信息处理方法及存储设备与流程

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种信息处理方法及存储设备。

背景技术：

存储型闪存Nand Flash是一种非易失性存储介质，相对于机械硬盘具有读写速度快的特点；但是可能存在的问题是：容易产生错误，需要较为负载的纠错码以及其他配到机制对用户数据记性处理，以确保存储的可靠性。

在向Nand Flash进行写数据时，需要向Nand Flash中的晶体管进行充电，接收晶体管反馈充电后的电压阈值Vth(threshold Voltage)；在从Nand Flash读数据时，通过向晶体管所在的电路施加参考电压Vref(reference Voltage)，利用Vref的电压作用于电路，看电路的导通状况，确定出所述Vth，从而获得Vth对应的数据。但是后续发现写入Nand Flash的电压会发生偏移，导致这种偏移的现象有很多种，例如温度等。这样的话，就会导致在读取Nand Flash发生错误，导致存储的可靠性低。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例期望提供的信息处理方法及存储设备，至少解决上述问题之一。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例第一方面提供一种信息处理方法，包括：

检测写入数据时存储介质的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质的存储特性变化的环境参数；

基于所述第一参数值，向所述存储介质施加与待写入数据对应的第一电压；

检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；

向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

基于上述方案，所述方法还包括：

预先确定所述第一参数的不同参数值与作用于所述存储介质的作用电压之间的映射关系信息；

所述基于所述第一参数值，向所述存储介质施加与待写入数据对应的第一电压，包括：

基于所述第一参数值查询所述映射关系信息，确定所述第一电压；

所述基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压，包括：

基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压。

基于上述方案，所述映射关系信息包括：以第三参数值为基准参数值时，对应于所述第一参数值的第一预设电压信息，及以所述第三参数值为基准参数值时，对应于所述第二参数值的第二预设电压信息；

所述基于所述第一参数值查询所述映射关系信息，确定所述第一电压，包括：

以所述第一参数值查询依据，查询所述第一预设电压信息，确定所述第一电压；

向所述存储介质施加所述第一电压；

所述基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压，包括:

以所述第二参数值查询依据，查询所述第二预设电压信息，确定所述第二电压。

基于上述方案，所述映射关系信息包括：以第三参数值为基准参数值设定的第一预设电压偏移信息；

所述基于所述第一参数值，向所述存储介质施加与待写入数据对应的第一电压，包括：

以所述第一参数值查询依据，查询所述第一预设电压偏移信息，确定第一电压偏移量；

查询以所述第三参数值为基准参数值设定的与所述待写入数据对应的第三电压；

基于所述第三电压与所述第一电压偏移量，确定所述第一电压；

向所述存储介质施加所述第一电压；

所述基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压，包括：

以所述第二参数值为查询依据，查询以所述第一预设电压偏移信息，确定第二电压偏移量；

查询以所述第三参数值为基准参数值设定的第四电压；

基于第二电压偏移量和所述第四电压，确定所述第二电压。

基于上述方案，所述第一参数包括温度和湿度的至少其中之一。

本发明实施例第二方面提供一种存储设备，包括存储介质、控制器和传感器；

所述传感器，用于检测写入数据时所述存储介质的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质的存储特性变化的环境参数；

所述控制器，用于基于所述第一参数值，向所述存储介质施加与待写入数据对应的第一电压；

所述传感器，还用于检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

所述控制器，还用于基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

基于上述方案，所述控制器，还用于预先确定所述第一参数的不同参数值与作用于所述存储介质的作用电压之间的映射关系信息；

所述控制器，具体用于基于所述第一参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第一电压；并基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压。

基于上述方案，所述映射关系信息包括：以第三参数值为基准参数值时，对应于所述第一参数值的第一预设电压信息，及以所述第三参数值为基准参数值时，对应于所述第二参数值的第二预设电压信息；

所述控制器，具体用于以所述第一参数值查询依据，查询所述第一预设电压信息，确定所述第一电压；向所述存储介质施加所述第一电压；

所述控制器，还用于以所述第二参数值查询依据，查询所述第二预设电压信息，确定所述第二电压。

基于上述方案，所述映射关系信息包括：以第三参数值为基准参数值设定的第一电压偏移信息；

所述控制器，具体用于以所述第一参数值查询依据，查询所述第一预设电压偏移信息，确定第一电压偏移量；查询以所述第三参数值为基准参数值设定的与所述待写入数据对应的第三电压；基于所述第三电压与所述第一电压偏移量，确定所述第一电压；向所述存储介质施加所述第一电压；

所述控制器，还用于以所述第二参数值为查询依据，查询以所述预设电压偏移信息，确定第二电压偏移量；查询以所述第三参数值为基准参数值设定的第四电压；基于第二电压偏移量和所述第四电压，确定所述第二电压。

基于上述方案，所述第一参数包括温度和湿度的至少其中之一。

本发明实施例提供的信息处理方法及存储设备，在进行数据存储及读取的时候，均会检测当前的第一参数的参数值，而第一参数是会影响存储介质的存储特性的环境参数，在写入数据时根据当前第一参数值确定向介质施加的第一电压，在读取数据时根据当前的第二参数值，向存储介质施加第二电压，这样可以减少因第一参数的影响，导致存储介质的存储特性的变化，而导致的作用于存储介质作用电压的变更，进而导致的存储数据错误或读取的数据错误，从而提升数据存储及读取的精确性，从而提升了存储设备整体存储的可靠性。

附图说明

图1为本发明实施例提供的第一种信息处理方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的第二种信息处理方法的流程示意图。

具体实施方式

以下结合说明书附图及具体实施例对本发明的技术方案做进一步的详细阐述。

实施例一：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：

步骤S110：检测写入数据时存储介质的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质的存储特性变化的环境参数；

步骤S120：基于所述第一参数值，向所述存储介质施加与待写入数据对应的第一电压；

步骤S130：检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

步骤S140：基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；

步骤S150：向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

本实施例提供了一种信息处理方法，可用于控制存储介质中数据的精确读写，例如，控制Nand Flash等非易失性存储介质的数据读写。

在本实施例中所述第一参数为能够影响所述存储介质的存储特性的环境参数。所述环境参数可包括温度和湿度等其中的一个或多个，所述温度可为所述存储介质表明的温度，所述湿度可为所述存储介质周围的湿度。通常若一个存储介质位于一个空间内，该空间内的空气湿度大致等于所述存储介质所在环境的湿度。存储介质在工作工程中，可能伴随着数据的不断的读和写，就可能会出现存储介质的表面温度高于其所在空间的大环境的温度。

在本实施例中在进行数据写入时，会检测数据写入时存储介质的第一参数的第一参数值，当所述第一参数为温度时，所述第一参数值可为第一温度值。当所述第一参数为湿度时，所述第一参数值为所述第一湿度值。

不同的环境参数存储介质表征一个数据的存储特性不同。在步骤S120中将根据第一参数值向存储介质施加第一电压。当所述存储介质是由浮栅晶体管阵列构成的时，所述浮栅晶体管在不同温度下表征1和0所需注入的电子数不同，通常对应的施加的电压也可以不同。在本实施例中，步骤S120将基于第一参数值来施加所述第一电压，不会如现有技术中一样，不管当前存储介质处于什么样的环境中都采用电压作用于存储介质。

当需要读取存储介质中的数据时，也会检测存储介质当前第一参数的第二参数值，第二参数值为读取数据时刻的参数值，第一参数值为写入数据时刻的参数值，这两个参数值可能相同也可能不同。

在步骤S140中将根据第二参数值，确定读取数据的第二电压。

在步骤S150中通过向存储介质施加所述第二电压，最终读取出写在所述存储介质中的数据。例如，读取存储介质中的某一个比特时，该比特中写入的数据可能是“0”，也与可能是“1”，为“0”和为“1”时对应的读取电压不同，故此时将有两个或两个以上的第二电压，在步骤S150中分别向存储介质施加所述第二电压，通过第二电压的施加，检测该比特的存储单元的电特性的变化，例如，检测该存储单元的电子的输出，从而确定出当前该比特存储的是“0”还是“1”。

在本实施例中所述第二电压是基于当前第一参数的第二参数值确定的，是充分考虑了第一参数对存储介质的存储特性的影响的，从而避免了不考虑温度和/或湿度等环境参数对存储介质的存储特性影响，直接在不管是什么温度或什么湿度情况下，都采用同一写入电压及读取电压导致的数据存储精确度低、数据读取精确度低的问题。

实施例二：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：

步骤S110：检测写入数据时存储介质的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质的存储特性变化的环境参数；

步骤S120：基于所述第一参数值，向所述存储介质施加与待写入数据对应的第一电压；

步骤S130：检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

步骤S140：基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；

步骤S150：向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

所述方法还包括：预先确定所述第一参数的不同参数值与作用于所述存储介质的作用电压之间的映射关系信息。所述作用电压可包括前述的第一电压和所述第二电压。值得注意的是在本实施例中所述不同参数值与作用电压之间的映射关系信息可为直接映射关系信息，也可以是间接映射关系信息。所述直接映射关系可包括不同参数值与作用电压之间的直接关系，所述间接映射关系可包括不同参数值相对于基准参数值之间的作用电压之间的偏移量，或不同参数值之间对应于同一数据的不同作用电压之前的偏移量。这里预先去顶所述映射关系信息，可包括从本地数据库中读取，也包括从其他电子设备中接收。

所述步骤S120可包括：基于所述第一参数值查询所述映射关系信息，确定所述第一电压；

所述步骤S140可包括：基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压。

在本实施例中可以通过查询上述关系，简便的确定出所述第一电压和第二电压，不仅能够提升数据存储和读取的精确度，同时还具有实现简便的特点。

实施例三：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：

步骤S110：检测写入数据时存储介质的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质的存储特性变化的环境参数；

步骤S120：基于所述第一参数值，向所述存储介质施加与待写入数据对应的第一电压；

步骤S130：检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

步骤S140：基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；

步骤S150：向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

所述方法还包括：预先确定所述第一参数的不同参数值与作用于所述存储介质的作用电压之间的映射关系信息；所述步骤S120可包括：基于所述第一参数值查询所述映射关系信息，确定所述第一电压；所述步骤S140可包括：基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压。

在本实施例中，所述映射关系信息包括：以第三参数值为基准参数值时，对应于所述第一参数值的第一预设电压信息，及以所述第三参数值为基准参数值时，对应于所述第二参数值的第二预设电压信息。对应的，所述步骤S120可包括：以所述第一参数值查询依据，查询所述第一预设电压信息，确定所述第一电压；向所述存储介质施加所述第一电压。所述步骤S140可包括:以所述第二参数值查询依据，查询所述第二预设电压信息，确定所述第二电压。

在本实施例中存储第一预设电压信息，该电压信息是以第三参数值为基准参数值时，对应于不同参数值的电压信息。这样的话，例如，所述基准参数值为室温25摄氏度。在所述第一预设电压信息中包括以25摄氏度为基准温度值的各个参数值的电压值。

故在步骤S110中检测当前温度为27摄氏度，则以所述27摄氏度为查询所述第一预设电压信息的检索依据，查询与27摄氏度对应的第一电压，在步骤S120向存储介质中存储阵列的某一个或多个存储单元施加所述第一电压。

在读取数据时，首先检测数据读取时刻的第一参数的第二参数值。例如，当前读取的温度为35摄氏度，则以35摄氏度为查询依据，查询所述第一预设电压信息，确定出读取数据的第二电压。当前查询的电压可能包括至少两个，一个为对应于1个比特为“0”的第二电压，另一个为对应于1个比特为“1”的第二电压，分别尝试向该比特的存储单元施加两个第二电压，通过检测第二电压施加该比特的存储单元之后存储单元反映，确定该比特存储的为“1”还是“0”。

总之，在本实施例中所述第一预设电压信息中存储了以第三参数值为基准参数值对应的各个参数值的电压信息。在执行所述步骤S120和步骤S140时，可以通过查询以当前的参数值为查询依据，简便的获得所述第一电压和所述第二电压，具有实现简便的特点。

实施例四：

如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：

步骤S110：检测写入数据时存储介质的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质的存储特性变化的环境参数；

步骤S120：基于所述第一参数值，向所述存储介质施加与待写入数据对应的第一电压；

步骤S130：检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

步骤S140：基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；

步骤S150：向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

所述方法还包括：预先确定所述第一参数的不同参数值与作用于所述存储介质的作用电压之间的映射关系信息；所述步骤S120可包括：基于所述第一参数值查询所述映射关系信息，确定所述第一电压；所述步骤S140可包括：基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压。

在本实施例中，所述映射关系信息包括：以第三参数值为基准参数值设定的第一预设电压偏移信息；则所述步骤S120可包括：以所述第一参数值查询依据，查询所述第一预设电压偏移信息，确定第一电压偏移量；查询以所述第三参数值为基准参数值设定的与所述待写入数据对应的第三电压；基于所述第三电压与所述第一电压偏移量，确定所述第一电压；向所述存储介质施加所述第一电压。当然所述映射关系信息还可包括所述第三参数值与第三电压的对应股权安溪。对应地，所述步骤S140可包括：以所述第二参数值为查询依据，查询以所述第一预设电压偏移信息，确定第二电压偏移量；查询以所述第三参数值为基准参数值设定的第四电压；基于第二电压偏移量和所述第四电压，确定所述第二电压。

在本实施例中存储的第一预设电压偏移量信息，再结合基准参数值的第三电压，就可以知道任意一个所述第一参数的不同参数值对应的电压。从而也能够简便的确定出所述第一电压和所述第二电压，本实施例提供的所述第一预设电压偏移量信息为存储电压不同参数值相对于基准参数值的电压偏移量的信息，是一种间接映射关系。

同样的本实施例提供的信息处理方法，同样具有数据存储和读取简便的特点的同时，还具有实现简便的特点。

实施例五：

如图2所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110、控制器120和传感器130；

所述传感器130，用于检测写入数据时所述存储介质110的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质110的存储特性变化的环境参数；

所述控制器120，用于基于所述第一参数值，向所述存储介质110施加与待写入数据对应的第一电压；

所述传感器130，还用于检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

所述控制器120，还用于基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

所述存储介质可为flash等各种类型的存储介质。本实施例提供的传感器130可为各种能够检测所述存储介质的所在环境的环境参数的传感器，例如，温度传感器。所述控制器可对应于处理器或处理电路。所述处理器可包括中央处理器CPU、数字信号处理器DSP、可编程阵列PLC、应用处理器AP或微处理器MCU等各种类型的处理器，所述处理电路可包括专用集成电路。在本实施例中所述控制器120、传感器130及所述存储介质110可通过数据总线和/或控制总线等通信总线连接。这里的通信总线可包括PCI总线或IIC总线等。所述控制器120将根据所述传感器130检测到第一参数的参数值，确定作用于存储介质的第一电压和第二电压，这样可以实现数据存储及读取的精确性控制，且具有实现简便的特点。

在本实施例中所述第一参数可包括温度和/或湿度的至少其中之一。当然在具体实现时，不局限于温度和湿度这两个环境参数，还可以是会影响存储介质110的存储特性的其他环境参数。

实施例六：

如图2所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110、控制器120和传感器130；

所述传感器130，用于检测写入数据时所述存储介质110的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质110的存储特性变化的环境参数；

所述控制器120，用于基于所述第一参数值，向所述存储介质110施加与待写入数据对应的第一电压；

所述传感器130，还用于检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

所述控制器120，还用于基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

所述控制器120，还用于预先确定所述第一参数的不同参数值与作用于所述存储介质的作用电压之间的映射关系信息；

所述控制器120，具体用于基于所述第一参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第一电压；并基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压。

在本实施例中所述控制器120可通过读取本地存储介质110，来确定所述映射关系信息，也可以通过存储设备的外部通信接口从其他设备接收所述映射关系信息。

所述控制器120通过查询所述映射关系，确定所述第一电压和第二电压，具有实现简便的特点。

实施例七：

如图2所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110、控制器120和传感器130；

所述传感器130，用于检测写入数据时所述存储介质110的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质110的存储特性变化的环境参数；

所述控制器120，用于基于所述第一参数值，向所述存储介质110施加与待写入数据对应的第一电压；

所述传感器130，还用于检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

所述控制器120，还用于基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

所述控制器120，还用于预先确定所述第一参数的不同参数值与作用于所述存储介质的作用电压之间的映射关系信息；

所述控制器120，具体用于基于所述第一参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第一电压；并基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压。

所述映射关系信息包括：以第三参数值为基准参数值时，对应于所述第一参数值的第一预设电压信息，及以所述第三参数值为基准参数值时，对应于所述第二参数值的第二预设电压信息。在本实施例中映射关系信息包括第一预设电压信息和第二预设电压，且第一预设电压信息和第二预设电压信息都是对应于同一个基准参数值。这样的话，所述控制器120，具体用于以所述第一参数值查询依据，查询所述第一预设电压信息，确定所述第一电压；向所述存储介质施加所述第一电压；所述控制器130，还用于以所述第二参数值查询依据，查询所述第二预设电压信息，确定所述第二电压。

所述控制器130直接根据第一参数值和第二参数值就可以通过查询第一预设电压信息和第二预设电压信息，就可以便捷的确定所述第一电压和所述第二电压，具有实现简便的特点。

实施例八：

如图2所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110、控制器120和传感器130；

所述传感器130，用于检测写入数据时所述存储介质110的第一参数的第一参数值；其中，所述第一参数包括导致所述存储介质110的存储特性变化的环境参数；

所述控制器120，用于基于所述第一参数值，向所述存储介质110施加与待写入数据对应的第一电压；

所述传感器130，还用于检测读取数据时所述存储介质的所述第一参数的第二参数值；

所述控制器120，还用于基于所述第二参数值，确定用于从所述存储介质读取数据的第二电压；向所述存储介质施加所述第二电压，并基于所述第二电压的压值获得所需读取的数据。

所述控制器120，还用于预先确定所述第一参数的不同参数值与作用于所述存储介质的作用电压之间的映射关系信息；

所述控制器120，具体用于基于所述第一参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第一电压；并基于所述第二参数值，查询所述映射关系信息，确定所述第二电压。

所述映射关系信息包括：以第三参数值为基准参数值设定的第一电压偏移信息；

所述控制器120，具体用于以所述第一参数值查询依据，查询所述第一预设电压偏移信息，确定第一电压偏移量；查询以所述第三参数值为基准参数值设定的与所述待写入数据对应的第三电压；基于所述第三电压与所述第一电压偏移量，确定所述第一电压；向所述存储介质施加所述第一电压；所述控制器120，还用于以所述第二参数值为查询依据，查询以所述预设电压偏移信息，确定第二电压偏移量；查询以所述第三参数值为基准参数值设定的第四电压；基于第二电压偏移量和所述第四电压，确定所述第二电压。

本实施例中以基准参数值对应的第三电压为电压基准值，在结合第一参数值和第二参数值查询所述第一预设电压偏移信息，也可以简便的获取所述第一电压和所述第二电压，同样不仅具有数据存储及读取的精准度高，且还具有实现简便的特点。

以下结合上述实施例提供一个具体示例：

示例一：

步骤1：本示例使用温度传感器测量Nand Flash的表面温度，据此调整编程时的存储介质中一个存储单元Cell的阈值电压Vth，以及读取时的参考电压Vref，修正温度对读取结果造成的影响。

步骤2：在Nand Flash的常用的温度场景下(如室温环境，称为标准环境)进行Vth扫描，得到一组Vth分布(如，得到每个符号对应的Vth分布，可假设为多高斯分布)，作为Vth的标准分布，并记录Nand Flash表面温度与环境温度。这里的符号可包括；”0”和“1”。在本实施例中所述室温环境的温度值可对应于前述的标准参数值。

步骤3：在Nand Flash标称的工作温度范围内(如-2℃～75℃)，对每一个温度刻度，做以下实验：在该温度下进行编程，并随后恢复到标准环境下进行Vth扫描，根据这次扫描结果与标准分布的差异，调整该温度下的Vth至Vth‘，直到该温度下以Vth’为目标的编程，在标准温度下扫描得到的分布与标准分布相同(或差异小到不影响纠错码解码)。这样就得到了Vth依据温度的调整方案。

步骤4：同理，在标称的工作温度范围内，对标准环境下进行编程的NandFlash做Vth扫描，得到标准环境下Vth的分布在不同温度下的变化。当在某个工作温度下进行读取时，根据环境温度设置Vref。

示例二：

如图3所示，本示例提供一种信息处理方法包括：

步骤S1：温度传感器第一时刻，检测存储介质的表面温度；

步骤S2：温度传感器将检测到的温度通知处理器。

步骤S3：处理器根据检测到的温度，确定向存储介质写数据时施加的第一电压。

步骤S4：处理器向存储介质的存储单元施加第一电压。

步骤S5：温度传感器第二时刻，检测存储介质的表面温度；

步骤S6：温度传感器将检测到的温度通知处理器。

步骤S7：处理器根据检测到的温度，确定读取数据的第二电压。

步骤S8：处理器向存储介质的存储单元施加第二电压，读取数据。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。

上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。