技术总结
在包括字线和位线的存储器阵列中，存储器阵列的多个存储器单元中的每个具有连接到位线的第一端子和在第一端子与相应的第二端子之间的电流路径。多个存储器单元中的第一存储器单元(400,402)具有第二端子，其经耦合以在被字线选择时接收第一电源电压(Vss)。多个存储器单元中的第二存储器单元(404,406)具有第二端子，其经耦合以在第一存储器单元(400,402)被字线选择时接收与第一电源电压不同的电压(Vdd‑Vtn)。
技术研发人员：S·K·海因里希-巴纳;R·S·劳
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：2017.02.23
技术公布日：2018.10.23