相变型光记录介质的制作方法

专利名称：：相变型光记录介质的制作方法
技术领域：
：本发明是涉及通过光(例如激光)的照射进行信息的记录、再生或者擦除的相变型光记录介质，特别涉及光盘、光卡等具有高反射率的相变型光记录介质。
背景技术：
：所谓“相变型光记录介质”例如是近年的CD-RW、DVD-RW、DVD-RAM或BD-RE(Blu-rayDiscRewritable)，是利用光使形成记录层的材料在晶相和非晶相之间可逆地变化，并对记录层记录或者擦除信息的记录介质。尤其在主要是影像信息这种信息量大的信息的记录、改写中，多使用DVD-RW、或DVD-RAM、BD-RE。为了记录更大的信息量，有如下方法考虑增大记录密度，在基板的单面侧叠合2层以上由记录层和反射膜构成的信息层，将光记录介质多层化(多层型光记录介质)。在上述那样的具有多个信息层的多层型光记录介质中，从激光入射的一侧看位于跟前侧(靠近看的人一侧)的信息层，需要以记录特性为良好的膜厚来形成光吸收率大的记录膜或反射膜。因此，难以使跟前侧的信息层的透射率变大。当为了记录再生而将激光照射到这样的多层型光记录介质时，激光在跟前侧的信息层中大幅衰减，因此从激光入射侧看，在位于里侧的信息层中反射率变小。因此，作为里侧的信息层相对于入射光具有高反射率那样的相变化光记录介质，在(日本)特开2000-322766号公报(专利文献1)中记载了如下光记录介质，在基板上顺序层叠而形成第1保护膜、第2保护膜、第3保护膜、第4保护膜、记录膜、第5保护膜、反射膜，第1～第3保护膜的折射率n1～n3满足n1＞n2、n3＞n2的关系。但是，在本发明人的研究中未能发现如下情况，即，当将第1～第3保护膜的折射率n1～n3全部形成为相同时，反射率不变，通过使保护膜多层化来提高反射率的情况。专利文献1(日本)特开2000-322766号公报。
发明内容如上所述，若在基板上形成多个信息层，则由于激光跟前侧的信息层将激光吸收，因此对于激光，里侧的信息层的反射率容易降低。因此，本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种光记录介质，在具有多个信息层的多层型相变型光记录介质中，距离光入射的一侧远的里侧的信息层具有高反射率，而且损害生产性。另外，本发明的目的在于提供一种光记录介质，在具有至少一层信息层的相变型光记录介质中，具有高反射率。为了解决上述课题，本发明提供以下(a)～(d)相变型光记录介质。(a)一种通过光L记录或者再生信息的光记录介质D，其中，包括使上述光入射的基板1；以及信息层D2，在上述基板上按照第1保护膜8、第2保护膜9、记录膜10的顺序至少层叠该第1保护膜、第2保护膜、记录膜；当特定波长的上述光的上述第1保护膜的折射率为n1、上述第2保护膜的折射率为n2时，满足以下公式(1)至公式(3)n1＞n2…(1)、n1-n2≥0.02…(2)、2.1≤n1≤2.5、1.5≤n2＜2.1…(3)。(b)(a)记载的光记录介质，其特征在于当上述第1保护膜的膜厚为d1、上述第2保护膜的膜厚为d2，且上述特定波长为λ时，满足以下公式(4)0.17≤(d1+d2)/λ≤0.25…(4)。(c)(b)记载的光记录介质，其特征在于上述第1保护膜以及第2保护膜由包含ZnS和SiO2中的至少一种的材料构成，当构成上述第1保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α1，构成上述第2保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α2时，满足以下公式(5)0≤α1≤0.2、0.3≤α2≤0.8…(5)。(d)(a)至(c)中的任一项记载的光记录介质，其特征在于包括上述信息层作为从上述基板的光所入射的入射面看位于里侧的里侧信息层，而且包括比上述里侧信息层还位于上述入射面侧的入射面侧信息层D1；上述里侧信息层对于上述特定波长具有28％以上的反射率。(e)一种通过光(L)记录或者再生信息的光记录介质(D20)，其中，包括使上述光入射的基板(201)；以及信息层(D2)，在上述基板上按照第1保护膜(208)、第2保护膜(209)、第3保护膜(210)、记录膜(211)的顺序至少层叠该第1保护膜、第2保护膜、第3保护膜、记录膜；当特定波长的上述光的上述第1保护膜的折射率为n21、上述第2保护膜的折射率为n22，上述第3保护膜的折射率为n23时，满足n21＞n22＞n23、或者n22＞n21＞n23。(f)(e)记载的光记录介质，其特征在于在从上述第1至第3保护膜中的2个保护膜的折射率之差的绝对值|n21-n22|、|n22-n23|、|n21-n23|之中，最小的折射率之差Δn是0.01以上。(g)(f)记载的光记录介质，其特征在于当上述第1保护膜的膜厚为d21、上述第2保护膜的膜厚为d22、上述第3保护膜的膜厚为d23，且上述特定波长为λ时，满足0.17≤(d21+d22+d23)/λ≤0.26。(h)(e)至(g)中的任一项记载的光记录介质，其特征在于上述第1保护膜、第2保护膜以及第3保护膜由包含ZnS和SiO2中的至少一种的材料构成，当构成上述第1保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α1，构成上述第2保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α2，构成上述第3保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α3时，α1、α2、α3为0以上0.8以下。(i)(e)至(g)中的任一项记载的光记录介质，其特征在于包括上述信息层作为从上述基板的光所入射的入射面看位于里侧的里侧信息层，而且包括比上述里侧信息层还位于上述入射面侧的入射面侧信息层；上述里侧信息层对于上述特定波长具有28％以上的反射率。发明效果如下若采用本发明，在具有多个信息层的相变型光记录介质中，里侧的信息层可得到高反射率，而且损害量产性。另外，在具有至少一层信息层的相变型光记录介质中，可得到高反射率。图1是表示作为本发明的第1实施方式的多层型光记录介质D的放大剖面图。图2是表示第2信息层D2的反射率与折射率之差之间的关系的图。图3是表示第4保护膜9的膜厚d2占第3保护膜8和第4保护膜9的总膜厚(d1+d2)的比例与第2信息层D2的反射率之间的关系的图。图4是表示(d1+d2)/λ与第2信息层D2的反射率之间的关系的图。图5是表示ZnS-SiO2中的SiO2的摩尔比与折射率n之间的关系的图。图6是表示第2信息层D2单独的反射率与第2信息层D2的反射率之间的关系的图。图7是表示作为本发明的第一个实施方式的具有一层信息层的相变型光记录介质Ds的放大剖面图。图8是表示作为本发明的第2实施方式的多层型光记录介质D20的放大剖面图。图9是表示第2信息层D2的反射率与折射率之差之间的关系的图。图10是表示(d21+d22+d23)/λ与第2信息层D2的反射率之间的关系的图。图11是表示第2信息层D2单独的反射率与第2信息层D2的反射率之间的关系的图。图12表示作为本发明的第2实施方式的具有一层信息层的相变型光记录介质D20s的放大剖面图。附图标记1第1基板(基板)；8第3保护膜(第1保护膜)9第4保护膜(第2保护膜)；10记录膜11第5保护膜(第3保护膜)；12反射膜具体实施方式《光记录介质的构成》作为包括多层具有记录膜的信息层的相变型光记录介质(以下称为多层型光记录介质)，可列举DVD-RW等相变型光盘、光卡等可反复重写信息的介质。而且，在以下说明中，使用多层型光盘(光记录介质)D作为本发明的多层型光记录介质的一个实施方式，但对于除此以外的具有同样结构的多层型光记录介质也可以适用本发明。图1是表示作为本发明的第1实施方式的多层型光记录介质D的放大剖面图。光记录介质D是基本结构如下的介质在以用于记录、再生或者擦除的激光L入射的入射面1A作为底面的第1基板1上，中间隔着第1信息层D1和中间层7，层叠了第2信息层D2和第2基板13。在光记录介质D中，位于入射面1A侧的第1信息层D1是顺序层叠了第1保护膜2、半透射记录膜3、第2保护膜4、半透射反射膜5、光学调整膜6的信息层。从激光L的入射面1A看位于里侧的第2信息层D2，是形成在以第2基板13的标签面13B作为底面的第2基板13上且顺序层叠了反射膜12、第5保护膜11、记录膜10、第4保护膜9、第3保护膜8的信息层。第1信息层D1的光学调整膜6和第2信息层D2的第3保护膜8间隔着中间层7被对置地粘接。图8是表示作为本发明的第2实施方式的多层型光记录介质D20的放大剖面图。光记录介质D20是基本结构如下的介质在以用于记录、再生或者擦除的激光L入射的入射面201A作为底面的第1基板201上，间隔着第1信息层D1和中间层207，层叠了第2信息层D2和第2基板214。在光记录介质D20中，位于入射面201A侧的第1信息层D1是顺序层叠了第1保护膜202、半透射记录膜203、第2保护膜204、半透射反射膜205、光学调整膜206的信息层。从激光L的入射面201A看位于里侧的第2信息层D2，是形成在以第2基板214的标签面214B作为底面的第2基板214上且顺序层叠了反射膜213、第6保护膜212、记录膜211、第5保护膜210、第4保护膜209、第3保护膜208的信息层。第1信息层D1的光学调整膜206和第2信息层D2的第3保护膜208间隔着中间层207被对置地粘接。作为第1基板1、201的材料可以使用各种透明的合成树脂、透明玻璃等。由于对第2信息层D2的记录再生是从入射面1A、201A通过第1信息层D1进行的，因此第2基板13、214不必是透明的，可以使用与第1基板1、201相同的材料。作为这样的第1基板1、201以及第2基板13、214的材料，可以列举例如玻璃、聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。特别是因为光学的双折射以及吸湿性小且成形容易而优选聚碳酸酯树脂。第1基板1、201及第2基板13、214的厚度未特别限定，但考虑到与总厚度是1.2mm的DVD的兼容性，优选是0.01mm～0.6mm，尤其最优选是0.55mm～0.6mm。若第1基板1、201的厚度小于0.01mm，则用从第1基板1、201的入射面1A、201A侧收敛的激光来记录时容易受到尘埃的影响，因此不优选。另外，不限制光记录介质D、D20的总厚度，实用上只要在0.01mm～5mm的范围内即可。若为5mm以上，则难以使物镜的数值孔径变大，而照射激光的光斑尺寸变大，故难以提高记录密度。第1基板1、201以及第2基板13、214可以是挠性的，也可以是刚性的。挠性的第1基板1、201以及第2基板13、214使用在带状、片状、卡状的光记录介质上。刚性的第1基板1、201以及第2基板13、214使用在卡状或者盘状的光记录介质上。第1保护膜2、202，第2保护膜4、204，第3保护膜8、208，第4保护膜9、209，第5保护膜11、210以及第6保护膜212(以下称为第1保护膜～第6保护膜)防止因第1基板1、201，半透射记录膜3、203，记录膜10、211以及第2基板13、214等记录时发热变形而导致记录特性劣化。另外，具有利用光学的干涉效应来改善再生信号的对比度的效果。希望第1保护膜～第6保护膜分别对于记录、再生或者擦除用的激光是透明的，折射率n在1.5≤n≤2.3的范围。进而第1保护膜～第5保护膜的材料从热特性方面看，优选SiO2、SiO、ZnO、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、MgO等氧化物，ZnS、In2S3、TaS4等硫化物，SiO、TaC、WC、TiC等碳化物的单体以及混合物。尤其优选ZnS和SiO2的混合膜，因为经过记录、擦除的反复操作，很难发生记录灵敏度、C/N、擦除率等劣化。另外，第1保护膜～第6保护膜可以不是相同的材料、组成，也可以由不同的材料构成。第1保护膜2、202，第3保护膜8、208，第4保护膜9、209以及第5保护膜210的厚度大概在5nm～500nm的范围即可。进而，第1保护膜2、202，第3保护膜8、208，第4保护膜9、209以及第5保护膜210的厚度，优选为可得到所希望的光学特性，且难以从第1基板1、201或半透射记录膜3、203或中间层7、207或记录膜10、211上剥离。若考虑这些，则优选第1保护膜2、202的厚度，将第3保护膜8和第4保护膜9加在一起的厚度，以及将第3保护膜208、第4保护膜209和第5保护膜210加在一起的厚度之中任一厚度都在40nm～200nm的范围。若比40nm薄，则难以确保所希望的光学特性，若比200nm厚，则发生裂缝或剥离，进而生产性恶化。优选第2保护膜4、204，第5保护膜11以及第6保护膜212的厚度在0.5nm～50nm的范围，以便使C/N、擦除率等记录特性良好，且可以稳定地多次改写。若比0.5nm薄，则难以确保半透射记录膜3以及记录膜10的热，因而使良好C/N或擦除率好的最佳记录功率上升，若比50nm厚，则招致重写时的C/N或擦除特性的恶化，不优选。半透射记录膜3、203以及记录膜10、211是由Sb-Te合金中包含Ag、Si、Al、Ti、Bi、Ga、In、Ge之中至少一种以上的组成，或者Ge-Sb合金中包含In、Sn、Bi之中至少一种以上的组成，或者Ga-Sb合金中包含In、Sn、Bi之中至少一种以上的组成而构成的合金膜。优选半透射记录膜3、203的膜厚为3nm～15nm。若膜厚比3nm薄，则结晶化速度下降记录特性变差，若比15nm厚，则第1信息层D1的透射率下降。另外，优选记录膜10、211的膜厚为10nm～25nm。若它比10nm薄，则光吸收变小难以发热而造成记录灵敏度的恶化，若比25nm厚，则在记录时需要大的激光功率。半透射记录膜3、203以及记录膜10、211可以不是相同的材料、组成，也可以由不同的材料构成。另外，也可以设置与半透射记录膜3、203以及记录膜10、211的单面或者两面相接的界面膜。作为界面膜的材料重要的是不包含硫磺物。若使用含有硫磺物的材料作为界面膜，则经过反复的重写，包含在界面膜中的硫磺在半透射记录膜3、203或者记录膜10、211中扩散，记录特性劣化，因此不优选。作为界面膜的材料优选包含氮化物、氧化物、碳化物之中至少一种的材料，具体地优选包含氮化锗、氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化锆、氧化铬、碳化硅、碳之中至少一种的材料。另外，也可以使这些材料中含有氧、氮、氢等。上述氮化物、氧化物、碳化物也可以不是化学计量组成，氮、氧、碳也可以过多或不足。作为半透射反射膜5、205以及反射膜12、213的材料，可以列举具有光反射特性的Al、Au、Ag等金属、以这些金属作为主成分包含由一种以上的金属或半导体构成的添加元素的合金、以及在这些金属中混合了Al、Si等的金属氮化物、金属氧化物、金属硫族化合物等金属化合物的混合物质等。在此，所谓“主成分”是指在构成半透射反射膜5、205的全部材料之中Al、Au、Ag等金属所占的比例超过全部材料的50％的情况，优选90％以上的情况。尤其优选Au、Ag等金属、以及以这些金属作为主成分的合金，因为可以提高光反射特性，且提高热传导率。作为合金的例子，一般在Al中混合Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn、Zr等至少一种元素，或者，在Au或Ag中混合Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni、Nd等至少一种元素等。但在考虑到高线速记录时，从记录特性看，特别优选以热传导率高的Ag作为主成分的金属或合金。另外，半透射反射膜5优选对于记录光的波长容易透射的材料，特别优选衰减系数小的Au、Ag。但是，在半透射反射膜5、205或者反射膜12、213中使用纯银或银合金时，为了防止成为出错率要因的AgS化合物的生成，优选与半透射反射膜5、205或者反射膜12、213相接的膜使用不含有S的材料。半透射反射膜5、205的厚度随形成半透射反射膜5、205的材料的热传导率的大小而变化，但优选为3nm～20nm。若半透射反射膜5、205的厚度比3nm薄，则不能够吸收在半透射记录膜3、203中发出的热，因而记录特性差，若比20nm厚，则第1信息层D1的透射率差，因而不优选。另外，反射膜12、213的厚度也随形成反射膜12、213的材料的热传导率的大小而变化，但优选为50nm～300nm。如果反射膜12、213的厚度是50nm以上，则反射膜12、213不光学地变化，不会影响反射率的值，若反射膜12的厚度增加，则对冷却速度的影响变大。另外，形成超过300nm的厚度在制造上需要许多时间。因此，通过使用热传导率高的材料，使反射膜12、213的层厚控制在上述最佳范围内。在此，当在半透射反射膜5、205或者反射膜12、213中使用Ag或者Ag合金，在第2保护膜4、204或者第5保护膜11、第6保护膜212中使用ZnS的混合物时，优选在第2保护膜4和半透射反射膜5之间、第2保护膜204和半透射反射膜205之间、第5保护膜11和反射膜12之间、或者第6保护膜212和反射膜213之间插入扩散防止膜(未图示)。这是为了抑制第2保护膜4、204、第5保护膜11、第6保护膜212中的S与半投射反射膜5、205、反射膜12、213中的Ag发生化学反应而生成的AgS化合物所造成的反射率的降低。扩散防止膜的材料与上述界面膜相同，是不含硫磺物的材料，具体的材料可以使用与界面膜材料相同的材料、金属、半导体、氮化硅、氮化锗、氮化锗铬。为了使第1信息层D1的透射率提高，优选光学调整膜6、206具有比半透射反射膜5、205的材料还高的折射率，且衰减系数比1还小。另外，考虑光学调整膜6、206的折射率或透射的激光的波长将光学调整膜6、206的膜厚设定为使第1信息层D1的透射率变大。例如，当激光具有660nm的波长，光学调整膜6的折射率是2.1时，优选40nm～70nm的膜厚。作为光学调整膜6、206的材料，优选Ge、Si、SiH任一单体，或者以Ge、Si、SiH中的某一个作为主成分的材料，或者SiO2、SiO、ZnO、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、MgO等氧化物、ZnS、In2S3、TaS4等硫化物、SiC、TaC、WC、TiC等碳化物的单体或混合物。尤其优选ZnS和SiO2的混合膜，因为溅射速度快，生产性高。在此，所谓“作为主成分”是指在构成光学调整膜6、206的全部材料之中Ge、Si、SiH等所占的比例超过全部材料的50％的情况，优选90％以上的情况。《光记录介质的制造方法》作为将第1保护膜2、半透射记录膜3、第2保护膜4、半透射反射膜5、光学调整膜6、第3保护膜8、第4保护膜9、记录膜10、第5保护膜11、反射膜12等叠膜在第1基板1或第2基板13上，或者将第1保护膜202、半透射记录膜203、第2保护膜204、半透射反射膜205、光学调整膜206、第3保护膜208、第4保护膜209、第5保护膜210、记录膜211、第6保护膜212、反射膜213等叠膜在第1基板201或第2基板214上的方法，可以列举公知的真空中的薄膜形成法。例如，真空蒸镀法(电阻加热型或电子束型)、离子镀法、溅射法(直流或交流溅射、反应性溅射)，特别优选溅射法，因为组成、膜厚的控制容易。另外，优选在真空槽内将多个基板同时成膜时的批量法、或使用一次处理一枚基板的枚叶式成膜装置。所形成的各个膜的膜厚控制能够容易地通过控制溅射电源的投入功率和时间，或用水晶振动型膜厚计监测淀积状态来进行。另外，上述各膜的形成可以在固定了基板的状态或者移动、旋转了基板的状态下进行。因为膜厚的面内的均匀性良好，所以优选使基板自转，而且更优选与公转组合。能够按照成膜时的基板发热状况，根据需要进行基板冷却和减少基板的弯曲量。为了形成光记录介质D有如下方法间隔着由黏接片或紫外线固化树脂形成的中间层7，将在第1基板1上顺序成膜了第1保护膜2、半透射记录膜3、第2保护膜4、半透射反射膜5、光学调整膜6的信息层，与在第2基板13上顺序成膜了反射膜12、第5保护膜11、记录膜10、第4保护膜9、第3保护膜8的信息层粘接(第1形成方法)。另外，其他的形成方法有如下方法在第1基板1上顺序成膜第1保护膜2、半透射记录膜3、第2保护膜4、半透射反射膜5、光学调整膜6后，涂敷紫外线固化树脂，压上用于槽转印的透明压模(clearstamper)的同时，通过紫外线照射使该紫外线固化树脂固化而形成中间层7，剥离透明压模；其后，在中间层7上顺序成膜第3保护膜8、第4保护膜9、记录膜10、第5保护膜11、反射膜12，最后由黏接片或紫外线固化树脂粘接第2基板13(第2形成方法)。若考虑生产性，则第1形成方法比第2形成方法更优选。对于光记录介质D20也优选用与第1形成方法相同的形成方法来形成。为了使利用上述形成方法形成的光记录介质D、D20初始化，需要继续在半透射记录膜3、203以及记录膜10、211上照射激光、或氙闪光灯等的光，加热半透射记录膜3、203以及记录膜10、211的构成材料使其结晶化。优选通过激光初始化，因为再生噪声少。《第3保护膜8以及第4保护膜9的折射率的研究》本发明人为了提高第1实施方式的光记录介质D中的第2信息层D2的反射率，双膜化地形成像第3保护膜8、第4保护膜9这样的与中间层7和构成第2信息层D2的记录膜10相邻的保护膜，基于下述的实施例1、2以及比较例1～3调查了第3保护膜8的折射率n1和第4保护膜9的折射率n2的大小关系以及和第2信息层D2的反射率的关系。在使用第1实施方式的光记录介质D进行的以下各实施例以及各比较例中，光学常数测量使用株式会社沟尻光学工业所制作的椭圆偏振仪(DVA-3613)，在硅晶片上使用想测量的材料通过溅射形成约100nm厚度的膜，且以测量波长λ＝660nm来进行。接着，使用装载了波长是660nm的激光二极管、NA＝0.60的光学镜头的パルステツク(pulstec)工业株式会社制作的光盘驱动测试机(DDU-1000)，进行第2信息层D2的反射率测量。(实施例1)在直径为120mm、板厚为0.6mm的聚碳酸酯树脂制的第1基板1上形成下述各膜。在第1基板1上以轨道间距为0.74μm来形成空槽。该槽深度是25nm，凹槽(groove)宽度和凸区(land)宽度之比大约是50∶50。而且凹槽从激光L的入射方向看成凸状。首先，将真空容器内排气至3×10-4Pa后，在2×10-1Pa的Ar气体环境中，使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶，利用高频磁控溅射法，在第1基板1上形成厚度70nm的第1保护膜2。接着，用Ag-In-Sb-Te的合金靶形成厚度5nm的半透射记录膜3。接着，顺序层叠使用与第1保护膜2相同的材料形成的厚度10nm的第2保护膜4、使用Ag-Pd-Cu合金靶形成的厚度10nm的半透射反射膜5、使用与第1保护膜2相同的材料形成的厚度50nm的光学调整膜6，来制作第1信息层D1。接着，用与第1信息层D1相同条件的溅射，在与第1基板1相同地成型的第2基板13上，顺序层叠使用与半透射反射膜5相同的材料形成的厚度100nm的反射膜12、使用与第1保护膜2相同的材料形成的厚度25nm的第5保护膜11、使用与半透射反射膜3相同的材料形成的厚度20nm的记录膜10、使用添加了40mol％SiO2的ZnS靶形成的厚度70nm的第4保护膜9、使用与第1保护膜2相同的材料形成的厚度70nm的第3保护膜8，来制作第2信息层D2。接着，将丙烯类紫外线固化树脂(大日本インキ化学工业株式会社制SD661)旋转涂敷在第1信息层D1的光学调整膜6上，利用紫外线照射使膜厚50μm的中间层7固化而形成，使第2信息层D2的第3保护膜8与光学调整膜6相对地贴在一起而得到图1所示的光记录介质D。将形成为轨道方向的光束宽度比光记录介质D的半径方向的光束宽度宽的形状的宽束激光，照射在这样制作的光记录介质D上，加热半透射记录膜3和记录膜10到结晶化温度以上，进行初始化处理。接着，测量使激光通过第1信息层D1照射到第2信息层D2时的、第2信息层D2的反射率。而且，反射率以能够良好再生的5.0％作为下限值，只要是在5.0％以上的值即为良好的反射率。进一步，在硅晶片上以上述条件用溅射只形成100nm的第3保护膜8，用椭圆偏振仪测量折射率n1，在硅晶片上以上述条件用溅射只形成100nm的第4保护膜9，用椭圆偏振仪测量折射率n2。在表1中示出测量结果。在材料一栏中，例如将添加了20mol％SiO2的ZnS靶记载为ZnS(80)-SiO2(20)。而且，表1中也示出以下实施例2以及比较例1～3的结果。参见表1如表1所示，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.95，因此满足n1＞n2的关系。进而，第2信息层D2的反射率为6.0％，可得到超过5.0％的良好的值。(实施例2)除使用添加了10mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜8，使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为2.02，满足n1＞n2的关系。进而，第2信息层D2的反射率为5.9％，可得到良好的结果。(比较例1)除使第4保护膜9的材料与第3保护膜8相同以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为2.10，是n1＝n2的关系。进而，第2信息层D2的反射率为4.8％，低于下限值5.0％，不好。(比较例2)除使用添加了40mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜8，使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为1.95，第4保护膜9的折射率n2为2.10，是n1＜n2的关系。进而，第2信息层D2的反射率为4.3％，低于下限值5.0％，不好。(比较例3)除使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜8，使用添加了10mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.02，第4保护膜9的折射率n2为2.18，是n1＜n2的关系。进而，第2信息层D2的反射率为4.4％，低于下限值5.0％，不好。通过以上说明，判明了当双膜化地形成像第3保护膜8、第4保护膜9这样的设置在中间层7和记录膜10之间且构成第2信息层D2的保护膜，进而接近中间层7的第3保护膜8的折射率为n1，接近记录膜10的第4保护膜9的折射率为n2时，若各自的折射率满足n1＞n2的关系，则第2信息层D2的反射率为良好的值。这是由于本实施方式的第3保护膜8、第4保护膜9对于测量波长λ足够的薄，所以相互地光学干涉并增强波长λ的光，因此与反射率的提高息息相关。比较例1使第3保护膜8和第4保护膜9的材料相同，因此实质上成为了1层保护膜，第2信息层D2不能得到足够的反射率。而且，在本实施方式中，使用波长λ＝660nm测量折射率，但并不限定在测量中使用的波长λ。特别当使用405nm～680nm的波长λ时，若满足上述关系来制作光记录介质D，则第2信息层D2的反射率成为良好的值。《第3保护膜8和第4保护膜9的折射率差的研究》本发明人为了使上述那样的第3保护膜8和第4保护膜9的折射率满足n1＞n2的关系的第2信息层D2的反射率为更良好的值，推定在n1和n2的折射率之差(n1-n2)中也许存在可得到良好的反射率的范围，由上面所述的实施例1、下述的实施例3～6以及上面所述的比较例1求出优选的范围。(实施例3)除使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为2.02，折射率之差(n1-n2)为0.08。第2信息层D2的反射率为5.5％，可得到良好的结果。表2中示出结果。而且，表2中也示出实施例1和以下的实施例4～6以及比较例1的结果。参见表2(实施例4)除使用添加了50mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.86，折射率之差为0.24。第2信息层D2的反射率为6.3％，可得到良好的结果。(实施例5)除使用添加了60mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.78，折射率之差为0.32。第2信息层D2的反射率为6.7％，可得到良好的结果。(实施例6)除使用添加了10mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜8，使用添加了60mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为1.78，折射率之差为0.40。第2信息层D2的反射率为7.0％，可得到良好的结果。基于以上表2所示结果，图2中示出第2信息层D2的反射率与折射率之差的关系。由图2判明了第2信息层D2得到5.0％以上的反射率，折射率之差(n1-n2)为0.02以上。可考虑只要折射率之差是0.02以上，对于激光波长，第3保护膜8以及第4保护膜9发生光学干涉，可得到高的反射率。另外，若折射率之差是0.08以上，则优选可得到考虑了生产余裕的足够的反射率。进而，更优选折射率之差是反射率为6.0％左右、能够确保进一步的生产余裕的0.15以上。而且，在本实施方式中，使用波长λ＝660nm测量折射率，但并不限定在测量中使用的波长λ。特别当使用405nm～680nm的波长λ时，若满足上述关系来制作光记录介质D，则第2信息层D2的反射率为良好的值。《第3保护膜8和第4保护膜9的折射率的范围的研究》进而，本发明人推定也许存在第3保护膜8的折射率n1以及第4保护膜9的折射率n2的可得到良好反射率的n1以及n2的范围，由上面所述的实施例3、下述的实施例7～9以及比较例4～7求出折射率n1、n2的优选范围。而且，将如上所述可以成为良好再生的5.0％设定为反射率的下限值，而且将10.0％设定为反射率的上限值。若反射率大于上限值，则存在由驱动器或记录器误识别不同种类的光记录介质的可能。(实施例7)除使用SiO2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.50，进而，第2信息层D2的反射率为8％，可得到良好的结果。在表3中示出结果。而且，表3中也示出实施例3和以下实施例8、9、比较例4～7的结果。参见表3(实施例8)除使用Nb2O5形成第3保护膜8，使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.50，第4保护膜9的折射率n2为2.02，进而，第2信息层D2的反射率为7.2％，可得到良好的结果。(实施例9)除使用Nb2O5形成第3保护膜8，使用SiO2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.50，第4保护膜9的折射率n2为1.50，进而，第2信息层D2的反射率为9.9％，可得到良好的结果。(比较例4)除使用添加了50mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜8，使用SiO2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为1.78，第4保护膜9的折射率n2为1.50，第2信息层D2的反射率为4.8％，不能得到良好的结果。(比较例5)除使用MgF2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.30，第2信息层D2的反射率为10.1％，不能得到良好的结果。(比较例6)除使用Nb2O5形成第3保护膜8，使用MgF2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.50，第4保护膜9的折射率n2为1.30，第2信息层D2的反射率为12.5％，不能得到良好的结果。(比较例7)除使用SiH形成第3保护膜8，使用添加了50mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为3.00，第4保护膜9的折射率n2为1.78，第2信息层D2的反射率为10.5％，不能得到良好的结果。如以上表3所示，判明了在第2信息层D2中，若第3保护膜8的折射率n1满足2.1≤n1≤2.5，第4保护膜9的折射率n2满足1.5≤n2≤2.1的关系，则可得到5.0％以上10.0％以下的良好的反射率的值。而且，在本发明方式中，使用波长λ＝660nm来测量折射率，但并不限定在测量中使用的波长λ。特别当使用405nm～680nm的波长λ时，若满足上述关系来制作光记录介质D，则第2信息层D2的反射率为良好的值。《第3保护膜8以及第4保护膜9的膜厚的研究》本发明人进而推定当第3保护膜8的膜厚为d1、第4保护膜9的膜厚为d2，记录、再生或者擦除用激光的波长为λ时，也许在第3保护膜8和第4保护膜9的总膜厚(d1+d2)和激光的波长λ之间存在可得到第2信息层D2的良好的反射率的关系，基于实施例10～实施例21以及比较例8～比较例23求出反射率成为良好的总膜厚和波长λ的关系((d1+d2)/λ)。图3中示出第4保护膜9的膜厚d2占第3保护膜8和第4保护膜9的总膜厚(d1+d2)的比例与第2信息层D2的反射率的关系。第3保护膜8使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶，第4保护膜9使用添加了40mol％SiO2的ZnS靶而形成。由图3可知，当第4保护膜9的膜厚d2约占50％的比例时，第2信息层D2的反射率为最大值。因此，若第3保护膜8的膜厚d1和第4保护膜9的膜厚d2以大致相同的膜厚形成，则第2信息层D2的反射率为良好，因此优选。因此，在以下的实施例10～实施例21以及比较例8～比较例23中使第3保护膜8的膜厚d1和第4保护膜9的膜厚d2相等来形成光记录介质D。(实施例10)除以60nm的厚度d1形成第3保护膜8，以60nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.95，进而，第2信息层D2的反射率为5.47％，可得到良好的结果。参见表4(实施例11)除以65nm的厚度d1形成第3保护膜8，以65nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.95，进而，第2信息层D2的反射率为5.87％，可得到良好的结果。(实施例12)除以70nm的厚度d1形成第3保护膜8，以70nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.95，进而，第2信息层D2的反射率为6.00％，可得到良好的结果。(实施例13)除以75nm的厚度d1形成第3保护膜8，以75nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.95，进而，第2信息层D2的反射率为5.86％，可得到良好的结果。(实施例14)除以80nm的厚度d1形成第3保护膜8，以80nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.10，第4保护膜9的折射率n2为1.95，进而，第2信息层D2的反射率为5.45％，可得到良好的结果。(实施例15)除使用添加了10mol％SiO2的ZnS靶，以55nm的厚度d1形成第3保护膜8，使用添加了50mol％SiO2的ZnS靶，以55nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为1.78，进而，第2信息层D2的反射率为5.65％，可得到良好的结果。(实施例16)除以60nm的厚度d1形成第3保护膜8，以60nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为1.78，进而，第2信息层D2的反射率为6.38％，可得到良好的结果。(实施例17)除以65nm的厚度d1形成第3保护膜8，以65nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为1.78，进而，第2信息层D2的反射率为6.85％，可得到良好的结果。(实施例18)除以70nm的厚度d1形成第3保护膜8，以70nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为1.78，进而，第2信息层D2的反射率为7.00％，可得到良好的结果。(实施例19)除以75nm的厚度d1形成第3保护膜8，以75nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为1.78，进而，第2信息层D2的反射率为6.83％，可得到良好的结果。(实施例20)除以80nm的厚度d1形成第3保护膜8，以80nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为1.78，进而，第2信息层D2的反射率为6.36％，可得到良好的结果。(实施例21)除以85nm的厚度d1形成第3保护膜8，以85nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第3保护膜8的折射率n1为2.18，第4保护膜9的折射率n2为1.78，进而，第2信息层D2的反射率为5.65％，可得到良好的结果。(比较例8)除以30nm的厚度d1形成第3保护膜8，以30nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为1.93％，不能得到良好的结果。(比较例9)除以35nm的厚度d1形成第3保护膜8，以35nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为2.00％，不能得到良好的结果。(比较例10)除以40nm的厚度d1形成第3保护膜8，以40nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为2.45％，不能得到良好的结果。(比较例11)除以45nm的厚度d1形成第3保护膜8，以45nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为3.26％，不能得到良好的结果。(比较例12)除以50nm的厚度d1形成第3保护膜8，以50nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为4.07％，不能得到良好的结果。(比较例13)除以55nm的厚度d1形成第3保护膜8，以55nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为4.85％，不能得到良好的结果。(比较例14)除以85nm的厚度d1形成第3保护膜8，以85nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为4.84％，不能得到良好的结果。(比较例15)除以90nm的厚度d1形成第3保护膜8，以90nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为4.07％，不能得到良好的结果。(比较例16)除以95nm的厚度d1形成第3保护膜8，以95nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例1相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为3.26％，不能得到良好的结果。(比较例17)除以30nm的厚度d1形成第3保护膜8，以30nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为2.25％，不能得到良好的结果。(比较例18)除以35nm的厚度d1形成第3保护膜8，以35nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为2.33％，不能得到良好的结果。(比较例19)除以40nm的厚度d1形成第3保护膜8，以40nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为2.86％，不能得到良好的结果。(比较例20)除以45nm的厚度d1形成第3保护膜8，以45nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为3.80％，不能得到良好的结果。(比较例21)除以50nm的厚度d1形成第3保护膜8，以50nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为4.75％，不能得到良好的结果。(比较例22)除以90nm的厚度d1形成第3保护膜8，以90nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为4.75％，不能得到良好的结果。(比较例23)除以95nm的厚度d1形成第3保护膜8，以95nm的厚度d2形成第4保护膜9以外，以与实施例15相同的条件制作光记录介质D。当进行与实施例1相同的测量时，第2信息层D2的反射率为3.80％，不能得到良好的结果。基于以上表4所示的结果，在图4中示出(d1+d2)/λ(光路长度)和第2信息层D2的反射率的关系。由图4可知，第3保护膜8的折射率n1为2.10、第4保护膜9的折射率n2为1.95的光记录介质D(实施例10～实施例14以及比较例8～比较例13)，在(d1+d2)/λ为0.17以上0.25以下的范围内，可得到5.0％以上的第2信息层D2的反射率。另外，第3保护膜8的折射率n1为2.18、第4保护膜9的折射率n2为1.78的光记录介质D(实施例15～实施例21以及比较例14～比较例23)，在(d1+d2)/λ为0.155以上0.27以下的范围内，可得到5.0％以上的第2信息层D2的反射率。因此，在任一的折射率n1、n2的组合中，只要(d1+d2)/λ在0.17以上0.25以下的范围内，即可得到5.0％以上的第2信息层D2的反射率，是优选的关系。另外，若(d1+d2)/λ在0.20以上0.23以下的范围内，则可得到更良好的第2信息层D2的反射率，因此更优选。而且，在本实施方式中使激光的波长λ为660nm，求出第2信息层D2可得到良好的反射率的(d1+d2)/λ，但波长λ当然并不限定于此。尤其若使用405nm～680nm的波长λ，(d1+d2)/λ成为0.17以上0.25以下来制作光记录介质D，则第2信息层D2的反射率成为良好的值。如表4所示，在本实施方式中可得到良好的第2信息层D2的反射率的第3保护膜8和第4保护膜9的总膜厚(d1+d2)为110nm以上的厚度。因此，若考虑量产性，则形成第3保护膜8和第4保护膜9的材料优选溅射速度快的材料。表5分别示出用于形成第3保护膜8以及第4保护膜9的材料及其折射率、溅射速度。而且溅射速度是以添加了20mol％SiO2的ZnS靶(ZnS(80)-SiO2(20))为1.0作为比较的值。若小于1.0，则表示比(ZnS(80)-SiO2(20))的溅射速度还慢。参见表5由表5判明了溅射速度接近1.0的材料只有ZnS和SiO2的混合物(ZnS-SiO2)，其他材料(SiO2、SiC、TiO2、SiH、GeN、ZnO、ZrO2、以及Nb2O5)的溅射速度大幅度小于1.0。因此，若使用ZnS-SiO2以外的材料，则溅射速度慢不适于量产性。因此，必须在第3保护膜8以及第4保护膜9中使用ZnS-SiO2，以便第3保护膜8的折射率n1和第4保护膜9折射率n2满足上面所述的关系来形成光记录介质D。可得到第2信息层D2的高反射率，且能够形成在量产性上优良的光记录介质D。图5示出在ZnS-SiO2中的SiO2的摩尔比和折射率n的关系。若SiO2的摩尔比变大，则折射率n变小。如上面所述，优选第3保护膜8的折射率n1满足2.1≤n1≤2.5。由图5可知，为了满足折射率n1的值，SiO2的摩尔比小于0.2即可。因此，判明了即使使用SiO2的摩尔比为0的ZnS的单体，也可以满足折射率n1的值。同样地，因为优选第4保护膜9的折射率n2满足1.5≤n2≤2.1，所以使SiO2的摩尔比大于0.3小于0.9即可。但是，若SiO2的摩尔比超过0.8，则溅射速度变慢，因此不适合量产。通过以上说明，若使用含有ZnS和SiO2至少一种的材料来形成第3保护膜8和第4保护膜9，形成第3保护膜8的材料中SiO2的摩尔比α1为0≤α1≤0.2，形成第4保护膜9的材料中SiO2的摩尔比α2为0.3≤α2≤0.8，则可得到良好的第2信息层D2的反射率。图6示出第2信息层D2单独的反射率和第2信息层D2的反射率的关系。所谓“第2信息层D2单独”是指在第1基板1上不设置第1信息层D1以及中间层7，而形成第1实施方式的光记录介质D的第2信息层D2，接着形成第2基板13。分别将第2信息层D2的构成设定为规定的透射率T(0.42、0.46、0.50)，在各透射率T的构成中，使第2信息层D2单独的反射率增大。第2信息层D2单独的反射率使用パルステツク工业株式会社制光盘驱动测试机(DDU-1000)来测量。以同样的构成条件分别形成第1实施方式的光记录介质D，测量第2信息层D2的反射率。而且，本实施方式的第1信息层D1的透射率对于660nm的激光波长λ为0.43左右。由图6可知，在任一的透射率T中，若第2信息层D2单独的反射率为28％以上，则第2信息层D2的反射率为5.0％以上。因此，本实施方式的光记录介质D中，优选从激光入射面1A看里侧的第2信息层D2单独的反射率为28％以上。《第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的折射率的研究》接着，为了提高第2实施方式的光记录介质D20中的第2信息层D2的反射率，三膜化地形成像第3保护膜208、第4保护膜209、第5保护膜210这样的与中间层207和构成第2信息层D2的记录膜211相邻的保护膜，基于下述的实施例51～53以及比较例51～55调查了第3保护膜208的折射率n21、第4保护膜209的折射率n22、第5保护膜210的折射率n23的大小关系和第2信息层D2的反射率的关系。使用第2实施方式的光记录介质D20进行以下各实施例以及各比较例，使用的测量机与在第1实施方式中使用的相同，进行光学常数测量以及第2信息层D2的反射率测量。(实施例51)在直径为120mm、板厚为0.6mm的聚碳酸酯树脂制的第1基板201上形成下述各膜。在第1基板201上以轨道间距为0.74μm来形成空槽。该槽深度是25nm，凹槽宽度和凸区宽度之比大约是50∶50。而且凹槽从激光L的入射方向看成凸状。首先，将真空容器内排气至3×10-4Pa后，在2×10-1Pa的Ar气体环境中，使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶，利用高频磁控溅射法，在第1基板201上形成厚度70nm的第1保护膜202。接着，用Ag-In-Sb-Te的合金靶形成厚度5nm的半透射记录膜203。接着，顺序层叠使用与第1保护膜202相同的材料形成的厚度10nm的第2保护膜204、用Ag-Pd-Cu合金靶形成的厚度10nm的半透射反射膜205、用与第1保护膜202相同的材料形成的厚度50nm的光学调整膜206，来制作第1信息层D1。接着，用与第1信息层D1相同条件的溅射，在与第1基板201相同地成型的第2基板214上，顺序层叠使用与半透射反射膜205相同的材料形成的厚度100nm的反射膜213、用与第1保护膜202相同的材料形成的厚度25nm的第6保护膜212、用与半透射反射膜203相同的材料形成的厚度20nm的记录膜211、用添加了60mol％SiO2的ZnS靶形成的厚度47nm的第5保护膜210、用添加了40mol％SiO2的ZnS靶形成的厚度47nm的第4保护膜209、用与第1保护膜202相同的材料形成的厚度47nm的第3保护膜208，来制作第2信息层D2。接着，将丙烯类紫外线固化树脂(大日本インキ化学工业株式会社制SD661)旋转涂敷在第1信息层D1的光学调整膜206上，利用紫外线照射使膜厚50μm的中间层207固化而形成，使第2信息层D2的第3保护膜208与光学调整膜206相对地贴在一起而得到图8所示的光记录介质D20。将形成为轨道方向的光束宽度比光记录介质D20的半径方向的光束宽度宽的宽束形状的激光，照射在这样制作的光记录介质D20上，加热半透射记录膜203和记录膜211到结晶化温度以上，进行初始化处理。接着，测量使激光通过第1信息层D1照射到第2信息层D2时的、第2信息层D2的反射率。而且，反射率以可以成为良好再生的5.0％作为下限值，只要在5.0％以上的值即作为良好的反射率。进一步，在硅晶片上以上述条件用溅射只形成100nm的第3保护膜208，用椭圆偏振仪测量折射率n21。同样地，在硅晶片上只形成100nm的第4保护膜209来测量折射率n22，只形成100nm的第5保护膜210来测量折射率n23。在表6中示出测量结果。在材料一栏中，例如将添加了20mol％SiO2的ZnS靶记载为ZnS(80)-SiO2(20)。而且，表6中也示出以下实施例52、53以及比较例51～55的结果。参见表6如表6所示，第3保护膜208的折射率n21为2.10，第4保护膜209的折射率n22为1.95，第5保护膜210的折射率n23为1.78，因此满足n21＞n22＞n23的关系。第2信息层D2的反射率为6.0％，可得到超过5.0％的良好的值。(实施例52)除使用添加了10mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜208，使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜209，使用添加了40mol％SiO2的ZnS靶形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，第3保护膜208的折射率n21为2.18，第4保护膜209的折射率n22为2.02，第5保护膜210的折射率n23为1.95，满足n21＞n22＞n23的关系。第2信息层D2的反射率为5.7％，可得到良好的结果。(实施例53)除使用添加了40mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜208，使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜209以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，第3保护膜208的折射率n21为1.95，第4保护膜209的折射率n22为2.10，第5保护膜210的折射率n23为1.78，满足n22＞n21＞n23的关系。第2信息层D2的反射率为5.9％，可得到良好的结果。(比较例51)除使第4保护膜209、第5保护膜210的材料与第3保护膜208相同以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，第3保护膜208的折射率n21、第4保护膜209的折射率n22、第5保护膜210的折射率n23都是2.10，是n21＝n22＝n23的关系。第2信息层D2的反射率为4.6％，低于下限值5.0％，不好。(比较例52)除使用添加60mol％SiO2的ZnS靶来形成第4保护膜209，使用添加40mol％SiO2的ZnS靶来形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，第3保护膜208的折射率n21为2.10，第4保护膜209的折射率n22为1.78，第5保护膜210的折射率n23为1.95，是n21＞n23＞n22的关系。第2信息层D2的反射率为4.3％，低于下限值5.0％，不好。(比较例53)除使用添加60mol％SiO2的ZnS靶来形成第3保护膜208，使用添加20mol％SiO2的ZnS靶来形成第4保护膜209，使用添加40mol％SiO2的ZnS靶来形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，第3保护膜208的折射率n21为1.78，第4保护膜209的折射率n22为2.10，第5保护膜210的折射率n23为1.95，是n22＞n23＞n21的关系。第2信息层D2的反射率为4.1％，低于下限值5.0％，不好。(比较例54)除使用添加40mol％SiO2的ZnS靶来形成第3保护膜208，使用添加60mol％SiO2的ZnS靶来形成第4保护膜209，使用添加20mol％SiO2的ZnS靶来形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，第3保护膜208的折射率n21为1.95，第4保护膜209的折射率n22为1.78，第5保护膜210的折射率n23为2.10，是n23＞n21＞n22的关系。第2信息层D2的反射率为3.7％，低于下限值5.0％，不好。(比较例55)除使用添加60mol％SiO2的ZnS靶来形成第3保护膜208，使用添加20mol％SiO2的ZnS靶来形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，第3保护膜208的折射率n21为1.78，第4保护膜209的折射率n22为1.95，第5保护膜210的折射率n23为2.10，是n23＞n22＞n21的关系。第2信息层D2的反射率为3.1％，低于下限值5.0％，不好。通过以上说明，判明了当三膜化地形成第3保护膜208、第4保护膜209、第5保护膜210这样的设置在中间层207和记录膜211之间且构成第2信息层D2的保护膜，进而，第3保护膜208的折射率为n21，第4保护膜209的折射率为n22、第5保护膜210的折射率为n23时，若各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，或n22＞n21＞n23的关系，则第2信息层D2的反射率为良好的值。这是由于本实施方式的第3保护膜208、第4保护膜209及第5保护膜210对于测量波长λ足够的薄，所以相互地光学干涉并增强波长λ的光，因此与反射率提高息息相关。比较例51使第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的材料相同，因此实质上成为了1层保护膜，第2信息层D2不能得到足够的反射率。而且，在本实施方式中，使用波长λ＝660nm测量折射率，但并不限定在测量中使用的波长λ。特别当使用405nm～680nm的波长λ时，若满足上述关系来制作光记录介质D20，则第2信息层D2的反射率成为良好的值。《第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的折射率差的研究》本发明人为了使上述那样的第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的折射率满足n21＞n22＞n23的关系或n22＞n21＞n23的关系的第2信息层D2的反射率为更良好的值，推定在这些折射率之差中也许存在可得到良好的反射率的范围，由下述的实施例54～60以及比较例56、57求出优选的范围。折射率之差分别求出n21、n22、n23中的2个折射率之差的绝对值(|n21-n22|、|n22-n23|、|n21-n23|)，设其中最小的值为Δn，作为指标。(实施例54)除使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜209、使用添加了40mol％SiO2的ZnS靶形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0.08。第2信息层D2的反射率为5.9％，可得到良好的结果。表7中示出结果。而且，表7中也示出以下实施例55～60以及比较例56、57的结果。参见表7(实施例55)除使用添加了50mol％SiO2的ZnS靶形成第5保护膜210以外，以与实施例54相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例54相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0.08。第2信息层D2的反射率为6.3％，可得到良好的结果。(实施例56)除使用添加了60mol％SiO2的ZnS靶形成第5保护膜210以外，以与实施例54相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例54相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0.08。第2信息层D2的反射率为6.7％，可得到良好的结果。(实施例57)除使用添加了10mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜208，使用添加了60mol％SiO2的ZnS靶形成第5保护膜210以外，以与实施例54相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例54相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0.16。第2信息层D2的反射率为7.0％，可得到良好的结果。(实施例58)除使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜208，使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜209以外，以与实施例54相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例54相同的测量时，各自的折射率满足n22＞n21＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0.08。第2信息层D2的反射率为6.0％，可得到良好的结果。(实施例59)除使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜208，使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜209，使用添加了60mol％SiO2的ZnS靶形成第5保护膜210以外，以与实施例54相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例54相同的测量时，各自的折射率满足n22＞n21＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0.08。第2信息层D2的反射率为6.5％，可得到良好的结果。(实施例60)除使用添加了30mol％SiO2的ZnS靶形成第3保护膜208，使用添加了10mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜209，使用添加了60mol％SiO2的ZnS靶形成第5保护膜210以外，以与实施例54相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例54相同的测量时，各自的折射率满足n22＞n21＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0.16。第2信息层D2的反射率为7.1％，可得到良好的结果。(比较例56)除使用添加了25mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜209以外，以与实施例54相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例54相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0.03。在本比较例中，第2信息层D2的反射率为4.9％，低于下限值5.0％，不好。(比较例57)除使用添加了20mol％SiO2的ZnS靶形成第4保护膜209以外，以与实施例54相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例54相同的测量时，各自的折射率满足n21＝n22＞n23的关系，且折射率之差Δn(|n21-n22|)为0。在本比较例中，第2信息层D2的反射率为4.6％，低于下限值5.0％，不好。基于以上表7所示结果，图9示出第2信息层D2的反射率与折射率之差Δn的关系。由图9判明了得到第2信息层D2为5.0％以上的反射率，折射率之差Δn需要是0.01以上。可考虑只要折射率之差Δn是0.01以上，对于激光波长，第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210发生光学干涉，可得到高的反射率。另外，若折射率之差Δn是0.08以上，则反射率为6.0％左右，可以确保考虑了生产余裕的足够的反射率，是优选的。而且，在本实施方式中，使用波长λ＝660nm测量折射率，但并不限定在测量中使用的波长λ。特别当使用405nm～680nm的波长λ时，若满足上述关系来制作光记录介质D20，则第2信息层D2的反射率为良好的值。《第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的膜厚的研究》本发明人进而推定当第3保护膜208的膜厚为d21、第4保护膜209的膜厚为d22、第5保护膜210的膜厚为d23，且记录、再生或者擦除用激光的波长为λ时，在第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的总膜厚(d21+d22+d23)和激光的波长λ之间也许存在可得到第2信息层D2的良好的反射率的关系，基于上面所述的实施例51和实施例61～实施例71以及比较例58～比较例73求出反射率为良好的总膜厚和波长λ的关系((d21+d22+d23)/λ)(光路长度)。(实施例61)除以40nm的厚度d21形成第3保护膜208，以40nm的厚度d22形成第4保护膜209，以40nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为5.53％，可得到良好的结果。表8中示出结果。而且，表8中也示出上面所述的实施例51和以下实施例62～实施例71、比较例58～比较例73的结果。参见表8(实施例62)除以43nm的厚度d21形成第3保护膜208，以43nm的厚度d22形成第4保护膜209，以43nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为5.90％，可得到良好的结果。(实施例63)除以50nm的厚度d21形成第3保护膜208，以50nm的厚度d22形成第4保护膜209，以50nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为5.88％，可得到良好的结果。(实施例64)除以53nm的厚度d21形成第3保护膜208，以53nm的厚度d22形成第4保护膜209，以53nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为5.52％，可得到良好的结果。(实施例65)除使用添加了10mol％SiO2的ZnS靶，以37nm的厚度d21形成第3保护膜208，使用添加了60mol％SiO2的ZnS靶，以37nm的厚度d22形成第4保护膜209，使用添加了80mol％SiO2的ZnS靶，以37nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为5.65％，可得到良好的结果。(实施例66)除以40nm的厚度d21形成第3保护膜208，以40nm的厚度d22形成第4保护膜209，以40nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为6.38％，可得到良好的结果。(实施例67)除以43nm的厚度d21形成第3保护膜208，以43nm的厚度d22形成第4保护膜209，以43nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为6.85％，可得到良好的结果。(实施例68)除以47nm的厚度d21形成第3保护膜208，以47nm的厚度d22形成第4保护膜209，以47nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为7.00％，可得到良好的结果。(实施例69)除以50nm的厚度d21形成第3保护膜208，以50nm的厚度d22形成第4保护膜209，以50nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为6.83％，可得到良好的结果。(实施例70)除以53nm的厚度d21形成第3保护膜208，以53nm的厚度d22形成第4保护膜209，以53nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为6.36％，可得到良好的结果。(实施例71)除以57nm的厚度d21形成第3保护膜208，以57nm的厚度d22形成第4保护膜209，以57nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，进而，第2信息层D2的反射率为5.65％，可得到良好的结果。(比较例58)除以20nm的厚度d21形成第3保护膜208，以20nm的厚度d22形成第4保护膜209，以20nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为1.90％，也不能得到良好的结果。(比较例59)除以23nm的厚度d21形成第3保护膜208，以23nm的厚度d22形成第4保护膜209，以23nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为2.02％，也不能得到良好的结果。(比较例60)除以27nm的厚度d21形成第3保护膜208，以27nm的厚度d22形成第4保护膜209，以27nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为2.50％，也不能得到良好的结果。(比较例61)除以30nm的厚度d21形成第3保护膜208，以30nm的厚度d22形成第4保护膜209，以30nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为3.28％，也不能得到良好的结果。(比较例62)除以33nm的厚度d21形成第3保护膜208，以33nm的厚度d22形成第4保护膜209，以33nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为4.09％，也不能得到良好的结果。(比较例63)除以37nm的厚度d21形成第3保护膜208，以37nm的厚度d22形成第4保护膜209，以37nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为4.78％，也不能得到良好的结果。(比较例64)除以57nm的厚度d21形成第3保护膜208，以57nm的厚度d22形成第4保护膜209，以57nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为4.82％，也不能得到良好的结果。(比较例65)除以60nm的厚度d21形成第3保护膜208，以60nm的厚度d22形成第4保护膜209，以60nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为4.11％，也不能得到良好的结果。(比较例66)除以63nm的厚度d21形成第3保护膜208，以63nm的厚度d22形成第4保护膜209，以63nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例51相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例51相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为3.30％，也不能得到良好的结果。(比较例67)除以20nm的厚度d21形成第3保护膜208，以20nm的厚度d22形成第4保护膜209，以20nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为2.21％，也不能得到良好的结果。(比较例68)除以23nm的厚度d21形成第3保护膜208，以23nm的厚度d22形成第4保护膜209，以23nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为2.34％，也不能得到良好的结果。(比较例69)除以27nm的厚度d21形成第3保护膜208，以27nm的厚度d22形成第4保护膜209，以27nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为2.91％，也不能得到良好的结果。(比较例70)除以30nm的厚度d21形成第3保护膜208，以30nm的厚度d22形成第4保护膜209，以30nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为3.77％，也不能得到良好的结果。(比较例71)除以33nm的厚度d21形成第3保护膜208，以33nm的厚度d22形成第4保护膜209，以33nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为4.71％，也不能得到良好的结果。(比较例72)除以60nm的厚度d21形成第3保护膜208，以60nm的厚度d22形成第4保护膜209，以60nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为4.72％，也不能得到良好的结果。(比较例73)除以63nm的厚度d21形成第3保护膜208，以63nm的厚度d22形成第4保护膜209，以63nm的厚度d23形成第5保护膜210以外，以与实施例65相同的条件制作光记录介质D20。当进行与实施例65相同的测量时，即使各自的折射率满足n21＞n22＞n23的关系，但第2信息层D2的反射率为3.78％，也不能得到良好的结果。基于以上表8所示的结果，在图10中示出(d21+d22+d23)/λ和第2信息层D2的反射率的关系。由图10可知，第3保护膜208的折射率n21为2.10、第4保护膜209的折射率n22为1.95、第5保护膜210的折射率n23为1.78的光记录介质D20(实施例51、实施例61～实施例64以及比较例58～比较例66)，在(d21+d22+d23)/λ为0.17以上0.26以下的范围内，可得到5.0％以上的第2信息层D2的反射率。另外，第3保护膜208的折射率n21为2.18、第4保护膜209的折射率n22为1.78、第5保护膜210的折射率n23为1.63的光记录介质D20(实施例65～实施例71以及比较例67～比较例73)，在(d21+d22+d23)/λ为0.15以上0.27以下的范围内，可得到5.0％以上的第2信息层D2的反射率。因此，在任一的折射率n21、n22、n23的组合中，只要(d21+d22+d23)/λ在0.17以上0.26以下的范围内，即可得到5.0％以上的第2信息层D2的反射率，是优选的关系。另外，若(d21+d22+d23)/λ在0.18以上0.24以下的范围内，则可得到更良好的第2信息层D2的反射率，因此更优选。而且，在本实施方式中使激光的波长λ为660nm，求出第2信息层D2可得到良好的反射率的(d21+d22+d23)/λ，但波长λ当然并不限定于此。尤其若使用405nm～680nm的波长λ，(d21+d22+d23)/λ成为0.17以上0.26以下来制作光记录介质D20，则第2信息层D2的反射率成为良好的值。如表8所示，在本实施方式中可得到良好的第2信息层D2的反射率的第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的总膜厚(d21+d22+d23)为110nm以上的厚度。因此，若考虑量产性，则形成第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的材料优选溅射速度快的材料。基于前面所示的表5，对用于形成第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210的材料及其折射率、溅射速度进行研究。由表5判明了溅射速度接近1.0的材料只有ZnS和SiO2的混合物(ZnS-SiO2)，其他材料(SiO2、SiC、TiO2、SiH、GeN、ZnO、ZrO2、以及Nb2O5)的溅射速度大幅度小于1.0。因此，若使用ZnS-SiO2以外的材料，则溅射速度慢，不适于量产性。由此，需要在第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210中使用ZnS-SiO2，以便第3保护膜208的折射率n21和第4保护膜209的折射率n22和第5保护膜210的折射率n23满足上面所述的关系来形成光记录介质D20。通过满足上面所述的关系，可得到第2信息层D2的高反射率，且能够形成在量产性上优良的光记录介质D20。如图5所示，若SiO2的摩尔比变大，则折射率n变小。另外，若SiO2的摩尔比超过0.8则溅射速度变慢，因此不适合量产。通过以上说明，优选使用含有ZnS和SiO2至少一种的材料来形成第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210。进而，当形成第3保护膜208的材料中的SiO2的摩尔比为α1，形成第4保护膜209的材料中的SiO2的摩尔比为α2，形成第5保护膜210的材料中的SiO2的摩尔比为α3时，若使用α1、α2、α3分别为0以上0.8以下的材料，则可得到良好的第2信息层D2的反射率。图11示出第2信息层D2单独的反射率和第2信息层D2的反射率的关系。所谓“第2信息层D2单独”是指在第1基板201上不设置第1信息层D1以及中间层207，而形成第2实施方式的光记录介质D20的第2信息层D2，接着形成第2基板214。分别将第2信息层D2的构成设定为规定的透射率T(0.42、0.46、0.50)，在各透射率T的构成中，使第2信息层D2单独的反射率增大。第2信息层D2单独的反射率使用パルステツク工业株式会社制作的光盘驱动测试机(DDU-1000)来测量。以同样的构成条件分别形成第2实施方式的光记录介质D20，测量第2信息层D2的反射率。而且，本实施方式的第1信息层D1的透射率对于660nm的激光波长λ为0.43左右。由图11可知，在任一的透射率T中，若第2信息层D2单独的反射率为28％以上，则第2信息层D2的反射率为5.0％以上。因此，本实施方式的光记录介质D20中，优选从激光入射面201A看里侧的第2信息层D2单独的反射率为28％以上。本发明对使用包括多层具有记录膜的信息层的多层型相变化光记录介质D进行研究，但即使是如图7所示的信息层是1层的相变型光记录介质Ds，若满足上面所述的第3保护膜8和第4保护膜9的关系地形成信息层，也可得到高的反射率。图7的光记录介质Ds是基本构成如下的介质在以记录、再生或擦除用激光L入射的入射面21A为底面的第1基板21上，顺序层叠第1保护膜22、第2保护膜23、记录膜24、第3保护膜25、反射膜26，且在其上涂覆第4保护膜27。第1保护膜22、第2保护膜23分别对应于图1所示的多层型相变化光记录介质D的第3保护膜8和第4保护膜9。因此，第1保护膜22的折射率n12和第2保护膜23的折射率n13满足上面所述的第3保护膜8的折射率n1和第4保护膜9的折射率n2的关系而形成即可。另外，即使是如图12所示的信息层是1层的相变型光记录介质D20s，若满足上面所述的第3保护膜208和第4保护膜209和第5保护膜210的关系而形成信息层，也可得到高的反射率。图12的光记录介质D20s是基本构成如下的介质在以记录、再生或擦除用激光L入射的入射面221A为底面的第1基板221上，顺序层叠第1保护膜222、第2保护膜223、第3保护膜224、记录膜225、第4保护膜226、反射膜227，且在其上涂覆第5保护膜228。第1保护膜222、第2保护膜223以及第3保护膜224分别对应于图8所示的多层型相变化光记录介质D20的第3保护膜208、第4保护膜209以及第5保护膜210。因此，第1保护膜222的折射率n222和第2保护膜223的折射率n223和第3保护膜224的折射率n224，满足上面所述的第3保护膜208的折射率n21和第4保护膜209的折射率n22和第5保护膜210的折射率n23的关系而形成即可。表1表2表3表4表5表6表7表8权利要求1.一种通过光记录或者再生信息的光记录介质，其中包括基板，使上述光入射；以及信息层，在上述基板上按照第1保护膜、第2保护膜、记录膜的顺序至少层叠该第1保护膜、第2保护膜、记录膜；当特定波长的上述光的上述第1保护膜的折射率为n1、上述第2保护膜的折射率为n2时，满足以下公式(1)至公式(3)n1＞n2…(1)n1-n2≥0.02…(2)2.1≤n1≤2.5、1.5≤n2＜2.1…(3)。2.根据权利要求1记载的光记录介质，其特征在于当上述第1保护膜的膜厚为d1、上述第2保护膜的膜厚为d2，且上述特定波长为λ时，满足以下公式(4)0.17≤(d1+d2)/λ≤0.25…(4)。3.根据权利要求2记载的光记录介质，其特征在于上述第1保护膜以及第2保护膜由包含ZnS和SiO2中的至少一种的材料构成，当构成上述第1保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α1，构成上述第2保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α2时，满足以下公式(5)0≤α1≤0.2、0.3≤α2≤0.8…(5)。4.根据权利要求1至3中的任一项记载的光记录介质，其特征在于包括上述信息层作为从上述基板的光所入射的入射面看位于里侧的里侧信息层，而且包括比上述里侧信息层还位于上述入射面侧的入射面侧信息层；上述里侧信息层对于上述特定波长具有28％以上的反射率。5.一种通过光记录或者再生信息的光记录介质，其中，包括基板，使上述光入射；以及信息层，在上述基板上按照第1保护膜、第2保护膜、第3保护膜、记录膜的顺序至少层叠该第1保护膜、第2保护膜、第3保护膜、记录膜；当特定波长的上述光的上述第1保护膜的折射率为n21、上述第2保护膜的折射率为n22，上述第3保护膜的折射率为n23时，满足以下公式(1)或者公式(2)n21＞n22＞n23…(1)n22＞n21＞n23…(2)。6.根据权利要求5记载的光记录介质，其特征在于在从上述第1至第3保护膜中的2个保护膜的折射率之差的绝对值|n21-n22|、|n22-n23|、|n21-n23|之中，最小的折射率之差Δn是0.01以上。7.根据权利要求6记载的光记录介质，其特征在于当上述第1保护膜的膜厚为d21、上述第2保护膜的膜厚为d22、上述第3保护膜的膜厚为d23，且上述特定波长为λ时，满足以下公式(3)0.17≤(d21+d22+d23)/λ≤0.26…(3)。8.根据权利要求5至7中的任一项记载的光记录介质，其特征在于上述第1保护膜、第2保护膜以及第3保护膜由包含ZnS和SiO2中的至少一种的材料构成，当构成上述第1保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α1，构成上述第2保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α2，构成上述第3保护膜的上述材料的SiO2摩尔比为α3时，α1、α2、α3为0以上0.8以下。9.根据权利要求5至7中的任一项记载的光记录介质，其特征在于包括上述信息层作为从上述基板的光所入射的入射面看位于里侧的里侧信息层，而且包括比上述里侧信息层还位于上述入射面侧的入射面侧信息层；上述里侧信息层对于上述特定波长具有28％以上的反射率。全文摘要本发明提供一种光记录介质，在具有至少1层信息层的相变型光记录介质中，可得到高的反射率。光记录介质(D)包括在以激光(L)所入射的入射面(1A)为底面的第1基板1上按照第1保护膜8、第2保护膜9、记录膜10的顺序至少层叠该第1保护膜、第2保护膜、记录膜的信息层D2。当特定波长的光L中的第1保护膜的折射率为n1，第2保护膜的折射率为n2时，满足以下公式(1)至公式(3)n1＞n2…(1)，n1－n2≥0.02…(2)，2.1≤n1≤2.5、1.5≤n2＜2.1…(3)。文档编号G11B7/24GK101075450SQ20071010218公开日2007年11月21日申请日期2007年4月29日优先权日2006年5月17日发明者田畑浩,野村昭彦,樋口慎二申请人:日本胜利株式会社