技术总结
本发明公开了一种具有单独读取和写入路径的磁性隧道结装置。在一实施例中，揭示一种装置，其包含磁性隧道结（MTJ）结构。所述装置还包含耦合到所述MTJ结构的读取路径（102）和耦合到所述MTJ结构的写入路径（104）。所述写入路径（104）与所述读取路径（102）分离。所述装置本质上包括一对串联耦合的MTJ结构（106、108），借此所述读取路径（102）仅包括所述MTJ结构中的一者（108）。这提供了组合的改进的读取裕度和改进的写入裕度。
技术研发人员：朱晓春;顾时群;李霞;升·H·康
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
文档号码：201310122647
技术研发日：2008.12.19
技术公布日：2016.12.28