技术特征：
技术总结
本发明公开了一种存储器设备和擦除该存储器设备的方法，该存储器设备包括半导体材料衬底，和形成在衬底上并布置成行和列的阵列的多个存储器单元。存储器单元中的每一个储器单元包括在衬底中间隔开的源极区和漏极区，其中衬底中的沟道区在源极区和漏极区之间延伸，设置在沟道区的与源极区相邻的第一部分上方并与该第一部分绝缘的浮栅，设置在沟道区的与漏极区相邻的第二部分上方并与该第二部分绝缘的选择栅，以及设置在源极区上方并与源极区绝缘的编程擦除栅。单独或与选择栅极线或源极线组合的编程擦除栅极线沿列方向布置，使得每个存储器单元可以被单独编程、读取和擦除。
技术研发人员：H.V.陈;V.蒂瓦里;N.杜
受保护的技术使用者：硅存储技术公司
技术研发日：2017.05.11
技术公布日：2019.02.12