磁再现头、磁头以及磁存储装置的制作方法

专利名称：磁再现头、磁头以及磁存储装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及再现磁性地记录的信息的磁头和搭载有该磁头的磁 存储装置，特别涉及具有高再现输出的磁再现头以及搭载有该磁再现 头的磁记录再现装置。
背景技术：
在磁盘装置的领域中，利用电气电阻根据外部磁场的变化而变化 的磁阻效应的磁阻传感器作为高性能的磁场传感器而被公知，被实用 化成用于在作为磁记录再现装置的主要部件的磁头中对来自磁记录 介质的信号磁场进行检测的再现元件。
磁记录再现装置中的记录密度持续显著提高，与轨道宽度T的 狭小化的同时，磁头关于记录、再现这两个特性也要求高性能化。另 外，对于再现特性，通过发展利用了磁阻效应的MR头而进行着高灵 敏度化。对于几Gb/ii^的低记录密度使用各向异性磁阻效应(ARM) 将记录介质上的磁性信号变换成电信号，但如果成为超过该记录密度 的高记录密度，则需要采用灵敏度更高的巨磁阻效应(GMR)。
相对进一步高记录密度化的请求，伴随上部磁屏蔽层与下部磁屏 蔽层之间的距离(再现间隙长)的狭小化，正在进行沿着与在高灵敏 度化时成为有利的膜面大致垂直的方向流过检测电流的方式(CPP方 式)的研究开发，已报告出利用了 CPP-GMR、隧道磁阻效应(TMR) 的磁再现头。
使用图1、图2对CPP方式的磁再现头的基本结构进行说明。 图1是示出与CPP方式的磁再现头的介质对置面平行的剖面(与元 件高度方向垂直的剖面)的图。图1中的X轴、Y轴、Z轴分别表示 轨道宽度方向、元件高度方向、磁阻效应膜的膜厚方向。在以下的图中X轴、Y轴、Z轴设为表示与图1所示的X轴、Y轴、Z轴相同的 轴。轨道宽度方向填充膜1是与磁阻效应膜3的轨道宽度方向侧壁面 相接而设置的。在填充膜1的上部设置有纵偏置施加层或侧面屏蔽层 5。另外，在图1中2表示上部磁屏蔽层，4表示下部磁屏蔽层。图2 是图1中的a-a，线剖面图，是CPP方式的磁再现头的元件高度方向 的剖面图。在图2中右侧成为磁再现头的介质对置面112。与轨道宽 度方向同样地，元件高度方向填充膜6是与磁阻效应元件3的壁面相 接而设置的。在轨道宽度方向填充膜1以及元件高度方向填充膜6中， 主要使用作为绝缘膜的氧化铝。
在CPP方式的磁再现头中，为了尽可能减小再现间隙长，通常 被制成为上下磁屏蔽层2、 4与磁阻效应膜3电气相接。上部磁屏蔽 层2以及下部磁屏蔽层4兼作用于使电流流过磁阻效应膜3的电极。 此时如果在磁阻效应膜3以外存在使上下磁屏蔽层2、 4之间电气短 路的电路，则其成为检测电流的泄漏路径而造成输出降低。
作为有可能形成短路电路的位置之一，可以举出磁阻效应膜3 的侧壁面。其与磁再现头的形成方法有关。图3示出CPP方式的磁 再现头的2种工序流程图。磁再现头的制造工序包括下部磁屏蔽层的 形成工序、磁阻效应膜的成膜工序、磁阻效应膜的图案化工序、上部 磁屏蔽层的形成工序，图3(a)、 (b)示出的2个工序流程的差异 仅为形成磁阻效应膜的元件高度的工序与形成轨道宽度的工序的顺 序，该顺序根据状况而不同，首先进行哪一个都可以。
在对磁阻效应膜进行图案化而形成元件高度的工序以及形成轨 道宽度的工序中，如图4(a)所示，在下部磁屏蔽层4上形成磁阻效 应膜3之后，如图4(b)所示，使用规定大小的轨道宽度形成用的抗 蚀剂掩模101或元件高度形成用的抗蚀剂掩模111等保护磁阻效应膜 3，如图4 (c)所示，无需的区域被蚀刻。在该蚀刻工序中， 一般使 用利用Ar离子的离子束蚀刻法、利用氯类气体或CO类气体的RIE 法的蚀刻。在蚀刻之后，如图4(d)所示，成膜元件高度方向填充膜 6或轨道宽度方向填充膜1,接下来如图4 (e)所示，通过利用提离
5(lift off)法去除抗蚀剂掩模101或lll和多余的填充膜，分别形成 磁阻效应膜3的元件高度或轨道宽度。另外，虽然未在图4(d)中图 示出，但在形成轨道宽度的工序中，有时还在轨道宽度方向填充膜1 上，成膜侧面屏蔽膜或纵偏置施加层。
此处，在图4(c)所示的蚀刻时，产生被蚀刻物再次附着到磁 阻效应膜3的壁面的被称为再附着的现象。该再附着物是包含形成磁 阻效应膜3或下部磁屏蔽层4的金属的层叠膜，由于具有导电性，所
以有可能成为上述检测电流的泄漏路径。
作为防止由于该再附着物而引起的检测电流的泄漏，在专利文献 1中公开出在进行轨道宽度形成工序时通过在蚀刻后氧化再附着物， 而防止由于附着于磁阻效应膜3的轨道宽度方向的壁面上的再附着而 引起的检测电流的泄漏的方法。该方法的特征在于，通过进行氧化， 将再附着物活用成轨道宽度方向填充膜的一部分。
另外，在专利文献2中公开出如下的方法在图4 (c)所示的 蚀刻中，对成膜于下部磁屏蔽层4上的磁阻效应膜3,使用轨道宽度 形成用的抗蚀剂掩模101或元件高度形成用的抗蚀剂掩模111掩模成
规定的形成，以第i入射角度e,入射离子束而进行蚀刻之后，通过以
与该第l蚀刻的入射角度相比相对磁阻效应膜3更倾斜的第2入射角 度e2 ( e户9i)入射离子束进行蚀刻，而去除附着于磁阻效应膜3的壁 面上的再附着物。另外，此处入射角度被定义成入射离子相对基板的 法线所成的角度。
作为该2阶段蚀刻的进一步高度的方法，在专利文献3中公开出 使用2个填充膜并使第2填充膜的硬度比最初的填充膜的硬度低，以 不能形成用于去除再附着物的离子束难以入射的部分的方法。
专利文献1:日本特开2003 - 86861号/>才艮
专利文献2:日本特开2002 - 26423号7>才艮
专利文献3:日本特开2006 - 24294号〃>才艮
发明内容在轨道宽度小于等于50纳米的情况下，如专利文献l记载，在 蚀刻之后执行了对再附着物进行氧化的处理的情况下，并且如专利文 献3记载，即使使用高度的2阶段的蚀刻，有时也产生检测电流的泄 漏。本发明要解决的课题在于这样的检测电流的泄漏。
本发明的磁再现头具备下部磁屏蔽层；上部磁屏蔽层；形成在 下部磁屏蔽层与上部磁屏蔽层之间的磁阻效应膜；被配置成与磁阻效 应膜的浮动面的相反一侧的壁面相接的元件高度方向填充膜；以及被 配置成与磁阻效应膜的两壁面相接的填充膜，上述磁阻效应膜是具备 自由层、绝缘阻挡层、固定层的隧道磁阻效应膜，上述绝缘阻挡层由 含有氮、硅、或这两方的镁氧化膜、铝氧化膜或钛氧化膜构成。
上述绝缘阻挡层的氮或硅的含有率优选为大于等于lat.%。
本发明的磁头具备上述磁再现头和磁记录头。
本发明的磁存储装置具备上述磁头；沿着记录方向驱动磁存储 介质的驱动部；使磁头相对磁存储介质相对运动的单元；以及用于进 行磁头的信号输入和来自磁头的输出信号再现的记录再现处理单元。
根据本发明，可以提供检测电流的泄漏少且高输出的磁再现头。 另外，通过搭载这样的磁再现头，可以实现具有高记录密度的磁记录 再现装置。


图1是CPP方式磁再现头的轨道宽度方向剖面的概略图。
图2是图1的a-a，线剖面，是CPP方式磁再现头的元件高度方
向剖面的概略图。
图3是示出CPP方式磁再现头的制造工序的流程图。
图4 (a)是示出以往的磁再现头的制造过程中的轨道宽度方向
剖面或元件高度方向剖面的概略图。
图4 (b)是示出以往的磁再现头的制造过程中的轨道宽度方向
剖面或元件高度方向剖面的概略图。
图4 (c)是示出以往的磁再现头的制造过程中的轨道宽度方向剖面或元件高度方向剖面的概略图。
图4 (d)是示出以往的磁再现头的制造过程中的轨道宽度方向 剖面或元件高度方向剖面的概略图。
图4 (e)是示出以往的磁再现头的制造过程中的轨道宽度方向 剖面或元件高度方向剖面的概略图。
图5是本发明的实施例l的磁再现头的元件高度方向剖面的概略图。
图6 (a)是实施例1的磁再现头的制造过程中的元件高度方向 剖面的概略图。
图6 (b)是实施例1的磁再现头的制造过程中的元件高度方向 剖面的概略图。
图6 (c)是实施例1的磁再现头的制造过程中的元件高度方向 剖面的概略图。
图6 (d)是实施例1的磁再现头的制造过程中的元件高度方向 剖面的概略图。
图6 (e)是实施例1的磁再现头的制造过程中的元件高度方向 剖面的概略图。
图6(f)是实施例1的磁再现头的制造过程中的元件高度方向剖 面的概略图。
图6 (g)是实施例1的磁再现头的制造过程中的元件高度方向 剖面的概略图。
图7是示出实施例1的含有氮的绝缘阻挡层的氧缺损降低效果的图。
图8是示出实施例1的含有硅的绝缘阻挡层的氧缺损降低效果的图。
图9是示出实施例1的含有硅和氮的绝缘阻挡层的氧缺损降低效 果的图。
图IO是实施例2的磁再现头的元件高度方向剖面的概略图。 图11是实施例3的面内记录用磁头的概略剖面图。图12是实施例3的垂直记录用磁头的概略剖面图。 图13是实施例4的磁记录再现装置的剖面概略图。 图14是实施例4的磁记录再现装置的平面概略图。
标号说明
1轨道宽度方向填充膜
2上部》兹屏蔽层
4下部》兹屏蔽层
6元件高度方向填充膜
7第1填充膜
8第2填充膜
10、 10，磁再现头
30磁阻效应膜
32固定层
34绝缘阻挡层
36自由层
100面内记录用》兹头
100，垂直记录用》兹头
180下部》兹极
190上部》兹极前端部
192上部磁极
200线圏
210线圏绝缘膜
220间隙
230辅助》兹极
240主磁极
242磁辄
250磁记录再现装置 260万向支架270记录介质 280音圈电动才几 290电动枳i 300信号处理电路
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的实施例进行详细说明。 (实施例1)
图5是示出实施例1的磁再现头的传感器部分的元件高度方向剖 面图。图6 U) ~图6(g)是说明其制造方法的图，示出各工序中 的元件高度方向的剖面。
图5所示的本实施例中的磁再现头10是如图3所示利用在轨道 宽度的形成工序之前进行元件高度的形成工序的方法而制成的。参照 图6(a) ~图6 (g)对磁再现头10的制造方法进行说明。首先，在 包含氧化铝钬碳化物(alumina titanium carbide )等的基板表面(图 示省略)上形成A1203等绝缘体的保护膜，并利用化学机械研磨法 (Chemical Mechanical Polishing, CMP)实施精密研磨之后，形成 下部磁屏蔽层4。其是通过将例如使用溅射法、离子束溅射法、或者 镀敷法制成的包含Ni-Fe类合金的膜图案化成规定的形状而形成的。 通过在其上使入1203生长并实施CMP，基板表面成为下部磁屏蔽层4 和AU03被平坦化的面。进而，在之后的工序中在从形成磁阻效应膜 30的位置离开的部分形成引出电极膜(未图示)。其例如是由Ta、 Au和Ta的层叠膜构成的。
在该下部磁屏蔽层4上，例如利用溅射法或离子束溅射法制成磁 阻效应膜30(图6(a))。磁阻效应膜30构成为具备:例如由包含 Co-Fe类合金的强磁性体的层构成的固定层32;包含氧化镁、氧化 铝、氧化钛等的绝缘阻挡层34;包括包含Ni-Fe类合金或Co - Fe 类合金等的层的自由层36。
接下来，进行元件高度方向的形成。首先，在磁阻效应膜30上涂敷抗蚀剂，并利用膝光装置膝光之后，对其使用显像液进行显像， 从而图案化成期望的形状，将其设为元件高度形成用的抗蚀剂掩模
(提离掩模)111 (图6 (b))。该提离掩模111也可以设为在抗蚀 剂之下涂敷二甲基戊二酰亚胺，并与抗蚀剂同时进行图案化而得到的 2层结构。接下来，对磁阻效应膜30进行离子束蚀刻、反应性离子蚀 刻(RIE)等干蚀刻(第l蚀刻)，通过蚀刻形成关于元件高度方向 的图案(图6 (c))。
接着该蚀刻，通过进行以入射角与第1蚀刻相比相对基板更倾斜 的第2入射角度再次进行离子束蚀刻(第2蚀刻)，可以去除在第1 蚀刻时附着到元件壁面上的再附着物。第2蚀刻的入射角度优选为60 度~80度。另外，也可以通过交替反复几次第l蚀刻和第2蚀刻，进 行元件高度方向的形成，也可以在第l蚀刻与第2蚀刻之间，进行使 用了与第l蚀刻以及第2蚀刻不同的手法或不同的离子入射角度的蚀 刻。
发明者发现在这样的蚀刻工序中，氧可以从包含磁阻效应膜中的 氧化膜的绝缘阻挡层的侧壁面逃脱而产生氧缺损的现象。而且，还发 现如下现象如果存在该氧缺损，则氧化膜的绝缘性恶化，即使在去 除了再附着层的情况下也引起检测电流的泄漏。对于该泄漏，可知如 果成为轨道宽度小于等于50纳米的磁头，则氧原子变得易于活跃地 动作，变得更易于逃脱，所以特别成为问题。此处，发明者为了降低 上述氧缺损而进行专心研究的结果，发现使包含氧化膜的绝缘阻挡层 含有氮、硅、或这两方的做法是有效的。另外，发现更优选为使包含 氧化膜的绝缘阻挡层保有大于等于lat、的氮、硅、或这两方的做法 是有效的。通过将氧化膜设为这样的材料，可以防止氧缺损，可以进 一步减小轨道宽度。
接下来利用溅射法或离子束溅射法成膜由多层构成的元件高度 方向填充膜(第1填充膜)6。此处，优选为在之后进行的形成轨道 宽度的蚀刻工序的第l蚀刻中，设计元件高度方向填充膜6的结构以 及膜厚，以使元件高度方向填充膜6与磁阻效应膜30被蚀刻的深度
ii相等。其原因在于，如上所述，在之后进行的形成轨道宽度的工序中，
设计成不产生在进行用于去除再附着的第2蚀刻时离子束不易入射的 位置。关于这些，记栽于专利文献3(日本特开2006-24294号公报)。 优选为元件高度方向填充膜6中的与磁阻效应膜30直接相接的第1 填充膜7是绝缘膜，由用于抑制由于工艺中的热处理而引起的磁阻效 应膜30的特性劣化的氧化铝形成。
元件高度方向填充膜6中的、成膜于第l填充膜7上的第2填充 膜8可以是绝缘材料、也可以是金属材料，但由于如上所述在之后进 行的形成轨道宽度的工序中，设计成不产生在进行用于去除再附着的 第2蚀刻时离子束不易入射的位置，所以优选设为形成轨道宽度的工 序中的第l蚀刻的蚀刻速度相对第l填充膜7快的材料。
例如，在形成轨道宽度的工序中的第l蚀刻中考虑了离子束蚀刻 的情况下，蚀刻速度的大小与硬度相关，所以第2填充膜8的硬度比 第1填充膜7的硬度低是重要的。即，第1填充膜7优选为硬度高的 绝缘材料，具体而言考虑氧化铝、Ti氧化物等。硬度例如可以使用维 氏硬度进行比较。在考虑由于上述热处理而引起的磁阻效应膜30的 特性劣化，而在第l填充膜7中使用了氧化铝的情况下，作为具体考 虑成第2填充膜8的材料，有M氧化物、Si氧化物、Zr氧化物、Ta 氧化物等。
另外，在形成轨道宽度的工序中的第l蚀刻中考虑了利用CO + NH3类气体、氯类气体进行的反应性蚀刻的情况下，由于蚀刻速度的 大小与反应生成物的蒸气压相关，所以优选为第2填充膜8的反应生 成物的蒸气压比第l填充膜7的反应生成物的蒸气压高。
以上对由2层构成的元件高度方向填充膜6进行了叙述，但进而 也可以在第2填充膜8上成膜第3、第4填充膜，而形成进一步的多 层结构。其中，这些第3、第4填充膜都优选与第2填充膜8同样地， 设为形成轨道宽度的工序中的第1蚀刻的蚀刻速度相对第1填充膜7 快的材料。另外，为了易于实现在之后进行的轨道宽度形成工序中的 图案形成，图6 (d)所示的元件高度方向填充膜6的厚度B优选接
12近图6 (d)所示的磁阻效应膜30的厚度C。接下来，使用有机溶剂 去除提离掩模lll，而可以形成图6 (e)所示那样的形状。
在该工序之后，进行轨道宽度的形成(对其未图示)。在形成该 轨道宽度时，与元件高度形成同样地，使用抗蚀剂、或者抗蚀剂和 PMGI制成抗蚀剂掩模，对磁阻效应膜30进行离子束蚀刻、反应性 离子蚀刻(RIE)等干蚀刻(第l蚀刻)，通过蚀刻形成轨道宽度。 接着该第l蚀刻，通过以入射角与第l蚀刻相比相对基板更倾斜的第 2入射角度进行蚀刻(第2蚀刻)，可以去除在第l蚀刻时附着于元 件侧壁面的再附着物。
此时，如果将元件高度方向填充膜6设为多层结构，并利用蚀刻 速度比第1填充膜7快的材料形成第2填充膜8,则在第2蚀刻时对 元件侧壁面充分地照射离子束，还充分地进行再附着物的去除，所以 是更优选的。
与上述同样地，在这些蚀刻工序中，使包含氧化膜的绝缘阻挡层 34含有氮、硅、或这两方，以使氧无法从磁阻效应膜30中的包含氧 化膜的绝缘阻挡层34的侧壁表面脱离而防止产生氧缺损是重要的。
在对磁阻效应膜30进行了蚀刻之后，成膜轨道宽度方向填充膜 1(第2填充膜)(参照图l)。对于该轨道宽度方向填充膜l，如果 与磁阻效应膜30直接相接的材料为绝缘材料，则可以是多层结构也 可以不是多层结构。该轨道宽度方向填充膜1中的至少与磁阻效应膜 30直接相接的层优选由氧化铝构成。进而，还可以在该轨道宽度方向 填充膜1上成膜纵偏置施加层或侧面屏蔽层，但也可以无该纵偏置施 加层或侧面屏蔽层。最后，例如使用有机溶剂去除抗蚀剂掩模而完成 轨道宽度方向的形成。
之后，在磁阻效应膜30的上部形成包含软磁性体的上部磁屏蔽 层2 (图6 ( f))。在形成该上部磁屏蔽层2时，也可以在作为基底 层而在磁阻效应膜30的上部成膜了 Ta、 NiCr等金属之后，形成上部 磁屏蔽层2。之后，在经过引出端子的堆积工序、或者制成用于向介 质记录信息的记录元件的工序之后，通过利用滑块形成工序形成介质对置面112，得到图5所示的实施例1的磁再现头10 (图6 (g))。 在上述实施例1中，说明了使包含氧化膜的绝缘阻挡层34含有 氮、硅、或这两方的做法对降低氧缺损是有利的，图7、图8、图9 示出轨道宽度为30纳米时的这些效果。图7是向氧化膜添加了氮(N) 时的氧缺损降低效果，图8是向氧化膜添加了硅(Si)时的氧缺损降 低效果，图9是向氧化膜以相同浓度添加了氮和硅这两方时的氧缺损 降低效果。从这些图可知，在大于等于lat,。/。的硅时具有大约一位数 的氧缺损降低效果(图8),在大于等于lat。/。的氮时具有大约二位 数的氧缺损降低效果(N)，在大于等于lat.。/。的硅和氮这两方时具 有大约三位数的氧缺损降低效果(图9)。这些效果是由于存在于金 属氧化膜中的硅、氮与氧较强地结合，由此氧不易从表面脱离而得到 的效果。氧缺损减小氧化膜的能带隙而易于使电子流过，所以成为检 测电流的泄漏的原因。因此，在添加氮、硅时，降低氧缺损，所以具 有可以降低检测电流的泄漏这样的效果。由此，提高轨道宽度小于等 于50纳米的磁头的可靠性、成品率。 (实施例2)
图10示出实施例2的磁再现头IO，的结构。与实施例1 (图5) 的差异点在于，绝缘阻挡层34成为2层结构。该2层中的至少1层 是作为添加元素而含有氮和硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜、 钛氧化膜中的任意一个。由此，与实施例l的情况同样地，氧缺损被 降低，检测电流的泄漏被降低。 (实施例3 )
图11、图12是将上述实施例1或实施例2的磁再现头10、 10， 和磁记录头组合而得到的磁头的概略剖面图。图11示出面内磁记录 方式的磁头100，图12示出垂直磁记录方式的磁头100，。如图11所 示，在面内磁记录方式的磁头100的情况下，磁记录头是由下部磁极 180、上部磁极前端部190、上部》兹极192、线圏200、线圏绝缘膜210、 间隙220构成的磁感应型头。另外如图12所示，在垂直磁记录方式 的磁头IOO，的情况下，将由辅助磁极230、主磁极240、磁辄242、线圏200、线圏绝缘膜210构成的单磁极头用作磁记录头。 (实施例4)
接下来，图13、图14示出搭载有实施例1或实施例2的磁再现 头、或实施例3的磁头的磁存储装置的概要图。本实施例的磁存储装 置250构成为具备磁记录介质270、对其进行旋转驱动的驱动部290、 磁头100，、作为其驱动单元的音圏电动机280、磁头的记录再现信号 处理单元300。此处，磁头IOO，也可以是实施例1或实施例2的磁再 现头、或实施例3的磁头100。磁头IOO，被安装于万向支架260的前 端，由音圏电动机280对磁记录介质270相对地进行驱动而定位到期 望的轨道上。从主机发送来的记录信号经由信号处理电路300被发送 到磁头IOO，的磁记录头，使磁记录介质270产生磁化反转而进行记录。 另外，由磁头IOO，的磁再现头对由于磁记录介质270的记录磁化而引 起的泄漏磁场进行检测，使用信号处理电路300对所检测出的信号进 行处理之后，将其结果发送到主机而作为再现信号。
此处，在磁头的磁再现头中，包含氧化膜的绝缘阻挡层是含有氮、 硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜、钛氧化膜中的任意一个。因 此，即使在轨道宽度小于等于50纳米的情况下也可以降低氧缺损， 所以可以实现轨道宽度的小型化，而实现高记录密度的磁存储装置。
权利要求
1. 一种磁再现头，其特征在于，具备下部磁屏蔽层；上部磁屏蔽层；形成在上述下部磁屏蔽层与上部磁屏蔽层之间的磁阻效应膜；被配置成与上述磁阻效应膜的浮动面的相反一侧的壁面相接的元件高度方向的第1填充膜；以及被配置成与上述磁阻效应膜的轨道宽度方向的两壁面相接的第2填充膜，上述磁阻效应膜是具备自由层、固定层、形成在上述自由层与固定层之间的绝缘阻挡层的隧道磁阻效应膜，上述绝缘阻挡层包括含有氮和硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜以及钛氧化膜中的任意一个氧化膜。
2. 根据权利要求1所述的磁再现头，其特征在于，上述氧化膜 含有大于等于lat。/。的氮和硅中的至少一方。
3. 根据权利要求1所述的磁再现头，其特征在于，上述氧化膜 含有大于等于lat.。/。的氮和硅这两方。
4. 根据权利要求1所述的磁再现头，其特征在于，上述绝缘阻 挡层由2层以上构成，至少l层是含有氮和硅中的至少一方的镁氧化 膜、铝氧化膜以及钛氧化膜中的任意一个氧化膜。
5. 根据权利要求4所述的磁再现头，其特征在于，上述氧化膜 含有大于等于lat /。的氮和硅中的至少一方。
6. 根据权利要求4所述的磁再现头，其特征在于，上述氧化膜 含有大于等于lat。/。的氮和硅这两方。
7. —种磁头，其特征在于，具备权利要求1~6中的任意一项所 述的磁再现头和磁记录头。
8. 根据权利要求7所述的磁头，其特征在于，上述磁记录头是 垂直记录用的单磁极头。
9. 根据权利要求7所述的磁头，其特征在于，上述磁记录头是 磁感应型头。
10. —种磁存储装置，其特征在于，具备沿着记录方向驱动磁存储介质的驱动部； 权利要求7所述的磁头；使上述磁头相对上述磁存储介质相对运动的单元；以及 用于进行上述磁头的信号输入和来自上述磁头的输出信号再现 的记录再现处理单元。
全文摘要
本发明提供一种磁再现头、磁头以及磁存储装置。如果磁阻效应膜的轨道宽度小于等于50nm，则有时产生检测电流的泄漏。上述磁再现头防止这样的检测电流的泄漏，且可靠性以及成品率高。磁再现头(10)具备下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；形成在下部磁屏蔽层与上部磁屏蔽层之间的磁阻效应膜(30)；被配置成与磁阻效应膜的浮动面的相反一侧的壁面相接的元件高度方向填充膜(6)；以及配置在磁阻效应膜(30)的侧壁面上的轨道宽度方向的填充膜(1)。磁阻效应膜(30)是具备自由层(36)、绝缘阻挡层(34)、固定层(32)的隧道磁阻效应膜，绝缘阻挡层(34)是含有氮和硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜、钛氧化膜中的任意一个。
文档编号G11B5/39GK101465126SQ200810184330
公开日2009年6月24日 申请日期2008年12月10日 优先权日2007年12月17日
发明者岩崎富生 申请人:株式会社日立制作所