阻变存储装置、其操作方法以及具有其的系统的制作方法
【专利摘要】一种阻变存储装置包括：存储单元，其包括阻变存储器单元阵列；电压发生单元，其适用于接收射频RF信号并且将RF信号转换成直流DC电压；以及控制单元，其适用于控制要对阻变存储器单元阵列执行的刷新操作，其中，升高的DC电压用作刷新操作的操作电压。
【专利说明】阻变存储装置、其操作方法以及具有其的系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2013年10月7日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0119336的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
【技术领域】
[0003]本发明构思的各种实施例涉及一种半导体集成电路，更具体而言，涉及一种阻变存储装置及其操作方法、以及具有阻变存储装置的系统。
【背景技术】
[0004]半导体存储装置大部分被分成易失性存储装置和非易失性存储装置。
[0005]易失性存储装置的典型实例可以是动态随机存取存储器(DRAM，dynamic randomaccess memory) 0 DRAM可周期性地刷新构成单位存储器单元的单元电容器的状态，以保留储存的数据。DRAM可以高速执行读取/写入操作，但是DRAM具有高功耗。
[0006]此外，非易失性存储器可以包括快闪存储装置和阻变存储装置，快闪存储装置具有非易失性属性，即使在断电时也能保存数据，但是快闪存储装置的使用寿命短，具有编程次数的限制。
[0007]阻变存储装置具有DRAM和快闪存储装置的优点。
[0008]阻变存储装置的典型实例为使用硫族化合物的相变随机存取存储器(PCRAM，phase-change random access memory)、使用铁电电容器的铁电 RAM(FRAM, ferroelectricRAM)、使用金属氧化物的阻变RAM (ReRAM，resistive RAM)以及使用钙钛矿的磁阻式RAM (MRAM, magnetoresistive RAM)。
[0009]在阻变存储装置之中，基于相变材料的结晶状态，PCRAM可以确定要储存在选中的存储器单元中的数据。通过将相变材料加热，相变材料的相位会改变，且因而可以控制电阻状态。PCRAM具有包括存取器件的单位存储器单元、和作为阻变器件用于储存数据的相变材料。相变材料的电阻可由于各种原因而增加，并且这种现象被称作为电阻漂移。随着相变材料的电阻变高，电阻漂移会加剧。
[0010]图1是解释由于电阻漂移而造成的失败的图。
[0011]可以将两个比特或更多个比特储存在一个存储器单元中的存储器单元可以被称作为多电平单元(MLC，multilevel cell)。图1说明储存四个电平R1、R2、R3和R4的数据的多电平单元随着时间经过的电阻变化。
[0012]当存储器单元具有高电阻状态(即，以R4>R3>R3>R1的顺序)时，电阻漂移严重。当存储器单元被编程为具有电阻R3的电阻超过参考电阻Ref时，从时间点‘A’开始会发生失败。
[0013]换言之，由‘A’表示的时间被称作为存储器单元的数据保持时间(或漂移保持时间)。
[0014]所以需要一种防止由于电阻漂移造成的失败的方法。
【发明内容】
[0015]根据一个实施例，一种阻变存储装置可以包括:存储单元，其包括阻变存储器单元阵列；电压发生单元，其适用于接收射频(RF，rad1 frequency)信号并且将RF信号转换成直流(DC，direct current)电压；以及控制单元，其适用于控制要对阻变存储器单元阵列执行的刷新操作，其中升高的DC电压用作刷新操作的操作电压。
[0016]根据一个实施例，一种阻变存储装置的操作方法可以包括以下步骤:接收射频(RF)信号；以及基于RF信号，对包括在阻变存储装置的存储器单元执行刷新操作。
[0017]根据一个实施例，一种电子系统可以包括处理器和阻变存储装置，处理器适用于对从外部装置输入的命令执行译码，阻变存储装置包括:存储单元，其包括通过处理器来存取的存储器单元阵列；电压发生单元，其适用于接收射频(RF)信号；以及控制单元，其适用于响应于基于RF信号产生的刷新命令而控制对存储器单元阵列的刷新操作。
[0018]根据一个实施例，一种电子系统可以包括:阻变存储装置，其适合用于接收射频(RF)信号，并且基于RF信号对包括在阻变存储装置的存储器单元执行刷新操作；存储器控制器，其适用于控制存储装置的操作；以及卡接口，其适用于执行主机与存储器控制器之间的数据交换。
[0019]在以下标题为“【具体实施方式】”的部分描述这些和其他的特点、方面以及实施例。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]从如下结合附图的详细描述中将更加清楚地理解本公开的主题的以上和其他的方面、特征和其他的优点，其中:
[0021]图1是解释由于电阻漂移造成的失败的曲线图；
[0022]图2是说明根据本发明构思的一个实施例的阻变存储装置的图；
[0023]图3是图2中所示的控制单元的详细图；
[0024]图4是图2中所示的电压发生单元的详细图；
[0025]图5是解释被集成在一个芯片中的图2中所示的阻变存储装置的截面图；
[0026]图6至图8是说明根据本发明构思的其他实施例的阻变存储装置的图；
[0027]图9A和图9B是根据本发明构思的一个实施例解释刷新方法的流程图；
[0028]图10是解释图9A和图9B中所示的刷新方法的时序图；
[0029]图11是根据本发明构思的实施例解释阻变存储装置的电阻漂移的图；以及
[0030]图12和图13是说明根据本发明的一个实施例的电子系统的图。
【具体实施方式】
[0031]在下文中，将参照附图详细地描述示例性实施例。本文参照截面图来描述示例性实施例，截面图是示例性实施例(和中间结构)的示意性图示。照此，可以预料到图示的形状变化是缘于例如制造技术和/或公差。因而，示例性实施例不应当被解释为局限于本文说明的区域的特定形状，而可以包括例如来自于制造的形状差异。在附图中，为了清楚起见，可以能对层和区域的长度和尺寸进行夸大。在本公开中，附图标记在本发明的各种附图和实施例中直接对应于相同编号的部分。还将理解的是，当一个层涉及在另一个层或衬底“上”时，其可以直接在另一个层或衬底上，或者还可以存在中间层。还应注意的是，在本说明书中，“连接/耦接”不仅表示一个部件与另一个部件直接耦接，还表示一个部件经由中间部件与另一个部件间接耦接。另外，只要未在句子中特意提及，单数形式可以包括复数形式。
[0032]尽管将示出并且描述本发明构思的一些实施例，但本领域中的普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明构思的原理和精神的情况下，可以对这些示例性实施例进行变化。
[0033]图2是说明根据本发明构思的一个实施例的阻变存储装置10的图。
[0034]如图2中所示，阻变存储装置10可以包括:形成在半导体衬底的第一区中的存储单元110、形成在半导体衬底的第二区中的控制单元120以及形成在半导体衬底的第三区中的电压发生单元130。存储单元110、控制单元120以及电压发生单元130可以集成在单个芯片(或一个芯片)中。
[0035]存储单元110可以包括存储器单元阵列(即，阻变存储器单元阵列)、地址译码器、输入/输出电路块等。这里，包括在存储器单元阵列中的每个存储器单元可以包括存取器件和电阻器件(例如，相变材料)。
[0036]电压发生单元130接收射频(RF)信号。在刷新信号被提供为RF信号的情况下，电压发生单元130可以将刷新命令传送至控制单元120。
[0037]控制单元120可以控制阻变存储装置10的整体操作。具体地,控制单元120可以接收来自电压发生单元130的刷新命令，并且对存储单元110中的存储器单元阵列执行刷新操作。
[0038]另外，电压发生单元130响应于被提供为RF信号的刷新命令而产生操作电压。当在控制单元120的控制下执行刷新命令时，可以将操作电压作为刷新电压提供至存储器单元阵列。
[0039]尽管未示出，但是阻变存储装置10还可以包括主电源单元(未示出)。当阻变存储装置10包括主电源单元时，电压发生单元130可以将接收的刷新命令作为RF信号提供至控制单元120，并且可以允许使用从主电源单元提供的电压来执行刷新操作。
[0040]当半导体存储装置10不包括主电源单元时，电压发生单元130可以响应于刷新命令而产生操作电压，并且可以允许使用操作电压来执行刷新操作。即使阻变存储装置10包括主电源单元时，也可以使用不在主电源单元中而在电压发生单元130中产生的操作电压来执行刷新操作。
[0041]图3是图2中所示的控制单元120的详细图。
[0042]参见图3，控制单元120可以包括:控制器1201、信号处理器1203以及时钟发生器1205。
[0043]控制器1201可以分别响应于编程命令、读取命令以及刷新命令而允许对存储单元110中的存储器单元阵列执行编程操作、读取操作以及刷新操作。
[0044]信号处理器1203将从电压发生单元130提供的RF信号译码以产生刷新命令，并且将刷新命令提供至控制器1201。
[0045]时钟发生器1205基于信号处理器1203提供的刷新命令来使能或禁止控制器1201。时钟发生器1205产生具有预设周期的用于刷新操作的刷新时钟信号。
[0046]因此，当基于在信号处理器1203中译码的刷新命令来将控制器1201使能，并且在时钟发生器1205中产生刷新时钟信号时，对存储器单元阵列重复地执行兼有刷新读取操作和刷新写入操作的刷新操作预定的次数。当基于在信号处理器1203中译码的刷新命令来禁止控制器1201时，完成刷新操作。
[0047]图4是图2中所示的电压发生单元130的详细图。
[0048]参见图5，电压发生单元130包括:电压倍增器1301，其可以接收RF信号并且产生直流(DC)电压加倍(或升高)至预定的电平；以及充电器1303，其可以将加倍的电压储存在电压倍增器1301中。充电器1303的输出端子OUT中产生的输出电压DCPWR可以被提供至存储单元110或主电源单元。
[0049]电压倍增器1301可以用作RF-DC转换器，其可以接收来自输入端子IN的RF信号，并且将RF信号转换成DC电压。当RF信号供应至输入端子IN时，电压通过二极管的整流以及电容器的升压来加倍，并且根据二极管和电容器的连接级数来控制电压电平。
[0050]在电压倍增器1301中升高的DC电压被储存在包括储存电容器的充电器1303中，并且充电器1303的输出电压PWR可以用作数字电路单元的操作电源，数字电路单元构成存储单元110或控制单元120。
[0051]当使用具有与电压倍增器1301和充电器1303的输出电压PWR不同的电平的其他电压时，可以在电压倍增器1301的中间级处提取电压。因此，当电压倍增器1301中的级数为N时，可以产生具有不同电平的N个DC电压。
[0052]RF信号可以从移动通信系统的的基站或中继器传送。在另一个实施例中，RF信号可以从无线数据通信系统中的核心网、或者无线数据通信系统中的中继器或接入点传送。传送包括刷新命令的RF信号的方法并非限制于此，并且可以使用例如Zigbee、近场通信(NFC, near field communicat1n)或蓝牙的短距离无线通信网络。
[0053]当如图1所示实施一个芯片的阻变存储装置时，可在形成存储单元110的存储器单元阵列和外围电路单元时，同时形成电压发生单元130。
[0054]图5是解释集成在一个芯片中图2中所示的阻变存储装置的截面图。
[0055]参见图5，在限定有单元区C和外围电路区P的半导体衬底上形成存储器单元、夕卜围电路以及电压发生单元。
[0056]存储器单元110形成在单元区C和外围电路区P上。外围电路区P被分成数字电路区T和模拟电路区PG。存储器单元MC形成在单元区C上。用于外围电路的数字电路(例如，晶体管TR)形成在数字电路区T中。包括二极管D和电容器CAP的电压发生单元可以形成在模拟电路区PG内。
[0057]当存储单元110形成在半导体衬底上时，可以同时形成电压发生单元130，适合可以简化处理并且可以将芯片尺寸小型化。
[0058]图6至图8是说明根据本发明构思的其他实施例的阻变存储装置的图。
[0059]在图6中所示的阻变存储装置10-1中，存储单元IlOA和充电器1303A被形成为单个芯片。控制单元120A和电压倍增器1301A可以形成在与形成有存储单元I1A和充电器1303A的第一芯片分开的芯片中。此时，控制单元120A和电压倍增器1301A可以形成在同一芯片中或相应的芯片中。
[0060]在图7中所示的阻变存储装置10-2中，存储单元110B、控制单元120B和充电器1303B被形成为单个芯片。电压倍增器1301B可以形成在单独的芯片中。
[0061]在如图8中所示的阻变存储装置10-3中，存储单元I1C和电压发生单元130C被形成为单个芯片。控制单元120C可以形成在单独的芯片中。
[0062]例如，图6至图8中所示的控制单元120A、120B和120C可以由图3中所示的控制单元120来配置。电压发生单元130C、以及构成电压发生单元的电压倍增器1301A和1301B以及充电器1303A和1303B可以由如图4中所示的电压发生单元130来配置。
[0063]图9A和图9B是根据本发明构思的其他实施例解释刷新方法的流程图，且图10是解释图9A和图9B中所示的刷新方法的时序图。
[0064]在步骤SlOl中，在电压发生单元130的输入端子IN处接收RF信号RF，并且在步骤S103中，通过电压发生单元130的RF-DC转换操作来将输出电压PWR施加至输出端子OUT。
[0065]控制单元120的信号处理器1203将刷新命令(施加至输入端子IN的RF信号被译码)提供至时钟发生器1205和控制器1201。因此，在步骤S105中，通过在时钟发生器1205中产生的控制器使能信号EN_C0N来将控制器使能，以及在步骤S107中，通过控制器1201的控制来执行刷新操作。
[0066]针对刷新操作，控制器1201控制时钟发生器1205来产生刷新时钟信号，并且控制器1201响应于刷新时钟信号而重复地执行刷新读取操作和刷新写入操作。刷新读取操作和刷新写入操作可以通过从电压发生单元130提供的输出电压PWR来执行。
[0067]当时钟发生器1205产生控制器禁止信号DIS_C0N时，终止刷新操作。
[0068]图9A中所述的刷新方法可以被应用于阻变存储装置接收来自主电源单元的电力时，或阻变存储装置不接收来自主电源单元的电力时。
[0069]供作参考，图10中的‘RD_REF’表示与刷新读取操作相对应的读取脉冲，而图10中的‘WT_REF’表示与刷新写入操作相对应的写入脉冲。
[0070]图9B是说明根据本发明构思的另一个实施例的刷新方法的流程图，并且可以适用于阻变存储装置接收来自主电源单元的电力时。
[0071]为了执行刷新操作，电压发生单元130的输入端子IN可以与控制单元120相互连接，具体地与信号处理器1203相互连接。
[0072]当在步骤S201中在电压发生单元130的输入端子IN处接收RF信号时，与输入端子IN连接的信号处理器1203将刷新命令(施加至输入端子IN的RF信号被译码)提供至时钟发生器1205和控制器1201。因此，在步骤S203中，通过时钟发生器1205中产生的控制器使能信号EN_C0N来将控制器使能，以及在步骤S205中，通过控制器1201的控制来执行刷新操作。
[0073]针对刷新操作，控制器1201控制时钟发生器1205来产生刷新时钟信号，以及控制器1201响应于刷新时钟信号而重复地执行刷新读取操作RD_REF和刷新写入操作WT_REF预定的次数。刷新操作可以通过从主电源单元提供的电压来执行。
[0074]当通过时钟发生器1205来产生控制器禁止信号DIS_C0N时，终止刷新操作。
[0075]图11是根据本发明构思的实施例解释改善的电阻漂移的曲线图。
[0076]在本发明构思的实施例中，包括刷新命令的RF信号可以采用预设的周期或任意的周期来传送。
[0077]当根据接收作为RF信号的刷新命令来周期性地刷新阻变存储装置的存储器单元阵列时，存储器单元的电阻状态R1、R2、R3和R4可以维持在期望的电平。因此，也可以增加数据保持时间，并且可以改善感测余量。
[0078]图12和图13是说明根据本发明构思的一个实施例的电子系统的图。
[0079]参见图12，电子系统20可以包括:处理器201、存储器控制器203、存储装置205、输入/输出装置207以及通信模块209。
[0080]存储器控制器203可以根据处理器201的控制来控制存储装置205的数据处理操作，例如编程操作、读取操作、刷新操作等。
[0081]在存储装置205中编程的数据可以根据处理器201和存储器控制器205的控制，通过输入/输出装置207来输出。为此，输入/输出装置207可以包括显示装置、扬声器装置等。
[0082]输入/输出装置207还可以包括输入装置，并且输入/输出装置207可以通过输入装置来输入用于处理器201的操作控制的控制信号、或要通过处理器201处理的数据。
[0083]在另一个实施例中，存储器控制器203可以被实施成处理器201的部分，或者可以被实施为与处理器201分开的芯片组。
[0084]存储装置205可以是例如图2、图6、图7和图8中所示的阻变存储装置中的任意一种。即，存储装置205可以包括可接收RF信号的电压发生单元130、以及可根据从RF信号译码的刷新命令来控制对存储器单元阵列的刷新操作的控制单元120。电压发生单元130可以根据刷新命令来另外产生刷新电压。
[0085]通信模块209提供通信环境，其中电子系统20与有线或无线通信网络连接，并且与有线或无线通信网络交换数据和控制信号。
[0086]当电子系统20包括通信模块209时，图12中的电子系统20可以是便携式通信装置，例如无线通信终端。用于通信模块209的天线2091可以与用于存储装置205中的电压发生单元的天线2051形成为一体，或者可以与用于存储装置205的电压发生单元的天线2051分开形成。
[0087]图13中所示的电子系统30可以包括卡接口 301、存储器控制器303以及存储装置305。
[0088]图13中所示的电子系统30是存储卡或智能卡的示例性实施例。电子系统30可以是个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA, personal computer memory card internat1nalassociat1n)卡、多媒体卡、嵌入式多媒体卡、安全数字卡以及通用串行总线(USB,universal serial bus)驱动中的任意一种。
[0089]卡接口 301可以根据主机协议在主机与存储器控制器303之间执行接口连接。在一个实施例中，卡接口 301表示可支持主机中使用协议的硬件、安装在可支持主机使用协议的硬件中的软件、或者信号传送方法。
[0090]存储器控制器303控制存储装置305与卡接口 301之间的数据交换。
[0091]存储装置305可以是例如图2、图6、图7和图8中所示的阻变存储装置中任意一种。即，存储装置205可以包括可接收RF信号的电压发生单元130、以及可根据从RF信号中译码的刷新命令来控制对存储器单元阵列的刷新操作的控制单元120。电压发生单元130还可以根据刷新命令来另外产生刷新电压。
[0092]本发明的以上实施例是说明性的，并非限制性的。各种替换和等同形式是可以的。本发明不局限于本文所述的实施例。本发明也不局限于任何特定形式的半导体装置。其他增加、删减或修改结合本公开是显然的，且旨在落入所附权利要求的范围内。
[0093]通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
[0094]技术方案1.一种阻变存储装置，包括:
[0095]存储单元，其包括阻变存储器单元阵列；
[0096]电压发生单元，其适用于接收射频RF信号并且将所述RF信号转换成直流DC电压；以及
[0097]控制单元，其适用于控制要对所述阻变存储器单元阵列执行的刷新操作，其中，升高的DC电压用作所述刷新操作的操作电压。
[0098]技术方案2.如技术方案I所述的阻变存储装置，其中，所述存储单元、所述控制单元以及所述电压发生单元被集成在一个芯片上。
[0099]技术方案3.如技术方案I所述的阻变存储装置，其中，所述存储单元和所述电压发生单元包括在第一芯片中，而所述控制单元包括在第二芯片中。
[0100]技术方案4.如技术方案I所述的阻变存储装置，其中，所述电压发生单元包括:
[0101]电压倍增器，其适用于通过将经由天线输入的所述RF信号转换来产生所述DC电压，并且将所述DC电压升高至预定的电平；以及
[0102]充电器，其适用于储存升高的DC电压，并且将储存的电压提供为所述操作电压。
[0103]技术方案5.如技术方案4所述的阻变存储装置，其中，所述存储单元和所述充电器包括在第一芯片中，而所述控制单元和所述电压倍增器包括在第二芯片中。
[0104]技术方案6.如技术方案4所述的阻变存储装置，其中，所述存储单元、所述控制单元以及所述充电器包括在第一芯片中，而所述电压倍增器包括在第二芯片中。
[0105]技术方案7.如技术方案I所述的阻变存储装置，其中，所述控制单元包括:
[0106]控制器，其适用于对所述阻变存储器单元阵列执行编程操作、读取操作以及所述刷新操作；
[0107]信号处理器，其适用于将所述RF信号译码以产生刷新命令，并且将所述刷新命令提供至所述控制器；以及
[0108]时钟发生器，其适用于接收所述刷新命令，将所述控制器使能/禁止，以及产生具有预设周期的刷新时钟信号。
[0109]技术方案8.如技术方案I所述的阻变存储装置，还包括主电源单元，其适用于将电力供应至所述存储单元。
[0110]技术方案9.一种电子系统,包括:
[0111]处理器，其适用于对从外部装置输入的命令输入执行译码；以及
[0112]阻变存储装置，其包括:存储单元，存储单元包括通过处理器来存取的存储器单元阵列；电压发生单元，其适用于接收射频RF信；以及控制单元，其适用于响应于基于所述RF信号产生的刷新命令而控制对所述存储器单元阵列的刷新操作。
[0113]技术方案10.如技术方案9所述的电子系统，其中，所述存储单元、所述控制单元以及所述电压发生单元集成在一个芯片上。
[0114]技术方案11.如技术方案9所述的电子系统，其中，所述电压发生单元包括:
[0115]电压倍增器，其适用于通过将经由天线输入的所述RF信号转换来产生直流DC电压，并且将所述DC电压升高至预定的电平；以及
[0116]充电器，其适用于储存升高的DC电压，并且将储存的电压提供为操作电压。
[0117]技术方案12.如技术方案9所述的电子系统，其中，所述电压发生单元接收所述RF信号以产生用于所述刷新操作的操作电压，以及
[0118]所述控制单元将所述操作电压施加至所述存储器单元阵列以执行所述刷新操作。
[0119]技术方案13.如技术方案9所述的电子系统，其中，所述控制单元将从包括在所述阻变存储装置中的主电源单元中提供的电力施加至所述存储器单元阵列，以执行所述刷新操作。
[0120]技术方案14.如技术方案9所述的电子系统，还包括通信模块，其适用于允许所述电子系统与无线或有线通信网络连接。
[0121]技术方案15.—种电子系统,包括:
[0122]阻变存储装置，其适用于接收射频RF信号，并且基于所述RF信号对包括在所述阻变存储装置中的存储器单元执行刷新操作；
[0123]存储器控制器，其适用于控制所述存储装置的操作；以及
[0124]卡接口，其适用于在主机与所述存储器控制器之间执行数据交换。
[0125]技术方案16.如技术方案15所述的电子系统，其中，所述阻变存储装置包括:
[0126]存储单元，其包括阻变存储器单元阵列；
[0127]电压发生单元，其适用于接收射频RF信号并且将所述RF信号转换成直流DC电压；以及
[0128]控制单元，其适用于控制要对所述阻变存储器单元阵列执行的刷新操作，其中，升高的DC电压用作所述刷新操作的操作电压。
[0129]技术方案17.如技术方案16所述的电子系统，其中，所述存储单元、所述控制单元以及所述电压发生单元集成在一个芯片上。
[0130]技术方案18.如技术方案16所述的电子系统，其中，所述电压发生单元包括:
[0131]电压倍增器，其适用于通过将经由天线输入的所述RF信号转换来产生所述DC电压，并且将所述DC电压升高至预定的电平；以及
[0132]充电器，其适用于储存升高的DC电压，并且将储存的电压提供为所述操作电压。
[0133]技术方案19.如技术方案16所述的电子系统，还包括主电源单元，其适用于将电力供应至所述存储单元。
[0134]技术方案20.—种阻变存储装置的操作方法，所述操作方法包括以下步骤:
[0135]接收射频RF信号；以及
[0136]基于所述RF信号对包括在所述阻变存储装置中的存储器单元执行刷新操作。
[0137]技术方案21.如技术方案20所述的操作方法，还包括以下步骤:
[0138]将所述RF信号转换成直流DC电压；以及
[0139]将所述DC电压升闻，
[0140]其中，通过使用升高的DC电压作为操作电压来执行所述刷新操作。
[0141]技术方案22.如技术方案20所述的操作方法，还包括以下步骤:
[0142]通过将所述RF信号译码来产生刷新命令，其中，响应于所述刷新命令来执行所述刷新操作。
【权利要求】
1.一种阻变存储装置，包括: 存储单元，其包括阻变存储器单元阵列； 电压发生单元，其适用于接收射频RF信号并且将所述RF信号转换成直流DC电压；以及 控制单元，其适用于控制要对所述阻变存储器单元阵列执行的刷新操作，其中，升高的DC电压用作所述刷新操作的操作电压。
2.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，所述存储单元、所述控制单元以及所述电压发生单元被集成在一个芯片上。
3.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，所述存储单元和所述电压发生单元包括在第一芯片中，而所述控制单元包括在第二芯片中。
4.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，所述电压发生单元包括: 电压倍增器，其适用于通过将经由天线输入的所述RF信号转换来产生所述DC电压，并且将所述DC电压升高至预定的电平；以及 充电器，其适用于储存升高的DC电压，并且将储存的电压提供为所述操作电压。
5.如权利要求4所述的阻变存储装置，其中，所述存储单元和所述充电器包括在第一芯片中，而所述控制单元和所述电压倍增器包括在第二芯片中。
6.如权利要求4所述的阻变存储装置，其中，所述存储单元、所述控制单元以及所述充电器包括在第一芯片中，而所述电压倍增器包括在第二芯片中。
7.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，所述控制单元包括: 控制器，其适用于对所述阻变存储器单元阵列执行编程操作、读取操作以及所述刷新操作； 信号处理器，其适用于将所述RF信号译码以产生刷新命令，并且将所述刷新命令提供至所述控制器；以及 时钟发生器，其适用于接收所述刷新命令，将所述控制器使能/禁止，以及产生具有预设周期的刷新时钟信号。
8.—种电子系统,包括: 处理器，其适用于对从外部装置输入的命令输入执行译码；以及 阻变存储装置，其包括:存储单元，存储单元包括通过处理器来存取的存储器单元阵列；电压发生单元，其适用于接收射频RF信；以及控制单元，其适用于响应于基于所述RF信号产生的刷新命令而控制对所述存储器单元阵列的刷新操作。
9.一种电子系统,包括: 阻变存储装置，其适用于接收射频RF信号，并且基于所述RF信号对包括在所述阻变存储装置中的存储器单元执行刷新操作； 存储器控制器，其适用于控制所述存储装置的操作；以及 卡接口，其适用于在主机与所述存储器控制器之间执行数据交换。
10.一种阻变存储装置的操作方法，所述操作方法包括以下步骤: 接收射频RF信号；以及 基于所述RF信号对包括在所述阻变存储装置中的存储器单元执行刷新操作。
【文档编号】G11C11/406GK104517635SQ201410339944
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年7月16日 优先权日:2013年10月7日
【发明者】朴海赞 申请人:爱思开海力士有限公司