑块113借助于悬臂115附着到致动器臂119。悬臂115提供轻微的弹力，其将滑块113偏置朝向盘表面122。每个致动器臂119连接到致动器装置127。如图1所示的致动器装置127可以是音圈马达(VCM)。VCM包括在固定磁场内可动的线圈，线圈移动的方向和速度通过由控制器129提供的马达电流信号来控制。
盘存储系统运行期间，磁盘112的旋转产生滑块113与盘表面122之间的气垫，其对滑块施加向上的力或举力。因此在正常运行期间气垫平衡悬臂115的弹力，支承滑块113离开盘表面且以一小的、基本恒定的间隔稍微在盘表面上方。
盘存储系统的各种部件运行时由控制单元129产生的控制信号控制，例如存取控制信号和内部时钟信号。通常，控制单元129包括逻辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元129产生控制信号从而控制各种系统操作，例如线123上的驱动马达控制信号和线128上的头定位和寻道控制信号。线128上的控制信号提供期望电流分布(current profile)从而将滑块113优化地移动和定位到盘112上期望的数据道。写和读信号借助于记录通道125传送到写和读头121且从其传出。
参照图2，可以更详细地观察滑块113中磁头121的取向。图2是滑块113的ABS视图，如图所见，包括感应写头和读传感器的磁头位于滑块的尾缘。以上关于普通磁盘存储系统的描述以及图1仅用于示例。显然，盘存储系统可包括多个盘和致动器，且每个致动器可支承多个滑块。
现在参照图3，描述用于垂直磁记录系统的磁头221。头221包括写元件302和读传感器304。读传感器优选为巨磁致电阻(GMR)传感器且优选是电流垂直平面(CPP)GMR传感器。CPP GMR传感器尤其适于在垂直记录系统中使用。然而，传感器304可以是另一类型传感器例如面内电流(CIP)GMR传感器或隧道结传感器(TMR)，或者某些其它类型的传感器。传感器304位于第一和第二磁屏蔽件306、308之间并与其绝缘，且嵌入在电介质材料307中。可由例如CoFe或NiFe构成的磁屏蔽件吸收磁场，例如来自上游道或下游道数据信号的磁场，确保读传感器304仅检测位于屏蔽件306、308之间的所需数据道。非磁电绝缘间隙层309可设置在屏蔽件308与写头302之间。
继续参照图3，写元件302包括写极310，其与磁成形层(shaping layer)312磁连接，且在ABS附近嵌入在绝缘材料311(图4)内。写极在气垫面处具有小的横截面且由具有高饱和磁矩的材料例如FeNi或CoFe构成。成形层312由诸如CoFe或NiFe的磁材料构成，且具有比写极310的平行于ABS表面的横截面显著更大的平行于ABS表面的横截面。
写元件302还具有返回极314，其优选具有在ABS表面暴露的表面且具有比写极310的平行于ABS表面的横截面大得多的平行于ABS表面的横截面。返回极314通过背间隙部分316与成形层312磁连接。返回极314和背间隙316可以由例如NiFe、CoFe或者某些其它磁材料构成。
如图3中的剖视图所示，导电写线圈317在成形层312与返回极314之间穿过写元件302。写线圈317被电绝缘材料320包围，电绝缘材料320将线圈匝彼此电绝缘且将线圈317与周围的磁结构310、312、316和314电隔离。当电流经过线圈317时，所得磁场导致磁通流经返回极314、背间隙316、成形层312和写极310。此磁通使得写场321朝向相邻磁介质发射。
写头元件302还包括尾屏蔽件322。尾屏蔽件322通过基座连接器(pedestal connector)结构316连接到返回极314，可以参考图4更清楚地理解。图4中总称为316的该连接器结构包括在第一高度处形成的基座318、在第一高度之上的第二高度处形成的第一和第二柱(stud)部分321和322、以及在第二高度之上的第三高度处形成的第三和第四柱部分324和326。
基座部分大致形成在线圈317的高度，但是由于在线圈317顶部和底部的绝缘层320，基座部分可以延伸稍微低于线圈317的底部和稍微高于线圈317的顶部。图3中不能观察到第一和第二柱部分321、322，因为它们位于页平面里面。第一和第二柱部分321、322优选与成形层312在相同的层面，优选具有与成形层312的底表面共面的底表面且具有与成形层312的顶表面共面的顶表面。第一和第二柱部分321、322的顶表面还与写极310的底表面共面。第三和第四柱部分324、326的顶表面与尾缘屏蔽件磁连接且可以与其成整体。
也用作尾缘间隙的非磁导电籽层328设置在尾缘屏蔽件322与写极310之间。间隙层328可以例如为Rh或者某些其它合适材料，因为它沉积在光滑平坦表面上且能够在完成的头中完整留下(如下面将进一步详细描述的那样)，所以它能非常精确地定义写极310与尾屏蔽件322之间的间隙。
返回极314、背间隙316、成形层312、以及基座318、柱部分321、322、324、326的全部、以及尾屏蔽件全部可以由能电镀的磁材料构成，例如诸如NiFe。
参考图4，屏蔽件306、308和返回极314全部可以构成为具有从ABS凹进的外部分330。已发现这样的凹进的外翼部分能防止杂散场写入，当磁荷积累在磁结构的角处时杂散场写入可发生。
仍参照图4，第一和第二柱321、322具有凹陷(notch)332、334，其确保在柱321和322与写极310之间保持所需量的间隔。另外，还可以见到，当返回极314与读传感器304对准时，写极310和尾屏蔽件322以及尾屏蔽件连接基座结构316的全部(包括基座318和柱321、322、324、以及326)彼此对准，但是不与读传感器304对准。这有利地允许在写极310与尾屏蔽件322以及连接结构316之间维持所需的严格间隔。
可以观察到，写极310被磁屏蔽材料322、316完全包围。这有利地屏蔽写极310周围区域中的相邻磁介质，防止该区域中的磁介质被例如来自线圈317、成形层312或者周围环境的磁场影响。连接结构316与写极310之间的间隔是重要的，原因是如果间隔太大，此结构的屏蔽效果将不佳。但是，如果间隔太小，磁通将从写极310泄漏到尾屏蔽件连接结构316。还应指出，可以是高Bsat材料例如CoFe或NiFe50的写极310设置在电介质材料诸如氧化铝Al2O3内，其设置在写极310之下和旁边。
现在参照图5-16，描述构造根据本发明的实施例的磁头221的方法。特别参照图5，利用本领域技术人员熟知的光刻方法和沉积方法构造读传感器304、屏蔽件306、308、绝缘层309和返回极314。其后，参照图6，构造线圈317。线圈的构造可以通过本领域技术人员熟知的方法进行，例如形成光致抗蚀剂框架(frame)和镀例如Cu线圈。线圈317还可通过嵌入法(damascene method)构造。然后参照图7，可以构造基座318。基座318可以是例如NiFe且可以通过形成光致抗蚀剂框架、溅射沉积导电籽层且然后电镀基座318来构造。应注意，此时基座318可以与返回极314和读传感器304横向对准。此处使用的术语“横向”指的是平行于ABS且垂直于数据道方向(即沉积各种层时从一侧到另一侧)的方向。构造基座318之后，电介质材料例如Al2O3的层可被沉积从而形成绝缘层320。化学机械抛光工艺(CMP)可被实施从而形成跨过基座318和绝缘层320顶部的光滑平坦表面。
现在参照图8，利用光刻与电镀的结合形成第一和第二柱部分321、322。也可需要沉积籽层。注意，柱部分321、322可以与基座318、返回极314和读传感器304横向不对准。现在参照图9，沉积诸如Al2O3的电介质材料902且进行化学机械抛光(CMP)从而产生跨过柱部分321、322和电介质层902的光滑、共面的表面。然后，参照图10，沉积写极材料层1002。磁材料可以是诸如CoFe或NiFe50的高Bsat材料的单层，或者也可以被构造为通过非磁材料的薄层分隔开的磁材料的多个叠置层。然后在写极材料1002之上形成光致抗蚀剂掩模1004。光致抗蚀剂掩模1004形成为覆盖柱321、322的仅一部分且还覆盖柱部分321、322之间的空间，留下柱部分321、322的横向延伸超过光致抗蚀剂掩模1004的边缘的部分。之后，参照图11，进行诸如离子束蚀刻(IBE)的材料去除工艺1102从而去除写极材料1002的未被光致抗蚀剂掩模1004覆盖的部分。充分实施此材料去除工艺1102从而暴露柱321、322的未被光致抗蚀剂掩模1004覆盖的部分。另外，充分进行材料去除工艺1102从而露出对准标记(alignment mark)(未示出)。
现在参照图12，去除第一光致抗蚀剂掩模1004。然后形成硬掩模1202。硬掩模1202可包括例如类金刚石型碳(DLC)、丙烯酰胺(Duramide)、SiO2或Tis。硬掩模1202形成为覆盖写极310预期位于的区域且还覆盖留下的写极材料1002未覆盖的区域，包括柱321、322的先前暴露的部分。然后进行离子研磨1204从而去除写极材料1002的未被硬掩模1202保护的部分。优选倾斜地进行离子研磨1204从而形成从ABS观察时具有期望的梯形的写极302。还可充分进行离子研磨1204从而在未被硬掩模1202覆盖的区域中从柱321、322去除所需量的材料。
参照图13，可沉积诸如氧化铝Al2O3的电介质材料且进行CMP从而暴露写极310的顶部。可以观察到，参照图12进行的离子研磨1204去除部分柱321、322从而形成凹陷1304、1306和隆起的外部分1308、1310。
参照图14，例如通过反应离子蚀刻RIE去除剩余的硬掩模1202(图12)，且沉积非磁导电籽层328。籽层328可以由例如Rh构成且具有将定义尾屏蔽件间隙高度的厚度。籽层328有利地沉积在写极310之上和周围的区域中光滑平坦表面之上，其允许改进的厚度(即间隙)控制。
现在参照图15，构造另一光致抗蚀剂掩模1502。光致抗蚀剂掩模1502具有形成在第一和第二柱部分321、322的隆起的外部分1308、1310之上的开口。然后进行另一离子研磨工艺1504从而暴露柱321、322的隆起的外部分1308、1310的顶部，且还暴露对准标记(未示出)。
参照图16，先前形成的掩模1502被去除。然后，参照图17，形成另一光致抗蚀剂掩模1702。掩模1702构造为具有暴露柱321、322的隆起的外部分1308、1310之上的区域的开口，且还暴露其间将形成有尾屏蔽件的区域。参照图18，然后可以例如通过电镀沉积磁材料例如NiFe，从而形成第三和第四柱324、326以及尾屏蔽件322。进一步的头构造可根据本领域技术人员熟知的方法继续进行且可以包括绝缘层(未示出)的沉积。
现在参照图19，在本发明的供选实施例中，可以设置悬垂式尾屏蔽件1902从而提供额外的屏蔽保护。悬垂式尾屏蔽件具有不悬垂部分1904，其向下延伸到写极310的顶表面之上的层面。此不悬垂部分在中央地设置在尾屏蔽件上，位于尾屏蔽件310的区域中且通过写间隙层/籽层与写极310分隔开。悬垂式尾屏蔽件1902还具有横向相对的、向下延伸的悬垂部分，其可以向下延伸到写极310的顶和底层之间的层面或者可以延伸到写极310的底部的层面之下。悬垂式尾屏蔽件1902的此向下悬垂的构造提供额外的侧屏蔽，当这样的屏蔽必要时。
虽然已经描述的各种实施例，但是应理解，它们仅以示例而不是限制的方式给出。落入本发明的范围内的其它实施例也将对本领域技术人员变得显然。因此，本发明的宽度和范围不应局限于任何上述示例性实施例，而应仅根据所附权利要求及其等价物来定义。
权利要求
1.一种用于垂直磁记录的磁头，包括返回极，其由磁材料构成且具有朝向气垫面设置的末端；写极，其由磁材料构成，具有朝向所述气垫面设置的表面，所述写极与所述返回极磁连接；磁基座，其在所述返回极的朝向所述ABS设置的末端与所述返回极连接，所述磁基座朝向所述写极延伸；第一和第二横向相对的磁柱，其从所述基座的最靠近所述写极的边缘延伸；以及尾磁屏蔽件，其在所述第一和第二柱部分之间延伸且与所述第一和第二柱部分磁连接，该尾屏蔽件通过非磁间隙层与所述写极分隔开。
2.如权利要求1所述的磁头，其中所述非磁间隙层是导电的。
3.如权利要求1所述的磁头，其中所述间隙层包括Rh。
4.如权利要求1所述的磁头，其中所述第一和第二柱的每个的部分形成有凹陷。
5.如权利要求4所述的磁头，其中所述凹陷形成在内端，产生横向向内设置的凹陷部分和横向向外设置的向上延伸的部分。
6.如权利要求1所述的磁头，还包括成形层，其具有上和下表面，该成形层与所述写极磁连接；以及背间隙，其将所述成形层与所述返回极磁连接，且其中所述第一和第二柱部分的每个包括具有与所述成形层的所述上和下表面共面的上和下表面的第一层以及形成在所述第一层之上的第二层。
7.如权利要求6所述的磁头，其中每个柱部分的所述第一层具有形成在其上表面内的凹陷。
8.如权利要求6所述的磁头，其中每个柱部分的所述第一层具有形成在其上表面内的凹陷且具有向上延伸部分，所述凹陷横向向内设置，所述向上延伸部分横向向外设置，所述柱的所述第二层与所述第一层的所述向上延伸部分磁连接。
9.如权利要求6所述的磁头，其中所述尾屏蔽件是NiFe，通过电镀沉积。
10.如权利要求1所述的磁头，还包括读传感器，且其中所述基座部分与所述读传感器横向对准，且所述柱、写极和尾屏蔽件彼此横向对准且与所述读传感器和所述基座横向不对准。
11.一种制造用于垂直磁记录的磁头的方法，该方法包括构造磁返回极，所述返回极具有朝向气垫面(ABS)设置的前端和相对所述前端的后端；在所述返回极上构造基座，所述基座设置在所述返回极的所述前端；形成成形层以及第一和第二柱部分，所述柱部分的至少一部分形成在所述基座的至少一部分上且与其接触；沉积写极材料层；构造硬掩模，所述硬掩模具有在所述第一和第二柱的至少一部分之上的开口，所述掩模在所述写极区域之上覆盖部分所述写极材料层；进行第一材料去除工艺从而去除所述写极材料的暴露部分，从而在所述写极区域中定义写极；沉积电介质填充材料；充分进行化学机械蚀刻(CMP)从而暴露所述写极的上表面；去除所述硬掩模；沉积非磁导电籽层；在所述籽层上形成光致抗蚀剂掩模，所述第二光致抗蚀剂掩模在所述第一和第二柱的每个的部分之上具有开口；以及进行第二材料去除工艺从而去除所述籽层的通过所述光致抗蚀剂掩模暴露的暴露部分；以及沉积磁材料从而形成尾屏蔽件。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一材料去除工艺包括离子研磨。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述第二材料去除工艺包括反应离子蚀刻。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述非磁导电籽层包括Rh。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述基座、柱、以及尾屏蔽件通过电镀沉积。
16.如权利要求11所述的方法，其中充分进行所述第一材料去除工艺从而去除所述第一和第二柱部分的每个的一部分，在所述柱部分中形成凹陷。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述凹陷设置在所述第一和第二柱的横向向内设置的部分处，产生向外设置的向上延伸的未凹陷部分，且其中所述光致抗蚀剂掩模中的所述开口与所述向外设置的向上延伸的未凹陷部分对准。
18.如权利要求11所述的方法，还包括，在构造所述返回极之前，构造磁致电阻传感器，且其中所述返回极与所述磁致电阻传感器横向对准，且其中所述柱、写极、以及尾屏蔽件彼此横向对准但是不与所述返回极和所述磁致电阻传感器横向对准。
19.如权利要求11所述的方法，其中所述第一材料去除工艺包括离子研磨，且其中所述离子研磨以一角度进行从而形成具有梯形形状的写极。
20.如权利要求11所述的方法，其中所述成形层以及所述第一和第二柱在电镀工艺中同时沉积，且具有通过公共光致抗蚀剂框架定义的构造。
21.如权利要求1所述的写头，其中所述尾屏蔽件具有未悬垂部分，其至少一部分设置在所述写极之上，且所述尾屏蔽件具有第一和第二横向相对的悬垂部分，其向下延伸到所述写极的顶表面的层面以下的层面。
全文摘要
本发明涉及一种柱式尾屏蔽件构造以及制造方法。该柱式尾屏蔽件构造维持所述尾屏蔽件与所述写极之间的严格间隔且还维持所述柱、尾屏蔽件连接结构与所述写极之间的严格间隔，即使在具有彼此不对准的读和写元件的头设计中。
文档编号G11B5/11GK1862663SQ20061007713
公开日2006年11月15日 申请日期2006年4月27日 优先权日2005年4月27日
发明者徐一民, 李邝, 罗杰·W·伍德 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司