改善快闪存储器擦除性能的方法与流程

技术特征：
1.一种改善快闪存储器擦除性能的方法，其特征在于，在一轮擦除操作过程中，包括以下步骤：步骤S701：从存储阵列中选择待擦除的存储单元、并擦除次数清零后，转入步骤S703；步骤S703：执行一次擦除操作、并对擦除次数进行计数后，转入步骤S705；步骤S705：进行擦除校验，并判断擦除校验是否通过；如果擦除校验通过，则结束；如果擦除校验未通过，则转入步骤S706；步骤S706：判断擦除次数是否达到预设的擦除次数阈值；如果擦除次数达到预设的擦除次数阈值，则查找到难以被擦除的存储单元，转入步骤S707；如果擦除次数未达到预设的擦除次数阈值，则转入步骤S703；步骤S707：从冗余阵列中查找未用来修复的冗余单元；如果查找到未用来修复的冗余单元，则转入步骤S708；如果未查找到未用来修复的冗余单元，则结束；在步骤S707中，所述的未用来修复的冗余单元，是没有逻辑地址对应的冗余单元；步骤S708：使用在步骤S707中查找到的未用来修复的冗余单元“替换”在步骤S706中查找到的难以被擦除的存储单元、擦除次数清零后、转入步骤S705；在步骤S708中，所述的“替换”是指，在所述的难以被擦除的存储单元的物理地址和其逻辑地址的对应关系中，将所述的难以被擦除的存储单元的物理地址用性能正常的冗余单元的物理地址替换；即将难以被擦除的存储单元的物理地址和其逻辑地址的对应关系，替换为冗余单元的物理地址与所述的逻辑地址的对应关系。2.如权利要求1所述的改善快闪存储器擦除性能的方法，其特征在于，在步骤S703中，包括以下步骤：步骤S703A：对步骤701中所选择的待擦除的存储单元执行一次擦除操作；以及步骤S703B：擦除次数计数；其中，步骤S703A和S703B的顺序，或者是同时进行，或者是S703A在先，或者是S703B在先。3.如权利要求1所述的改善快闪存储器擦除性能的方法，其特征在于，在步骤S708中，包括以下步骤：步骤S708A：用所述的未用来修复的冗余单元的物理地址“替换”仍未通过擦除校验的存储单元的物理地址；以及步骤S708B：擦除次数清零；其中，步骤S708A和S708B的顺序，或者是同时进行，或者是S708A在先，或者是S708B在先。4.如权利要求3所述的改善快闪存储器擦除性能的方法，其特征在于，在步骤S708A中，将所述的难以被擦除的存储单元的物理地址与其逻辑地址的对应关系，替换为所述的冗余单元的物理地址与所述的逻辑地址的对应关系。