专利名称：光盘装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有对记录在光盘中的信息进行再现的功能的光盘装置，特别涉及使 用了蓝紫色发光的半导体激光器的光盘装置。
背景技术：
近年来，为了记录高清晰度(high vision)图像等高精细图像，使用了波长405nm 的蓝紫色发光的半导体激光器的光盘装置正被实用化。通过使用该蓝紫色发光的半导 体激光器，能够将激光集中为更小的点照射到光盘上，所以与使用波长660nm的半导 体激光器的以往的光盘装置相比，能够提高光盘的记录密度，提高记录容量。蓝紫色发光的半导体激光器具有在降低了光功率时相对强度噪声(RIN: Relative intensity noise)变得非常大这样的特性，所以在使用了蓝紫色发光的半导体激光器的 光盘装置中，需要将再现时的光功率设定得较高。但是，由于提高光功率，会出现光 盘劣化、数据删除这样的再现光劣化的问题。发明内容本发明的一个方案的光盘装置包括射出激光的半导体激光器；将从半导体激光 器射出的激光聚光到光盘上的聚光装置；接收从光盘反射来的反射光的检测装置；使 光盘旋转的驱动装置；控制半导体激光器和驱动装置的控制装置。在对光盘进行再现 时，控制装置使半导体激光器以第1功率射出激光，并使驱动装置以第l线速度旋转 光盘，其中所述第l功率是实现不影响再现的相对强度噪声的功率，所述第l线速度 是在半导体激光器以第1功率发光时不发生再现光劣化的线速度。
图1是表示本发明实施方式的光盘装置的结构的图。图2是表示本发明实施方式的半导体激光器的功率与相对强度噪声的关系的一例的图。
具体实施方式
本发明将通过以下的基于优选实施方式的说明而得到明确。这些实施方式只是例 示，并非限定本发明的范围。首先，在详细说明本发明的实施方式之前，先说明实施方式的优选实施例。本发 明的一个方案的光盘装置包括射出激光的半导体激光器；将从半导体激光器射出的 激光聚光到光盘上的聚光装置；接收从光盘反射来的反射光的检测装置；使光盘旋转 的驱动装置；控制半导体激光器和驱动装置的控制装置。在对光盘进行再现时，控制 装置使半导体激光器以第1功率射出激光，并使驱动装置以第1线速度旋转光盘，其 中所述第1功率是实现不影响再现的相对强度噪声的功率，所述第1线速度是在半导 体激光器以第1功率发光时不发生再现光劣化的线速度。通过该方案，能够将半导体激光器的相对强度噪声抑制得较低，能够既实现良好 的再现特性，又防止再现光劣化。由于不需要设置在激光的光路中增减强度滤光器的 机构等，仅改变激光的功率和光盘的线速度就能实现，所以能够廉价地构成光盘装置。光盘装置可以还包括将半导体激光器的功率与相对强度噪声的关系作为第1关系 进行存储的第1存储装置，控制装置参照第1关系设定第1功率。另外，光盘装置可 以还包括第2存储装置，将光盘再现时的半导体激光器的功率与作为不发生再现光劣 化的线速度的最低线速度的关系作为第2关系进行存储，控制装置参照第2关系设定 第1线速度。在这些情况下，能够合适地设定第1功率和第1线速度。控制装置可以在由于光盘的旋转角速度上限而无法实现第l线速度时，设定旋转 角速度上限时的线速度以下的第2线速度，使半导体激光器以第2功率发光，其中所 述第2功率是在第2线速度下不发生再现光劣化的功率。图1是表示本发明实施方式的光盘装置100的结构的图。这里，图示了与光盘装 置100所具有的功能中的再现功能相关的结构要素。图1中所示的各功能块在硬件上 可以由计算机的CPU、存储器等元件和机械装置实现，软件上可以通过计算机程序等 实现，但此处描述通过它们的合作来实现的功能块。因此，本领域技术人员能够理解 这些功能块能够通过硬件、软件的组合以各种形式实现。如图1所示，光盘装置100包括光拾取装置10、控制施加给光拾取装置10的半导体激光器12的电流的激光器控制部34、使光盘50旋转的主轴电机30、控制施加 给主轴电机30的电流的电机控制部32、向电机控制部32和激光器控制部34发出指 示的主控制部36、存储部38。另外，虽然省略了图示，但光盘装置100还具有用于 使光拾取装置10相对于光盘50改变位置的结构要素。光拾取装置IO包括半导体激光器12、准直透镜14、分光器(beamsplitter) 16、 物镜18、聚光透镜20、光电二极管22。作为半导体激光器12，使用GaN系的蓝紫色 发光的半导体激光器(波长405rnn)。半导体激光器12根据来自激光器控制部34的 施加电流，输出功率P的激光Ls。准直透镜14、分光器16、物镜18作为使半导体激光器12射出的激光Ls聚光到 光盘50上的聚光装置来发挥作用。准直透镜14将来自半导体激光器12的激光Ls变 换成平行光。分光器16使入射的来自准直透镜14的平行光向物镜18反射，并使来 自物镜18的光向聚光透镜20的方向透过。物镜18使来自分光器16的光聚光到光盘 50上。聚光透镜20使来自分光器16的光聚光到光电二极管22上。光电二极管22接 收来自聚光透镜20的光，转换成电信号。这样，光电二极管22作为接收从光盘50 反射的反射光的检测装置来发挥作用。在本实施方式的光盘装置100中，在对光盘50进行再现时，半导体激光器12以 实现对再现没有影响的相对强度噪声的功率Pr射出激光Ls。并且此时，主轴电机30 以在用该功率Pr使半导体激光器12发光时不产生再现光劣化的线速度Vr使光盘50 旋转。一般，通过照射到光盘的盘面上的激光的热能量来在激光所照射到的微小区域形 成记录符号。例如，在相变化型光盘的情况下，仅在激光所照射到的区域，构成记录 层的材料暂时溶解并再次凝固，由此从结晶构造变为非晶质构造，形成记录符号。这 里，为了使光盘高速旋转进行高速记录，需要以更短的时间形成记录符号，所以需要 提高照射到记录层的激光的功率。本发明人关注以上那样的光盘的线速度与记录所需要的激光的功率的关系，从而 想到本发明。B卩，考虑即使将再现时的半导体激光12的功率P提高到实现不影响再 现的相对强度噪声的功率Pr，只要使光盘更高速地旋转，记录层就不会发生变化，也 就能防止再现光劣化了，于是想出了本发明。在光盘的再现技术中， 一般已知的是通过使半导体激光器的相对强度噪声降低到一125dB/Hz以下，能够得到良好的再现特性。因此，对于实现不影响再现的相对强度 噪声的功率Pr，优选使之为半导体激光器12的相对强度噪声在一125dB/Hz以下的功率。图2是表示半导体激光器的功率与相对强度噪声的关系的一例的图。如图2所示， 半导体激光器的相对强度噪声有功率越大相对强度噪声就越小的趋向。通过参考这样 的半导体激光器的功率与相对强度噪声的关系Rpr,能够设定相对强度噪声在一 125dB/Hz以下的半导体激光器12的功率Pr。在图2的例子的情况下，将功率Pr设 定为2.5mW以上的预定功率即可。对于使半导体激光器12以如上那样设定的功率Pr发光时不发生再现光劣化的线 速度Vr，可以通过实验或仿真来适当确定。例如，使半导体激光器12以某功率P发光， 一边用抖动监视器(jitter monitor) 监视光电二极管22的输出的抖动， 一边缓缓增加光盘50的线速度V。在线速度V较 慢时，发生再现光劣化，光电二极管22的输出的抖动变多，但当升高到某线速度Vrmin 以上时，就不再发生再现光劣化，抖动变少了。将该变得不发生再现光劣化的线速度 Vrmin称为"最低线速度Vrmin "。通过一边改变半导体激光器12的功率P， 一边测量针对各功率P的最低线速度 Vrmin，能够得到半导体激光器12的功率P与最低线速度Vraiin的关系Rpv。通过参 照该关系Rpv，能够求出某预定功率Pr时的最低线速度Vnnin，所以只要使光盘50 以该最低线速度Vrmin以上的线速度Vr旋转，就不会发生再现光劣化。存储部38保存如上那样求得的功率P与最低线速度Vrmin的关系、以及图2所 示的功率p与相对强度噪声的关系Rpr。在本实施方式中，存储部38作为存储关系 Rpr的第1存储装置和存储关系Rpv的第2存储装置来发挥作用。优选预先测出关系 Rpv和关系Rpr后存储在存储部38中。例如在工厂中制造光盘装置100时，对每台 装置进行测定并存储。此时，能够精度良好地取得关系Rpv和关系Rpr。另外，也可 以对每一批产品测定一个光盘装置100的关系Rpv和关系Rpr，使该批产品存储相同 的关系Rpv和关系Rpr。这样能够縮短制造工序。主控制部36基于保存在存储部38中的关系Rpv和关系Rpr控制半导体激光器12 的功率P和光盘50的线速度V。 S卩，在被指示对光盘50进行再现时，主控制部36 首先参照关系Rpr，设定相对强度噪声在一125dB/Hz以下的半导体激光器12的功率Pr。接下来，主控制部36参照关系Rpv求出针对所设定的功率Pr的最低线速度Vrmin， 设定该最低线速度Vrmin以上的线速度Vr。然后，主控制部36向激光器控制部34 和电机控制部32发出指示，使得半导体激光器12的功率P成为功率Pr、光盘50的 线速度V成为线速度Vr。由此，激光Ls以实现不对再现产生影响的相对强度噪声的 功率Pr射出，光盘50以在使半导体激光器12按该功率Pr发光时不发生再现光劣化 的线速度Vr旋转，所以能将半导体激光器12的相对强度噪声抑制到较低，能够既实 现良好的再现特性，又防止再现光劣化。下面说明如上那样构成的光盘装置IOO的动作。在被指示对光盘50进行再现时， 主控制部36如上那样设定功率Pr和线速度Vr，向激光器控制部34和电机控制部32发出指不。激光器控制部34对半导体激光器12施加电流，使得半导体激光器12的功率P 成为主控制部36所指示的功率Pr。从半导体激光器12射出的激光Ls被准直透镜14 变换成平行光。该平行光被分光器16反射后，由物镜18聚光在光盘50的盘面上。电机控制部32对主轴电机30施加电流，使得光盘50的线速度V成为主控制部 36所指示的线速度Vr。被光盘50反射来的信号光透过物镜18、分光器16后，由聚 光透镜20聚光到光电二极管22上，在这里变换成电信号，再现出光盘50上所记录 的信息。如上述说明，通过本实施方式的光盘装置100，在再现光盘50时，通过使激光以 实现不影响再现的相对强度噪声的功率Pr射出，并使光盘50以在半导体激光器12 按该功率pr发光时不发生再现光劣化的线速度Vr进行旋转，从而能够将半导体激光 器12的相对强度噪声抑制得较低，能够既实现良好的再现特性，又防止再现光劣化。 由于不需要设置在激光的光路中增减强度滤光器的机构等，仅改变激光的功率和光盘 的线速度就能实现，所以能够廉价地构成光盘装置100。以上基于实施方式对本发明进行了说明。该实施方式仅是个例示，其各结构要素 的组合可以有各种各样的变形例。另外，本领域技术人员能够理解这些变形例也包含 在本发明的范围内。例如，在上述实施方式中，作为半导体激光器例示了蓝紫色发光的半导体激光器， 但本发明不限于此，例如也可以是红色发光的半导体激光器等其他波长波段的半导体 激光器。另外，关于光拾取装置的光学系统，除图1所例示的结构外还有各种各样的变形， 但本发明能够通过控制激光的功率和光盘的线速度来实现，所以可以不受光学系统的 种类限制地适用。在上述实施方式中，是使激光以实现不影响再现的相对强度噪声的功率Pr射出， 并使光盘50以在半导体激光器12按该功率Pr发光时不发生再现光劣化的线速度Vr 旋转的，但由于光盘50的旋转角速度co存在旋转角速度上限"max，所以有时不能实 现预期的线速度Vr。光盘50的线速度V与距盘中心的距离成比例，所以特别在光盘 50的内周侧，有时难以实现预期的线速度Vr。在这样的情况下，主控制部36设定实 际所能实现的线速度Vrl，并使半导体激光器12以在该线速度Vrl下不发生再现光劣 化的功率Prl发光。虽然线速度Vrl成为旋转角速度上限"max时的线速度Vmax以 下的线速度，但优选取尽可能接近线速度Vmax的值。通过这样进行控制，虽然相对 强度噪声的特性多少有所损害，但能够避免发生再现光劣化的情况。
权利要求
1.一种光盘装置，其特征在于，包括射出激光的半导体激光器；将从上述半导体激光器射出的激光聚光到光盘上的聚光装置；接收从上述光盘反射来的反射光的检测装置；使上述光盘旋转的驱动装置；以及控制上述半导体激光器和上述驱动装置的控制装置；其中，在对上述光盘进行再现时，上述控制装置使上述半导体激光器以第1功率射出激光，并使上述驱动装置以第1线速度旋转上述光盘，其中所述第1功率是实现不影响再现的相对强度噪声的功率，所述第1线速度是在上述半导体激光器以上述第1功率发光时不发生再现光劣化的线速度。
2. 根据权利要求1所述的光盘装置，其特征在于还包括将上述半导体激光器的功率与相对强度噪声的关系作为第1关系进行存储 的第1存储装置，上述控制装置参照上述第1关系设定上述第1功率。
3. 根据权利要求2所述的光盘装置，其特征在于还包括第2存储装置，将上述光盘再现时的上述半导体激光器的功率与作为不发 生再现光劣化的线速度的最低线速度的关系作为第2关系进行存储，上述控制装置参 照上述第2关系设定上述第1线速度。
4. 根据权利要求1所述的光盘装置，其特征在于上述控制装置在由于上述光盘的旋转角速度上限而无法实现上述第1线速度时， 设定上述旋转角速度上限时的线速度以下的第2线速度，并使上述半导体激光器以第 2功率发光，其中所述第2功率是在上述第2线速度下不发生再现光劣化的功率。
5. 根据权利要求1所述的光盘装置，其特征在于上述第1功率是上述半导体激光器的相对强度噪声成为一125dB/Hz以下的功率。
6. 根据权利要求1所述的光盘装置，其特征在于 上述半导体激光器是能以蓝紫色的波长波段发光的半导体激光器。
全文摘要
本发明提供一种光盘装置，包括射出激光的半导体激光器；将从半导体激光器射出的激光聚光到光盘上的聚光装置；接收从光盘反射来的反射光的检测装置；使光盘旋转的驱动装置；控制半导体激光器和驱动装置的控制装置。在对光盘进行再现时，控制装置使半导体激光器以第1功率射出激光，并使驱动装置以第1线速度旋转光盘，其中所述第1功率是实现不影响再现的相对强度噪声的功率，所述第1线速度是在半导体激光器以第1功率发光时不发生再现光劣化的线速度。
文档编号G11B7/125GK101266807SQ20071016012
公开日2008年9月17日 申请日期2007年12月24日 优先权日2007年3月14日
发明者川崎良一, 笠原绅正 申请人:三洋电机株式会社;三洋光学设计株式会社