出入设备控制器的制作方法

文档序号:6737302阅读:178来源:国知局
专利名称:出入设备控制器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及控制系统,特别涉及用于门禁和停车场出入设备的控制器。
背景技术
现有技术中门禁和停车场出入设备的控制器一般只用一个flash存储器,需要存储的数据,立即直接对flash存储器操作,写入flash存储器。由于flash存储器的读写具有特殊性,是按页面操作的,对flash存储器的擦写有次数限制,并且操作费时比较长。一般flash存储器的擦写次数寿命均为10万次,在一卡通行业,需要存储的事件记录,需要多条才能存满一个页面,而事件的产生具有不确定性和频繁性,在超大型小区,很可能一天产生的事件记录就能超过1万条,如果一有事件记录需要存储,就对flash存储器进行擦写操作,而频繁对flash存储器操作,速度慢,影响flash存储器寿命。
发明内容本实用新型提供一种控制器,采用加设一个高速缓冲存储器的方式,缓解对flash 存储器重复操作,解决现有技术中速度慢以及影响flash存储器寿命的技术问题。本实用新型为解决上述技术问题而提供的这种出入设备控制器的控制电路包括主控模块以及与该主控模块相连的主存储器,其特征在于该控制电路还包括有与主控模块相连的辅助存储器,所述主控模块包括有计数模块,该计数模块连接所述辅助存储器。所述主存储器为flash存储器,所述辅助存储器为高速铁电缓冲存储器。本实用新型与现有技术相比较,由于有铁电存储器充当中介缓冲,减少了直接对flash存储器的操作次数,并且对flash存储器每一次擦写的页面进行优化,使系统中 flash存储器寿命接近无限长。而铁电存储器的操作速度比对flash存储器读写的速度要快很多倍,所以对整个系统的处理速度有质的提升,本实用新型可以广泛用在门禁和停车场控制核心中。

图1是本实用新型控制电路存储部分的示意框图。
具体实施方式
结合上述附图说明本实用新型的具体实施例。由图1中可知,这种出入设备控制器的控制电路包括主控模块10以及与该主控模块10相连的主存储器20,该控制电路还包括有与主控模块10相连的辅助存储器30,所述主控模块10包括有计数模块11,该计数模块11连接所述辅助存储器30。所述主存储器20 为flash存储器,所述辅助存储器30为高速缓冲存储器,本实用新型中所述辅助存储器30 优选为铁电存储器。本实用新型的工作原理Flash存储器的操作是按页擦写,有擦写次数限制,并且每次操作费时间比较长,但是容量大;铁电存储器可以按字节读写,无次数限制,并且每次操作速度迅速,但相对容量较小。为了延长flash存储器寿命,尽量减少对flash存储器的擦写次数,并且擦写对flash存储器内部的页面均勻操作,避免多次对同一个页面操作,并且提高整个存储过程的速度,整个存储过程分三步1.当有事件产生需要存储时,主控模块10先将事件直接写入无擦写次数限制的铁电存储器,写好后,计数模块11判断铁电存储器存储的数量是否达到了一个页面的数量,否则继续等待下一条事件的写入。2.当产生的事件记录需要的存储空间累计满一个页面的时候,主控模块10调用对flash存储器的操作。先从铁电存储器读取一个页面的数据,然后写入flash存储器的一个页面。3.当第二次或者第N次对flash存储器擦写操作时,不立即对上次操作的页面擦写,而是写下一个页面,直到整个存储器页面写满,然后才重新对第一个页面进行擦写。均衡整个flash存储器页面的擦写次数,提高flash存储器的使用寿命。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
权利要求1.一种出入设备控制器,该控制器的控制电路包括主控模块(10)以及与该主控模块 (10)相连的主存储器(20),其特征在于该控制电路还包括有与主控模块(10)相连的辅助存储器(30 ),所述主控模块(10 )包括有计数模块(11),该计数模块(11)连接所述辅助存储器(30)。
2.根据权利要求1所述的出入设备控制器,其特征在于所述主存储器(20)为flash 存储器。
3.根据权利要求1或2所述的出入设备控制器,其特征在于所述辅助存储器(30)为高速缓冲存储器。
4.根据权利要求3所述的出入设备控制器,其特征在于所述辅助存储器(30)为铁电存储器。
专利摘要一种出入设备控制器的控制电路包括主控模块(10)以及与该主控模块(10)相连的主存储器(20),该控制电路还包括有与主控模块(10)相连的辅助存储器(30),主存储器(20)为flash存储器,辅助存储器(30)为高速缓冲铁电存储器。由于有铁电存储器充当中介缓冲,减少了直接对flash存储器的操作次数,并且对flash存储器每一次擦写的页面进行优化,使系统中flash存储器寿命接近无限长。而铁电存储器的操作速度比对flash存储器读写的速度要快很多倍,所以对整个系统的处理速度有质的提升,本实用新型可以广泛用在门禁和停车场控制核心中。
文档编号G11C16/08GK201956072SQ201120041700
公开日2011年8月31日 申请日期2011年2月18日 优先权日2011年2月18日
发明者谢华勇 申请人:深圳市中翔恒威科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1