1.一种存储器设备，其特征在于，包括：
存储器平面，包括第一导电类型的一系列相邻半导体凹槽，其中每个半导体凹槽容纳包括多个存储器单元的多个存储器字，其中每个存储器单元包括具有浮置栅极和控制栅极的状态晶体管；以及
多个控制栅极选择晶体管，所述多个控制栅极选择晶体管分别被分配给所述多个存储器字中的每个存储器字，其中每个控制栅极选择晶体管被耦合到所述控制栅极选择晶体管被分配给的存储器字的所述状态晶体管的所述控制栅极，其中每个控制栅极选择晶体管位于容纳所述控制栅极选择晶体管被分配给的所述存储器字的半导体凹槽的相邻半导体凹槽中和所述相邻半导体凹槽上。
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于，所述存储器设备包括电可擦可编程非易失性存储器。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于，所述一系列相邻半导体凹槽包括所述第一导电类型的相互绝缘的相邻半导体凹槽。
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于，还包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型的半导体阱，并且所述半导体阱被配置为将直接相邻的半导体凹槽横向绝缘。
5.根据权利要求4所述的存储器设备，其特征在于，还包括所述第二导电类型的半导体埋层，所述半导体埋层被配置为将每个半导体凹槽与所述第一导电类型的半导体下方衬底的剩余部分竖直绝缘。
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于，还包括导电轨道，所述导电轨道将每个控制栅极选择晶体管耦合到所述控制栅极选择晶体管被分配给的所述存储器字的所述状态晶体管的所述控制栅极。
7.根据权利要求6所述的存储器设备，其特征在于，每个导电轨道在产生于容纳所述存储器字的所述半导体凹槽中的至少一个控制栅极选择晶体管上方经过。
8.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于，在每个半导体凹槽中，所述控制栅极选择晶体管被一起分组成N个控制栅极选择晶体管的组，并且被分别分配给属于同一半导体凹槽的N个存储器字。
9.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于，所述一系列相邻半导体凹槽包括交替的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽被相互电耦合并且所述第二凹槽被相互电耦合。
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其特征在于，所述存储器字以行和列被布置在所述存储器平面中，其中同一行的所述存储器字中的一半存储字形成偶数页面，并且所述同一行的所述存储器字中的另一半存储器字形成奇数页面，其中所述偶数页面产生在所述第一凹槽中并且所述奇数页面产生在所述第二凹槽中，并且其中所述存储器设备是按页面方式可存取的。
11.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于，还包括擦除电路，所述擦除电路被配置为通过以下来擦除所选择的存储器字的存储器单元：经由被分配给所述所选择的存储器字的所述控制栅极选择晶体管的导电端子，将擦除电压施加到所述所选择的存储器字的所述存储器单元的所述状态晶体管的所述控制栅极，以及在包含所述控制栅极选择晶体管的所述半导体凹槽中施加第一补偿电压，所述第一补偿电压适于防止所述控制栅极选择晶体管与包含所述控制栅极选择晶体管的凹槽之间的结击穿。
12.根据权利要求1所述的存储器设备，其特征在于，每个存储器单元包括与所述存储器单元的所述状态晶体管串联耦合的存取晶体管，所述存储器设备还包括编程电路，所述编程电路被配置为通过以下来对属于所选择的存储器字的所选择的存储器单元编程：将编程电压施加到所述所选择的存储器单元的所述存取晶体管的导电端子，以及在包含所述所选择的存储器字的所述半导体凹槽中施加第二补偿电压，所述第二补偿电压适于防止所述存取晶体管与包含所述所选择的存储器字的凹槽之间的结击穿。
13.一种存储器装置，其特征在于，包括：
存储器设备，所述存储器设备包括：
存储器平面，包括第一导电类型的相邻半导体凹槽，其中每个半导体凹槽容纳包括多个存储器单元的多个存储器字，其中每个存储器单元包括具有浮置栅极和控制栅极的状态晶体管；
多个控制栅极选择晶体管，所述多个控制栅极选择晶体管被分别分配给所述多个存储器字中的每个存储器字，其中每个控制栅极选择晶体管被耦合到所述控制栅极选择晶体管被分配给的存储器字的所述状态晶体管的所述控制栅极，其中每个控制栅极选择晶体管位于容纳所述控制栅极选择晶体管被分配给的所述存储器字的半导体凹槽的相邻半导体凹槽中和所述相邻半导体凹槽上；以及
第二导电类型的半导体阱，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，并且所述半导体阱被配置为将直接相邻的半导体凹槽横向绝缘，其中所述存储器设备包括电可擦可编程非易失性存储器。
14.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述装置包括移动电话或听觉假体设备。
15.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器设备还包括所述第二导电类型的半导体埋层，所述半导体埋层被配置为将每个半导体凹槽与所述第一导电类型的半导体下方衬底的剩余部分竖直绝缘。
16.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器设备还包括导电轨道，所述导电轨道将每个控制栅极选择晶体管耦合到所述控制栅极选择晶体管被分配给的所述存储器字的所述状态晶体管的所述控制栅极，每个导电轨道在产生于容纳所述存储器字的所述半导体凹槽中的至少一个控制栅极选择晶体管上方经过。
17.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，一系列的相邻半导体凹槽包括交替的第一凹槽和第二凹槽，其中所述存储器字以行和列被布置在所述存储器平面中，其中相应行的所述存储器字中的一半存储器字形成偶数页面，并且所述相应行的所述存储器字中的另一半存储器字形成奇数页面，其中所述偶数页面产生在所述第一凹槽中并且所述奇数页面产生在所述第二凹槽中，并且其中所述存储器设备是按页面方式可存取的。
18.根据权利要求17所述的存储器装置，其特征在于，所述第一凹槽被相互电耦合并且所述第二凹槽被相互电耦合。
19.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，在每个半导体凹槽中，所述控制栅极选择晶体管被一起分组成N个控制栅极选择晶体管的组，并且被分别分配给属于同一半导体凹槽的N个存储器字。
20.根据权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器设备还包括擦除电路，所述擦除电路被配置为通过以下来擦除所选择的存储器字的存储器单元：经由被分配给所述所选择的存储器字的所述控制栅极选择晶体管的导电端子，将擦除电压施加到所述所选择的存储器字的所述存储器单元的所述状态晶体管的所述控制栅极，以及在包含所述控制栅极选择晶体管的所述半导体凹槽中施加第一补偿电压，所述第一补偿电压适于防止所述控制栅极选择晶体管与包含所述控制栅极选择晶体管的凹槽之间的结击穿。