专利名称：光拾取装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及光拾取(pick-up)装置，尤其涉及适合在对层叠多个记录层的记录介 质进行记录/再生时使用的装置。
背景技术：
近年来，光盘片的高容量化日益进展。通过在一张盘片中配置多个记录层，能够实 现光盘的高容量化。例如，在DVD (Digital Versatile Disc)或蓝光盘(blu-ray disc)中， 在一面具有两个记录层的多层式盘片已经商品化。当将记录层的层数设定3层以上时，能 够进一步增加光盘的容量。当采用具有多个记录层的盘时，物镜通常设计为在最靠跟前的记录层与最内部的 记录层之间的中间位置形成焦点。这样，在各记录层中聚焦激光时，针对物镜的激光的发散 角(拡〃 D角)被调节成适合该记录层的发散角。由此，抑制各记录层聚焦时的激光的像差。但是，当如此改变激光的发散角时，随之，对物镜入射时的激光RIM强度发生变 化。若RIM强度发生变化，则激光的光斑(spot)直径和光强度有可能在记录层中变得不同， 所以妨碍稳定的记录工作。该问题随记录层的进一步多层化，最靠跟前的记录层与最内部 的记录层之间的距离越大，就越显著。另外，在以下的专利文献中提出了在记录时与再生时变化RIM强度的发明。专利文献1 日本特开2008-52778号公报
发明内容
通过减小在从最靠跟前的记录层到最内部记录层范的围中移动激光焦点时的RIM 强度变化量，能够抑制由上述RIM强度产生的问题。本发明为鉴于该问题点而提出，其目的在于，提供一种能够以简单的结构抑制记 录层之间的RIM强度不均勻的光拾取装置。本发明涉及对在层叠方向上具有多个记录层的盘片，记录以及/或者再生信息的 光拾取装置。本发明的光拾取装置具备激光光源；角度调整元件，其通过在光轴方向上进 行变位，而改变由所述激光光源射出的激光的发散角；聚焦透镜部，其将透过所述角度调整 元件的所述激光聚焦在所述盘片上，所述聚焦透镜部构成为当透过所述角度调整元件的 所述激光成为平行光时的所述激光光源与所述角度调整元件之间的距离L1、和所述角度调 整元件与所述聚焦透镜部之间的距离L2的关系满足LI < L2时，将以平行光状态入射的所 述激光，无球面像差地对焦在比最靠跟前的所述记录层与最靠内部的所述记录层的中间位 置更靠内部侧的设计焦点位置，当满足LI >L2时，将以平行光状态入射的所述激光，无球 面像差地对焦在比所述中间位置更靠跟前的设计焦点位置。根据本发明的光拾取装置，与将以平行光状态入射到所述聚焦透镜部的所述激光 无球面像差地对焦在最靠跟前的所述记录层与最内部的所述记录层的中间位置上的情况相比，能够抑制透过所述角度调整元件而入射到所述聚焦透镜部的所述激光的RIM强度不 均勻。由此，能够抑制每个记录层的记录特性变化而进行稳定的记录。在本发明的光拾取装置中，所述聚焦透镜部由物镜构成。这样，通过调整物镜的设 计，能够调整所述设计焦点位置。另外，也可以取代该结构，所述聚焦透镜部，具有物镜，其构成为在所述设计焦点 位置以外的位置上无球面像差地对焦所述激光；以及校正板，其用于在所述设计焦点位置 上无球面像差地对焦所述激光。这样，与物镜的 设计一起或者虽然不进行物镜的设计，而通 过调整校正板的设计，能够调整所述设计焦点位置。因此，例如虽然使用通用的物镜，但通 过校正板能够调整设计焦点位置。如上所述，根据本发明，能够提供一种以简单的结构能抑制记录层之间的RIM强 度不均勻的光拾取装置。本发明的效果或意义，通过以下所示的实施方式的说明变得更清楚。但是，以下的 实施方式只不过是实施本发明时的一个例示，本发明并不由以下的实施方式受任何限制。
图1是表示实施例所涉及的光拾取装置结构的图。图2是说明实施例所涉及的RIM强度的图。图3是表示实施例所涉及的透镜的理想状态的图。图4是表示将实施例所涉及的透镜移动的状态的图。图5是表示改变了实施例所涉及的物镜设计后的状态的图。图6是表示实施例所涉及的模拟(simulation)光学系统图。图7表示实施例所涉及的模拟结果的图。图8表示变形例所涉及的光拾取装置结构的变形例的图。图9表示改善变形例所涉及的RIM强度变化量的图。图10是表示实施例所涉及的变形例的图。图11是表示实施例所涉及的变形例的图。图中101_半导体激光器(激光光源)，104-准直透镜(角度调整元件)，109-物 镜，130-校正板。
具体实施例方式以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在本实施方式中，将本发明适用于 能够与在厚度方向上层叠多个记录层的光盘相对应的光拾取装置。<实施例>在图1中表示实施例所涉及的光拾取装置的光学系统。半导体激光器101射出规定波长的激光。1/2波长板102将从半导体激光器101 射出的激光调整成相对于偏振光束分离器103成为S偏振光。偏振光束分离器(PBS) 103 大体上全部反射从1/2波长板102侧入射的激光(S偏振光)，并且大体上全部透过从准直 透镜104侧入射的激光(P偏振光)。准直透镜104将从PBS103侧入射的激光转换为平行光。透镜致动器(lensactuator) 105按照对在激光中产生的球面像差进行校正的方式将准直透镜104在光轴方 向上变位。上升(立6上(f )反射镜106使从准直透镜104侧入射的激光朝向物镜109的 方向反射。1/4波长板107将朝向盘片的激光转换为圆偏振光，并且将来自盘片的反射光转 换为与朝向盘片的激光的偏振光方向垂直的偏振光方向。由此，由盘片反射的激光大体上 全部透过PBS103，并被导入到渐变(7少* )透镜110。光阑(7 一 f ~ ) 108按照对物镜109的激光的有效直径变适当的方式将激光 的光束形状调整为圆形形状。物镜109被设计为在盘片中的目标(target)记录层中能够 合适地聚焦激光。另外，对物镜109的结构的详细情况追加进行详细说明。支架120使1/4波长板107、光阑108以及物镜109保持一体。物镜致动器121由 众所周知的电磁驱动电路构成，使支架120向聚焦方向以及跟踪(卜，7 * > V )方向驱 动。通过在盘片中配置的记录层，对照射在盘片上的激光进行反射。所反射的激光沿 上述光路逆行之后透过PBS103射到渐变透镜110。渐变透镜110在来自盘片的反射光中导 入了像散。光检测器111接收导入了像散的激光而输出检测信号。在光检测器111中配置有 接收激光的四分割传感器。由从四分割传感器输出的信号，通过像散(非点収差)法生成 聚焦误差(”才一力^工，一)信号，通过单光束推挽法(t一“” )工" )生成跟 踪误差(卜，？ # 工，一)信号和再生RF信号。图2是示意性表示在物镜109中入射的激光的光强度因准直透镜104的位置而发 生变化的图。同图(a)是半导体激光器101与准直透镜104的距离，以及准直透镜101与 物镜109的距离L，均等于准直透镜104的焦距f时的图。同图(b)以及(c)表示准直透 镜104从同图(a)的状态分别沿光轴，向物镜109侧(向右方向)移动d时和向半导体激 光器101侧(向左方向)移动d时的图。另外，在表示光强度的图中，纵轴表示物镜的入射光瞳的位置，横轴表示光强度。 另外，在图中对与图1相同的光学系统要素标以相同的编码。在同图(a)的状态中，由于半导体激光器101与准直透镜104的距离等于准直透 镜104的焦距f，因此由准直透镜104向物镜109侧射出的激光变成平行光。另外，在表示 光强度的图中，如同图(b)以及(c)所示，与准直透镜104处于其它位置的情况相比，光轴 位置(纵轴为0)的光强度变最大。在同图(b)以及(c)的状态中，由于准直透镜104从同图(a)的状态沿光轴分别 向左以及右移动d，因此从准直透镜104向物镜侧射出的激光不会变成平行光。另外，在表 示光强度的图中，在光轴位置(纵轴为0)的光强度与同图(a)相比变小。这里，若假设入射在物镜中心部的光强度和入射在物镜外边缘部的光强度分别为 10、11，则将入射在物镜109的激光的RIM强度(入射在物镜外边缘部的光强度相对于入射 在物镜中心部的光强度的比)表示为11/10。S卩，在同图(a)中将RIM强度表示为Ila/IOa， 在同图(b)以及(c)中将RIM强度表示为Ilb/IOb以及Ilc/IOc。另外，在同图(a)至(c) 中RIM强度最小的是同图(a)的情况。图3是表示根据准直透镜104的位置RIM强度发生变化的图。另外，在图中对与图1相同的光学要素标以相同的编码。图3(a)是取代图2(a)的光强度图，附加了与盘片相对应的激光聚焦状态图。盘片具有η层的记录层，且记录层LO位于最靠跟前，记录层Ln位于最内部。另外，沿着光轴 以盘片的里侧为正方向，从而表示由物镜109产生的激光的焦点位置。图3 (b)是对照图3 (a)的准直透镜104的位置，在图上表示图2中所示的RIM强 度的图。纵轴表示RIM强度，横轴表示假定物镜109的位置为0而沿光轴左方向的准直透 镜104的位置。参照同图(a)，将物镜109设计为，当半导体激光器101、准直透镜104、物镜109处 于同图(a)的位置关系时在封罩(cover)厚校正范围(从记录层LO到Ln的范围，下同) 的中心位置上形成激光的焦点，并且球面像差为零。若假设此时的焦点位置为0，则由物镜 109产生的激光的焦点位置与盘片的记录层相对应(合h # )，在_t和+t之间移动。另外，在同图(a)中，由于准直透镜104位于从半导体激光器101到准直透镜104 的焦距的位置(以下称为“焦距位置”)，因此激光以平行光状态对物镜109进行入射。如 此，在激光以平行光状态对物镜109进行入射的条件下，以下将球面像差为零的焦点位置， 称为“设计焦点位置”。在同图(a)中，物镜109构成为，设计焦点位置成为封罩厚校正范围 (从记录层LO到Ln的范围)的中心位置。当如此物镜109构成时，若由物镜109产生的激光的焦点位置从记录层LO改变到 Ln，则再生RF信号成为最佳的准直透镜104的位置(以下称为“最佳位置”)也发生变化。 例如，当焦点位置处于记录层LO时，准直透镜104的最佳位置变成离开物镜109的距离为 PO的位置，当焦点位置处于记录层Ln时准直透镜104的最佳位置变成离开物镜109的距离 为Pn的位置。另外，若与激光的焦点位置的移动相对应地驱动准直透镜104，则在准直透镜104 处于PO或Pn位置时RIM强度变为最大。另一方面，在准直透镜104处于焦距位置时RIM 强度变为最小。另外，RIM强度图的底部位置与准直透镜104的驱动范围(P0与Pn之间) 的中间部位大体上重叠。此时，准直透镜104的驱动范围(P0与Pn之间)的RIM强度的最大值和最小值之 差(以下称为“RIM强度变化量”)，如图所示，被抑制到最小值。由此，能够通过准直透镜 104的驱动而抑制RIM强度的不均勻，从而在每个记录层中进行稳定的记录。但是，由于光源系统的设计，有时需要从图3(a)的状态改变准直透镜104与物镜 109之间的距离L。此时，激光的RIM强度从图3(b)的状态发生变化。图4表示半导体激光器101和准直透镜104从图3的状态向左方向移动L、而将准 直透镜104与物镜109之间的距离L扩大时的图。此时，准直透镜104的最佳位置范围，变 成从由图3时的范围向左方向移动AL的位置稍微向左方向移动后的范围(P0’与Pn’之 间)。另外，RIM强度图的底部位置和图3相比从P0’与Pn’的中间部位远离。此时，准直透镜104的驱动范围(P0’与Pn’之间)的RIM强度变化量，如图所示， 与图3(b)相比变大。由此，有时由准直透镜104的驱动产生的RIM强度的离散变大，从而 有可能在每个记录层中不能进行稳定的记录。因此，在本实施例中，通过构成如下的物镜109，抑制由准直透镜104的驱动产生 的RIM强度不均勻。
图5表示由物镜109产生的激光的设计焦点位置从图4的状态沿光轴方向向右方 向(内部侧)移动At后的情况的图。如图所示，在本实施例中，物镜109设计为，当准直 透镜104处于与图4(a)相同焦距位置时，即在激光以平行光状态对物镜109入射时焦点形 成在从盘片封罩厚校正范围的中心位置向右方向(内部侧)移动At的位置(设计焦点位 置)，并且球面像差为零。此时，准直透镜104的焦距位置以及RIM强度图的底部位置与图4时相同。准直 透镜104的最佳位置范围跟随设计焦点位置的移动变成从图4时的范围进一步向右方向移 动后的范围(P0”与Pn”之间)。此时，由于RIM强度图的底部位置变成与图4相比靠近P0”和Pn”的中间部位的 位置，因此在准直透镜104的驱动范围(P0”与Pn”之间)的RIM强度变化量，如图所示，与 图4(b)相比变小。由此，虽然与图3相比稍微大些，但是与图4时相比更显著地抑制了由 准直透镜104的驱动产生的RIM强度的不均勻。另外，当如此对设计点位置进行调整时，如图5(a)中所示，准直透镜104的右端的 最佳位置(P0”)与图4的情况相比向右方向移动。但是，当设计该光学系统时的原本目的 如上所述为扩大准直透镜104与物镜109之间的距离L时，若准直透镜104的右端最佳位 置(P0”)如此向右侧移动，则准直透镜104处于最佳位置(P0”)时的物镜109和准直透镜 104的距离与图4的情况相比变短，所以变得不遵循在光学设计上的原本目的。因此，在本实施例中，即使在准直透镜104处于最佳位置(P0”)时，在准直透镜104 与物镜108之间的间隙不产生障碍的范围，需要使得焦点位置从封罩厚校正范围的中心位 置移动。即，需要与上述的RIM强度变化量的改善一起，考虑准直透镜104的右端最佳位置 (P0”)的向右方向的移动距离对光学系统设计上的原本目的是否带来障碍，而对物镜109 进行设计。另外，设计焦点位置，需要与RIM强度的改善一起，在由物镜109产生的彗形像差 被允许的范围中进行设定。即，在按照图5(a)的方式更改设计焦点位置时，准直透镜104 右端的最佳位置(P0”)从焦距位置较大地远离。由此，为了将激光聚焦到最跟前的记录层 L0中而使得准直透镜104位于右端的最佳位置(P0”)附近时，由激光相对于物镜109的光 轴的错位而产生的彗形像差变大。因此，需要在彗形像差的产生被允许的范围中设定由物 镜109产生的激光的设计焦点位置。接下来，说明利用本件申请的发明人所进行的模拟结果抑制RIM强度变化量。图6是表示采用本实施例模拟的光学系统的图。在图中，对与图3至图5相同的 光学系统要素标以相同编码。本光学系统的设定条件为如下(1)激光的波长405nm(2)准直透镜104的焦距(f) :14mm(3)物镜 109 的焦距1. 4mm(4)由物镜109与准直透镜104决定的横向倍率(横倍率):10(5)激光的发散角(拡力5 >9角)(水平)9度(6)激光的发散角(垂直)20度(7)准直透镜104的焦距位置与物镜109的间隔(L) :f(mm)、f+6 (mm)、f+11 (mm)
(8)盘片的封罩厚校正范围60 u m(9)焦点位置相对于设计焦点位置的移动范围:+30/-30(um), +10/-50(um), +0/-60(um)图7是表示在上述模拟条件下入射到物镜109的激光的RIM强度图。横轴表示 RIM强度。横轴表示为物镜109与校正透镜104的主点间隔，纵轴表示为RIM强度。另外， 在图上，粗线表示为激光的发散角大的水平方向(光束长轴)的RIM强度，细线表示为激光 的发散角小的垂直方向(光束短轴)的RIM强度。另外，在物镜109的位置上通过光束轮 廓仪(if 一 A 7。口 7 7 ^，)等进行RIM强度的测量。其中，图中的各情况设定为如下情况1 :L = f，且设计焦点位置处于封罩厚校正范围的中心位置的情况(焦点位 置相对于设计焦点位置的移动范围+30/-30 (um))情况2 :L = f+6，且设计焦点位置处于封罩厚校正范围的中心位置的情况(焦点 位置相对于设计焦点位置的移动范围+30/-30 (um))情况2’ L = f+6，并且设计焦点位置处于从封罩厚校正范围的中心位置向内部 (奥)20i!m的位置的情况(焦点位置相对于设计焦点位置的移动范围+10/-50(i!m))情况3 :L = f+11，并且设计焦点位置处于封罩厚校正范围的中心位置的情况(焦 点位置相对于设计焦点位置的移动范围+30/-30 (um))情况3’ :L = f+11，并且设计焦点位置处于从封罩厚校正范围的中心位置向内部 30 ym的位置的情况(焦点位置相对于设计焦点位置的移动范围+0/-60(i!m))另外，附在同图中的上下方向的箭头表示各情况的RIM强度变化量。在情况1时，如图3中所示，RIM强度变化量被抑制到最小。在情况2以及3时， 随距离L的增加RIM强度变化量增加。另一方面，在情况2’以及3’的情况，与情况2以及 3相比分别改善了 RIM强度变化量。由此可知，根据本实施例所涉及的模拟，若在距离L比焦距f大的情况下从封罩厚 校正范围的中心位置向右方向(内部侧)移动设计焦点位置，则能够改善RIM强度变化量。以上，根据本实施例，当半导体激光器101以及准直透镜104向左方向移动时，通 过在从封罩厚校正范围的中心位置向右方向(内部侧)错位的位置上设定由物镜109产生 的激光的设计焦距，能够改善入射在物镜109的激光的PIM强度变化量。据此，能够抑制每 个记录层的记录特性变化，而进行稳定的记录。<变形例>在上述实施例中，通过改变物镜自身的设计，更改了由物镜109产生的激光的设 计焦点位置。取代于此，在本变形例中，在物镜109的光阑108侧配置与物镜109 —体被驱 动的校正板，并通过该校正板变更设计焦点位置。图8是表示除了配置图1的光学系统之外在光阑108与1/4波长板107之间还配 置有校正板130的图。校正板130通过支架120与物镜109 —体地被保持。物镜109构成为，与上述的实施例不同，且设计焦点位置成为封罩厚校正范围的 中心位置。校正板130具有透镜作用，与物镜109相配合(相俟1 ^)，与上述实施例一样使 设计焦点位置变位到与封罩厚校正范围的中心位置相比更靠近右方向(内部侧)的位置。 校正板130，例如能够由衍射透镜构成。校正板130，在图9(a)的状态中，具有使焦点位置
8从封罩厚校正范围的中心位置向右方向(内部侧)移动At的透镜作用和在该焦点位置上使球面像差变成零的透镜作用的两者。通过调整衍射透镜的衍射图案而实现这些作用。另外，在图8中，在与光阑108相比更靠近跟前的位置上配置了校正板130，但是， 也可以在光阑108与物镜109之间配置校正板130。只要在光轴方向上尽量相互接近而配 置光阑108、物镜109、校正板130即可。另外，也可以省略光阑108，使校正板130还具有光 阑的作用。图9是表示通过校正板130改变准直透镜104的最佳位置范围的图。准直透镜 104的最佳位置范围与上述实施例相同。另外，图9(b)中所示的RIM强度的图也与上述实 施例所涉及的图5(b)相同。参照同图(a)，校正板130构成为，在准直透镜104处于与图4 (a)相同的焦距位置 的情况下在从盘的封罩厚校正范围的中心位置向右方向(内部侧)偏离At的位置上形成 激光的焦点，并且抑制了球面像差。这样，与图5 —样，准直透镜104的最佳位置范围成为从图4的情况的范围进一步 向右方向移动的范围。据此，与图4相比进一步抑制由准直透镜104的驱动引起的RIM强 度的不均勻。因此，与上述实施例一样，改善了入射在物镜109的激光的RIM强度变化量。另外，在本变形例中，虽然在图9(a)的状态中使得校正板130具有使焦点位置从 封罩厚校正范围的中心位置向右方向(内部侧)移动At的透镜作用、和在该焦点位置上 使球面像差变成零的透镜作用这两者，但是，也可以使校正板130只具有使球面像差变成 零的透镜作用。此时，在校正板130上设定如下的衍射图案、相位差结构，即去除了以将焦 点形成在从封罩厚校正范围的中心位置向右方向(内部侧)离开At处的方式移动物镜 109时所产生的球面像差。另外，在本变形例中，物镜109构成为以平行光状态入射时在封罩厚校正范围的 中心位置上无球面像差地聚焦激光，但是，物镜109也可以构成为在此外的位置上无球面 像差地聚焦激光，或者也可以构成为不以平行状态入射时在封罩厚校正范围的中心位置或 在此外的位置上无球面像差地聚焦激光。即，物镜109和校正板130，只要在激光相对于由 这些各元件构成的聚焦透镜部以平行光状态入射时，作为聚焦透镜部整体，在设计焦点位 置上能够无球面像差地聚焦激光即可。以上，对本发明的实施例以及变形例进行了说明，不过，本发明并不局限于上述的 实施例以及变形例，而且，本发明的实施方式除了上述以外还可以进行各种变形。例如，在上述实施例中说明了半导体激光器101以及准直透镜104向左方向移动 的情况，但是，向右方向移动这些装置而缩小准直透镜104与物镜109之间的距离时也可以 使用本发明。图10是表示半导体激光器101以及准直透镜104从图3的状态向右方向移动八L 时的图。此时，准直透镜104的最佳位置范围，变成由从图3的情况的范围向右方向移动 AL后的位置稍微向右方向移动后的范围(在Q0’与Qn’之间)。另外，RIM强度图的底部 位置，与图3相比从Q0’与Qn’的中间部位远离。此时，RIM强度变化量，如图所示，与图3 相比变大。图11是表示将由物镜109产生的激光的设计焦点位置从图10的状态沿光轴方向 左方向(跟前)移动At时的图。如图所示，设定为准直透镜104处于与图10(a)相同的焦距位置，在平行光入射到物镜109时从封罩厚校正范围的中心位置向左方向(跟前)移 动At后的位置(设计焦点位置)处，形成激光的焦点，并且抑制球面像差。此时，准直透镜104的焦距位置以及RIM强度图的底部位置与图10的情况相同。 准直透镜104的最佳位置范围，伴随设计焦点位置的移动，变为从图10情况的范围进一步 向左方向移动后的范围(在Q0”与Qn”之间)。此时，RIM强度变化量，如图所示，与图10的情况相比变小。由此，由准直透镜104 的驱动产生的RIM强度的离散虽然与图3相比稍微大些，但是与图10的情况相比进一步被 抑制。另外，在上述实施方式中，通过在光轴方向上移动准直透镜104，改变了激光的发 散角，但是，也可以采用组合凹透镜与凸透镜的光束扩展器(beam expander)取代准直透镜 104。此外，本发明的实施方式在权利要求范围中所示的技术思想范围内可以进行各种 适当的变形。
权利要求
一种光拾取装置，对在层叠方向上具有多个记录层的盘片，记录和/或再生信息，其特征在于，所述光拾取装置，具备激光光源；角度调整元件，其通过在光轴方向上进行变位，而改变由所述激光光源射出的激光的发散角；聚焦透镜部，其将透过所述角度调整元件的所述激光聚焦在所述盘片上，所述聚焦透镜部构成为当透过所述角度调整元件的所述激光成为平行光时的所述激光光源与所述角度调整元件之间的距离L1、和所述角度调整元件与所述聚焦透镜部之间的距离L2的关系满足L1＜L2时，将以平行光状态入射的所述激光，无球面像差地对焦在比最靠跟前的所述记录层与最靠内部的所述记录层的中间位置更靠内部侧的设计焦点位置，当满足L1＞L2时，将以平行光状态入射的所述激光，无球面像差地对焦在比所述中间位置更靠跟前的设计焦点位置。
2.根据权利要求1中所述的光拾取装置，其特征在于，由物镜构成所述聚焦透镜部。
3.根据权利要求1中所述的光拾取装置，其特征在于，所述聚焦透镜部，具有物镜，其构成为在所述设计焦点位置以外的位置上无球面像差地对焦所述激光；以及校正板，其用于在所述设计焦点位置上无球面像差地对焦所述激光。
全文摘要
本发明提供一种能够通过简单的结构抑制记录层之间的RIM强度不均匀的光拾取装置。准直透镜(104)通过在光轴方向上进行变位，改变由半导体激光器(101)射出的激光的发散角。物镜(109)在盘上聚焦透过准直透镜(104)的激光。另外，在透过准直透镜(104)的激光变成平行光时的半导体激光器(101)与准直透镜(104)的距离(f)和准直透镜(104)与物镜(109)的距离(L)的关系满足为f＜L时，物镜(109)无球面像差地对焦在比最靠跟前的记录层(L0)与最内部的记录层(Ln)的中间位置更靠近内部侧的设计焦点位置。由此，能够抑制透过准直透镜(104)对物镜(109)入射的激光的RIM强度不均匀。
文档编号G11B7/135GK101826346SQ20101012952
公开日2010年9月8日 申请日期2010年3月3日 优先权日2009年3月3日
发明者永富谦司 申请人:三洋电机株式会社