垂直磁记录头中用于减小返回极角部场的磁通分路结构的制作方法

文档序号:6760287阅读:159来源:国知局
专利名称:垂直磁记录头中用于减小返回极角部场的磁通分路结构的制作方法
技术领域
本发明涉及电流垂直磁记录,特别地,涉及一种新颖的磁屏蔽设计,其消除了写过程中诸如来自磁写头的写线圈或成形层的外磁场导致的数据擦除。
背景技术
计算机长期存储的核心是称为磁盘驱动器的组件。磁盘驱动器包括旋转磁盘、被与旋转磁盘的表面相邻的悬臂悬吊的写和读头、以及转动悬臂从而将读和写头置于旋转盘上选定环形道(track)之上的致动器。读和写头直接位于具有气垫面(ABS)的滑块上。悬臂偏置滑块朝向盘的表面,当盘旋转时,邻近盘的空气与盘表面一起移动。滑块在该移动空气的垫上飞行于盘表面之上。当滑块骑在气垫上时,采用写和读头来写磁转变到旋转盘且从旋转盘读取磁转变。读和写头连接到根据计算机程序运行的处理电路以实现写和读功能。
写头传统上包括嵌在第一、第二和第三绝缘层(绝缘堆叠)中的线圈层,绝缘堆叠夹在第一和第二极片层(pole piece layer)之间。在写头的气垫面(ABS)处间隙(gap)通过间隙层形成在第一和第二极片层之间,极片层在背间隙(back gap)处连接。传导到线圈层的电流在极片中感应磁通,其导致磁场在ABS处在写间隙弥散出来,用于在移动介质上的道中写上述磁转变,例如在上述旋转盘上环形道中。
在近来的读头设计中,自旋阀传感器,也称为巨磁致电阻(GMR)传感器,已经被用于检测来自旋转磁盘的磁场。该传感器包括下文中称为间隔层(spacer layer)的非磁导电层,其被夹在下文中称为被钉扎层和自由层的第一和第二铁磁层之间。第一和第二引线(lead)连接到自旋阀传感器以传导通过那里的检测电流。被钉扎层的磁化被钉扎为垂直于气垫面(ABS),自由层的磁矩位于平行于ABS但可以响应于外磁场而自由旋转。被钉扎层的磁化通常通过与反铁磁层交换耦合来被钉扎。
间隔层的厚度被选择为小于通过传感器的传导电子的平均自由程。采用此设置,部分传导电子被间隔层与被钉扎层和自由层每个的界面所散射。当被钉扎层和自由层的磁化彼此平行时,散射最小,当被钉扎层和自由层的磁化反平行时,散射最大。散射的变化与cosθ成比例地改变自旋阀传感器的电阻,其中θ是被钉扎层和自由层的磁化之间的角度。在读模式中,自旋阀传感器的电阻与来自旋转盘的磁场的大小成比例地改变。当检测电流传导通过自旋阀传感器时,电阻变化导致电势变化,其被检测到并作为重放信号(playback signal)被处理。
当自旋阀传感器采用单被钉扎层时,其被称为简单自旋阀。当自旋阀采用反平行(AP)被钉扎层时,其被称为AP被钉扎自旋阀。AP自旋阀包括由薄的非磁耦合层例如Ru分隔开的第一和第二磁层。选择该间隔层的厚度从而反平行耦合被钉扎层的铁磁层的磁化。根据钉扎层是在顶部(在自由层之后形成)还是底部(在自由层之前),自旋阀还被称为顶型或底型自旋阀。
自旋阀传感器位于第一和第二非磁电绝缘读间隙层之间,第一和第二读间隙层位于铁磁性的第一和第二屏蔽层之间。在合并式(merged)磁头中,单个铁磁层作为读头的第二屏蔽层和写头的第一极片层。在背负式(piggyback)头中,第二屏蔽层和第一极片层是分开的层。
被钉扎层的磁化通常通过将铁磁层之一(AP1)与反铁磁材料例如PtMn的层交换偶合来被固定。虽然反铁磁(AFM)材料例如PtMn本身没有磁化,但是当与磁性材料交换耦合时,它可以强烈地钉扎铁磁层的磁化。
为了满足日益增长的对改善的数据速率和数据容量的需求,研究者近来已经将其努力集中到垂直记录系统的开发。传统纵向记录系统,例如包括上述写头的系统,将数据存储为磁盘表面平面中沿道纵向取向的磁位。该纵向数据位通过形成在由写间隙分隔开的磁极对之间的弥散场(fringing field)记录。
相反,垂直记录系统将数据记录为垂直于磁盘的平面取向的磁转变。该磁盘具有由薄的硬磁顶层覆盖的软磁衬层(underlayer)。垂直写头具有横截面很小的写极和横截面大得多的返回极。强的、高度集中的磁场沿垂直于磁盘表面的方向从该写极发出,磁化该硬磁顶层。所得磁通然后通过软磁衬层行进,返回到返回极,在那里其充分展开且是弱的,从而当其在回到返回极的途中经过硬磁顶层时将不擦除写极记录的信号。
这样的垂直记录系统引起的一个问题是磁介质特别易受杂散磁场的影响。理想地,介质拾取的所有磁场将来自写极,所得磁通然后经过介质的软磁衬层从而回到返回极。然而,实际上,因为软磁衬层对磁场敏感,其被来自写线圈以及来自直接从成形层到介质的磁场的磁场影响。下面将更详细地说明的成形层(shaping layer)是将磁通引导到写极的磁结构。在垂直记录设计中,已发现这些来自线圈和成形层的磁场产生集中在返回极和/或屏蔽件(shield)的拐角处的显著量的磁通。当写头以高的写电流运行时,这些拐角下方的磁场高且潜在地能引起数据擦除。当存在外磁场的情况下进行写操作时该情况被恶化。
通过移动写线圈和成形层远离ABS可以改善该问题,然而,这会导致写头效率损失,使得难以用合理的写电流从写极产生强的写场。克服线圈和成形层导致的磁信号擦除问题的一个尝试是提供从返回极朝写极延伸的屏蔽件。这样的设计在标题为“PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDINGHEAD HAVING A REDUCED FIELD UNDER THE RETURN POLE ANDMINIMAL EDDY CURRENT LOSSES”的美国专利申请US2003/0227714A1中进行了说明。尽管上述专利申请中描述的设计有助于减轻这些不需要的场的影响,但是已发现软磁衬层如此敏感,信号擦除取决于介质属性和外场强度而仍将发生。
因此,强烈需要用于垂直写入器(writer)的设计来克服作为不需要的磁场例如来自写线圈和成形层的磁场的结果而发生的信号擦除问题。这样的设计将优选允许线圈和成形层定位为足够接近ABS从而提供卓越的磁写入器性能,同时仍避免数据擦除。

发明内容
本发明提供一种用于垂直记录的磁写头,其具有新颖的屏蔽件结构,该屏蔽件结构提供极好的保护以防止来自写头的部分例如写线圈、返回极或成形层的外磁场导致的数据意外擦除。根据本发明一实施例的写头包括磁写极,其具有ABS端和背端(back end);返回极,其具有ABS端和背端,该返回极与该写极磁连接;以及磁屏蔽件,其与该返回极的ABS端磁连接且朝向该写极延伸。该屏蔽件有凹口(notch),其确保该写极与该屏蔽件之间足够的物理和磁分隔,同时还允许该屏蔽件的非凹部分朝向写极或在写极旁边进一步延伸。
该写极的非凹部分可延伸至该写极的底部或前导边缘(leading edge)的层面(level),且可以延伸超过该写极的前导边缘的层面从而延伸至与该写极的侧面相邻的层面。该屏蔽件的非凹部分甚至可以延伸超过该写极的顶部或尾随边缘。
在本发明的供选实施例中,该屏蔽件可以形成有开口(aperture),所述写极的ABS端延伸到该开口中,使得该屏蔽件实际上包围该写极的ABS端。
该凹口或开口可形成为使得所需的间隔维持在写极的前导边缘与该屏蔽件之间。该间隔可以为0.4μm-3.0μm,或者可以是大于从该写极ABS表面到所述软磁衬层的顶表面的距离的10倍的某一距离。在该屏蔽件与该写极的侧面之间可以维持2-10μm或大于3μm的距离。
本发明的屏蔽件构造有利地吸收来自诸如线圈、返回极、成形层的部件或磁头的其它结构的磁场,确保仅来自写极的场影响磁介质。
该屏蔽件构造提供了所述优异磁屏蔽,同时还提供该写极与该屏蔽件之间的足够间隔,从而防止将降低磁性能的写极与屏蔽件之间的磁通泄漏。
本发明的这些和其它特征和优点将通过结合附图阅读优选实施例的详细说明而变得更加明显,附图中相似的附图标记始终表示相似的元件。


为了充分理解本发明的本质和优点以及优选应用模式,请结合附图参考下面的详细说明,附图不是按比例的。附图中图1是其中可实施本发明的盘驱动系统的示意图;图2是从图1的线2-2截取的滑块的ABS视图,示出了其上磁头的位置;图3是根据本发明一实施例的磁写头的剖视图,从图2的线3-3截取并逆时针转动90度;图4是图3的磁写头的放大显示的ABS视图,从图3的线4-4截取;图5是根据本发明一供选实施例的与图4的结构类似的磁结构的视图;图6是根据本发明另一可行实施例的与图4的结构类似的磁结构的视图;图7是根据本发明再一可行实施例的与图4的结构类似的磁结构的视图。
具体实施例方式
下面的描述是关于目前想到的实施本发明的优选方式。进行该描述以说明本发明的一般原理,而不是意图限制这里提出的发明概念。
现在参照图1,示出实施本发明的盘驱动器100。如图1所示,至少一个可旋转磁盘112被支承在心轴(spindle)114上且通过盘驱动马达118被旋转。每个盘上的磁记录是磁盘112上的同心数据道(未示出)的环形图案形式。
至少一个滑块113位于磁盘112附近,每个滑块113支持一个或更多磁头组件121。当磁盘旋转时,滑块113在磁盘表面122之上径向进出移动,从而磁头组件121可以存取磁盘的写有所需数据的不同道。每个滑块113借助悬臂(suspension)115连到致动臂119。悬臂115提供轻微的弹力,该弹力偏置滑块113倚着盘表面122。每个致动臂119连到致动器装置127。如图1所示的致动器装置127可以是音圈马达(VCM)。该VCM包括在固定磁场中可移动的线圈,该线圈移动的方向和速度通过控制器129提供的马达电流信号被控制。
盘存储系统运行期间,磁盘112的旋转在滑块113与盘表面122之间产生气垫(air bearing),其对滑块施加向上的力或举力。于是在正常运行期间该气垫平衡悬臂115的轻微弹力,且支持滑块113离开盘表面并且以小的基本恒定的距离稍微位于盘表面之上。
盘存储系统的各种组元在运行中由控制单元129产生的控制信号来控制,例如存取控制信号和内部时钟信号。通常,控制单元129包括逻辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元129产生控制信号从而控制各种系统操作,例如线123上的驱动马达控制信号以及线128上的头定位和寻道控制信号。线128上的控制信号提供所需的电流分布(current profile),从而优化地移动并定位滑块113到盘112上的所需数据道。写和读信号借助于记录通道125传到写和读头121且从其传出。
参照图2,可以更详细地观察滑块113中磁头121的取向。图2是滑块113的ABS视图,可以看出包括感应写头和读传感器的磁头位于滑块的尾随边缘(trailing edge)。普通磁盘存储系统的上述说明以及附图1和2仅用于示例。显然地,盘存储系统可包括多个盘和致动器,每个致动器可支持多个滑块。
现在参照图3,根据本发明一实施例的磁写头300包括写极302和返回极304。写极和返回极302、304每个延伸到气垫面(ABS)306。因此,写极具有ABS端308和背端310。类似地,返回极具有ABS端312和背端314。成形层316与写极302磁连接且将磁通引导到写极302。磁基座(pedestal)或背间隙层318在远离ABS 306定位的背间隙位置处将成形层316与返回极304磁连接。还可在返回极的ABS端设置基座331,其朝向写极延伸。成形层316、背间隙318和返回极304可由磁材料(优选地能被电镀的材料)诸如NiFe或一些其它磁材料构成。写极302优选地由高磁矩、高饱和(高Bsat)材料诸如CoFe或Ni50Fe50构成。
继续参照图3,磁写头包括导电非磁线圈320,优选地具有多匝,其一部分在成形层316和写极302与返回极304之间穿过写头300。线圈320可以由例如Cu构成且通过绝缘层322与写头300的磁结构电绝缘,绝缘层322可以是例如一层或多层氧化铝Al2O3、二氧化硅SiO2、一些其它材料的硬烘焙光致抗蚀剂或者材料的组合。
当电流通过线圈320传导时,产生磁场,导致磁通流过返回极304、背间隙318、成形层316和写极302。相邻的具有薄的硬磁表面层326和软磁衬层328的磁介质324完成磁路。从写极302发出的场导致在磁介质中产生磁通,该磁通经过软磁衬层328且返回到返回极312。来自写极302的磁场强且集中,并局部地磁化介质324的高磁矩表面层326。经过软磁衬层328之后,磁通返回到返回极,在那里其充分展开且微弱从而不擦除写极302产生的信号。
如上面在本发明的背景技术中论述的,现有技术的写头设计受到诸如来自写线圈320和成形层316的外磁场足够强从而擦除先前记录的磁数据这一问题的困扰,特别是存在外部杂散场的情况下。尽管移动线圈320和成形层316远离ABS 306会减轻这样的问题,但这样做将导致不可接受的磁头性能损失。线圈320必须定位地足够接近ABS 306从而从写头302提供足够强的写场。类似地,移动成形层316远离ABS将不允许写极302在ABS端308的足够磁化。
本发明提供一种新颖的磁屏蔽件或“磁通捕集器”结构330,其防止磁场例如来自写线圈320、成形层316或返回极304的磁场到达或影响磁介质324。屏蔽件330吸收来自写线圈320、成形层316和返回极304的磁场,将这些场拉回到写头的磁结构中从而它们将不会负面影响磁介质。
现在参照图4,磁通捕集器屏蔽件330的ABS视图更好地说明了其新颖特征。可以由许多磁材料构成且优选由NiFe构成的屏蔽件330可构造在磁基座(magnetic pedestal)331上,磁基座331磁连接到返回极304。为了确保写极302的有效性能,某一最小间隙必须设置在屏蔽件330与写极302之间。如果屏蔽件330构建得过于接近写极302,来自写极302的场将直接分流到屏蔽件330而不会如所希望的那样到介质324(图3)。然而,如上所论述的,需要显著的屏蔽以防止来自线圈330和其它结构的场磁化介质324。
为了提供必要的屏蔽且还提供屏蔽件330与写极302之间的必要间隔,凹口(notch)402与写极302相邻地设置。如图4所示的写极302具有前导边缘412、尾随边缘413、以及第一和第二横向相对的侧面415、417。写极302还优选具有梯形形状,当头处在斜角例如在盘324上的外道和内道时其在避免相邻道写入方面是有利的。然而,这样的梯形写头302不是实施本发明的必要条件。凹口402提供写极302的前导边缘412与屏蔽件330之间的所需最小间隔D1,该间隔可以是例如0.4μm至3.0μm且优选地是从写极的ABS表面到磁介质324的软磁衬层328的顶表面的距离的至少10倍。写极302的侧面415、417与屏蔽件330之间的所需最小间隔D2可以更宽松且优选为约3至10μm。还可看出,凹口402示出为具有梯形形状以补偿写头的梯形形状,然而,凹口402可以具有许多其它形状,诸如但不限于矩形、半圆形、不规则形状或椭圆形。
继续参照图4,凹口402产生屏蔽件330的第一和第二延伸的或非凹的残余部分404、406。这些残余部分可以朝向但不完全到达写极302的层面延伸,但优选地至少延伸到写极302的层面。如图4所示,在当前描述的实施例中,屏蔽件330的非凹部分404、406的最上(或尾随)边缘408、410延伸至与写极302的前导边缘412共面的层面。非磁电绝缘材料414例如Al2O3或一些其它材料包围写极302,将写极302与屏蔽件330电绝缘且磁隔离。
现在参照图5,另一可行实施例包括具有深凹口504的屏蔽件502。非凹部分510、512的上边缘506、508延伸至写极302的尾随边缘413。通过横向设置在写头302两侧的屏蔽区域,此实施例相对参照图4描述的实施例提供额外的屏蔽保护。此外,所需要的间隔D1和D2优选维持在写极302与屏蔽件502之间,同时凹口504示出为梯形,其可以构造为许多不同形状中的一种。
虽然图4示出非凹部分404、406延伸到写极302的前导边缘412,图5示出非凹部分510、512延伸到与写极302的尾随边缘413相同的层面,但这些层面不是实践本发明的必要条件。例如,非凹部分510、512的顶边缘506、508可延伸至写极302的尾随413和前导412表面的层面之间某处的层面。
另外,如图6所示,屏蔽件602可以构造为具有非凹部分604、606,其具有显著超过写极302的尾随边缘413延伸的上边缘608、610。参照图4、5、还是6所述地构造,非凹部分604、606延伸的量优选地由设计要求例如特定头设计中所需的屏蔽量来决定从而避免不期望的写入和信号擦除。
参照图7,本发明的另一实施例包括屏蔽件702,其完全包围写极302。屏蔽件702延伸超过写极302且具有写极伸入到其中的空缺(void)或开口704。尽管开口704示出为具有梯形形状以匹配写极302的形状,但是开口704实际上可以是诸如椭圆、圆形、矩形、不规则形或某些其它形状的许多形状中的一种。非磁电介质材料706将写极302自屏蔽件702电绝缘且磁隔离。与其它实施例一样,写极302的侧面415、417优选地与屏蔽件分隔开可以为例如2-10μm的距离D2,且写极的前导边缘412与屏蔽件分隔开0.4至3.0μm的距离或者运行期间写极的ABS表面与磁介质324的软磁衬层328之间距离的至少10倍。
尽管上面描述了各种实施例,但应理解,它们仅是以举例而不是限制的方式给出。落在本发明的范围内的其它实施例对本领域技术人员也会是显而易见的。例如,尽管本发明描述为结合到垂直记录系统中且将特别适于用在这样的系统中,但本发明可以实施在包括纵向磁记录系统的任何磁记录系统中。因此,本发明的广度和范围不限于上述示例性实施例,而应仅根据权利要求及其等价物定义。
权利要求
1.一种磁写头,包括写极,其具有ABS端、前导边缘、与该前导边缘相对的尾随边缘、以及第一和第二横向相对的侧面;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;磁屏蔽件,其在该返回极的所述ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件朝向该写极延伸且终止于尾随边缘;凹口,其在与该写极接近的位置处形成在该磁屏蔽件的该尾随边缘中;且该磁屏蔽件的该尾随边缘形成从该凹口横向延伸的第一和第二非凹部分。
2.如权利要求1所述的磁头,其中该写极的该尾随边缘定义第一平面且其中该屏蔽件的该非凹部分至少延伸到该第一平面。
3.如权利要求1所述的磁头,其中该写极的该前导边缘定义第一平面且其中该屏蔽件的该非凹部分延伸超过该第一平面。
4.如权利要求1所述的磁头,其中该写极的该前导边缘定义第一平面;该写极的该尾随边缘定义第二平面;且该第一和第二非凹部分终止于该第一和第二平面之间的位置。
5.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口配置为维持该屏蔽件与该写极的该前导边缘之间0.4-3.0μm的距离。
6.如权利要求1所述的磁头,其中该磁头设计为飞行在具有软磁衬层的磁介质之上;该磁头设计为以在该写极的该ABS端与该软磁衬层之间维持间隔X的高度飞行;且该凹口配置为维持该屏蔽件与该写极的该前导边缘之间至少10X的距离D1。
7.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口配置为维持该屏蔽件的该非凹部分与该写极的该第一和第二横向相对的侧面之间3-10μm的距离。
8.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口配置为维持该屏蔽件的该非凹部分与该写极的该第一和第二横向相对的侧面之间至少3μm的距离。
9.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口配置为具有补偿该写极的形状且维持该写极的该前导边缘与该屏蔽件之间的恒定距离D1并维持该写极的所述侧面与该屏蔽件的该非凹部分之间的距离D2,且其中D1为0.4-3.0μm且D2为3-10μm。
10.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口具有梯形构造。
11.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口具有矩形构造。
12.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口具有不规则形状。
13.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口具有半圆形构造。
14.如权利要求1所述的磁头,其中该凹口具有椭圆形构造。
15.一种磁写头,包括写极,其具有ABS端、尾随边缘、与该尾随边缘相对的前导边缘、以及第一和第二横向相对的侧面;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;以及磁屏蔽件,其在该返回极的所述ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件延伸超过该写极且在该写极的所述ABS端围绕该写极,该磁屏蔽件与该写极电绝缘且磁隔离。
16.如权利要求15所述的磁头,其中该屏蔽件与该写极的所述前导边缘分隔开0.4-3.0μm的距离。
17.如权利要求15所述的磁头,其中该屏蔽件与该写极的所述第一和第二侧面分隔开3-10μm的距离。
18.如权利要求15所述的磁头,还包括设置在该写极与该屏蔽件之间的非磁电绝缘材料。
19.一种磁写头,包括写极,其具有ABS端、尾随边缘、前导边缘、以及第一和第二横向相对的侧面;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;磁屏蔽件,其在该返回极的所述ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件延伸超过该写极;以及开口,其形成在该屏蔽件中,该写极的所述ABS端延伸到该开口中,该写极与该磁屏蔽件电绝缘且磁隔离。
20.如权利要求19所述的磁头,其中该开口配置为在该开口内该写极与该屏蔽件之间维持0.4-3.0μm的距离。
21.如权利要求19所述的磁头,其中该开口配置为在该屏蔽件与该写极的所述第一和第二侧面之间提供3-10μm的间隔。
22.一种磁头,包括滑块,其具有端部和气垫面;磁磁致电阻传感器,其形成在该滑块的所述端部上;以及磁写头,其形成在该滑块的所述端部上,该磁写头包括写极,其具有ABS端、尾随边缘、与该尾随边缘相对的前导边缘、以及第一和第二横向相对的侧面;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;磁屏蔽件,其在该返回极的所述ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件朝向该写极延伸且终止在远离该返回极定位的上边缘;凹口,其在接近于该写极的位置形成在该磁屏蔽件的所述上边缘;且该磁屏蔽件的所述上边缘在该凹口的第一和第二侧形成第一和第二非凹部分。
23.一种磁头,包括滑块,其具有端部和气垫面;磁致电阻传感器,其形成在该滑块的所述端部上;及磁写头,其形成在该滑块的所述端部上,该磁写头包括写极,其具有ABS端;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;及磁屏蔽件,其在该返回极的所述ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件延伸超过该写极且在该写极的所述ABS端围绕该写极,该磁屏蔽件与该写极电绝缘且磁隔离。
24.一种磁头,包括滑块,其具有端部和气垫面;磁磁致电阻传感器,其形成在该滑块的所述端部上;及磁写头,其形成在该滑块的所述端部上,该磁写头包括写极,其具有ABS端和背端;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;及磁屏蔽件,其在该返回极的所述ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件延伸超过该写极;及开口,其形成在该屏蔽件中,该写极的所述ABS端延伸到该开口中,该写极与该屏蔽件电绝缘且磁隔离。
25.一种磁数据记录系统,包括磁介质;致动器;滑块,其与该致动器连接用于邻近该磁介质的表面移动;及写头,其与该滑块连接,该写头包括写极,其具有ABS端;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;及磁屏蔽件,其在该返回极的所述ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件朝向该写极延伸且终止在远离该返回极定位的上边缘;凹口,其在接近该写极的位置形成在该磁屏蔽件的所述上边缘;且该磁屏蔽件的所述上边缘在该凹口的第一和第二侧形成第一和第二非凹部分。
26.一种磁数据记录系统,包括磁介质;致动器;滑块,其与该致动器连接用于邻近该磁介质的表面移动;及写头,其与该滑块连接,该写头包括写极,其具有ABS端;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;及磁屏蔽件,其在该返回极的该ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件延伸超过该写极且在该写极的该ABS端围绕该写极,该磁屏蔽件与该写极电绝缘且磁隔离。
27.一种磁数据记录系统,包括磁介质;致动器;滑块,其与该致动器连接用于邻近该磁介质的表面移动;及写头,其与该滑块连接,该写头包括写极,其具有ABS端;返回极,其具有ABS端,该返回极与该写极磁连接;及磁屏蔽件,其在该返回极的该ABS端与该返回极磁连接,该磁屏蔽件延伸超过该写极;及开口,其形成在该屏蔽件中,该写极的该ABS端延伸到该开口中,该写极与该屏蔽件电绝缘且磁隔离。
全文摘要
本发明涉及一种用于垂直记录系统的具有新颖屏蔽件结构的磁头,其提供了与诸如来自写头的写线圈、成形层或返回极的外磁场的卓越磁屏蔽。该磁头包括写极、返回极和磁屏蔽件,该磁屏蔽件与该返回极在ABS附近磁连接且朝向该写极延伸。该屏蔽件在其接近于该写极的边缘形成有凹口。该凹口确保该写极与该屏蔽件之间足够的物理、磁、以及电隔离,同时允许该屏蔽件的非凹部分提供额外的磁屏蔽。
文档编号G11B5/187GK1855229SQ20061007712
公开日2006年11月1日 申请日期2006年4月27日 优先权日2005年4月27日
发明者徐一民, 李邝, 罗杰·W·伍德 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司
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