具有单独读取和写入路径的磁性隧道结装置的制作方法

技术特征：
1.一种存储器装置，其包括：磁性随机存取存储器MRAM单元阵列，所述MRAM单元的每一者均包含磁性隧道结MTJ装置；以及存储器控制逻辑电路，其适于激活字线并选择性地激活读取位线和写入位线中的一者以存取所述阵列的选定单元，其中写入路径与读取路径分离，所述读取路径包括第一参考层、第一隧道势垒、自由层、第二隧道势垒以及第二参考层，且所述写入路径包括自由层、第二隧道势垒以及第二参考层。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括耦合到所述MRAM单元阵列的第一数据读取端口和耦合到所述MRAM单元阵列的第二数据读取端口。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第一数据读取端口和所述第二数据读取端口中的至少一者耦合到所述存储器控制逻辑。4.一种制造磁性隧道结MTJ装置的方法，所述方法包括：将多个膜层沉积到衬底上以形成第一MTJ结构，所述第一MTJ结构包含自由层；沉积耦合到所述第一MTJ结构的所述自由层的传导层，其中所述传导层与所述自由层的侧部邻接；沉积第二多个膜层以在所述第一MTJ结构上形成第二MTJ结构；将读取线耦合到所述第二MTJ结构；以及将写入线耦合到所述传导层。